高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种能容易地折弯的高频信号线路以及具备该高频信号线路的电子设备。电介质主体(12)是具有区域(A1～A3)的层叠体，由具有挠性的多个电介质片材(18)层叠而成。信号导体层(20)设置在电介质主体(12)上。接地导体层(22、23)设置在电介质主体(12)上，且与信号导体层(20)相对。区域(A1)中接地导体层(23)与信号导体层(20)的间隔(D1)比区域(A2、A3)中接地导体层(22)与信号导体层(20)的间隔(D2)小。电介质主体(12)在区域(A1)处折弯。
【专利说明】高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备
【技术领域】
[0001]本发明涉及高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备，尤其涉及由信号导体层和接地导体层构成的高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备。
【背景技术】
[0002]作为现有的高频信号线路，已知有例如专利文献I所记载的信号线路。图20是专利文献I所记载的信号线路500的分解图。
[0003]信号线路500包括绝缘片材522a?522d、接地导体530、534以及信号线532。绝缘片材522a?522d从上到下依次层叠。接地导体530、534分别设置在绝缘片材522b、522d上。信号线532设置在绝缘片材522c上。由此，信号线532被绝缘片材522b、522d从上下方向夹持。如上述那样构成的信号线路500与通常的同轴电缆相比能实现薄型化。由此，能在移动通信终端等高频设备的壳体内的较小间隙中配置该信号线路500。
[0004]然而，在专利文献I所记载的信号线路500中，存在难以将信号线路500弯折来使用的问题。更详细而言，在信号线路500中，接地导体530、534以及信号线532由铜等金属制作而成，因此与由聚酰亚胺构成的绝缘片材522a?522d相比更难变形。因此，若如信号线路500那样在层叠方向上使接地导体530、534以及信号线532重叠，则信号线路500的弯曲会变得困难。
现有技术文献 专利文献
[0005]专利文献1:日本专利特开2011 - 71403号公报
【发明内容】
发明所要解决的技术问题
[0006]因此，本发明的目的在于提供一种能容易地折弯的高频信号线路及具备该高频信号线路的电子设备。
解决技术问题所采用的技术方案
[0007]本发明的一个方式所涉及的高频信号线路的特征在于，包括:层叠体，该层叠体具有第一区域和第二区域，并由具有挠性的多个绝缘体层层叠而成；信号导体层，该信号导体层设置于所述层叠体；以及第一接地导体层，该第一接地导体层设置于所述层叠体，并与所述信号导体层相对，所述第一区域中所述第一接地导体层与所述信号导体层的间隔比所述第二区域中该第一接地导体层与该信号导体层的间隔要小，所述层叠体在所述第一区域处折弯。
[0008]本发明的一个方式所涉及的电子设备的特征在于，包括高频信号线路以及壳体，所述高频信号线路包括:层叠体，该层叠体具有第一区域和第二区域，并由具有挠性的多个绝缘体层层叠而成；信号导体层，该信号导体层设置于所述层叠体；以及第一接地导体层，该第一接地导体层设置于所述层叠体，并与所述信号导体层相对，在所述高频信号线路中，所述第一区域中所述第一接地导体层与所述信号导体层的间隔比所述第二区域中该第一接地导体层与该信号导体层的间隔要小，所述层叠体在所述壳体内的所述第一区域处折弯。
发明效果
[0009]根据本发明，能容易地使高频信号线路弯曲。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是本发明的实施方式I所涉及的高频信号线路的外观立体图。
图2是图1的高频信号线路的电介质主体的分解图。
图3是图1的高频信号线路的剖面结构图。
图4是高频信号线路的连接器的外观立体图及剖面结构图。
图5是表示将高频信号线路安装到电子设备中的示例的图。
图6是变形例I所涉及的高频信号线路的分解图。
图7是变形例2所涉及的高频信号线路的分解图。
图8是变形例2所涉及的高频信号线路的剖面结构图。
图9是变形例3所涉及的高频信号线路的分解图。
图10是变形例4所涉及的高频信号线路的分解图。
图11是变形例5所涉及的高频信号线路的分解图。
图12是本发明的实施方式2所涉及的高频信号线路的外观立体图。
图13是图12的高频信号线路的电介质主体的分解图。
图14是图12的高频信号线路的剖面结构图。
图15是表示将高频信号线路安装到电子设备中的示例的图。
图16是变形例所涉及的高频信号线路的电介质主体的分解图。
图17是本发明的实施方式3所涉及的高频信号线路的剖面结构图。
图18是图17的高频信号线路的谷折部分的分解图。
图19是图17的高频信号线路的山折部分的分解图。
图20是专利文献I所记载的信号线路的分解图。
【具体实施方式】
[0011]下面，参照附图，对本发明的实施方式所涉及的高频信号线路及包括该高频信号线路的电子设备进行说明。
[0012](实施方式I)
(高频信号线路的结构)
下面，参照附图，对本发明的实施方式I所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图1是本发明的实施方式I所涉及的用作为扁状电缆的高频信号线路10的外观立体图。图2是图1的高频信号线路10的电介质主体12的分解图。图3是图1的高频信号线路10的剖面结构图。图4是高频信号线路10的连接器IOOb的外观立体图及剖面结构图。在图1至图4中，将高频信号线路10的层叠方向定义为z轴方向。此外，将高频信号线路10的长边方向定义为X轴方向，将正交于X轴方向及z轴方向的方向定义为y轴方向。[0013]例如在移动电话等电子设备内，闻频/[目号线路10用于将2个闻频电路相连接。如图1至图3所示，高频信号线路10包括电介质主体12、保护层14 (14a、14b)、外部端子16(16a、16b)、信号导体层20、接地导体层22、23、24、通孔导体bl?b4、BI?B8及连接器100a、IOOb0
[0014]从z轴方向俯视时，电介质主体12沿X轴方向延伸，且包含线路部12a及连接部12b、12c。电介质主体12是将电介质片材(绝缘体层)18 (18a?18e)按照从z轴方向的正方向侧到负方向侧的顺序依次进行层叠而构成的层叠体。下面，将电介质主体12的z轴方向的正方向侧的主面称作表面SI，将电介质主体12的z轴方向的负方向侧的主面称作背面S2。
[0015]线路部12a沿X轴方向延伸，如图2及图3所示，具有区域Al?A3。区域A2、A1、A3依次排列在X轴方向上，且彼此相邻。连接部12b、12c分别连接至线路部12a的x轴方向的负方向侧端部及X轴方向的正方向侧端部，且呈矩形。连接部12b、12c的y轴方向宽度比线路部12a的y轴方向宽度要宽。连接部12b、12c的形状也可以不是矩形。此外，连接部12b、12c的y轴方向宽度并不一定要比线路部12a的y轴方向宽度宽，例如也可以与线路部12a的y轴方向宽度相同。
[0016]从z轴方向俯视时，电介质片材18沿X轴方向延伸,且其形状与电介质主体12相同。电介质片材18由聚酰亚胺、液晶聚合物等具有挠性的热塑性树脂来构成。电介质片材18a?18e的厚度在层叠后为50?400 μ m。下面,将电介质片材18的z轴方向的正方向侧的主面称作表面，将电介质片材18 (18a?18e)的z轴方向的负方向侧的主面称作背面。
[0017]此夕卜，电介质片材18a由线路部18a — a及连接部18a — b、18a — c构成。电介质片材18b由线路部18b — a及连接部18b — b、18b — c构成。电介质片材18c由线路部18c — a及连接部18c — b、18c — c构成。电介质片材18d由线路部18d — a及连接部18d — b、18d — c构成。电介质片材18e由线路部18e — a及连接部18e — b、18e — c构成。线路部 18a — a、18b — a、18c — a、18d-a、18e-a 构成线路部 12a。连接部 18a — b、18b — b、18c — b、18d_b、18e_b 构成连接部 12b。连接部 18a — c、18b — c、18c — c、18d_c、18e_c构成连接部12c。
[0018]如图1及图2所不，夕卜部端子16a是设置在连接部18a — b的表面中央附近的矩形导体。如图1及图2所示，外部端子16b是设置在连接部18a — c的表面中央附近的矩形导体。外部端子16a、16b由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。此外，在外部端子16a、16b的表面上镀金。
