第二三极管处于饱和状。因而成为第二种状态。在此种状态下的第一动码与第一变位端也呈现高位，因而，第一变位端不起作用。
[0028]两管能形成强烈的正反馈的在原因是:当施密特第一三极管向饱和方向变化时，一是该管集电极电压变低，因而施密特第二三极管的基流变小，二是施密特第一三极管的发射极电流增大，在对地连有电阻的压降增大，导至施密特第二三极管正向偏置更小，因而更会向截止方向变化。
[0029]3、该线路因为射极对地连有电阻产生了电压，所以输出端串联有多个二极管，抵消带电压数置，确保输出端在低位时为零压。
[0030]4、该电路的优点一是省电，二是参数易于调整，而达到设计所需的要求，三是不含感性负载，所以易于集成化。
[0031]二、第二变动码与第二变位端的变换是:当施密特控制电路的输出呈高位时，反相器的输出为低位，与反相器输出相接的第二变动码与第二变位端也呈现低位，因而第二变位端不起作用，当施密特控制电路的输出呈低位，经过反相器反相，与反相器输出相接的第二变动码与第二变位端呈高位，因而第二变位端起作用。
[0032]三、在措施I中，施密特控制电路、反相器与编码块形成了这样的连接关系，编码块的地址码被分成了两部分，一部分是预先已连接的固定码，另一部分是与施密特控制电路连接的变动码。在人为操作发射时，施密特控制电路形成转换，形成高低两种状态，编码块的第一变动码与第一变位端就变成了 I与O两种状态，而编码块的第二变动码与第二变位端的相位与施密特控制电路的输出相位相反，这时编码块就由原只能一种单码发射变为了双码两种输出。通过对射频电路中发射管的激励，达到双码调制发射的目的。而接收输出具备唯一性的原因是:在数据输入端中，只有在高位时，数据输入端才起作用，因此，当施密特控制电路的输出为高位时，是第一变位端起作用，而当施密特控制电路的输出为低位时，是第二变位端起作用，其余不起作用，因此，才形成了对应接收输出的唯一性，进一步提升了遥控的密级。
[0033]实施后或在设计者所配套的接收器的配合下，本发明有以下突出的优点为:
[0034]1、施密特控制电路、反相器与编码块形成配合，彻底改变了普通编码的固定发射形式，将编码块的固定编码变为了活动的振荡形式，达到了变动码的目的，因此，大大提升了编码的密级，具有很高的防破解能力。
[0035]2、如果与滚动码线路的配合，其破译难度是超强的，因为滚动码是一类性质的编码，而本措施中双码发射又是一类性质的编码，两种不同性质的编码组合，比一种性质的编码破解难度更大。
[0036]3、双码发射可靠，其原因是发射双码产生的变码时，不会紊乱，两种变码状态明显，分辨清楚，与发明者设计的接收部分十分匹配。
[0037]4、线路可靠，施密特控制电路可靠，线路可调。反相器还具备了整形的功能，所以，特别选用于发射电路中。
[0038]5、生产容易，一是不用贵重的设备与仪表，二是技术简单，三是线路精简且所用元件要求低，所以可以产生很高的直通率，四是成本低，十分适合微型企业生产。
【附图说明】
[0039]图1是本措施的方框图。
[0040]图中:1、施密特控制电路；2、反相器；3、编码块；120、施密特控制电路的输出；220、反相器的输出；303、编码块的第一变动码；304、编成块的第二变动码；306、编码块的第二变位端；307、编码块的第一变位端；308、编码块的输出；601、电池；602、控制开关；703、射频电路。
[0041]图2是施密特控制电路图。
[0042]图中:105、微分电容；106、放电电阻；107、施密特第一三极管的集电极电阻；108、施密特第一三极管；109、发射极接地电阻；110、施密特第二三极管；112、施密特第二三极管的集电极电阻；115、输出二极管；120、施密特控制电路的输出；601、电池；602、控制开关。
[0043]图3是施密特控制电路、反相器与编码块的电路图。
