专利名称：等离子体处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种对被处理基板进行蚀刻等的等离子体处理的等离子体处理装置。
背景技术：
在半导体器件或者液晶显示装置的制造工序中，为了在称为半导体晶片或者玻璃基板的被处理基板上进行蚀刻处理或者成膜处理等的等离子体处理，使用等离子体蚀刻装置或者等离子体CVD成膜装置等等离子体处理装置。
作为等离子体处理装置中发生等离子体的方法，已经知道，对配置有平行平板电极的腔室内提供处理气体，对该平行平板电极提供规定的功率，通过电极间的电容耦合来发生等离子体的方法，或者通过导入到腔室内的微波导致的电场和配置在腔室外的磁场发生装置导致的磁场来加速电子，使该电子与处理气体的中性分子碰撞，电离中性分子，由此产生等离子体的方法。
在利用由微波导致的电场和由磁场发生装置导致的磁场的磁控管效果的后者的方法情况下，规定功率的微波通过导波管/同轴管，提供给腔室内配置的天线，来自该天线的微波发射到腔室内的处理空间。
图8是表示已有的一般微波导入装置的大致构成的说明图。微波导入装置90大致包括微波振荡器91，其具有输出调整为规定功率的微波的磁控管91a和对该磁控管91a供给规定频率的阳极电流的微波发生电源91b；将从微波振荡器91输出的微波向腔室内的处理空间发射的天线94；将从天线94向微波振荡器91返回的反射微波进行吸收的隔离器92；具有对天线94进行匹配的调谐器，使得反射微波的功率变小，进行从导波管向同轴管的连接的匹配器93(例如参照专利公报第2722070号和特开平8-306319号公报)。
发明内容
但是，由于在使用磁控管91a的微波振荡器91中，磁控管91a的寿命为约半年那样短，所以具有装备成本和维修费用增加这样的问题。另外，磁控管91a的振荡稳定性约1％，可输出稳定性是3％左右，其离散度大，所以发出稳定的微波是困难的。
本发明是鉴于这些问题作出的，其目的在于，提供一种具有长寿命的微波振荡器的等离子体处理装置。另外，本发明的目的在于，提供一种具有能够稳定地供给微波的微波振荡器的等离子体处理装置。
作为解决这样的问题的方法，本发明发明者们在先提出了使用半导体放大元件来将微波放大到规定的输出的等离子体处理装置(专利申请2002-288769号，下面称为“在先申请”)。图7是表示具有使用该在先申请的半导体放大元件的微波振荡器的微波导入装置的大致构成的说明图。
微波导入装置80具有振荡规定功率的微波的微波振荡器80a；隔离器85，吸收从微波振荡器80a输出的微波中从天线87向微波振荡器80a返回的反射微波；天线87，将通过设置在腔室内的隔离器85输出的微波向着腔室的处理空间振荡；匹配器86，对天线87进行匹配，以降低来自天线87的反射微波。
另外，微波振荡器80a具有发生微波的微波发生器81；将从微波发生器81输出的微波分配成多个(在图7中表示分配给4路的情况)微波的分配器82；将从分配器82输出的4路各微波分别放大到规定功率的4个固态放大器(solid state amplifier)83；合成各个固态放大器83所放大的微波的合成器84。
微波发生器81具有发生规定频率(例如2.45GHz)的微波的微波发生源(生成器)81a；将由微波发生源81a所发生的微波功率衰减到规定电平的可变衰减器81b。
固态放大器83具有将输入的微波进一步分配成多个微波的副分配器83a(图7表示分配成4个系统的情况)；半导体放大元件83b，将从副分配器83a输出的微波放大到规定的功率；副合成器83c，合成从各个半导体放大元件83b输出的放大的微波。
根据这样的微波导入装置，由于半导体放大元件83b进行功率放大，所以装置寿命是半永久的，另外，能够将输出稳定的微波向腔室内发射。
但是，在这样的微波导入装置80中，需要在固态放大器83内进行阻抗匹配，此外要进行分配器82和合成器84的阻抗匹配。在阻抗不匹配的情况下，功率损失大。特别是，在等离子体处理装置中，例如，需要向天线87传送2～3kW的微波，在微波导入装置80中，这样大功率的微波需要由合成器84来合成。为此，特别是在合成器84中，为了抑制微波的功率损失，要求更精密的阻抗匹配。