[0019]如图2所示，信号导体层20是设置在电介质主体12内的线状导体层，且在电介质片材18c的表面上沿X轴方向延伸。从z轴方向俯视时,信号导体层20的两端分别与外部端子16a、16b重叠。信号导体层20的线宽为例如100?500 μ m。在本实施方式中，信号导体层20的线宽是240 μ m。信号导体层20由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。
[0020]通孔导体bl在z轴方向上贯穿电介质片材18a的连接部18a — b。通孔导体b2在z轴方向上贯穿电介质片材18b的连接部18b — bo通孔导体bl、b2彼此相连从而构成一根通孔导体，将外部端子16a与信号导体层20的X轴方向的负方向侧端部相连。通孔导体bl、b2由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。
[0021]通孔导体b3在z轴方向上贯穿电介质片材18a的连接部18a — C。通孔导体b4在z轴方向上贯穿电介质片材18b的连接部18b — Co通孔导体b3、b4彼此相连从而构成一根通孔导体，将外部端子16b与信号导体层20的X轴方向的正方向侧端部相连。
[0022]如图2所示，接地导体层22设置在电介质主体12上，且与信号导体层20相对。更详细而言，接地导体层22在电介质主体12中离电介质主体12的表面SI最近的电介质片材18a的表面上沿X轴方向延伸。由此，接地导体层22在电介质主体12内较信号导体层20更靠z轴方向的正方向侧，并隔着电介质片材18a、18b与信号导体层20相对。接地导体层22由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。另外，对接地导体层22的表面镀金等来防锈。
[0023]此外，接地导体层22由线路部22a、22b、端子部22d、22d构成。线路部22a设置在线路部18a — a表面的区域A2中，且沿x轴方向延伸。但线路部22a略微突出到线路部18a-a表面的区域Al。线路部22b设置在线路部18a — a表面的区域A3中，且沿x轴方向延伸。线路部22a、22b夹着区域Al相对，且相互不连接。这里，线路部22b略微突出到线路部18a_a表面的区域Al。
[0024]端子部22c设置在连接部18a — b的表面上，且呈包围外部端子16a周围的矩形环。端子部22c连接至线路部22a的X轴方向的负方向侧端部。端子部22d设置在线路部18a - c的表面上，且呈包围外部端子16b周围的环状矩形。端子部22d连接至线路部22b的X轴方向的正方向侧端部。
[0025]如图2所示，接地导体层23设置在电介质主体12内，且与信号导体层20相对。更详细而言，接地导体层23在电介质主体12内电介质片材18b表面的区域Al中沿X轴方向延伸。由此，接地导体层23位于电介质主体12内较信号导体层20更靠z轴方向的正方向侦牝且较接地导体层22更靠z轴方向的负方向侧，并隔着电介质片材18b与信号导体层20相对。由此，如图3所示，接地导体层23与信号导体层20的间隔Dl比接地导体层22与信号导体层20的间隔D2小。此外，由于线路部22a、22b略微突出到区域Al，因此接地导体层23的X轴方向两端分别与线路部22a、22b的端部重叠。接地导体层23由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。
[0026]本实施方式中，以在y轴方向上排列成一直线的方式设有4个通孔导体B9，该通孔导体B9在z轴方向上贯穿电介质片材18a。通孔导体B9将线路部22a的x轴方向的正方向侧端部和接地导体层23的X轴方向的负方向侧端部相连接。此外，本实施方式中，以在Y轴方向上排列成一直线的方式设有4个通孔导体B10，该通孔导体BlO在z轴方向上贯穿电介质片材18a。通孔导体BlO将线路部22b的x轴方向的负方向侧端部和接地导体层23的X轴方向的正方向侧端部相连接。由此，接地导体层22、23构成设置在电介质主体12上且与信号导体层20相对的第一接地导体层。
[0027]如图2所示，接地导体层24设置在电介质主体12内，且夹着信号导体层20与接地导体层22相对。更详细而言，接地导体层24在电介质主体12中离电介质主体12的背面S2最近的电介质片材18e的表面上沿X轴方向延伸。由此，接地导体层24位于电介质主体12内较信号导体层20更靠z轴方向的负方向侧，并隔着电介质片材18d与信号导体层20相对。接地导体层24由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。[0028]此外，接地导体层24由线路部24a、24b、端子部24c、24d构成。线路部24a设置在线路部18e — a表面的区域A2中，且沿X轴方向延伸。这里，线路部24a略微突出到线路部18e-a表面的区域Al。线路部24b设置在线路部18e — a表面的区域A3中，且沿x轴方向延伸。线路部24a、24b夹着区域Al相对，且相互不连接。这里，线路部24b略微突出到线路部18e-a表面的区域Al。如上所述，区域Al至少有一部分未设置接地导体层24。
[0029]端子部24c设置在连接部18e — b的表面上，且呈与端子部22c相同的矩形环。端子部24c连接至线路部24a的x轴方向的负方向侧端部。端子部24d设置在连接部18e —c的表面上，且呈与端子部22d相同的环状矩形。端子部24d连接至线路部24b的X轴方向的正方向侧端部。
[0030]如上所述，信号导体层20被接地导体层22、23、24从z轴方向的两侧夹持。S卩，信号导体层20及接地导体层22、23、24除了区域Al的一部分以外，呈三板带状线结构。
[0031]另外，本实施方式中，高频信号线路10具备接地导体层24，但也不一定要具备接地导体层24。即，也可以由接地导体层22、23和信号导体层20来构成微带线结构的高频信号线路。然而，出于抑制不必要的辐射产生的观点，优选采用高频信号线路10那样的三板带状线结构。
[0032]通孔导体BI?B4分别沿z轴方向贯穿电介质片材18a?18d的线路部18a —a?18d — a,在线路部18a — a?18d — a上分别设有多个通孔导体BI?B4。而且,通孔导体BI?B4彼此相连接，从而构成I根通孔导体，将线路部22a和线路部24a相连接。通孔导体BI?B4由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。
[0033]通孔导体B5?B8分别沿z轴方向贯穿电介质片材18a?18d的线路部18a —a?18d — a,在线路部18a — a?18d — a上分别设有多个通孔导体BI?B4。而且,通孔导体B5?B8彼此相连接，从而构成I根通孔导体，将线路部22b和线路部24b相连接。通孔导体B5?B8由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。
[0034]保护层14a覆盖连接部18a_b的表面。其中，在保护层14a上设有开口 Ha?Hd。开口 Ha是设置在连接部14a中央的矩形开口。外部端子16a经由开口 Ha露出至外部。此夕卜，开口 Hb是设置在开口 Ha的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口 He是设置在开口 Ha的X轴方向的负方向侧的矩形开口。开口 Hd是设置在开口 Ha的y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子部22 c经由开口 Hb?Hd露出至外部，从而实现作为外部端子的功能。保护层14a由例如抗蚀材料等柔性树脂形成。
[0035]保护层14b覆盖连接部18a_c的表面。这里，在保护层14b上设有开口 He?Hh。开口 He是设置在保护层14b中央的矩形开口。外部端子16b经由开口 He露出至外部。此夕卜，开口 Hf是设置在开口 He的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口 Hg是设置在开口 He的X轴方向的正方向侧的矩形开口。开口 Hh是设置在开口 He的y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子部22d经由开口 Hf?Hh露出至外部，从而实现作为外部端子的功能。保护层14b由例如抗蚀材料等柔性树脂形成。
[0036]连接器100a、IOOb分别安装在连接部12b、12c的表面上。连接器100a、IOOb的结构相同，因此，下面以连接器IOOb的结构为例进行说明。
