技术特征：
技术总结
本发明公开了一种低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置及其制备方法。低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置包括：Si基底、高电导率金属层、飞片层、加速膛层和钝感药柱，在Si基底、Au/Ag/Cu/Al等高电导率金属层上制作爆炸箔和开关，在聚氯代对二甲苯Parylene C或者聚酰亚胺PI飞片、金属Au/Cu层上制作复合飞片层，加速膛层采用Su8光刻胶光刻显影制造，钝感药柱紧贴加速膛层。起爆装置的制作方法采用MEMS工艺，流程简便，使得该型起爆装置成本低，体积小。由于采用了多晶Si基底，低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置兼具半导体桥低能触发与冷阴极真空开关相比和爆炸箔高能发火KV级电压、KA级电流的特性，具有高安全性、高可靠性。
技术研发人员：朱朋;覃新;唐科;陈楷;徐聪;沈瑞琪;叶迎华
受保护的技术使用者：南京理工大学
技术研发日：2018.03.09
技术公布日：2019.09.17