专利名称：一种单晶硅棒的制作方法
技术领域：
—种单晶娃棒技术领域[0001]本实用新型涉及晶态硅技术领域，尤其涉及一种单晶硅棒。
背景技术：
[0002]单晶硅棒是硅的单晶体，是具有基本完整点阵结构的晶体，其不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其导电率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。[0003]在单晶硅生产中需要通过线切割机将单晶硅棒切割成硅片，由于现有的单晶硅棒一般呈头部有尖稍，尾部有不平凹状的结构，因此单晶硅底面较为光滑，容易产生抖动现象，造成进刀尺寸不一致，切割的硅片不均匀，从而使得成品率下降。实用新型内容[0004]本实用新型的目的在于，提出一种单晶硅棒，其采用合理的结构设计，可以避免在线切割过程中的抖动现象，切割的硅片较为均匀，使用率较高。[0005]为实现上述目的，本实用新型提供一种单晶硅 棒，其包括数个硅棒单元本体，该硅棒单元本体为单晶硅棒单元本体，相邻的两个硅棒单元本体之间通过环氧树脂粘粘在一起，数个硅棒单元本体共同粘接形成一长方体结构的棒体。[0006]本实用新型中，所述长方体结构棒体的顶角均为直角。[0007]或者，所述长方体结构棒体的顶角均为圆角。[0008]其中，所述棒体的长度为IOOmm 200mm。[0009]本实用新型的单晶硅棒，其采用合理的结构设计，改变现有技术中单晶硅棒头部尖稍、尾部不平凹状的结构设计，可以避免在切线过程中的抖动现象，进刀尺寸一致，切割的硅片较为均匀，使用率较高，且成品率也得到了一定的提高。
[0010]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。[0011]图I为本实用新型的单晶硅棒一种具体实施例的结构示意图；[0012]图2为本实用新型的单晶硅棒另一种具体实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0013]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。[0014]如图I所示，本实用新型提供一种单晶硅棒，其包括数个硅棒单元本体10，该硅棒单元本体10为单晶硅棒单元本体，相邻的两个硅棒单元本体10之间通过环氧树脂粘粘在一起，数个硅棒单元本体10共同粘接形成一长方体结构的棒体20。[0015]作为本实用新型的一种具体实施例，所述长方体结构棒体20的顶角均可以采用直角设置。该直角设置的长方体结构，可以使得后续切片的硅片表面积更大。[0016]或者，作为本实用新型的另一种具体实施例(图2所示)，所述长方体结构棒体20 的顶角均可以采用圆角设置。该圆角设置的长方体结构，在运输过程中不易产生崩边、缺角，且能防止切割后的硅片缺角、崩边，提高了硅片生产的良品率和后期加工的使用率；相对于倒角而言，磨圆角后增大了切割后硅片的可用面积，提高了发电效率，同时也提高了边缘表面的质量。[0017]在本实用新型中，所述棒体20的长度约为IOOmm 200mm。本实用新型的单晶硅棒，其改变现有技术中单晶硅棒头部尖稍、尾部不平凹状的结构设计，可以避免在切线过程中的抖动现象，使进刀尺寸一致，切割的硅片厚度较为均匀，使用率较高，且成品 也得到了 一定的提闻。[0018]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种单晶硅棒，包括数个硅棒单元本体，其特征在于，该硅棒单元本体为单晶硅棒单元本体，相邻的两个硅棒单元本体之间通过环氧树脂粘粘在一起，数个硅棒单元本体共同粘接形成一长方体结构的棒体。
2.如权利要求I所述的一种单晶硅棒，其特征在于，所述长方体结构棒体的顶角均为直角。
3.如权利要求I所述的一种单晶硅棒，其特征在于，所述长方体结构棒体的顶角均为圆角。
4.如权利要求I所述的一种单晶娃棒，其特征在于，所述棒体的长度为IOOmm 200mmo
专利摘要本实用新型涉及晶态硅技术领域，具体公开了一种单晶硅棒，其包括数个硅棒单元本体，该硅棒单元本体为单晶硅棒单元本体，相邻的两个硅棒单元本体之间通过环氧树脂粘粘在一起，数个硅棒单元本体共同粘接形成一长方体结构的棒体。本实用新型的单晶硅棒，其采用合理的结构设计，可以避免在线切割过程中的抖动现象，切割的硅片较为均匀，使用率较高。
文档编号C30B29/06GK202786509SQ201220414959
公开日2013年3月13日 申请日期2012年8月21日 优先权日2012年8月21日
发明者夏学军 申请人:云南三奇光电科技有限公司