[0037]如图1及图4所示，连接器IOOb包括连接器主体102、外部端子104、106、中心导体108及外部导体110。连接器主体102的形状是在矩形的板状构件上连结有圆筒形构件，由树脂等绝缘材料来制作。
[0038]外部端子104设置在连接器主体102的板状构件的z轴方向的负方向侧表面上与外部端子16b相对的位置。外部端子106设置在连接器主体102的板状构件的z轴方向的负方向侧的表面上与经由开口 Hf?Hh露出的端子部22d相对应的位置处。
[0039]中心导体108设置在连接器主体102的圆筒形构件的中心，且与外部端子104相连接。中心导体108是输入或输出高频信号的信号端子。外部导体110设置在连接器主体102的圆筒内周面上，且与外部端子106相连接。外部导体110是保持接地电位的接地端子。
[0040]具有如上结构的连接器IOOb以外部端子104与外部端子16b相连接、外部端子106与端子部22d相连接的方式安装在连接部12c的表面上。由此，信号导体层20与中心导体108进行电连接。此外，接地导体层22、24与外部导体110进行电连接。
[0041]高频信号线路10弯折起来使用。图5是表示将高频信号线路10安装到电子设备中的示例的图。
[0042]电子设备包括高频信号线路10、电池组206以及壳体。壳体将高频信号线路10及电池组206收纳在内。如图5所示，电介质主体12在区域Al处弯折，并使得接地导体层22,23较信号导体层20更靠内周侧。即，电介质主体12的表面SI较电介质主体12的背面S2更靠内周侧。并且，电子设备的电池组206与表面SI接触。电池组200例如为锂离子充电电池，具有其表面被金属覆层所覆盖的结构。由于金属覆层保持在接地电位，因此，通过与接地导体层22接触，接地导体层22也保持在接地电位。
[0043]由此，接地导体层22、23以位于内周侧的方式与保持在接地电位的电子设备相接触，并以电子设备的弯曲部与区域Al —致的方式来折弯，由此能使接地导体层22、23稳定地接地。另外，电子设备不限于电池组，也可以是金属壳体、电路基板等。
[0044](高频信号线路的制造方法)
下面，参照图2，对高频信号线路10的制造方法进行说明。下面，以制作一个高频信号线路10的情形为例进行说明，但实际上是通过层叠和切割大型电介质片材来同时制作多个高频信号线路10。
[0045]首先，准备电介质片材18，该电介质片材18由整个表面形成有铜箔的热塑性树脂形成。通过对电介质片材18的铜箔表面例如镀锌以防锈，从而使表面平滑。电介质片材18是厚度为20 μ m?80 μ m的液晶聚合物。此外，铜箔厚度为10 μ m?20 μ m。
[0046]接着，利用光刻工序，在电介质片材18a的表面上形成图2所示外部端子16和接地导体层22。具体而言，在电介质片材18a的铜箔上印刷其形状与图2所示的外部端子16(16a、16b)及接地导体层22相同的抗蚀剂。然后，通过对铜箔实施刻蚀处理，将未被抗蚀剂覆盖的那部分铜箔去除。此后,去除抗蚀剂。由此,在电介质片材18a的表面上形成如图2所示的外部端子16及接地导体层22。
[0047]接着，利用光刻工序，在电介质片材18b的表面上形成图2所示接地导体层23。此夕卜，利用光刻工序，在电介质片材18c的表面上形成图2所示的信号导体层20。利用光刻工序，在电介质片材18e的表面上形成图2所示的接地导体层24。这些光刻工序与形成外部端子16及接地导体层22时的光刻工序相同，因此省略其说明。
[0048]接着,从背面侧对电介质片材18a?18d中要形成通孔导体bl?b4、Bl?BlO的位置照射激光束，从而形成贯穿孔。之后，将导电性糊料填充到电介质片材18a?18d上形成的贯穿孔中。
[0049]接着，从z轴方向正方向侧到负方向侧依次层叠电介质片材18a?18e，以使接地导体22、23、信号导体层20及接地导体层24形成带状线结构。然后，从z轴方向的正方向侧及负方向侧对电介质片材18a?18e加热加压,从而将电介质片材18a?18e软化并进行压接/ 一体化，同时将填充至贯穿孔中的导电性糊料固化，从而形成图2所示的通孔导体bl?b4、Bl?B10。另外,也可利用环氧类树脂等粘接剂代替热压接来对各电介质片材18进行一体化。此外，可在使电介质片材18 —体化后形成贯穿孔，并将导电性糊料填充至贯穿孔中或对贯穿孔形成镀膜，从而形成通孔导体bl?b4、BI?B10。此外，对于通孔导体，不需要对整个贯穿孔都填充导电体，可以由沿着贯穿孔的壁面形成的薄膜状导体等来构成。即，只要向贯穿孔提供导体使得能将电介质片材18的层间连接起来即可。
[0050]最后，通过涂布树脂(抗蚀剂)糊料，从而在电介质片材18a上形成保护层14a、14b。由此，得到图1所示的高频信号线路10。
[0051](效果)
若采用上述结构的高频信号线路10，则能容易地折弯高频信号线路10。更详细而言，在专利文献I记载信号线路500中，接地导体530、534以及信号线532由铜等金属制作而成，因此与由聚酰亚胺构成的绝缘片材522a?522d相比较难变形。因此，若如信号线路500那样在层叠方向上使接地导体530、534以及信号线532重叠，则信号线路500的折弯会变得困难。
[0052]因此，在高频信号线路10中，区域Al中接地导体层23与信号导体层20的间隔Dl比区域A2、A3中接地导体层22与信号导体层20的间隔D2小。另外，电介质主体12在区域Al处弯折，并使得接地导体层22、23较信号导体层20更靠内周侧。由此，如以下说明的那样，能容易地折弯高频信号线路10。
[0053]当高频信号线路10被折弯时，位于内周侧的接地导体层被压缩。并且，随着接地导体层从信号导体层20向z轴方向的正方向侧远离，接地导体层折弯的那部分半径变小。因此，接地导体层的压缩量变大，使高频信号线路10折弯所需的力也变大。
[0054]因此，在高频信号线路10中，电介质主体12发生弯曲的区域Al中接地导体层23与信号导体层20的间隔Dl比电介质主体12发生弯曲的区域A2、A3中接地导体层22与信号导体层20的间隔D2小。S卩，区域Al中的接地导体层23较区域A2、A3中的接地导体层22更靠外周侧。由此，接地导体层23的压缩量得以降低，使高频信号线路10弯曲所需的力变小。另外，在高频信号线路10中，接地导体层22、23弯曲而破损的情况得以抑制。
[0055]此外，在高频信号线路10中，电介质主体12发生弯曲的区域Al至少有一部分未设置会对电介质主体12的区域Al变形造成妨碍的接地导体层24。其结果，能容易地弯曲高频信号线路10。
[0056]另外，当高频信号线路10被弯曲时，位于外周侧的接地导体层被拉伸。并且，随着接地导体层从信号导体层20向z轴方向的负方向侧远离，接地导体层弯曲的部分的半径变大。因此，接地导体层的伸长量变大，接地导体层发生断线的可能性变高。
[0057]因此，高频信号线路10中，电介质主体12发生弯曲的区域Al至少有一部分不设置接地导体层24。由此，在高频信号线路10弯曲时，接地导体层24的断线得以抑制。[0058]此外，根据高频信号线路10，位于电介质主体12发生弯曲的区域Al内的接地导体层23设置在电介质主体12内。因此，接地导体层23的表面没有像接地导体层22的表面那样镀金以用于防锈。这是因为，通常，若对导体层实施镀金等镀敷，则导体层会变硬，从而容易产生裂纹。由此，接地导体层23与接地导体层22相比，能容易地产生变形。其结果，能容易地使高频信号线路10弯曲。
[0059]此外，如图5所示，在信号导体层20与电池组206之间存在接地导体层22、23。由此，能抑制在信号线20与电池组206之间产生电磁场耦合。其结果是，在高频信号线路10中，能抑制信号导体层20的特性阻抗偏离规定的特性阻抗。
[0060]此外，在高频信号线路10中，抑制了电介质主体12发生弯曲的区域Al中的特性阻抗偏离规定的特性阻抗(例如50 Ω )。更详细而言，区域Al中接地导体层23与信号导体层20的间隔Dl比区域A2中接地导体层22与信号导体层20的间隔D2小。因此，区域Al中接地导体层23与信号导体层20之间产生的电容比区域A2中接地导体层22与信号导体层20之间产生的电容要大。由此，区域Al中的特性阻抗与区域A2、A3中的特性阻抗相比较小，高频信号线路10有可能从规定的特性阻抗偏离。
[0061]因此，在高频信号线路10中，区域Al至少有一部分不设置接地导体层24。由此，在区域Al中，接地导体层24与信号导体层20之间不会产生电容。由此，区域Al中的特性阻抗比存在接地导体层24的区域的特性阻抗要高。其结果，通过调整接地导体层23与信号导体层20之间的间隔D2，能够抑制高频信号线路10中区域Al的特性阻抗偏离规定的特性阻抗。
[0062](实施方式I的变形例I)
下面，参照附图，对变形例I所涉及的高频信号线路进行说明。图6是变形例I所涉及的高频信号线路IOa的分解图。
[0063]高频信号线路10与高频信号线路IOa的不同点在于接地导体层23与接地导体层24相连。接下来，以上述不同点为中心来说明高频信号线路10a。
