核100的第一硅前驱体（逞司外苟干祠）10上固定附着有超氧 化物生成化合物11，在外层200的第二硅前驱体20的表面上固定附着有过渡金属化合物21。
[0063] 具体地，如图10所示，所述羟基自由基生成组合物的制造步骤包括：内核形成步骤 SlOO，在第一硅前驱体的表面上固定附着超氧化物生成化合物;和外层形成步骤S200，在所 述内核的外表面上涂覆外层，该外层的第二硅前驱体的表面上固定附着有过渡金属化合 物。
[0064] 所述内核形成步骤SlOO是形成用于生成超氧化物的内核的步骤，其中内核通过以 下步骤形成：步骤Sl 10,在100重量份数的蒸馏水中，混合30~40重量份数的第一硅前驱体 而进行分散;之后，步骤S120,单独地，在100重量份数的蒸馏水中，溶解5~10重量份数的超 氧化物生成化合物;步骤S130，在100重量份数的分散有所述步骤Sl 10中的第一硅前驱体的 分散液中，加入10~30重量份数的溶解有所述步骤S120中的超氧化物生成化合物的水溶液 而进行分散。
[0065] 在此，所述第一硅前驱体作为附着有所述超氧化物生成化合物的前驱体，其采用 硅溶胶，所述硅溶胶采用在20~40重量％的颗粒大小为0.2~1.0微米的粉末氧化硅(SiO 2) 中混合60~80重量％的水的硅溶胶。此时，当粉末氧化硅的颗粒大小不及0.2微米或者其含 量不及20重量％时，可能会导致不能良好地起到用作附着超氧化物生成化合物的前驱体的 作用。当所述粉末氧化硅的颗粒大小超过I. 〇微米或者其含量超过40重量％时，可能会因所 述前驱体反而会使得羟基自由基的生成效果变得微弱。
[0066] 另外，相对于100重量份数的蒸馏水，当所述第一娃前驱体的含量不及30重量份数 时，可能会导致不能与溶解有超氧化物生成化合物的水溶液起到良好地反应，从而使得反 应产率下降。当所述第一硅前驱体的含量超过40重量份数时，可能会导致第一硅前驱体不 能良好地分散在蒸馏水内部。
[0067] 另外，所述超氧化物生成化合物作为能够生成超氧化物的化合物，可以采用硝酸 银(AgN03)、氯化金(AuCl 3、HAuCl4)和氯化铂(PtCl4)中的一种或者共用上述中的两种以上， 相对于100重量份数的蒸馏水，当所述超氧化物生成化合物的含量不及5重量份数时，可能 会使得羟基自由基的生成效果变得微弱，当超过10重量份数时，可能会导致超氧化物生成 化合物不能良好地分散于蒸馏水内部。
[0068] 另外，相对于100重量份数的分散有所述第一硅前驱体的分散液，当溶解有所述超 氧化物生成化合物的水溶液的含量不及10重量份数时，可能会使得羟基自由基的生成效果 变得微弱，当超过30重量份数时，可能会因与所述第一硅前驱体不能良好地进行反应而使 得反应产率下降。
[0069] 所述外层形成步骤S200是形成外层的步骤，该外层用于与所述内核所生成的超氧 化物反应而生成羟基自由基，外层通过以下步骤形成：步骤S210，在100重量份数的蒸馏水 中，溶解5~10重量份数的过渡金属化合物;步骤S220，在100重量份数的经过所述步骤S130 制造的内核中，加入1~5重量份数的溶解有所述步骤S210的过渡金属化合物的水溶液而进 行分散;之后，步骤S230，在100重量份数的经过所述步骤S220制造的分散液中，加入120~ 150重量份数的第二硅前驱体而进行反应，从而使其凝胶(gel)化。
[0070] 在此，添加所述过渡金属化合物的目的在于通过具有氧化性的过渡金属产生羟基 自由基，优选地，所述过渡金属化合物为铁盐化合物或铜盐化合物，具体地，采用二价铁盐 (FeS〇4)、三价铁盐（（FeCb)、二价铜盐（CuS〇4)、三价铜盐（bis(hydrogenperiodato) cuprate( III) [K5Cu(HI06)2]等。
[0071] 另外，相对于100重量份数的蒸馏水，当如上所述的过渡金属化合物的含量不及5 重量份数时，可能会使得羟基自由基的生成效果变得微弱，当超过10重量份数时，可能会导 致过渡金属化合物不能良好地分散于蒸馏水内部。
[0072] 另外，相对于100重量份数的经过步骤S130制造的内核，当溶解有过渡金属化合物 的水溶液的含量不及1重量份数时，可能会使得羟基自由基的生成效果变得微弱，当超过5 重量份数时，可能会因与所述第一硅前驱体不能良好地反应，从而使得反应产率下降。
