晶体生长炉真空管冷却结构的制作方法

文档序号:8084005阅读:345来源:国知局
晶体生长炉真空管冷却结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种晶体生长炉真空管冷却结构,包含真空管,真空管的出口端与晶体生长炉炉体连接,还包含:套设在真空管进口端的法兰、夹套和封板,夹套的两端为不封闭的具有开口;法兰和封板分别位于夹套的两侧,封闭夹套两侧的开口,使夹套内部形成腔体;所述夹套上还具有一个与所述腔体连通的进口端,和一个与所述腔体连通的出口端。同现有技术相比,通过夹套上的进口端可不断的将冷却介质引入腔体内,通过冷却介质对位于腔体内的真空管以及腔体一侧的法兰进行冷却,经换热后的冷却介质再由出口端排出,从而对真空管和法兰的温度进行控制,使真空管和法兰的温度保持在一个正常的范围内。并且夹套与炉体之间存在预设长度的间距,方便工人施焊。
【专利说明】晶体生长炉真空管冷却结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种晶体生长炉,特别涉及一种晶体生长炉真空管冷却结构。
【背景技术】
[0002]半导体照明亦称固态照明,具有耗电量少、寿命长、可控性强等特点,目前产品光效已超过传统光源,价格快速下降,正在成为照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一场照明光源的革命。在全球能源危机、环保要求不断提高的情况下,低功耗、长寿命的半导体照明已被世界公认为一种节能环保的重要途径。面对半导体照明产业巨大的市场空间与节能潜力,很多发达国家都将半导体照明列为战略性高技术产业。从全球来看,半导体照明产业已形成以美国、亚洲、欧洲三大区域为主导的三足鼎立的产业分布与竞争格局。而我国的LED产业起步于20世纪70年代,现已基本形成较为完整的产业链。
[0003]而蓝宝石单晶体作为目前市场上的LED衬底的主要材料,该单晶具有非常稳定的化学性能,良好的机械性能,优良的热传导性和电气绝缘性。由于其具有独特优异的力学、光学性能,适合在恶劣条件下工作,被广泛的应用于各种光学元件和红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的窗口材料。而且因为它具有与氮化镓类似的结构,是目前实际应用中LED和LD发光二极管半导体最为理想的衬底材料。
[0004]由于蓝宝石多晶在高温真空环境中,并在一定的温度梯度下才能转变为蓝宝石单晶体。在生产过程中真空栗需要持续的抽真空以保证设备内的真空度,但同时炉体内的热量也会经过真空口通过辐射传导到真空管和与真空管连接的法兰上,导致其温度过高,从而影响到真空栗的正常工作。
实用新型内容
[0005]本实用新型的目的在于提供一种晶体生长炉真空管冷却结构,以克服与炉体连接的真空管在高温真空环境温度过高的缺陷。
[0006]为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种晶体生长炉真空管冷却结构,包含真空管,所述真空管的出口端与晶体生长炉炉体连接,所述的晶体生长炉真空管冷却结构还包含:套设在所述真空管进口端的法兰;
[0007]所述所述的晶体生长炉真空管冷却结构还包含:套设在所述真空管上的夹套和封板,所述夹套的两端为不封闭的具有开口 ;
[0008]所述法兰和所述封板分别位于所述夹套的两侧,封闭所述夹套两侧的开口,使所述夹套内部形成腔体;
[0009]所述夹套上还设有一个与所述腔体连通的进口管,和一个与所述腔体连通的出口管。
[0010]本实用新型的实施方式相对于现有技术而言,由于在真空管上套设有由夹套、封板和法兰构成的腔体,且夹套上还设置有与腔体导通的进口管和出口管。当真空管在高温真空环境中时,通过夹套上的进口管可不断的将冷却介质引入腔体内,通过冷却介质对位于腔体内的真空管以及腔体一侧的法兰进行冷却,经换热后的冷却介质再由出口管排出,从而对真空管和法兰的温度进行控制,使真空管和法兰的温度保持在一个正常的范围内,不会影响到与其真空管连接的真空栗的正常运行。
[0011]进一步的,套设在所述真空管上的夹套,与所述真空管出口端连接的晶体生长炉炉体之间存在预设长度的间距。即夹套与晶体生长炉炉体之间隔开了一定的距离,所以当夹套分别与法兰和封板在进行装配时,可方便操作工人对其进行焊接。
[0012]另外,所述进口管和所述出口管沿竖直方向对称设置在所述夹套上。由于进口管和出口管是竖直,且对称设置在夹套上,所以保证冷却介质是从下而上通过进口管流入腔体后,再从出口管流出,使冷却介质具有较高的流动性,保证经过换热后的冷却介质不会在腔体内滞留过多的时间,能够快速的从出口管中排出,进一步加强了对真空管和法兰的冷却效果。
[0013]并且,当需要向腔体内填充冷却介质时,可预先准备两个橡胶软管、或其他材质制作的输送管道,将其管道直接与夹套上的进口管和出口管连接即可,冷却介质通过与进口管连接的管道流入腔体内,并通过与出口管连接的管道将其排出,从而达到对真空管和法兰循环换热的目的。
[0014]优选的,所述封板与所述夹套之间采用焊接连接,所述夹套和所述法兰之间采用焊接连接。由于焊接连接具有较好的牢固性和密封性,不但能够使整个冷却结构具有较好的稳固性,而且由于采用焊接连接能够使部件与部件之间具有较好的紧密度,防止填充到腔体8内的冷却介质发生泄漏,使腔体8具有较好的密封性能。通过焊接连接可进一步增加各部件之间连接的牢固性。