[0064]高频信号线路IOa包括通孔导体Bll?B16。通孔导体B11、B13、B15分别在z轴方向上贯穿线路部18b-a、18c-a、18d_a,与通孔导体B9—起构成一根通孔导体。通孔导体B11、B13、B15将接地导体层23与线路部24a相连。
[0065]通孔导体B12、B14、B16分别在z轴方向上贯穿线路部18b_a、18c_a、18d_a，与通孔导体BlO —起构成一根通孔导体。通孔导体B12、B14、B16将接地导体层23与线路部24b相连。
[0066]另外，在高频信号线路10中，通孔导体B9、BlO分别设有4个。然而，在高频信号线路IOa中，通孔导体B9?B15分别仅设有两个。这是为了防止通孔导体B13、B14与信号导体层20接触。
[0067]根据高频信号线路10a，接地导体层23与接地导体层22、24相连，因此更稳定地保持在接地电位。
[0068]此外,通孔导体B9?B16与电介质主体12相比较硬，更难以产生变形。因此，当电介质主体12在设有通孔导体B9?B16的区域Al中弯曲时，区域Al内接地导体层23与信号导体层20的间隔不容易产生变动。其结果，在高频信号线路IOa中，区域Al中的特性阻抗的变动得以抑制。[0069]另外，在变形例I所涉及的高频信号线路IOa中，除了保护层14a、14b以外，还设有保护层14c，使其连接在保护层14a、14b之间，并覆盖线路部22a、22b。由此，本发明的高频信号线路除了保护层14a、14b以外还可以具备保护层14c。
[0070](实施方式I的变形例2)
下面，参照附图，对变形例2所涉及的高频信号线路进行说明。图7是变形例2所涉及的高频信号线路IOb的分解图。图8是变形例2所涉及的高频信号线路IOb的剖面结构图。
[0071]高频信号线路10与高频信号线路IOb的不同点在于，在高频信号线路IOb中，区域Al的至少一部分中电介质主体12的厚度比区域A2中电介质主体12的厚度要薄。接下来，以上述不同点为中心来说明电子元器件10b。
[0072]如图7所示，在高频信号线路IOb中，相对于信号导体层20位于接地导体层22、23相反侧的电介质片材18d、18e具有未形成于区域Al的至少一部分中的部分。由此，如图8所示，在电介质主体12的背面S2的区域Al中形成有凹部G。
[0073]高频信号线路IOb的区域Al的厚度比高频信号线路10的区域Al的厚度薄。由此，高频信号线路IOb的区域Al与高频信号线路10的区域Al相比容易产生变形。其结果，使得高频信号线路IOb能更容易地产生变形。
[0074]另外，优选在高频信号线路IOb产生弯曲时，凹部G位于外周侧。
[0075](实施方式I的变形例3)
下面，参照附图，对变形例3所涉及的高频信号线路进行说明。图9是变形例3所涉及的高频信号线路IOc的分解图。
[0076]高频信号线路10与高频信号线路IOc的不同点在于，在高频信号线路IOc中，区域Al中信号导体层20的线宽Wa比区域A2、A3中信号导体层20的线宽Wb要细。
[0077]区域Al中接地导体层23与信号导体层20的间隔Dl比区域A2、A3中接地导体层22与信号导体层20的间隔D2小。因此，区域Al中接地导体层23与信号导体层20之间产生的电容比区域A2、A3中接地导体层22与信号导体层20之间产生的电容要大。由此，区域Al中的特性阻抗可能从规定的特性阻抗偏离。
[0078]因此，在高频信号线路IOc中，区域Al中信号导体层20的线宽Wa比区域A2、A3中信号导体层20的线宽Wb要细。由此，区域Al中信号导体层20与接地导体层23每单位长度上相对的面积比区域A2、A3中信号导体层20与接地导体层22每单位长度相对的面积要小。由此，信号导体层20与接地导体层23之间产生的电容接近信号导体层20与接地导体层22之间产生的电容。其结果，在高频信号线路IOc中，抑制了区域Al中的特性阻抗从规定的特性阻抗偏离。
[0079](实施方式I的变形例4)
下面，参照附图，对变形例4所涉及的高频信号线路进行说明。图10是变形例4所涉及的高频信号线路IOd的分解图。
[0080]高频信号线路IOc与高频信号线路IOd的不同点在于，在高频信号线路IOd中，接地导体层24设置在区域Al中。
[0081]在高频信号线路IOd中，区域Al中信号导体层20的线宽Wa比区域A2、A3中信号导体层20的线宽Wb要细。由此，区域Al中信号导体层20与接地导体层23每单位长度相对的面积比区域A2、A3中信号导体层20与接地导体层22每单位长度相对的面积要小。因此，在能将区域Al中的特性阻抗匹配成规定的特性阻抗的情况下，也可以在区域Al中设置接地导体层24。由此，抑制了从区域Al产生不需要的辐射。
[0082](实施方式I的变形例5)
下面，参照附图，对变形例5所涉及的高频信号线路进行说明。图11是变形例5所涉及的高频信号线路IOe的分解图。
[0083]高频信号线路IOa与高频信号线路IOe的不同点在于，在高频信号线路IOe中设有接地导体25(第一不同点)，此外，在接地导体层24、25上设有多个开口 30(第二不同点)。接下来，以上述不同点为中心来说明高频信号线路10e。
[0084]如图11所不,接地导体层25设置在电介质主体12内，且与信号导体层20相对。更详细而言，接地导体层25在电介质主体12内于电介质片材18d表面的区域Al中沿x轴方向延伸。由此，接地导体层25位于电介质主体12内较信号导体层20更靠z轴方向的负方向侧，且较接地导体层24更靠z轴方向的正方向侧，并隔着电介质片材18c与信号导体层20相对。由此，接地导体层25与信号导体层20的间隔比接地导体层24与信号导体层20的间隔要小。
[0085]此外，由于线路部24a、24b略微突出到区域Al，因此接地导体层25的x轴方向两端分别与线路部24a、24b的端部重叠。接地导体层25由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。
[0086]此外，接地导体层25通过通孔导体B9?B16与接地导体层22、23、24相连。由此，接地导体层25被保持在接地电位。
[0087]另外，如图11所示，接地导体层24、25上设有沿X轴方向排列的多个开口 30。开口 30呈矩形，沿着信号导体层20在X轴方向上等间隔地排成一列。由此，在信号导体层20与接地导体层24、25之间产生的电容大小呈周期性变动。其结果，高频信号线路IOe的特性阻抗也呈周期性变动。
[0088]该多个开口 30与高频信号线路10中未形成接地导体层24的部分同样，能提高该部分的特性阻抗，因此，即使信号导体层20与接地导体层24、25靠近也能维持规定的特性阻抗。因此，能使电介质片材18c、18d的厚度较薄，其结果，能使高频信号线路IOe整体的厚度较薄。此外，由此能获得弯曲性更佳的高频信号线路。
[0089]另外，具备多个开口 30的接地导体层24、25与高频传输线路10那样设有未形成接地导体层的部分的情况相比，抑制不需要的辐射产生的效果也变高。
[0090](实施方式2)
(高频信号线路的结构)
下面，参照附图，对本发明的实施方式2所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图12是本发明的实施方式2所涉及的高频信号线路IOf的外观立体图。图13是图12的高频信号线路IOf的电介质主体12的分解图。图14是图12的高频信号线路IOf的剖面结构图。在图12至图14中，将高频信号线路IOf的层叠方向定义为z轴方向。此外，将高频信号线路IOf的长边方向定义为X轴方向，将正交于X轴方向及z轴方向的方向定义为I轴方向。
[0091]如图12至图14所示，高频信号线路IOf包括电介质主体12、保护层14 (14a?14b)、15、外部端子16 (16a、16b)、信号导体层20、接地导体层22、23、24、强化导体层27(27a、27b)、通孔导体 bll ?bl6、B21 ?B35、B40 ?B49 及连接器 100a、100b。[0092]从z轴方向俯视时，电介质主体12沿X轴方向延伸，且包含线路部12a及连接部12b、12c。电介质主体12是将电介质片材(绝缘体层)18 (18a?18e)按照从z轴方向的正方向侧到负方向侧的顺序依次进行层叠而构成的层叠体。下面，将电介质主体12的z轴方向的正方向侧的主面称作表面SI，将电介质主体12的z轴方向的负方向侧的主面称作背面S2。
[0093]线路部12a沿X轴方向延伸，如图12及图13所示，具有区域Al I?A13。区域All位于线路部12a的X轴方向的负方向侧端部。区域A12位于线路部12a的x轴方向的正方向侧端部。区域A13被区域A11、A12从x轴方向的两侧夹持。
