清洁片、具有清洁功能的承载元件和基片处理设备的清洁方法

专利名称：清洁片、具有清洁功能的承载元件和基片处理设备的清洁方法
技术领域：
本发明涉及一种用于清洁各种易受杂质影响的基片处理设备，例如半导 体、平面显示器、印刷电路板等的制造或测试设备的清洁片，及使用此清洁 片清洁基片处理设备的方法，和用此清洁方法清洁的基片处理设备。
背景技术：
在各种基片处理设备中，各种传输系统和基片是在相互物理接触的情况 下输送的。在此过程中，当基片或传输系统有粘附其上的杂质时，后续的基 片会依次被污染。这样，必需定时地中止衬底处理设备的操作，以进行清洁， 从而导致了工作效率的下降或需要大量劳动力。为了解决这些问题，已提出 一种包括向基片处理设备中输送含有固定在 其上的粘性物质的基片，从而将杂质从基片处理设备内部除去的方法(专利文 献l)和一种包括传输平板状元件以除去基片背面上的杂质的方法(专利文献 2)。这些方法省去了必须中止基片处理设备的操作以进行清洁，从而导致工 作效率不下降或不需要大量劳动力。在上面提及的方法中，特别是前一方法，其在除去杂质能力方面是优异 的，即，包括使用粘性物质的方法，为防止清洁层的污染或有较好的操纵性 能，通常层压可剥离的保护膜于清洁层的表面。已有各种这样的保护膜。由 于此保护膜具有优异的可剥离性，其被广泛应用，例如，由基于硅氧烷的隔 离剂处理的聚酯膜。可是，包括这种保护膜的清洁元件的缺点在于，作为隔离剂的硅氧烷化 合物被转移并且被传输到清洁层。当清洁元件随后被传输入基片处理设备中时，保护膜同时被剥离以便将杂质从设备内部除去，清洁层上的隔离剂就粘 到了接触部分和设备的其他区域，从而导致了设备的污染。结果，产品晶片 被污染，引起设备性能的下降，这导致次品的频繁出现。前述方法还有缺点当传输设备内部被加热到100。C或在高真空(10一托) 下时，此粘性物质会产生大量的污染设备内部或导致真空度降低的挥发气体， 偶尔导致不可能简单地将杂质除去。具体地说，基片处理设备主要在内部保持高真空下操作，例如等离子体 蚀刻设备，賊涂设备，干蚀刻设备，活性离子蚀刻设备，CVD设备，等。因 此，当这些设备用前述方法清洁时，其内部的真空度会降低。(专利文献1)JP-A-10-154686(第2到4页) (专利文献2)JP-A-ll-87458(第2到3页)发明内容本发明的一个目的是提供一种清洁元件，当传送入基片处理设备以使杂 质从设备内部除去时，由于将硅氧烷移动和转移到清洁层，此清洁元件对基 片处理设备几乎不产生污染。在这些情况下，本发明的另一个目的是提供一种具有清洁功能的承载元 件，由于此承载元件而几乎不导致基片处理设备真空度降低，且当传输入此 基片处理设备以使杂质从设备内部除去时，此承载元件能够筒单且安全地除 去杂质。为达到前述目的本申请人以前研究过当保护膜从清洁层上剥离时粘附于 清洁层上的硅氧烷的量。本申请人已经知道，当使用粘附的与聚二曱基硅氧 烷相当的硅氧烷量为0.005g/r^或更少的清洁元件时，就可能消除由硅氧烷引 起的对设备的污染。这一认识被作为发明提出申请(日本专利申请 2001-386708)。可是，发明人随后的研究表明，即使当使用前述的清洁元件时，偶尔地 由于硅氧烷移动和转移到清洁层而导致的设备的污染，也不能完全地避免。 发明人对解释导致这种现象的原因作了进一步的研究。结果，得知有许多种 可以被移动和转移到清洁层上的硅氧烷，并且当粘附的与聚二曱基硅氧烷相当的硅氧烷量仅仅由通常的分析法限定时，偶尔地由硅氧烷引起的设备的污 染不能完全被避免。发明人在这一认识的基础上作了更广泛的实验研究。结果得知，当被移 动和转移到清洁层的硅氧烷的种类，用飞行时间二次离子质谱法作了分析， 从而确定从硅氧烷衍生出的具体碎片离子的相对强度，并且此相对强度被限 定到一个具体值或更少时，由于硅氧烷引起的设备的污染能被完全避免，这 就使得可能进一步避免由于产品晶片的污染而导致的设备性能的下降。