此外，由于从合成器84输出的大功率微波传送到隔离器85，所以隔离器85也需要几千瓦级的大型隔离器。因此，发生隔离器85的设置位置的自由度少的问题，和隔离器85本身价格高昂的问题。此外，由于合成后的微波通过1个同轴管向天线87传送，所以从天线87输出的微波的输出分布不能进行调整。
本发明解决所述在先申请的微波导入装置所产生的这些问题，即，传送损失增大的问题、供给微波的装置大型化的问题、以及发射的微波的功率分布不能调整的问题。
根据本发明，提供一种等离子体处理装置，其特征在于，具有容纳被处理基板的腔室；向所述腔室内提供处理气体的气体供给装置；微波导入装置，向所述腔室内导入等离子体生成用的微波，所述微波导入装置具有输出多个规定输出的微波的微波振荡器；天线部，具有分别传送从所述微波振荡器输出的多个微波的多个天线。
根据本发明，各个微波分别传送到构成天线部的多个天线，所以，在直到天线部的传送线路中不需要合成大功率的微波。因此，由于不需要合成器，所以能够完全避免由合成器导致的功率损失的发生。另外，能够减小传送到各个天线部的各个微波的输出，所以，不必使用大功率用的隔离器。通过这样，也能够避免微波振荡器的大型化。此外，也能够对构成天线部的多个天线分别提供不同功率的微波，由此也能够调整从天线部发射的微波的输出分布。
优选地，所述微波振荡器具有发生低功率的微波的微波发生器；将由所述微波发生器所发生的微波分配成多个微波的分配器；将从所述分配器输出的微波放大到规定的功率的多个放大器部，从所述多个放大器部输出的多个微波，分别向所述多个天线传送。
在这种情况下，如果所述多个放大器部的每个具有将从所述分配器输出的各个微波衰减到规定电平的可变衰减器；将从所述可变衰减器输出的微波放大到规定功率的固态放大器；隔离器，分离从所述固态放大器向所述天线输出的微波中返回到固态天线的反射微波；调整所述反射微波的功率的匹配器，通过调整各个可变衰减器的衰减率，能够对多个天线分别提供不同功率的微波。通过这样，能够调整腔室内发生的等离子体分布。
所述隔离器能够具有热变换所述反射微波的等效负载(dummyload)；将从所述固态放大器输出的微波向所述天线导入，将来自所述天线的反射微波向所述等效负载导入的循环器。
这种情况下，由于从1台固态放大器输出的微波的功率不是非常大，所以能够使用小型的隔离器，因此，装置成本也能够抑制成廉价。
所述固态放大器具有将输入的微波分配成多个微波的副分配器；将从所述副分配器输出的多个微波分别放大到规定功率的多个半导体放大元件；将通过所述多个半导体放大元件进行功率放大的微波进行合成的合成器。作为该半导体放大元件，优选使用功率MOSFET或者GaAsFET或者GeSi晶体管等。
由于通过不使用磁控管的半导体放大元件来功率放大低功率的微波，所以能够将放大器部的寿命形成为半永久的。通过这样，可将设备成本和维护费用抑制成低成本。另外，由于半导体放大元件其输出稳定性优异，所以能够将具有稳定特性的微波向腔室内发射。通过这样，能够良好地保持等离子体的发生状态，提高基板的处理品质。此外，这种情况下，放大器部的输出调整范围宽到0％～100％，容易进行调整。
作为所述天线部，能够使用由下列部件构成的天线部在中心设置的圆形天线；包围该圆形天线的外侧的多个大致扇形天线；分离这些圆形天线和大致扇形天线的分离板。各个天线能够具有滞波板、冷却板、开槽板。而且，而且，优选地，分离板是金属部件而且接地。
在这种情况下，优选地，在圆形天线的开槽板上，在距离圆形天线的外周仅λg/4的内侧圆周上设置规定长度的第一开槽，在从该第一开槽每隔λg/2的内侧同心圆上设置规定长度的第二开槽。另外，优选地，在大致扇形天线的开槽板上，分别在距离大致扇形天线彼此的边界仅λg/4的内侧设置规定长度的第三开槽，在从该第三开槽每隔λg/2的内侧设置规定长度的第四开槽。通过这样，能够更有效地向腔室内发射微波。
图1是表示本发明一实施方式的等离子体蚀刻装置的大致构成的截面图。
图2是表示图1的等离子体蚀刻装置中所设置的微波导入装置的构成的说明图。
图3是平面表示天线构造的说明图。