[0094]连接部12b、12c分别连接至线路部12a的X轴方向的负方向侧端部及X轴方向的正方向侧端部。由此，区域All与连接部12b相邻接。此外，区域A12与连接部12c相邻接。连接部12b、12c的y轴方向宽度与线路部12a的y轴方向宽度相等。因此，从z轴方向俯视时，电介质主体12呈在X轴方向上延伸的长方形。
[0095]从z轴方向俯视时，电介质片材18沿X轴方向延伸,且其形状与电介质主体12相同。电介质片材18由聚酰亚胺、液晶聚合物等具有挠性的热塑性树脂来构成。电介质片材18a?18c的厚度在层叠后为50 μ m。电介质片材18d、18e的厚度在层叠后为25 μ m。下面，将电介质片材18的z轴方向的正方向侧的主面称作表面，将电介质片材18 (18a?18e)的z轴方向的负方向侧的主面称作背面。
[0096]此夕卜，电介质片材18a由线路部18a — a及连接部18a — b、18a — c构成。电介质片材18b由线路部18b — a及连接部18b — b、18b — c构成。电介质片材18c由线路部18c — a及连接部18c — b、18c — c构成。电介质片材18d由线路部18d — a及连接部18d — b、18d — c构成。电介质片材18e由线路部18e — a及连接部18e — b、18e — c构成。线路部 18a — a、18b — a、18c — a、18d-a、18e-a 构成线路部 12a。连接部 18a — b、18b — b、18c — b、18d_b、18e_b 构成连接部 12b。连接部 18a — c、18b — c、18c — c、18d_c、18e-c构成连接部12c。
[0097]如图12及图13所示，外部端子16a是设置在连接部18a —b的表面中央附近的矩形导体。如图12及图13所示，外部端子16b是设置在连接部18a — c的表面中央附近的矩形导体。外部端子16a、16b由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。此夕卜，在外部端子16a、16b的表面上镀金。
[0098]如图13所示，信号导体层20是设置在电介质主体12内的线状导体层，且在电介质片材18d的表面上沿X轴方向延伸。从z轴方向俯视时,信号导体层20的两端分别与外部端子16a、16b重叠。区域A13中，信号导体层20的线宽在线宽Wa与线宽Wb之间呈周期性变动。此外，区域All、A12中信号导体层20的线宽为线宽Wa。信号导体层20由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。
[0099]通孔导体bll在z轴方向上贯穿电介质片材18a的连接部18a — b。通孔导体bl2在z轴方向上贯穿电介质片材18b的连接部18b — b。通孔导体bl3在z轴方向上贯穿电介质片材18c的连接部18c - b。通孔导体bll?bl3彼此相连从而构成一根通孔导体，将外部端子16a与信号导体层20的X轴方向的负方向侧的端部相连。通孔导体bll?bl3由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。
[0100]通孔导体bl4在z轴方向上贯穿电介质片材18a的连接部18a — C。通孔导体bl5在Z轴方向上贯穿电介质片材18b的连接部18b - C。通孔导体bl6在Z轴方向上贯穿电介质片材18c的连接部18c — C。通孔导体bl4?bl6彼此相连从而构成一根通孔导体，将外部端子16b与信号导体层20的X轴方向的正方向侧的端部相连。通孔导体bl4?bl6由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。
[0101]如图13所不,接地导体层22设置在电介质主体12上,且与信号导体层20相对。更详细而言，接地导体层22设置在电介质主体12中离电介质主体12的表面SI最近的电介质片材18a的表面上。由此，接地导体层22位于电介质主体12内较信号导体层20更靠z轴方向的正方向侧，并隔着电介质片材18a?18c与信号导体层20相对。接地导体层22由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。另外，对接地导体层22的表面实施了镀金等来防锈。
[0102]此外，接地导体层22由线路部22a、端子部22c、22d构成。线路部22a设置在线路部18a — a表面的区域A13中，且沿x轴方向延伸。端子部22c设置在连接部18a — b的表面上，且呈包围外部端子16a周围的矩形环。端子部22c不与线路部22a相连。端子部22d设置在线路部18a - c的表面上，且呈包围外部端子16b周围的环状矩形。端子部22d不与线路部22a相连。
[0103]如图13所示，接地导体层23设置在电介质主体12内，且与信号导体层20相对。更详细而言，接地导体层23设置在电介质主体12中电介质片材18c的表面。由此，接地导体层23位于电介质主体12内较信号导体层20更靠z轴方向的正方向侧，且较接地导体层22更靠z轴方向的负方向侧，并隔着电介质片材18c与信号导体层20相对。由此，如图14所示，接地导体层23与信号导体层20的间隔Dll比接地导体层22与信号导体层20的间隔D12小。
[0104]此外，接地导体层23由线路部23a、23b、端子部23c、23d构成。线路部23a设置在线路部18c — a表面的区域All中，且沿X轴方向延伸。这里，线路部23a略微突出到线路部18c_a表面的区域A13中。由此，从z轴方向俯视时，线路部23a与线路部22a的x轴方向的负方向侧端部重叠。线路部23b设置在线路部18c — a表面的区域A12中，且沿x轴方向延伸。这里，线路部23b略微突出到线路部18c-a表面的区域A13中。由此，从z轴方向俯视时，线路部23b与线路部22a的X轴方向的正方向侧端部重叠。
[0105]端子部23c设置在连接部18c — b的表面上，且呈与端子部22c相同的矩形环。端子部23c连接至线路部23a的x轴方向的负方向侧端部。端子部23d设置在连接部18c —c的表面上，且呈与端子部22d相同的环状矩形。端子部22d连接至线路部23b的X轴方向的正方向侧端部。接地导体层23由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。
[0106]强化导体层27a设置在电介质片材18b的线路部18b_a的x轴方向的负方向侧端部附近。从z轴方向俯视时，强化导体层27a与线路部22a的x轴方向的负方向侧端部以及线路部23a的X轴方向的正方向侧端部重叠。
[0107]强化导体层27b设置在电介质片材18b的线路部18b_a的x轴方向的正方向侧端部附近。从z轴方向俯视时，强化导体层27b与线路部22a的x轴方向的正方向侧端部以及线路部23b的X轴方向的负方向侧端部重叠。
[0108]通孔导体B26以在y轴方向上排列成一直线的方式设有3个，在z轴方向上贯穿电介质片材18a。通孔导体B27以在y轴方向上排列成一直线的方式设有3个，在z轴方向上贯穿电介质片材18b。通孔导体B26、B27彼此连接，将线路部22a的x轴方向的负方向侧端部、强化导体层27a、线路部23a的x轴方向的正方向侧端部相连。
[0109]通孔导体B31以在y轴方向上排列成一直线的方式设有3个，在z轴方向上贯穿电介质片材18a。通孔导体B32以在y轴方向上排列成一直线的方式设有3个，在z轴方向上贯穿电介质片材18b。通孔导体B31、B32彼此连接，将线路部22a的x轴方向的正方向侧端部、强化导体层27b、线路部23b的X轴方向的负方向侧端部相连。由此，接地导体层22、23构成设置在电介质主体12上且与信号导体层20相对的第一接地导体层。
[0110]如图13所示，接地导体层24设置在电介质主体12内，且夹着信号导体层20与接地导体层22、23相对。更详细而言，接地导体层24在电介质主体12中离电介质主体12的背面S2最近的电介质片材18e的背面上沿X轴方向延伸。由此，接地导体层24位于电介质主体12内较信号导体层20更靠z轴方向的负方向侧，并隔着电介质片材18d、18e与信号导体层20相对。接地导体层24由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。
[0111]此外，接地导体层24由线路部24a、端子部24c、24d构成。线路部24a设置在线路部18e — a背面的区域A13中，且沿x轴方向延伸。此外，线路部24a上设有沿着信号导体层20在X轴方向上排列的多个开口 30。如图13所示，开口 30呈十字形。S卩，开口 30在X轴方向中央的I轴方向宽度相对较大，在X轴方向两端的I轴方向宽度相对较小。另外，图13中仅排列了 3个开口 30，但实际上排列了多个开口 30。