由此， 完成了本发明。本申请人较早前知道，如前面提到的高真空基片处理设备中真空度的降 低，是由承载元件的清洁层中含有的脂肪族或芳香族组分、作为杂质的溶剂 组分和增塑剂组分例如富马酸酯引起的。具有限于特定值或更少的气体蒸发的清洁元件已被提出发明申请(日本专利申请2000-349972)。可是，发明人随后的研究表明，即使当用上述的清洁元件时，为了将杂 质从其中除去而在传输清洁元件到高真空基片处理设备的过程中，由于清洁 元件导致的高真空基片处理设备中真空度的仍会发生降低，致使偶尔不能使 用基片处理设备。对导致高真空基片处理设备中真空度降低的原因作了进一步的研究。结 果得知，导致高真空基片处理设备中真空度的降低的原因不仅限于上述的脂 肪族或芳香族组分、溶剂组分和增塑剂组分，而且高真空基片处理设备中真 空度的降低还由于高真空中水分的蒸发。基于这一认识，发明人通过加热清洁层等尽可能地减少高真空中水分的 蒸发以减少其中常态水分吸收速率，或通过减少清洁层厚度等以减少水分绝 对含量。结果发现，这些方法使得当清洁元件被输送到高真空中时，可以防 止高真空基片处理设备中真空度的降低。也发现，当清洁元件被置于其中时， 通过在预定的温度下，限定直到已被暂时降低的真空室内的真空度恢复到几 乎为原值所需的时间，而使这种抑制效应可以被的确起作用，这就使得可能 在实际高真空基片处理设备中抑制真空度的降低并且因此简单而确实地将杂质从基片处理设备中除去。由此完成了本发明。 换句话说，本发明由以下各项构成。(l)一种清洁片，包括清洁层和层压于清洁层上的可剥离的保护膜，当保 护膜从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O-，在清洁层中的碎片离子CH3Si+, C3H9Si+, C5H15Si20+， C5H15Si303+, C7H21Si302+,CH3SiCT，CH3Si021p Si +的相对 强度均为0.1或更少。(2) 根据上述(1)的清洁片，其中清洁层基本上无粘合强度。(3) 根据上述(1)或(2)的清洁片，还包括支撑物，其中清洁层置于支撑物上。(4) 根据上述(3)的清洁片，还包括在粘合层的对面设置的粘合层，其中清 洁层设置于支撑物的一面。(5) 根据上述(1), (2)和(4)中任一项的清洁片，其中此清洁片含有耐热聚合 物树脂。(6) 具有清洁功能的承载元件，包括承载元件和通过粘合层而层压于承载 元件上的由上述(4)定义的清洁片。(7) 根据上述(6)的承载元件，其中清洁层含有耐热聚合物树脂。(8) —种具有清洁功能的承载元件，包括承载元件及设置于承载元件的至 少一面的清洁层，其中根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相 对于C2H/,或在阴离子的情况下相对于O-,在清洁层中的碎片离子CH3Si+， C3H9Si+, C5H15Si20+， C5H15Si303+, C7H21Si302+， CH3SiCT, CH3Si02A Si+的相对 强度均为0.1或更小。(9) 根据上述(8)的承载元件，其中此清洁层基本上无粘合强度。(10) 根据上述(8)或(9)的承载元件，其中此清洁层含有耐热聚合物树脂。(11 )具有清洁功能的承载元件，包括承载元件和设置于承载元件至少 一面 上的清洁层，其中当在50。C的温度下将承载元件置于真空室中时，真空室里 的真空度被从3xl0"。托暂时降低，当将承载元件置于真空室后真空室的真空 度回升到lxlO一托所需的时间为IOO分钟或更少。(12) 根据上述(11)的具有清洁功能的承载元件，其中清洁层实质上无粘合 强度。(13) 根据上述(11)或(12)的具有清洁功能的承载元件，其中清洁层含有耐 热聚合物树脂。