[0044]图中:2、反相器；3、编码块；105、微分电容；106、放电电阻；107、施密特第一三极管的集电极电阻；108、施密特第一三极管；109、发射极接地电阻；110、施密特第二三极管；112、施密特第二三极管的集电极电阻；115、输出二极管；120、施密特控制电路的输出；220、反相器的输出；301、编码块的火线端；302、编码块的地线端；303、编码块的第一变动码；304、编成块的第二变动码；305、编码块的固定码；306、编码块的第二变位端；307、编码块的第一变位端；308、编码块的输出；601、电池；602、控制开关；703、射频电路。
[0045]具体实施实例
[0046]图1、2、3共同描述了具体实施的一种方式。
[0047]1、焊接:施密特控制电路图2所示焊接。
[0048]2、调制。
[0049](1)、调整施密特控制电路。
[0050]调整转换时间:用示波器的红条笔接在施密特控制电路的输出上，黑表笔接地，
[0051]观察转换情况，使之频率符合要求。调整微分电容与放电电阻的值，可以调整发射的一次码状态的时间，而调整集电极电阻或发射极电阻值，可以调整其发射二次码的时间。
[0052](2)、调整射频与调制工作状态。
[0053]如果用示波器作接收器，与发射器不直接相连，这时在按发射器时，示波器会有反应，表示射频与调制工作正常。如果是晶振式，应调整调频电容的值或编码块输出端的电阻值，如果是调感式，则应调整调频线圈或编码块输出端的电阻值，直到灵敏度符合要求。
[0054](3)、用普通单码接收器作接收器，此时接收部分不能收到信号。如果用发明者设计的特定双码信号接收器，则双码接收器会收到信号。
【主权项】
1.一种施密特式发射电路，其特征是:由电池、控制开关、施密特控制电路、反相器、编码块、射频电路共同组成； 其中:电池的正极接控制开关的一端，控制开关的另一端为一种施密特式发射电路的电源； 编码块的地址码中有两位地址码接为变动码，其余接为固定码，在数据输入端中，有两位数据输入端接为了变位端； 施密特控制电路由微分电容、放电电阻、两个三极管、集电极电阻、接地电阻、输出二极管组成:微分电容的一端接电源，另一端接施密特第一三极管的基极，施密特第一三极管的基极对地接一个放电电阻，施密特第一三极管与施密特第二三极管的集电极分别接一个集电极电阻到电源，两个三极管的发射极接在一起对地接一个接地电阻，施密特第一三极管的集电极接施密特第二三极管的基极，施密特第二三极管的集电极接输出二极管的正极，输出二极管的负极为施密特控制电路的输出，连接编码块的一位变动码与一位变位端，这位变动码即是第一变动码，这位变位端即是第一变位端； 反相器的输入连接施密特控制电路的输出，反相器的输出连接编码块的另一位变动码也另一位变位端，这位变动码即是第二变动码，这位变位端即是第二变位端； 编码块的变动码连接施密特控制电路的输出，编码块的输出连接射频电路。2.根据权利要求1所述的一种施密特式发射电路，其特征是:施密特控制电路中的两个三极管都是采用8050。3.根据权利要求1所述的一种施密特式发射电路，其特征是:施密特控制电路中，发射极接地电阻的功率大于集电极电阻。4.根据权利要求1所述的一种施密特式发射电路，其特征是:编码块的固定码连接方式一是全部接电源，方式二是一部分接地线，另一部分既不接地线也不接电源。
【专利摘要】一种施密特式发射电路，属于电子技术领域。是将具有三种状态的普通编码升级为一种高密编码的一种形式，由电池、控制开关、施密特控制电路、反相器、编码块、射频电路共同组成。编码集成块的第一变动码与第一变位端由施密特控制电路的输出控制，第二变动码与第二变位端由反相器的输出控制，当控制开关接通电池，发射电路带电，施密特控制电路启动，转变第一变动码与第一变位端的同时，启动反相器，达到双码发射目的的同时，形成接收输出的唯一性，通过对射频电路中发射管的激励，达到双码调制发射的目的，成为一种新型的高密级编码集成电路，为研究另类发射提供了广阔的空间。
【IPC分类】H04B1/04, G08C17/02
【公开号】CN204681345
【申请号】CN201520402608
【发明人】郑敏芝
【申请人】重庆尊来科技有限责任公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年6月12日