[0112]端子部24c设置在连接部18e — b的背面上，且呈与端子部22c相同的矩形环。端子部24c未与线路部24a相连。端子部24d设置在连接部18e — c的背面上，且呈与端子部22d相同的环状矩形。端子部24d未与线路部24a相连。
[0113]如上所述，信号导体层20被接地导体层22、23、24从z轴方向的两侧夹持。S卩，信号导体层20及接地导体层22、23、24除了区域A11、A12以外，呈三板带状线结构。
[0114]另外，本实施方式中，高频信号线路IOf具备接地导体层24，但也不一定要具备接地导体层24。即，也可以由接地导体层22、23和信号导体层20来构成微带线结构的高频信号线路。然而，出于抑制不需要的辐射产生的观点，优选采用高频信号线路IOf那样的三板带状线结构。
[0115]通孔导体B21?B25分别沿z轴方向贯穿电介质片材18a?18e的线路部18a —a?18e — a,在线路部18a — a?18e — a上分别设有多个通孔导体B21?B25。而且，通孔导体B21?B25彼此相连接，从而构成I根通孔导体，将线路部22a和线路部24a相连接。通孔导体B21?B25由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。
[0116]通孔导体B28以在y轴方向上排列成一直线的方式设有2个，在z轴方向上贯穿电介质片材18c。通孔导体B29以在y轴方向上排列成一直线的方式设有2个,在z轴方向上贯穿电介质片材18d。通孔导体B30以在y轴方向上排列成一直线的方式设有2个，在z轴方向上贯穿电介质片材18e。通孔导体B28?B30彼此连接，将线路部23a的x轴方向的正方向侧端部与线路部24a的X轴方向的负方向侧端部相连。通孔导体B28?B30由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。
[0117]通孔导体B33以在y轴方向上排列成一直线的方式设有2个，在z轴方向上贯穿电介质片材18c。通孔导体B34以在y轴方向上排列成一直线的方式设有2个，在z轴方向上贯穿电介质片材18d。通孔导体B35以在y轴方向上排列成一直线的方式设有2个，在z轴方向上贯穿电介质片材18e。通孔导体B33?B35彼此连接，将线路部23b的x轴方向的负方向侧端部与线路部24a的X轴方向的正方向侧端部相连。通孔导体B33?B35由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。
[0118]通孔导体MO在z轴方向上贯穿电介质片材18a的连接部18a — b。通孔导体B41在z轴方向上贯穿电介质片材18b的连接部18b — b。通孔导体B42在z轴方向上贯穿电介质片材18c的连接部18c — b。通孔导体B43在z轴方向上贯穿电介质片材18d的连接部18d — b。通孔导体B44在z轴方向上贯穿电介质片材18e的连接部18e — b。通孔导体B40?B44彼此相连，将端子部22c、23c、24c连接起来。通孔导体MO?B44由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。
[0119]通孔导体B45在z轴方向上贯穿电介质片材18a的连结部18a — C。通孔导体B46在z轴方向上贯穿电介质片材18b的连接部18b — C。通孔导体B47在z轴方向上贯穿电介质片材18c的连接部18c — C。通孔导体B48在z轴方向上贯穿电介质片材18d的连接部18d — C。通孔导体B49在z轴方向上贯穿电介质片材18e的连接部18e — C。通孔导体B45?B49彼此相连，对端子部22d、23d、24d进行连接。通孔导体B45?B49由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料来制作。
[0120]保护层14a覆盖连接部18a_b的表面。其中，在保护层14a上设有开口 Ha?Hd。开口 Ha是设置在连接部14a中央的矩形开口。外部端子16a经由开口 Ha露出至外部。此夕卜，开口 Hb是设置在开口 Ha的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口 He是设置在开口 Ha的X轴方向的负方向侧的矩形开口。开口 Hd是设置在开口 Ha的y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子部22 c经由开口 Hb?Hd露出至外部，从而实现作为外部端子的功能。保护层14a由例如抗蚀材料等柔性树脂形成。
[0121]保护层14b覆盖连接部18a_c的表面。这里，在保护层14b上设有开口 He?Hh。开口 He是设置在保护层14b中央的矩形开口。外部端子16b经由开口 He露出至外部。此夕卜，开口 Hf是设置在开口 He的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口 Hg是设置在开口 He的X轴方向的正方向侧的矩形开口。开口 Hh是设置在开口 He的y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子部22d经由开口 Hf?Hh露出至外部，从而实现作为外部端子的功能。保护层14b由例如抗蚀材料等柔性树脂形成。
[0122]保护层14c设置在线路部18a_a的表面，并覆盖线路部18a_a。保护层14c由例如抗蚀材料等柔性树脂形成。
[0123]保护层15设置在电介质片材18e的背面，并覆盖接地导体层24的整个面。保护层15由例如抗蚀材料等柔性树脂形成。
[0124]本实施方式所涉及的高频信号线路IOf的连接器IOOaUOOb的结构与实施方式I所涉及的高频信号线路10的连接器IOOaUOOb相同，因此省略说明。
[0125]高频信号线路IOf弯折起来使用。图15是表示将高频信号线路IOf安装到电子设备200中的示例的图。
[0126]电子设备200包括高频信号线路IOf、电路基板202a、202b、插座204a、204b、电池组(金属体)206及壳体210。
[0127]在电路基板202a上设直有例如包含天线的发送电路或接收电路。电路基板202b上设有例如供电电路。电池组206例如为锂离子充电电池，具有其表面被金属覆层所覆盖的结构。电路基板202a、电池组206及电路基板202b依次从x轴方向的负方向侧到正方向侧排列。
[0128]电介质主体12的表面(更确切而言，保护层14)与电池组206相接触。而且，电介质主体12的表面与电池组206通过粘接剂等进行固定。
[0129]插座204a、204b分别设置在电路基板202a、202b的z轴方向的负方向侧主面上。插座204a、204b分别与连接器100a、IOOb连接。由此，经由插座204a、204b，向连接器100a、IOOb的中心导体108施加在电路基板202a、202b之间进行传输的例如具有2GHz频率的高频信号。此外，经由电路基板202&、20213及插座204&、20413，将连接器100&、10(^的外部导体110保持在接地电位。由此，高频信号线路IOf连接在电路基板202a、202b之间。 [0130]这里，电池组206的z轴方向的负方向侧主面与插座204a、204b之间有高低差。因此，如图14和图15所示，通过使电介质主体12的线路部12a的两端(即区域All、A12)弯曲，使得连接器100a、IOOb分别与插座204a、204b相连。
[0131](效果)
若采用实施方式2所涉及的高频信号线路IOf，则与高频信号线路10同样，能容易地弯曲高频信号线路IOf。此外，根据高频信号线路IOf，与高频信号线路10同样，在使高频信号线路IOf弯曲时，能抑制接地导体层22、23发生断线。此外，在高频信号线路IOf中，与高频信号线路10同样，能抑制信号导体层20的特性阻抗从规定的特性阻抗偏离。此外，根据高频信号线路10f，与高频信号线路10同样，能抑制区域All、A12中的特性阻抗从规定的特性阻抗偏离。
[0132]此外，高频信号线路IOf能抑制信号导体层20的特性阻抗变动。更详细而言，在高频信号线路IOf中，区域A11、A12位于线路部12a的x轴方向的两端。由此，线路部12a的结构除线路部12a两端以外的部分(即，区域A13)是均匀的。因此，抑制了线路部12a的区域A13中信号导体层20的特性阻抗的变动。另外，区域A11、A12与连接部12b、12c相邻接。因此，通过调整连接部12b、12c的特性阻抗及连接器100a、IOOb的特性阻抗，从而能调整区域A11、A12中信号导体层20的特性阻抗。作为具体的调整方法，例如可以利用对区域A1UA12中信号导体层20的线宽进行变更、对信号导体层20与接地导体层23的距离进行调整等，利用这些方法来调整连接部12b、12c的特性阻抗以及连接器100a、IOOb的特性阻抗，从而能使区域All、A12中信号导体层20的特性阻抗接近区域A13中信号导体层20的特性阻抗。如上所述，在高频信号线路IOf中，能抑制信号导体层20的特性阻抗的变动，此外，能容易地调整(匹配)特性阻抗。
