专利名称：Led控制电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及光源控制领域，特别涉及一种LED的控制电路。
背景技术：
随着LED技术的发展，其应用领域越来越广泛。现有的LED控制电路中的开关控 制采用晶体管体为开关元器件，一方面需要至少两个晶体管才能实现控制，因而其制造成 本较高，材料成本也较高；另一方面控制器输出控制信号电流为毫安级，无法用来驱动驱动 大功率三极管，只能驱动达林顿管三极管，但该达林顿管三极管在导通时压降比较大，产生 散量较比，需要设置与达林顿管三极管连接的散热片进行散热才能使控制电路稳定，因而 该控制电路的体积较大；同进采用达林顿管作为所述开关元器件时，其工作效率较低。
实用新型内容本实用新型主要解决的技术问题是提供一种LED控制电路，该LED控制电路体积 小，成本低，工作效率高。为了解决上述问题，本实用新型提供一种LED控制电路，该LED控制电路包括控制 器和与该控制器连接授受其控制的开关电路，所述开关电路由第一场效应管和第二场效应 管集成构成。优选地，所述第一场效应管的栅极与控制器一输出端连接，其漏极与LED接口连 接，该LED接口与LED电路连接，其源极通过电阻接地；所述第二场效应管的栅极与控制器 另一输出端连接，其漏极与LED接口连接，该LED接口与LED电路连接，其源极通过电阻接 地。优选地，所述场效应管为集成型M0SFET。本实用新型LED控制电路，通过采用由至少两个场效应管复合而成的复合场效应 管作为开关电路。与现有技术相比，一方面减少元器件的数量，降低制造成本；另一方面复 合场效应管导通压降较小，产生热量也少，不需要增加散热片等散热装置进行散热，因而可 以减少该控制电路的体积，进一步降低成本。
图1是本实用新型LED控制电路实施例原理框图。下面结合实施例，并参照附图，对本实用新型目的的实现、功能特点及优点作进一 步说明。
具体实施方式
如图1所示，本实用新型提供一种LED控制电路实施例。所述LED控制电路包括控制器1和与该控制器1连接授受其控制的开关电路2，该 开关电路2由第一场效应管Ql和第二场效应管Q2集成构成。[0012]具体地说，所述第一场效应管Ql的栅极与控制器1 一输出端连接，其漏极与LED 接口 3连接，该LED接口 3与LED电路连接，其源极通过电阻Rl接地；所述第二场效应管 Q2的栅极与控制器1另一输出端连接，其漏极与LED接口连接，该LED接口 3与LED电路连 接，其源极通过电阻R2接地。在所述LED控制电路工作时，控制器1两控制端分别输出高电平信号，第一场效应 管Ql和第二场效应管Q2分别导通，与之电连接的LED灯亮。与现有技术相比，控制器IC 输出的控制信号可以直接驱动M0SEFT，且MOSEFT的导通压降很小，MOSEFT产生的热量少， 因而也不需要设置散热片，LED控制电路体积较小，进一步降低成本。同时可以减少元器件 的数量，从而制造成本较低，且工作效率较高。在本实施例中，所述场效应管Q可以根据需要由两个或多个第一场效应管Ql和第 二场效应管Q2集成；所述第一场效应管Ql与第二场效应管Q2结构可以根据需要设为相 同。以上所述仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围， 凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运 用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
权利要求LED控制电路，其包括控制器和与该控制器连接授受其控制的开关电路，其特征在于所述开关电路由第一场效应管和第二场效应管集成构成。
2.根据权利要求1所述LED控制电路，其特征在于所述第一场效应管的栅极与控制器一输出端连接，其漏极与LED接口连接，该LED接口 与LED电路连接，其源极通过电阻接地；所述第二场效应管的栅极与控制器另一输出端连 接，其漏极与LED接口连接，该LED接口与LED电路连接，其源极通过电阻接地。
3.根据权利要求1或2所述LED控制电路，其特征在于 所述场效应管为集成型M0SFET。
专利摘要本实用新型公开一种LED控制电路，其包括控制器和与该控制器连接授受其控制的开关电路，所述开关电路由原来由两个分离达林顿晶体管组成，现在采用集成场效应管构成。与现有技术相比，一方面减少元器件的数量，降低了制造成本，同时也降低材料成本；另一方面复合场效应管导通压降较小，产生热量也少，不需要增加散热片等散热装置进行散热，因而可以减少该控制电路的体积，进一步降低成本，提高效率。
文档编号H05B37/02GK201663739SQ20102015932
公开日2010年12月1日 申请日期2010年4月8日 优先权日2010年4月8日
发明者谢道平 申请人:谢道平