【专利附图】

【附图说明】
[0015]图1为本实用新型第一实施方式的晶体生长炉真空管冷却结构的结构示意图。【具体实施方式】
[0016]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型的各实施方式进行详细的阐述。然而,本领域的普通技术人员可以理解,在本实用新型各实施方式中,为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是,即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改,也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。
[0017]本实用新型的第一实施方式涉及一种晶体生长炉真空管冷却结构,如图1所示,包含真空管3,其中,真空管3的出口端与晶体生长炉炉体7连接,本实施方式的晶体生长炉真空管冷却结构还包含:套设在真空管3进口端的法兰2、夹套4和封板6,且夹套4的两端为不封闭的具有开口。
[0018]在本实施方式中,法兰2和封板6分别位于夹套4的两侧,并对夹套4两侧的开口进行封闭,夹套4的内部通过法兰2和封板6构成一个封闭的腔体8。另外,在本实施方式中,夹套4上还设有一个与腔体8连通的进口管I,和一个与腔体8连通的出口管5。
[0019]在本实施方式中,由于在真空管3上套设有由夹套4、封板6和法兰2构成的腔体,且夹套4上还设置有与腔体8导通的进口管I和出口管5。当真空管3在高温真空环境中时,通过夹套4上的进口管I可不断的将冷却介质引入腔体8内,通过冷却介质对位于腔体8内的真空管3以及腔体一侧的法兰2进行冷却,经换热后的冷却介质再由出口管5排出,从而对真空管3和法兰2的温度进行控制,使真空管3和法兰2的温度保持在一个正常的范围内,不会影响到与其真空管连接的真空栗的正常运行。
[0020]其中,在本实施方式中,进口管I和出口管5是沿竖直方向,对称设置在夹套4上。所以保证冷却介质是从下而上通过进口管I流入腔体8后,再从出口管5流出,使冷却介质具有较高的流动性,保证经过换热后的冷却介质不会在腔体8内滞留过多的时间,能够快速的从出口端中排出,进一步加强了对真空管和法兰的冷却效果。
[0021]并且,当需要向腔体8内填充冷却介质时,可预先准备两个橡胶软管、或其他材质制作的输送管道,将其管道直接与夹套4上的进口管I和出口管5连接即可,冷却介质通过与进水管I连接的管道流入腔体8内,并通过与出口管5连接的管道将其排出,从而达到对真空管3和法兰2循环换热的目的。
[0022]另外,在本实施方式中,封板6与夹套4之间、夹套4和法兰2之间都采用焊接连接,由于焊接连接具有较好的牢固性和密封性,不但能够使整个冷却结构具有较好的稳固性,而且由于采用焊接连接能够使部件与部件之间具有较好的紧密度,防止填充到腔体8内的冷却介质发生泄漏,使腔体8具有较好的密封性能。
[0023]值得一提的是,在本实施方式中,可对夹套4的长度适当的进行减小,使得套设在真空管3上的夹套4,与真空管3出口端连接的晶体生长炉炉体7之间存在一定间距,即夹套4是远离晶体生长炉炉体7的。所以当夹套4分别与法兰2和封板6进行装配时,更有利于操作工人对其进行施焊,更加人性化。
[0024]本领域的普通技术人员可以理解,上述各实施方式是实现本实用新型的具体实施例,而在实际应用中,可以在形式上和细节上对其作各种改变,而不偏离本实用新型的精神和范围。
【权利要求】
1.一种晶体生长炉真空管冷却结构,包含真空管,所述真空管的出口端与晶体生长炉炉体连接,所述的晶体生长炉真空管冷却结构还包含:套设在所述真空管进口端的法兰,其特征在于: 所述晶体生长炉真空管冷却结构还包含:套设在所述真空管上的夹套和封板,所述夹套的两端为不封闭的具有开口; 所述法兰和所述封板分别位于与所述夹套的两侧,封闭所述夹套两侧的开口,使所述夹套内部形成腔体; 所述夹套上还设有一个与所述腔体连通的进口管,和一个与所述腔体连通的出口管。
2.根据权利要求1所述的晶体生长炉真空管冷却结构,其特征在于:套设在所述真空管上的夹套与所述真空管出口端连接的晶体生长炉炉体之间存在预设长度的间距。
3.根据权利要求1所述的晶体生长炉真空管冷却结构,其特征在于:所述进口管和所述出口管沿竖直方向,对称设置在所述夹套上。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的晶体生长炉真空管冷却结构,其特征在于:所述封板与所述夹套之间采用焊接连接。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的晶体生长炉真空管冷却结构,其特征在于:所述夹套和所述法兰之间采用焊接连接。
【文档编号】C30B35/00GK203602755SQ201320654285
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年10月22日 优先权日:2013年10月22日
【发明者】邱萍, 茅陆荣, 李广敏, 缪锦泉, 那日萨 申请人:上海森松化工成套装备有限公司
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