技术总结
本发明提供一种富锗木薯的栽培方法，属于农业种植技术领域。该栽培方法包括以下步骤：品种选择、整地施肥、套种花生、田间管理和采收。其中，所述整地施肥是在种植之前的3‑5个月，选择阳光充足、土层深厚的砂质土壤地块，将土壤深翻36‑38cm后暴晒，翻耕深度为36‑38cm，暴晒时间为20‑‑35天；然后进行第二次深翻，深翻时在土壤中拌入草木灰和二氧化锗的混合物，再自然放置10‑20天；在种植前5‑20天对土壤施基肥；基肥的施用量为每亩施有机肥1600‑1800kg，磷酸二氢钙2‑4kg，尿素8‑10kg。本发明通过栽培方法和施肥方法的改变，提高木薯中的有机锗含量。
技术研发人员：包宗辉
受保护的技术使用者：包宗辉
文档号码：201610504057
技术研发日：2016.06.28
技术公布日：2016.11.23