图4是表示圆盘形天线的构造的大致截面图。
图5是表示阻抗匹配中所使用的等价电路的一个例子的图。
图6是表示等离子体点火时和处理时的阻抗变化的说明图(史密斯圆图)。
图7是表示具有使用半导体放大元件的微波振荡器的微波导入装置的大致构成的说明图。
图8是表示已有的微波导入装置的构成的说明图。
具体实施例方式
下面，关于本发明的实施方式参照附图来进行详细说明。图1是表示作为等离子体处理装置的一个例子的等离子体蚀刻装置1的大致构成的截面图。图2是表示等离子体蚀刻装置1中所设置的微波导入装置50的更详细构成的说明图。而且，等离子体蚀刻装置1的被处理基板是半导体晶片W。
等离子体蚀刻装置1具有收容晶片W的腔室11；设置在腔室11上的气体导入口26；通过该气体导入口26，向腔室11内部提供等离子体产生用的处理气体(例如氯气(Cl2))的气体提供装置27；设置在腔室11上的排气口24；通过该排气口24对腔室11内部进行排气的排气装置25；在腔室11内保持晶片W的基板保持台23；在腔室11内部的处理空间20内产生磁场的空心线圈21；向腔室11内提供微波的微波导入装置50。
微波导入装置50具有输出多个(在图1和图2中表示4路的情况)规定输出的微波的微波振荡器30；由从微波振荡器30输出的各个微波分别供电的天线13a、13b、13c、13d(在图1中没有图示13d)所构成的天线部13。
微波振荡器30具有发生低功率微波的微波发生器31；将从微波发生器31输出的微波分配成多个微波的分配器32(图2中表示分配成4个的情况)；将从分配器32输出的各个微波放大到规定功率的多个放大器部33(图2中表示了4个放大器部33)。从这4个放大器部33输出的各个微波分别向在天线13a～13d中分别设置的供电点60a、60b、60c、60d传送(参照图3)。
微波发生器31发生规定频率(例如2.45GHz)的微波。分配器32一边进行输入侧和输出侧的阻抗匹配一边进行微波的分配，使得尽可能不引起微波的损失。
如图2所述，各个放大器部33具有将从分配器32输出的微波衰减到规定电平的可变衰减器41；将从可变衰减器41输出的微波放大到规定功率的固态放大器42；隔离器43，将从固态放大器42向各个天线13a～13d输出的微波中返回到固态放大器42的反射微波进行分离；调整反射微波的功率的匹配器44。
可变衰减器41调整向固态放大器42输入的微波的功率电平。因此，通过调整可变衰减器41的衰减电平，能够调整从固态放大器42输出的微波的功率。
在4个放大器部33的每个上，分别安装可变衰减器41。为此，通过个别改变这些可变衰减器41的衰减率，能够使从4个放大器部33输出的微波的功率互相不同。即，在微波振荡器30中，能够对天线13a～13d分别提供不同功率的微波。通过这样，除了能够在腔室11内发生均匀的等离子体，还能够发生各种分布的等离子体。
固态放大器42具有将输入的微波进一步分配成多个微波的副分配器42a(图2表示了分配成4个系统的情况)；将从副分配器42a输出的微波放大到规定功率的半导体放大元件42b；将从各个半导体放大元件42b输出的放大的微波进行合成的合成器42c。
副分配器42a具有与分配器32相同的构成。作为半导体放大元件42b，例如使用功率MOSFET。从一个半导体放大元件42b输出的微波的最大功率，例如是100W～150W。与此相对，必需提供给天线部13的微波的全部功率一般是1000～3000W。因此，能够调整各个放大器部33的可变衰减器41的衰减率，使得平均250W～750W的微波传送到天线13a～13d。
合成器42c一边进行阻抗匹配，一边合成从各个半导体放大元件42b输出的微波。此时，作为匹配电路，能够使用威尔金森型、分支线型、分类平衡型等电路。
从固态放大器42输出的微波，通过隔离器43和匹配器44，送到构成天线部13的各个天线13a～13d中。此时，来自天线13a～13d的一部分微波返回到固态放大器42(反射)。隔离器43具有循环器43a和等效负载(同轴终端器)43b，循环器43a将从天线13a～13d向固态放大器42逆行的反射微波导向等效负载43b。等效负载43b将由循环器43a引导的反射微波进行热变换。