[0073] 另外，第二硅前驱体用作附着所述过渡金属化合物的前驱体，可以采用四乙氧基 硅烷（TEOS ,tetraethyl orthosilicate)、甲基三甲氧基硅烷（MTMS， methyl trimethoxy s ilane)、四甲氧基硅烷（TM0S，tetrame thy I orthosilicate)、四丙氧基 硅烷（TPOS，tetrapropyl orthosilicate)、四正丁氧基硅烷（TBOS，tetrabutyl orthosilicate)、四戊氧基石圭烧（TPEOS，tetrapentoxy orthosilicate, 砷旦斗€号叫皇旦旦營司刊叫B )、四丁酮肟基硅烷（T e t r a~ (methylethylketoxime)silane)、乙烯基三丁酮月亏基硅烷（VOS, vinyl oximeino silane)、 苯基三丁酮聘基硅烷(POS ,phenyltris(butanoneoxime)silane)、甲基三丁酮聘基硅烷 (MOS,methyl oximeino silane)中的一种或者共用上述中的两种以上，并以适当的组合比 例进行使用。相对于100重量份数的经过所述步骤S220制造的分散液。当所述第二硅前驱体 的含量不及120重量份数时，可能会导致过渡金属化合物不能良好地涂覆在所述内核的外 表面，当超过150重量份数时，可能会使得根据超氧化物和过渡金属化合物的反应的羟基自 由基的生成效果变得微弱。
[0074]另外，在如上所述的均等物中，最优选地，所述第二硅前驱体包括20~40重量份数 的四乙氧基硅烷（TE0S，tetraethoxysilane)和100~110重量份数的甲基三甲氧基硅烷 (MTMS，methyltrimethoxysilane)〇
[0075] 如上所述，在第二硅前驱体包括TEOS和MTMS的情况下，当TEOS的使用量不及20重 量份数时，可能会导致过渡金属化合物不能良好地涂覆在所述内核的外表面，当超过40重 量份数时，可能会导致根据超氧化物和过渡金属化合物的反应的羟基自由基的生成效果变 得微弱。
[0076] 并且，当MTMS的使用量不及100重量份数时，可能会导致过渡金属化合物不能良好 地涂覆在所述内核的外表面，当超过110重量份数时，可能会导致根据超氧化物和过渡金属 化合物的反应的羟基自由基的生成效果变得微弱。
[0077] 另外，如图11所示，所述超氧化物生成组合物通过在内核100'的外表面上涂覆外 层200'而形成，其中，在内核100'的第一硅前驱体10'上固定附着有超氧化物生成化合物 1Γ，在外层200 '的第二硅前驱体20 '的表面上固定附着有钙化合物21'。
[0078] 具体地，如图12所示，所述超氧化物生成组合物经过如下步骤而形成：内核形成步 骤S100 '，在第一硅前驱体10 '上固定附着超氧化物生成化合物;和外层形成步骤S200 '，在 第二硅前驱体20 '的表面上固定附着钙化合物。
[0079] 所述内核形成步骤S100'为形成能够产生超氧化物的内核的步骤，其中内核通过 以下步骤形成:步骤S110'，在100重量份数的蒸馏水中，混合30~40重量份数的第一硅前驱 体而进行分散;之后，步骤S120'，单独地，在100重量份数的蒸馏水中，溶解5~10重量份数 的超氧化物生成化合物;步骤S130'，在100重量份数的分散有所述步骤Sl 10 '中的第一硅前 驱体的分散液中，加入10~30重量份数的溶解有所述步骤S120 '中的超氧化物生成化合物 的水溶液而进行分散。
[0080] 在此，所述第一硅前驱体用作附着所述超氧化物生成化合物的前驱体，其采用硅 溶胶，所述硅溶胶采用在20~40重量％的颗粒大小为0.2~1.0微米的粉末氧化硅(SiO 2)中 混合60~80重量％的水的硅溶胶。此时，当粉末氧化硅的颗粒大小不及0.2微米或者其含量 不及20重量％时，可能会导致不能良好地起到用作附着超氧化物生成化合物的前驱体的作 用，当所述粉末氧化硅的颗粒大小超过1. 〇微米或者其含量超过40重量％时，可能会因所述 前驱体反而会使得超氧化物的生成效果变得微弱。
[0081 ]另外，相对于100重量份数的蒸馏水，当所述第一硅前驱体的含量不及30重量份数 时，可能会导致不能与溶解有超氧化物生成化合物的水溶液良好地反应，从而使得反应产 率下降。当所述第一硅前驱体的含量超过40重量份数时，可能会导致第一硅前驱体不能良 好好地分散在蒸馏水内部。
[0082] 另外，所述超氧化物生成化合物作为能够生成超氧化物的化合物，可以采用硝酸 银(AgN03