(14) 根据上述(11)或(12)的具有清洁功能的承载元件，还包括有支撑物， 其中支撑层具有设置于支撑物的一个面上的清洁层，且粘合层被设置于支撑 物的另一面，并且清洁层通过粘合层被设置于承栽元件上。(15) —种清洁基片处理设备的方法，其包括向基片处理设备中传输由上述(l)所定义的清洁片，或传输上述(5)， (8)和(11)中任意一项所定义的具有清洁 功能的承载元件。(1。由上述(1"定义的清洁方法清洁的基片处理设备。 上述的含Si碎片离子由下列化学式表示(1) CHaS i+ :CH3— S i(2) C3H9S i +CH3CHaCH3 一S卜CH2 —S i —HCH3CH3(3) C5H15S i 2O十CH3 CH31 I CH3 —S i —O —S i + 1 I CH3 CH3(4) C5H15S i 303 + CHsCH3<formula>formula see original document page 8</formula><formula>formula see original document page 9</formula>具体实施方式
本发明的实施方案将会在下文中具体描述。本发明的清洁片包括清洁层和层压于清洁层上的可剥离的保护膜，其中 当相关的保护膜从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，清洁层中 的每个具体碎片离子的相对强度是给定值或更少。另外，本发明的具有清洁功能的承载元件包括承载元件及在承载元件至 少一面设置的清洁层，其中根据飞行时间二次离子质谱法，在清洁层中的具 体具体碎片离子的相对强度是给定值或更小。此外，此承载基片作为承载元件是优选的。略微详细地说，前述碎片离子是指CH3Si+, C3H9Si+, C5H15Si20+, C5H15Si303+， C7H21Si302+， CH3SiCT， CH3Si021。 Si+。本发明的特征在于在阳离 子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O-，根据飞行时间二次 离子质谱法，这些离子的相对强度均为0.1或更少，优选0.01或更少。前述的限制使得可能完全防止在清洁基片处理设备过程中已被移动和转 移的硅氧烷对基片处理设备的污染，并且因此彻底地阻止了由于设备性能的 下降而导致的次品的出现。相反，当保护膜从清洁层剥离时，清洁层中上述的具体离子碎片的相对 强度发展到大于O.l，清洁片将会遇到严重的问题，当其被传输到基片处理设 备内部时，被移动和转移到清洁层表面的硅氧烷将会污染设备并且由此污染 产品晶片，从而导致设备性能的下降，使次品频繁产生和产量下降。在此使用的术语"飞行时间二次离子质谱法，，是指一种方法，包括使离子 束(一次离子)在高真空中，以很高的速度沖击固体样品的表面以引起沖出样品 表面的成分的溅射法，因此带正电离子或带负电离子(二次离子)在电场中以一 个方向飞行并且在预先设定的与之相隔一定距离的位置进行检测。在賊射过 程中，具有各种质量的二次离子产生，此产生取决于样品表面成分。离子质 量越小，离子的飞行速度越高。相反，离子质量越大，此离子的飞行速度越低。因此，通过测量二次离 子产生至检测之间所需的时间(飞行时间)，就可以计算出如此产生的二次离子 的质量。在相关技术领域的质谱分析中，有机化合物在电离过程中被完全地分解。 由此，由质谱得到的化学结构的数据缺少。相反，前述的分析法需要小剂量的 一次离子束，使得有可能电离此有机化合物同时保持其化学结构并且由其 质谱决定有机化合物的结构。此外，由于仅仅有产生于固体样品表面最外部 分的二次离子飞入真空，因此可以得到关于样品最外表面(深度大约为几埃) 的数据。样品表面的ppm级的痕量成分的方法一样灵敏。通过用一次离子束扫描样品 的表面，可以测出样品表面的离子图象(绘图)。