如使用图7所说明的那样，在通过固态放大器83放大到规定功率的微波从被合成通向隔离器84的情况下，隔离器84需要承受几千瓦的功率，隔离器84本身变得大型且高价。但是，在本实施方式的微波振荡器30中，通过固态放大器42放大到规定功率的微波没有被合成而是原样通过隔离器43，另外，由于从各个固态放大器42输出的各个微波的功率不是非常大，所以作为隔离器43能够使用小型的隔离器，装置成本也能够抑制得便宜。
匹配器44具有对天线13a～13d进行匹配的调谐器，使得导向等效负载43b的反射微波变少。从匹配器44向设置在天线13a～13d上的供电点60a～60d，通过同轴外管导体16a和同轴内管导体16b(参照图1)传送微波。同轴内管导体16b具有在天线13a～13d的端部的用于抑制/降低微波的反射的锥形部22。
图3是平面地表示天线部13的构造的说明图。圆盘状的天线部13由下列部分构成设置在中心的圆形天线13a；包围天线13a的外周的3个大致扇形的天线13b～13d；分离各个天线13a～13d的分离板19。换句话说，天线部13具有通过分离板19将现有的圆盘形天线分割为4个天线13a～13d的构造。而且，供电点60a～60d(同轴外管导体16a和同轴内管导体16b的安装部)在各个天线13a～13d中每个位置设置一个。
如图1所示那样，天线13a具有形成有为了向规定位置发射微波的槽(图1未示出)的由金属构成的开槽板14a；由氮化铝(AlN)等构成的滞波板17a。同样的，天线13b～13d也分别具有形成有槽(图1未图示)的开槽板14b、滞波板17b。而且，滞波板17a、17b分别具有冷却板的功能。另外，天线部13具有防止开槽板14a、14b和在处理空间20中发生的等离子体直接接触的微波透过绝缘板15。
分离板19是金属部件，而且，优选地，把它接地。通过供电点60a～60d供给至天线13a～13d的微波由分离板19其相位旋转180度全反射。即，在天线13a～13d间的微波不移动。各个天线13a～13d分别独立地向处理空间20中发射微波。通过由分离板19导致的微波的反射，在滞波板17a、17b上产生驻波。因此，在与该驻波的波腹部分对应的开槽板14a、14b的位置，如果形成与驻波的前进方向垂直的细长的开槽，就能够从这些开槽有效地将微波发射到处理空间20中。
在图3中，一起描述了在天线13a的开槽板14a上设置的开槽61a、61b和在天线13b～13d的开槽板14b上设置的开槽61c、61d的位置。而且，在图3中，开槽61a～61d方便地由实线表示，但开槽61a～61d实际是具有规定的宽度的孔部。
如图3所示那样，在圆形天线13a上，在将微波的波长设为λ1，将滞波板17a、17b的介电常数设为εr，将λg定义为λ1/εr1/2时，在距天线13a的外周仅大致λg/4的内侧同心圆上设置规定长度的开槽61a。优选地，在距该开槽61a大致(每隔)λg/2的内侧同心圆上设置规定长度的开槽61b。另外，在大致扇形的天线13b～13d上，在距天线13b～13d彼此的边界大致λg/4的内侧设置规定长度的开槽61c，优选地，在距该开槽61c大致每隔λg/2的内侧设置规定长度的开槽61d。开槽61a～61d的位置与所述驻波的波腹位置基本一致。
从在开槽板14a、14b上形成的开槽61a～61d所发射的微波通过微波透过绝缘板15，到达处理空间20，在处理空间20内形成微波电场。与此同时，如使空心线圈21工作在处理空间中发生磁场，通过磁控管效果，能够有效地发生等离子体。但是，该空心线圈21不是必需的。即使仅有从天线部13发射的微波，也能够发生等离子体。
如根据本实施方式的等离子体蚀刻装置1，由于能够通过微波导入装置50对处理空间20提供功率稳定的微波，所以能够在处理空间20内发生稳定的等离子体，由此提高晶片W的处理品质。另外，发射的微波功率具有分布，由此能够发生具有分布的等离子体。例如，能够以中心部和外周部不同的等离子体密度来进行处理。
但是，天线部13的整体外径、各个天线13a～13d的各自形状和各个开槽的形成位置，能够采用设计一般的圆盘形天线时的方法。在下面，关于圆盘形天线的设计方法进行简单说明。
