1.一种双形态干电极脑信号采集装置，其特征在于，所述采集装置包括本体和设置在所述本体上的额叶电极组(4-1)和非额叶电极组；
2.根据权利要求1所述的双形态干电极脑信号采集装置，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的双形态干电极脑信号采集装置，其特征在于，所述片状干电极(41)为无源干电极，所述片状干电极(41)呈预定厚度的圆片构造，其底材为紫铜、镀层为银，或者底材为紫铜、镀层为银镀氯化银。
4.根据权利要求1或2所述的双形态干电极脑信号采集装置，其特征在于，所述针状干电极(42)为无源干电极，所述针状干电极(42)为单个采集点的弹簧针组件(42a)，其包括顶针(42a-1)、套管(42a-2)及设置在所述套管(42a-2)内的弹簧(42a-3)，所述顶针(42a-1)通过所述弹簧(42a-3)设置在所述套管(42a-2)内，所述顶针(42a-1)具有能沿所述套管(42a-2)轴线伸缩的工作行程，所述针状干电极(42)的底材为紫铜，镀层为银。
5.根据权利要求1或2所述的双形态干电极脑信号采集装置，其特征在于，
6.根据权利要求1或2所述的双形态干电极脑信号采集装置，其特征在于，所述片状干电极(41)和/或所述针状干电极(42)为有源干电极，所述片状干电极(41)和/或所述针状干电极(42)设置在包含电压跟随电路的电路板(43)上。
7.根据权利要求6所述的双形态干电极脑信号采集装置，其特征在于，
8.根据权利要求4所述的双形态干电极脑信号采集装置，其特征在于，所述针状干电极(42)为单个采集点的弹簧针组件(42a)，其在工作高度时的最大接触阻抗为50mω，在正常工作高度时的弹力为10g～30g，工作行程为3.5mm±0.02，工作高度为6.5mm±0.02。
9.根据权利要求1所述的双形态干电极脑信号采集装置，其特征在于，所述额叶电极组(41)包括的若干个片状干电极(41)中的一个所述片状干电极(41)为gnd电极。
10.根据权利要求2所述的双形态干电极脑信号采集装置，其特征在于，所述一体式硬质结构的本体包括对应额叶脑区的第一半环(1)、对应枕叶脑区的第二半环(2)、以及对应顶叶脑区和/或颞叶脑区的第三半环(3)，所述本体的三个半环相互连接成一体化结构，所述额叶电极组(4-1)设置在所述第一半环(1)的内侧面，所述第二半环和/或所述第三半环的内侧面设有所述非额叶电极组；所述第一半环、所述第二半环、所述第三半环中的至少二者之间设置为可伸缩结构。
11.一种脑信号采集方法，其特征在于，所述方法采用如权利要求1至10中任一项所述的双形态干电极脑信号采集装置，所述方法包括：
12.根据权利要求11所述的脑信号采集方法，其特征在于，所述方法还包括：
13.根据权利要求12所述的脑信号采集方法，其特征在于，所述片状干电极和/或所述针状干电极为有源干电极，所述方法还包括：
14.一种脑信号采集电路，其特征在于，所述采集电路用于实现如权利要求11-13中任一项所述的脑信号采集方法，所述采集电路包括：
15.根据权利要求14所述的脑信号采集电路，其特征在于，所述片状干电极和/或所述针状干电极为有源干电极，所述采集电路还包括：多个电压跟随电路，各电压跟随电路设置于额叶电极组、非额叶电极组的各电极所连接的电路板上，用于追随电极与头皮之间的电位差，并输出与该电位差相同的电压信号，使得该有源电极处于正常工作状态。