注意到这种飞行时间二次离子质谱法，本发明人发现当由此飞行时间二 次离子质谱法测量的清洁层表面上的具体离子碎片的相对强度被限定到上述 规定的值或更少时，由硅氧烷引起的对设备的污染就可被完全阻止。在本发明中，用下列方法测量前述的相对强度。在清洁片的情况下保护膜被剥离的清洁层表面或者在具有清洁功能的承 载元件的情况下，其中提供的清洁层表面，被用ULVAC-PHI, INC.生产的 TRIFT II型飞行时间二次离子质谱仪进行飞行时间二次离子质谱法测定，测 定条件是用"Ga+作为一次离子，加速电压为15KV，测量面积为100|iim2,使用电子枪作为起电装置的改正。然后，对阳离子而言相对于C2H3+或对阴离子而言相对于O、测定单个碎片离子的相对强度。为了限制本发明如上面所定义的清洁层中的上述具体碎片离子的相对强度，需要的是，在清洁片的情况下，作为层压在清洁层上的保护膜，使用上 述离子含量低的膜，更不必说减少含在清洁层本身中的上述离子的数量。换 句话说，作为本发明的保护膜，使用一种未经基于硅氧烷的隔离剂进行隔离 性处理的保护膜，或者使用 一种经数量有限的基于硅氧烷的隔离剂进行隔离 性处理的保护膜，以便减少上述离子的数量。换句话说，作为用于清洁片的本发明的保护膜，使用一种未经基于硅氧 烷的隔离剂进行隔离性处理的保护膜，或者使用 一种经数量有限的基于硅氧 烷的隔离剂进行隔离性处理的保护膜或在其他条件受限的情况下进行了隔离 性处理的保护膜。在本发明中，作为保护膜优选使用聚烯烃基薄膜例如聚乙烯，聚丙烯， 聚丁烯，聚丁二烯和聚曱基戊烯，它们甚至不经过剥离处理就可以被剥离。 此外，被任意一种隔离剂，例如基于硅氧烷，基于长链烷基，基于氟，基于 脂肪酸酰胺和基于二氧化硅的隔离剂处理过的薄膜均可以使用。在用基于硅氧烷的隔离剂或类似物处理的过程中，调整所用的隔离剂的量以限定被移动 和转移到前述的在清洁层中的具体离子碎片的相对强度在上面定义的范围 内。优选保护膜的厚度通常从10pm到100(im。用前述隔离剂处理过的薄膜 的例子包括那些由树脂例如聚氯乙烯，聚氯乙烯共聚物，聚对苯二曱酸乙二 醇酯，聚对苯二曱酸丁二醇酯，聚氨基曱酸乙酯，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物， 离聚物树脂，乙烯-(曱基)丙烯酸共聚物，乙烯-(曱基)丙烯酸酯共聚物，聚 苯乙烯和聚碳酸酯制备的膜。本发明的具有清洁功能的承载元件，包括承载元件和置于其中至少 一面 上的清洁层，其中当承载元件在50。C下置于其中时，室内的真空度被从3 x 10"o 托暂时地降低而又回升到lxlO力托所用的时间，也就是，当承载元件在前述 预定的温度下被置于其中时，被暂时降低的真空室内的真空度回升到几乎是 原值所需的时间是IOO分钟或更少，优选50分钟或更少。当使用这样的具有清洁功能的承载元件时，当其被传输到基片处理设备 中时，在高真空基片处理设备中的真空度的过度减少可以被抑制，并且缺陷 例如设备暂停操作可以被防止，这可以使得简单且确实地将杂质从处理设备 内部除去。可是，当将承载元件置于室内后，直到几乎达到真空度原值所需时间大 于100分钟的具有清洁功能的承载元件被传输到具有高真空度的基片处理设 备中时，在清洁层等中的含水量被蒸发，导致降低设备中的真空度。因此， 需要大量时间用于设备恢复到起始的真空度。在最坏的情况下，就会发生设 备暂停操作这样的问题。为了测量基本上恢复到原值真空度所需时间，使用由DENSHIKAGAKU KOGYO公司生产的EMD-WA1000S类型程序升温解吸质谱仪，测试具有清 洁功能的承载元件样品。至于测量条件，室内的测量温度保持在50。C。试样 的尺寸为lcm2。室内的起始真空度为3xl0^托。在这些条件下，设备恢复到 10力托所需的时间被定为真空恢复时间。只要它能被调整到上述定义范围所限定的真空恢复时间，对本发明中具 有清洁功能的承载元件的组成材料没有特别的限制。 