图4是圆盘形天线70的大致截面图。圆盘形天线70由开槽板71、滞波板72、冷却板73、同轴管74构成。冷却板73覆盖滞波板72的外周，将到达滞波板72的周缘的微波向内侧反射。
滞波板72具有内径2×r、外径2×R、厚度为h的平环状形状。在将微波的波长设为λ1，将滞波板72的介电常数设为εr时，定义为λg＝λ1/εr1/2，优选地，滞波板72的宽度L(＝R-r)是λg的大致整数倍。这种情况下，滞波板72的周缘是驻波的节，距滞波板72的周缘仅λg/4的内侧同心圆上，和距该圆每λg/2的内侧同心圆上与驻波的波腹位置对应。开槽板71的开槽形成位置优选地与该驻波的波腹位置匹配。通过这样，即使同轴管74和滞波板72的特性阻抗不一致，也能够抑制从天线70向匹配器返回的反射微波的功率的减小。
滞波板72的厚度h能够通过下面求出。例如，在使用WX-39D作为同轴管74的情况下，滞波板72的内径是2r＝38.8mm。同轴管74的特性阻抗通常是50Ω，另一方面，平行板线路的特性阻抗Zo由下面的公式(1)给出。因此，滞波板72的厚度h能够如下面的公式(2)求出。而且，ε是氮化铝的平均介电常数，μ是氮化铝的透磁率。这里，由于氮化铝是介电材料(绝缘材料)，所以比透磁率(μr)是1。
Zo=h2πrμϵ=h2πr·377·μrϵr=h2πr·377ϵr···(1)]]> 下面，说明天线70的阻抗匹配方法。在图5所示的电路中，如果将电源电压设为Vg，将线路的特性阻抗设为Zo，将负载阻抗设为Ze，负载点的电压Vo由下面的公式(3)表示，反射系数Γ由下面的公式(4)给出。
Vo=(Ze-ZoZe+Zo+1)Vg···(3)]]>Γ=Ze-ZoZe+Zo···(4)]]>在所传送的微波能量由负载有效消耗中，需要Ze＝Zo。即，需要将负载和匹配器的合成阻抗与传送线路的特性阻抗一致。但为了点火等离子体，根据Paschen规则，点火电压Vs由作为压力P和间隔(放电距离)L的关系式的下面公式(5)表示。
Vs＝f(p·L) …(5)根据公式(5)，如果决定了间隔L就意味着决定点火电压。另外，根据公式(3)，如果Ze＞Zo，则能够提高负载点的电压Vo。
因此，例如，为了缩短处理时间，象图6的史密斯圆图所示那样，为了在等离子体点火时产生适当的感应反射，将阻抗从点A通过感应区域向中心点O移动，在等离子体点火后的处理时由中心点O(阻抗匹配位置)来保持。
以上说明了本发明的实施方式，但本发明不限于这样的实施方式。例如，微波振荡器30的电路构成或者固态放大器42的电路构成可不限于图2所示的构成，能够具有各种变形。
例如，对从天线部13发射的微波不需要设置不一样分布的情况下，能够形成这样的构成，即将天线13a～13d的微波发射面积形成相等，在各个放大器部33不设置可变衰减器41，在微波发生器31和分配器32间设置可变衰减器。通过这样，能够减少可变衰减器的部件数量。
另外，在将相互不同功率的微波传送到天线13a～13d的情况下，能够使用具有安装不同个数的半导体放大元件的固态放大器的放大器部。例如，为了用天线13a传送600W的微波，使用包括具有4个半导体放大元件的固态放大器的放大器部，另一方面，为了用天线13b～13d来传送300W的微波，能够使用具有包括2个半导体放大元件42的固态放大器的固态放大器部。
天线部13不限于由4个天线13a～13d所构成的方式，也可以是由更多个天线或者更少个天线构成。另外，天线的形状不限于图3所示的圆形和大致扇形。在由更多个天线构成天线部的情况下，需要增加放大器部的数量，但由于进一步减小了分别从放大器部输出的微波的功率，所以能够进一步将放大器部小型化。
在上述说明中，作为等离子体处理采用蚀刻处理，但本发明也能够用于等离子体CVD处理(成膜处理或氮氧化膜的膜改质等)或者抛光处理(ashing)等其它等离子体处理。在这种情况下，也可以根据处理目的向腔室11内提供合适的处理气体。另外，被处理基板不限于半导体晶片W，也可以是LCD基板、玻璃基板、陶瓷基板等。
权利要求