[0133]此外，高频信号线路IOf基于以下理由，也能抑制信号导体层20的特性阻抗的变动。更详细而言，若未设置接地导体层22、24的区域A11、A12与电池组206接触，则信号导体层20的特性阻抗容易产生变动。因此，在高频信号线路IOf中，区域Al 1、A12位于线路部12a的X轴方向的两端。由此，如图15所示，区域All、A12不会与电池组206接触或者靠近。其结果，高频信号线路IOf能抑制信号导体层20的特性阻抗的变动。
[0134]此外，在高频信号线路IOf中，接地导体层24上设有开口 30。因此，为了防止信号导体层20与接地导体层24之间产生的电容变得过小，将信号导体层20与接地导体层24的间隔设定得比信号导体层20与接地导体层22的间隔要小。此时，较信号导体层20更靠z轴方向的正方向侧所设的电介质片材18a~18c的厚度大于较信号导体层20更靠z轴方向的负方向侧所设的电介质片材18c、18d的厚度。因此，在区域A11、A12中，较信号导体层20更靠接地导体层22 —侧(B卩、z轴方向的正方向侧)所设的电介质片材18a、18b有一部分缺损。由此，能更有效地使高频信号线路IOf的区域All、A12中高频信号线路IOf的厚度降低。其结果，能更容易地使高频信号线路IOf弯曲。
[0135]此外，在高频信号线路IOf中，设有强化导体层27a、27b。由此，抑制了线路部12a的X轴方向两端的变形。
[0136](实施方式2的变形例)
下面，参照附图，对变形例所涉及的高频信号线路IOg进行说明。图16是变形例所涉及的高频信号线路IOg的电介质主体12的分解图。
[0137]高频信号线路IOg与高频信号线路IOf的不同点在于设有端子部29c、29d、31c、31d。端子部29c设置在连接部18b — b的表面上，且呈与端子部22c相同的矩形环。端子部29d设置在连接部18b - c的表面上，且呈与端子部22d相同的矩形环。
[0138]端子部31c设置在连接部18d_b的表面上，呈X轴方向的正方向侧开口的U字型。在从z轴方向俯视时,端子部31c与端子部29c重叠。端子部31d设置在连接部18d_c的表面上，呈X轴方向的负方向侧开口的U字型。在从z轴方向俯视时，端子部31d与端子部29d重叠。
[0139]上述结构的高频信号线路IOg能起到与高频信号线路IOf相同的作用效果。另夕卜，由于高频信号线路IOg的连接部12b、12c上设有端子部29c、29d、31c、31d，因此连接部12b、12c不容易变形。其结果，在连接器IOOaUOOb安装到插座204a、204b上时，抑制了连接部12b、12c因受到较大的力而产生较大变形发生破损。
[0140](实施方式3)
下面，参照附图，对本发明的实施方式3所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图17是本发明的实施方式3所涉及的高频信号线路IOh的剖面结构图。图18是图17的高频信号线路IOh的谷折部分的分解图。图19是图17的高频信号线路IOh的山折部分的分解图。在图17至图19中，将高频信号线路IOh的层叠方向定义为z轴方向。此外，将高频信号线路IOh的长边方向定义为X轴方向，将正交于X轴方向及z轴方向的方向定义为I轴方向。
[0141]如图17至图19所示，高频信号线路IOh包括电介质主体12、保护层14、15、信号导体层20、接地导体层22、23、24、25以及通孔导体BlOl?B108、B110?B115、B120?B123、B131 ?B134。
[0142]从z轴方向俯视时，电介质主体12在X轴方向上延伸，是将电介质片材(绝缘体层)18 (18a?18d)按照从z轴方向的正方向侧到负方向侧的顺序依次进行层叠而构成的层叠体。
[0143]电介质主体12沿X轴方向延伸，如图18及图19所示，具有区域A21?A23、A31?A33。区域A22、A2UA23依次排列在x轴方向上，且彼此相邻。区域A32、A3UA33依次排列在X轴方向上，且彼此相邻。
[0144]此外，如图17所示，电介质主体12在区域A21处谷折，在区域A31处山折。谷折是指将电介质主体12的z轴方向的正方向侧的主面谷折，山折是指将电介质主体12的z轴方向的正方向侧的主面山折。
[0145]信号导体层20由线路部20a?20c构成。如图17和图18所示，线路部20a设置在电介质片材18b的背面，并在X轴方向上延伸。这里，线路部20a设置在区域A22中。
[0146]如图17和图18所示，线路部20b设置在区域A21中电介质片材18c的背面，并在X轴方向上延伸。
[0147]如图17至图19所示，线路部20c设置在电介质片材18b的背面，并在x轴方向上延伸。这里，线路部20a设置在区域A23、A31?A33中。
[0148]通孔导体BllO在z轴方向上贯穿电介质片材18c，将线路部20a的x轴方向的正方向侧端部与线路部20b的X轴方向的负方向侧端部相连。通孔导体Blll在z轴方向上贯穿电介质片材18c，将线路部20b的X轴方向的正方向侧端部与线路部20c的X轴方向的负方向侧端部相连。由此，线路部20a?20c相连接，从而形成I个信号导体层20。
[0149]如图17至图19所示，接地导体层22设置在电介质主体12中较信号导体层20更靠z轴方向的负方向侧，并与信号导体层20相对。更详细而言，接地导体层22由线路部22e?22g构成。如图17和图18所示，线路部22e设置在电介质片材18d的背面，并在x轴方向上延伸。这里，线路部22e设置在区域A22中。此外，线路部22e是实心导体层。由此，在线路部22e上与信号导体层20重叠的位置未设置开口。
[0150]如图17和图18所示，线路部22f设置在电介质片材18d的背面，并在X轴方向上延伸。这里，线路部22f设置在区域A23、A32中。此外，线路部22f是实心导体层。由此，在线路部22f上与信号导体层20重叠的位置未设置开口。
[0151]如图17至图19所示，线路部22g设置在电介质片材18d的背面，并在x轴方向上延伸。这里，线路部22g设置在区域A33中。此外，线路部22g是实心导体层。由此，在线路部22g上与信号导体层20重叠的位置未设置开口。
[0152]如图17和图19所示，接地导体层23设置在电介质片材18c的背面，并在X轴方向上延伸。这里，接地导体层23设置在区域A31中。由此，接地导体层23配置在较接地导体层22更靠近信号导体层20的位置。此外，接地导体层23是实心导体层。由此，在接地导体层23上与信号导体层20重叠的位置未设置开口。
[0153]通孔导体B120在z轴方向上贯穿电介质片材18c。通孔导体B121在z轴方向上贯穿电介质片材18d。通孔导体B120、B121彼此相连接，从而构成I根通孔导体，并将线路部22f和接地导体层23相连接。
[0154]通孔导体B122在z轴方向上贯穿电介质片材18c。通孔导体B123在z轴方向上贯穿电介质片材18d。通孔导体B122、B123彼此相连接，从而构成I根通孔导体，将线路部22g和接地导体层23相连接。
[0155]如图17至图19所示，接地导体层24设置在电介质主体12中较信号导体层20更靠z轴方向的正方向侧，并与信号导体层20相对。更详细而言，接地导体层24由线路部24e?24g构成。如图17和图18所示，线路部24e设置在电介质片材18a的表面，并在x轴方向上延伸。这里，线路部24e设置在区域A22中。此外，线路部24e上设有多个其长边沿X轴方向延伸的长方形开口 30。多个开口 30沿X轴方向排成一列，且从z轴方向俯视时与信号导体层20重叠。
[0156]如图17和图18所示，线路部24f设置在电介质片材18a的表面，并在x轴方向上延伸。这里，线路部24f设置在区域A23、A32中。此外，线路部24f上设有多个其长边沿x轴方向延伸的长方形开口 30。多个开口 30沿X轴方向排成一列，且从z轴方向俯视时与信号导体层20重叠。
[0157]如图17至图19所示，线路部24g设置在电介质片材18a的表面，并在x轴方向上延伸。这里，线路部24g设置在区域A33中。此外，线路部24g上设有多个其长边沿X轴方向延伸的长方形开口 30。多个开口 30沿X轴方向排成一列，且从z轴方向俯视时与信号导
体层20重叠。
[0158]如图17和图18所示，接地导体层25设置在电介质片材18b的背面，并在x轴方向上延伸。这里，接地导体层25设置在区域A21中。由此，接地导体层25配置在较接地导体层24更靠近信号导体层20的位置。此外，接地导体层25是实心导体层。由此，在接地导体层25上与信号导体层20重叠的位置未设置开口。