一般来说，能够减少清 洁层中挥发组分的含量，及能够减少清洁层常态吸湿的材料，特别是减少至 1重量％或更少的材料优选使用，挥发性组分例如是脂肪族组分，芳香族组分，溶剂组分和增塑剂组分。为了得到上述的常态吸湿，前述的承载元件优选在不削弱其性能的情况下进行热去湿，例如在温度为从40。C到200°C，优选从50。C到150°C，更优 选从50。C到IOO"C去湿，时间为从1到120分钟，优选从1到60分钟。此 外，为了减少绝对含水量，清洁层的厚度优选减少，只要不削弱清洁层的性 质，更优选减少到范围为1到3(Vm。在本发明中，清洁层没有受特别限制。但是它优选由拉伸模量为10Mpa 或更多，更优选从10到2， OOOMpa的材料来制备，而拉伸模量是根据JIS K7127 测定的。当此材料的拉伸模量为10Mpa或更大时，在小条切割过程中清洁层 的突出或不良切割可以被避免，从而使在预切过程中可以生产具有清洁功能 的无污染的小条片。此外，当传输入设备中时，所得的小条片不能被粘到设备的接触部分并 且引起传输故障。相反，当材料的拉伸模量为2， OOOMpa或更小时，所得的 小条片可以相当好地将杂质从传输系统除去。清洁层所用的材料没有特别的限制，但是优选用活化能源例如紫外线和 热进行聚合-固化的树脂层制备。这是因为，前述的聚合固化引起树脂的三 维网状分子结构，从而导致树脂基本上丧失粘性。结果，在传输入设备内部 时，能得到不能稳固地粘到设备的接触部分的清洁层，并且因此能被稳当地 传输通过基片处理设备的内部。此处所用的术语"实质上无粘合强度"表示，假如粘性的本质是抗滑动的 摩擦，则它说明不存在表示粘着功能的压敏粘性。例如根据Dahlquist的标准， 当发粘材料的弹性模数为lMpa或更小时，就会发生压敏粘性。前述的聚合固化树脂层的例子包括通过将含有每个分子中具有一个或多 个不饱和双键的压敏聚合物(下文称为"可聚合不饱和化合物")、聚合引发剂和 任选的交联剂等等的可固化树脂组合物，用活化能源尤其是紫外线进行固化 而制得的那些。压敏聚合物的例子包括由(曱基)丙烯酸和/或(曱基)丙烯酸酯作为主要单 体得到的丙烯酸系聚合物。对于该丙烯酸系聚合物的合成，每个分子具有两 个或两个以上不饱和双键的化合物可用作共聚单体，或被化学键合到通过官 能团之间的反应合成的丙烯酸系聚合物分子上，以便将不饱和双键引入到丙 烯酸系聚合物分子中。引入的不饱和双键使得丙烯酸类聚合物自身参与到聚合-固化反应之中。此处所用的可聚合不饱和化合物优选是不挥发的并且重均分子量为10，000或更小。具体地说，优选分子量为5， OOO或更少的可聚合不饱和化合物， 以便固化时其能进行有效的三维网络化。前述可聚合化合物的例子包括苯氧基聚乙二醇(曱基)丙烯酸酯，s-己内 酉旨(曱基)丙烯酸酯，聚乙二醇二(曱基)丙烯酸酯，聚丙二醇二(曱基)丙烯酸酉旨， 三羟基曱基丙烷三(曱基)丙烯酸酯，二季戊四醇六(曱基)丙烯酸酯，尿烷(曱基) 丙烯酸酯，环氧(曱基)丙烯酸酯，和低聚酯(曱基)丙烯酸酯。可以使用这些可 聚合化合物中的一个或多个。此处所用的聚合引发剂没有特别的限制，并且可以选自广泛范围的聚合 引发剂。例如，在热作为活化能源的情况下，可以使用热聚合引发剂例如过氧化 苯曱酰和偶氮二异丁腈。在光作为活化能源的情况下，可以使用光聚合引发 剂例如苯曱酰，苯偶姻乙醚，联节基，异丙基苯偶姻醚，二苯曱酮，米贵酮， 氯p塞吨酮，十二烷基p塞吨酮，二曱基p塞吨酮，乙酰苯二乙基酮缩醇，苯曱基 二曱基酮缩醇，a-羟基环己基苯基酮，2-轻曱基苯基丙烷和2， 2-二曱氧 基-2-苯基乙酰苯。此外，在本发明中，也可用耐热高聚物树脂作为清洁层。关于耐热聚合 物树脂，它们不受特别限制，只要它们具有耐热性即可，它们包括例如通过 对在其主链中有下列通式(l)表示的结构单元的聚酰胺酸树脂进行热酰亚胺化 而获得的聚酰亚胺树脂H Hm cN(1>(n和m每一个代表O或更大，其条件是n或m均是不小于1的整数。)上述的聚酰胺酸能通过在合适溶剂中四羧酸二酐组分与实际上等摩尔比 的二胺组分反应而得到。上述四羧酸二酐组分包:fe例如3,3'，4,4'-联苯四羧酸二酐，2,2',3,3'-联苯四羧酸二酐，