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有容纳被处理基板的腔室；向所述腔室内提供处理气体的气体供给装置；微波导入装置，向所述腔室内导入等离子体生成用的微波，所述微波导入装置具有输出多个规定输出的微波的微波振荡器；天线部，具有分别传送从所述微波振荡器输出的多个微波的多个天线。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述微波振荡器具有发生低功率的微波的微波发生器；将由所述微波发生器所发生的微波分配成多个微波的分配器；将由所述分配器分配的各微波放大到规定的功率的多个放大器部，从所述多个放大器部输出的多个微波，分别向所述多个天线传送。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述多个放大器部的每个具有将从所述分配器输出的各微波衰减到规定电平的可变衰减器；将从所述可变衰减器输出的微波放大到规定功率的固态放大器；隔离器，分离从所述固态放大器向所述天线输出的微波中返回到固态放大器的反射微波；调整所述反射微波的功率的匹配器。
4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述隔离器具有热变换所述反射微波的等效负载；将从所述固态放大器输出的微波向所述天线导入，将来自所述天线的反射微波向所述等效负载导入的循环器。
5.根据权利要求3或4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述固态放大器具有将输入的微波分配成多个微波的副分配器；将从所述副分配器输出的多个微波分别放大到规定功率的多个半导体放大元件；将通过所述多个半导体放大元件进行功率放大后的微波进行合成的合成器。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述半导体放大元件由功率MOSFET或者GaAsFET或者GeSi晶体管构成。
7.根据权利要求1到6中的任何一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述多个天线的每个具有滞波板；开槽板。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述天线部具有在中心设置的圆形天线；包围所述圆形天线的外侧的多个大致扇形天线；分离所述圆形天线和所述多个大致扇形天线的分离板。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述分离板是金属部件而且接地。
10.根据权利要求8或者9所述的等离子体处理装置，其特征在于，在将所述微波的波长设定为λ1，将所述滞波板的比介电常数设定为εr，将λg定义为λ1/εr1/2的情况下，在圆形天线的开槽板上，在距离所述圆形天线的外周仅λg/4的内侧的圆周上设置规定长度的第一开槽，在从该第一开槽每隔λg/2的内侧同心圆上设置规定长度的第二开槽，在所述多个大致扇形天线的开槽板上，分别在距离该大致扇形天线彼此的边界仅λg/4的内侧设置规定长度的第三开槽，在从偏离该第三开槽每隔λg/2的内侧设置规定长度的第四开槽。
11.根据权利要求1到10中的任何一个所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述腔室内还设置发生磁场的磁场发生装置，通过由导入到所述腔室内的微波而发生的电场和由所述磁场发生装置而发生的磁场产生磁控管效果。
全文摘要
本发明的等离子体处理装置具有容纳被处理基板的腔室；向所述腔室内提供处理气体的气体供给装置；微波导入装置，向所述腔室内导入等离子体生成用的微波。所述微波导入装置具有输出多个规定输出的微波的微波振荡器；天线部，具有分别传送从所述微波振荡器输出的多个微波的多个天线。
文档编号H05H1/46GK1692476SQ20038010057
公开日2005年11月2日 申请日期2003年10月6日 优先权日2002年10月7日
发明者河西繁, 长田勇辉, 荻野贵史 申请人:东京毅力科创株式会社