[0159]通孔导体BI 12在z轴方向上贯穿电介质片材18a。通孔导体BI 13在z轴方向上贯穿电介质片材18b。通孔导体B112、B113彼此相连接，从而构成I根通孔导体，将线路部24e和接地导体层25相连接。
[0160]通孔导体BI 14在z轴方向上贯穿电介质片材18a。通孔导体BI 15在z轴方向上贯穿电介质片材18b。通孔导体B114、B115彼此相连接，从而构成I根通孔导体，将线路部24f和接地导体层25相连接。
[0161]通孔导体BlOl在z轴方向上贯穿电介质片材18a，从z轴方向俯视时，以等间隔地排列在X轴方向上的方式设置在信号导体层20的y轴方向两侧。通孔导体B102在Z轴方向上贯穿电介质片材18b，从z轴方向俯视时，以等间隔地排列在X轴方向上的方式设置在信号导体层20的y轴方向两侧。通孔导体B103在z轴方向上贯穿电介质片材18c，从z轴方向俯视时，以等间隔地排列在X轴方向上的方式设置在信号导体层20的y轴方向两侧。通孔导体B104在z轴方向上贯穿电介质片材18d，从z轴方向俯视时，以等间隔地排列在X轴方向上的方式设置在信号导体层20的y轴方向两侧。通孔导体BlOl?B104彼此相连接，从而构成I根通孔导体，将线路部24e和线路部22e相连接。
[0162]通孔导体B105在z轴方向上贯穿电介质片材18a，从z轴方向俯视时，等间隔地排列在信号导体层20的y轴方向两侧。通孔导体B106在z轴方向上贯穿电介质片材18b，从z轴方向俯视时，等间隔地排列在信号导体层20的y轴方向两侧。通孔导体B107在z轴方向上贯穿电介质片材18c，从z轴方向俯视时，等间隔地排列在信号导体层20的7轴方向两侦U。通孔导体B108在z轴方向上贯穿电介质片材18d，从z轴方向俯视时，等间隔地排列在信号导体层20的y轴方向两侧。通孔导体B105?B108彼此相连接，从而构成I根通孔导体，将线路部24f和线路部22f相连接。
[0163]通孔导体B131在z轴方向上贯穿电介质片材18a，从z轴方向俯视时，等间隔地排列在信号导体层20的y轴方向两侧。通孔导体B132在z轴方向上贯穿电介质片材18b，从z轴方向俯视时，等间隔地排列在信号导体层20的y轴方向两侧。通孔导体B133在z轴方向上贯穿电介质片材18c，从z轴方向俯视时，等间隔地排列在信号导体层20的7轴方向两侦U。通孔导体B134在z轴方向上贯穿电介质片材18d，从z轴方向俯视时，等间隔地排列在信号导体层20的y轴方向两侧。通孔导体B131?B134彼此相连接，从而构成I根通孔导体，将线路部24g和线路部22g相连接。
[0164]在上述结构的高频信号线路IOh中，信号导体层20在区域A22、A23、A32、A33中被接地导体层22和接地导体层24从z轴方向的两侧夹持。由此，高频信号线路IOe呈三板带状线结构。
[0165]这里，如图18所示，线路部22e与线路部22f的距离G2比线路部24e与线路部24f的距离Gl要长。此外，如图19所示，线路部24f与线路部24g的距离G3比线路部22f与线路部22g的距离G4要长。
[0166]保护层14设置在电介质片材18a的表面上，并覆盖接地导体层24。保护层15设置在电介质片材18d的背面上，并覆盖接地导体层22。
[0167]如图17所示，上述结构的高频信号线路IOh在区域A21、A31处弯曲来使用。并且，高频信号线路IOe的背面(即，保护层15)贴附于电池组等的金属体400。
[0168](效果)
在高频信号线路IOh中，区域A31中接地导体层23与信号导体层20的间隔Dl比区域A32、A33中接地导体层22与信号导体层20的间隔D2小。由此，与高频信号线路10同样，能容易地使高频信号线路IOe弯曲。
[0169]此外，若高频信号线路IOh在区域A21处谷折，则接地导体层22较接地导体层24位于外周侧。因此，在高频信号线路IOe中，线路部22e与线路部22f的距离G2比线路部24e与线路部24f的距离Gl要长。由此，当高频信号线路IOh在区域A21处谷折时，接地导体层24不容易位于高频信号线路IOe弯曲的部分。因此，抑制了接地层导体24给高频信号线路IOh的弯曲带来妨碍。
[0170]此外，若高频信号线路IOh在区域A31处山折，则接地导体层24较接地导体层22位于外周侧。因此，在高频信号线路IOh中，线路部24f与线路部24g的距离G3比线路部22f与线路部22g的距离G4要长。由此，当高频信号线路IOh在区域A31处山折时，接地导体层22不容易位于高频信号线路IOh弯曲的部分。因此，抑制了接地导体层24给高频信号线路IOh的弯曲带来妨碍。
[0171]另外，高频信号线路10、10a?IOh并不限于扁状电缆，也可用作天线前端模块等RF电路基板中的高频信号线路。
工业上的实用性
[0172]如上所述，本发明适用于高频信号线路以及具备该高频信号线路的电子设备，尤其在能容易地进行弯曲这一点上较为优异。
标号说明
[0173]Al ?A3、All ?A13 区域
BI?B16、B21?B35、B40?B49、bl?b4 通孔导体
10、IOa?IOh高频信号线路
12电介质主体
18a?18e电介质片材
20信号导体层
22、23、24、25 接地导体层
30 开口
【权利要求】
1.一种高频信号线路，其特征在于，包括: 层叠体，该层叠体具有第一区域和第二区域，并由具有挠性的多个绝缘体层层叠而成； 信号导体层，该信号导体层设置于所述层叠体；以及 第一接地导体层，该第一接地导体层设置于所述层叠体，并与所述信号导体层相对，所述第一区域中所述第一接地导体层与所述信号导体层的间隔比所述第二区域中该第一接地导体层与该信号导体层的间隔要小， 所述层叠体在所述第一区域处折弯。
2.如权利要求1所述的高频信号线路，其特征在于， 还包括第二接地导体层，该第二接地导体层设置于所述层叠体，并夹着所述信号导体层与所述第一接地导体层相对。
3.如权利要求2所述的高频信号线路，其特征在于， 所述第一区域的至少一部分中未设置所述第二接地导体层。
4.如权利要求1至3的任一项所述的高频信号线路，其特征在于， 所述第一区域的至少一部分中所述层叠体的厚度比所述第二区域中该层叠体的厚度要薄。
5.如权利要求4所述的高频信号线路，其特征在于， 相对于所述信号导体层位于所述第一接地导体层的相反方向的所述绝缘体层未形成在所述第一区域的至少一部分中。
6.如权利要求1至5的任一项所述的高频信号线路，其特征在于， 所述第一区域中所述信号导体层的线宽比所述第二区域中该信号导体层的线宽要细。
7.如权利要求1至6的任一项所述的高频信号线路，其特征在于， 所述层叠体在所述第一区域处折弯，使得所述第一接地导体层较所述信号导体层位于内周侧。
8.如权利要求1至7的任一项所述的高频信号线路，其特征在于， 所述第二接地导体层具有沿着所述信号导体层排列的多个开口。
9.如权利要求1至8的任一项所述的高频信号线路，其特征在于， 所述层叠体包括: 线路部，该线路部具有所述第一区域及所述第二区域；以及 连接部，该连接部与所述线路部的端部相连， 所述第一区域与所述连接部相邻接。
10.如权利要求9所述的高频信号线路，其特征在于， 还包括第二接地导体层，该第二接地导体层设置于所述层叠体，并夹着所述信号导体层与所述第一接地导体层相对， 所述信号导体层与所述第一接地导体层的间隔比该信号导体层与所述第二接地导体层的间隔要大， 在所述第一区域中，较所述信号导体层更靠所述第一接地导体层一侧的所述绝缘体层有一部分缺失。
11.如权利要求10所述的高频信号线路，其特征在于，所述第二接地导体层上设有沿着所述信号导体层排列的多个开口。
12.如权利要求1所述的高频信号线路，其特征在于， 还包括第二接地导体层，该第二接地导体层设置于所述层叠体，并夹着所述信号导体层与所述第一接地导体层相对， 所述第一区域的至少一部分中未设置所述第二接地导体层， 未设置所述第二接地导体层的区域的长度比所述第一区域中所述第一接地导体层的长度要短， 所述层叠体在所述第一区域处折弯，使得所述第一接地导体层较所述信号导体层位于内周侧。
13.一种电子设备，包括高频信号线路和壳体，其特征在于， 所述高频信号线路包括: 层叠体，该层叠体具有第一区域和第二区域，并由具有挠性的多个绝缘体层层叠而成； 信号导体层，该信号导体层设置于所述层叠体；以及 第一接地导体层，该第一接地导体层设置于所述层叠体，并与所述信号导体层相对， 在所述高频信号线路中， 所述第一区域中所述第一接地导体层与所述信号导体层的间隔比所述第二区域中该第一接地导体层与该信号导·体层的间隔要小， 所述层叠体在所述壳体内于所述第一区域处折弯。
【文档编号】H05K1/02GK103718656SQ201280038424
【公开日】2014年4月9日 申请日期:2012年11月9日 优先权日:2011年11月10日
【发明者】多胡茂, 佐佐木怜, 加藤登 申请人:株式会社村田制作所