3，3'，4,4'-二苯曱酮四羧酸二肝，
2，2'，3,3'-二苯曱酮四羧酸二酐，
4,4'-氧联二邻苯二曱酸二酐，
2,2-双(2，3-二羧苯基)六氟丙烷二酐，
2,2-双(3,4-二羧苯基)六氟丙烷二酐(6FDA),
双(2，3 -二羧苯基)曱烷二酐，
双(3,4-二羧苯基)曱烷二酐，
双(2,3-二羧苯基)砜二酐，
双(3，4-二羧苯基)砜二酐，
1,2,4,5-苯四酸二酐，
乙二醇双1,2,4-苯三酸二酐，等等。
这些化合物可以单独使用，也可以两种或多种合用。
而且，作为上述的二胺组分，特別使用以下面通式(2)或通式(3)表示的具 有通式(l)所代表结构的二胺。这种二胺可单独使用，或与其他多个二胺合用。 被合用的二胺包括例如4,4'-二氨基二苯醚，3,4'-二氨基二苯醚，3,3'-二氨基二 苯醚，间-亚苯基二胺，对-亚苯基二胺，4,4'-二氨基二苯基丙烷，4,4'-二氨基 二苯基曱烷，3,3'-二氨基二苯基丙烷，4，4'-二氨基二苯基硫醚，3，3'-二氨基二 苯基硫醚，4,4'-二氨基二苯基砜，3，3'-二氨基二苯基砜，1,4-双(4-氨基苯氧基) 苯，1,3-双(4-氨基苯氧基)苯，1,3-双(3-氨基苯氧基)苯，1,3-双(4-氨基苯氧 基)-2，2-二曱基丙烷，六亚曱基二胺，1，8-二氨基辛烷，1,12-二氨基十二烷， 4,4'-二氨基二苯曱酮，1，3-双(3-氨基丙基)-1,1，3,3-四曱基二硅氧烷，等等。<formula>formula see original document page 15</formula>(m、 n代表O或更大的整数。)(m、 n代表O或更大的整数。)
这种四羧酸二酐与二胺可以以实际上等摩尔比在合适有机溶剂中反应。 此外，具体地说，当具有通式(l)所代表的结构时，采用100。C或更高的反应 温度可以防止凝胶生成。当聚合反应在氏于这些温度进行时，在某些情况下 会发生困难，即由于因存留在反应体系中的凝胶(这取决于所用二胺的数量) 而引起的堵塞，使得用过滤法除去杂质变得困难。
此外，因为反应是非均相进行，这种凝胶有时使得所得树脂的性质变化。 用于上述四羧酸二酐与上述二胺的反应的合适溶剂，包括N,N-二曱基乙 酰胺、N-曱基-2-p比咯烷酮及N，N-二曱基曱酰胺。这些溶剂可以通过与非极性 溶剂例如曱苯或二曱苯适当地混合而使用，以调节原料以及所得树脂的溶解 度。
用于本发明的聚酰亚胺树脂能通过将采用上述方法制得的聚酰胺酸树脂 的热酰亚胺化而制得，关于热酰亚胺化反应的方法、可能采用这么一种方法， 其中，酰亚胺化以共沸脱水法在溶剂中进行，含水的共沸溶剂如曱苯、二曱 苯等在上面提到的聚酰胺酸溶液中被混合；或者采用另一种方法，其中将聚 酰胺酸涂于衬底上，随后进行溶剂干燥和为了酰亚胺化的热处理。
作为材料而不是作为聚酰亚胺树脂，梯形聚合物例如苯基-T、聚喹喔啉、 聚亚苯曱酰基苯并咪唑等，而芳族聚合物如聚亚苯基、聚酰胺、聚酯酰亚胺、 聚苯并咪唑、聚碳化二亚胺、聚芳香胺类等，也可用于清洁层。
具体地说，聚酰亚胺类、聚酰胺类和聚碳化二亚胺适用于清洁层，因为 它们甚至曝露于高于400。C的高温时，仍不产生挥发性气体或分解的单体。 在含有这种耐热材料的清洁元件被用于这些在高温下操作的设备，例如臭氧 灰化器、抗蚀剂涂布器、氧化扩散炉、环境压力CVD设备、减压CVD设备 及等离子体CVD设备等时，可以使用清洁元件而不会在加工设备内运送时引 起运送困难或污染。
生成含有这种耐热树脂的清洁层的方法不受特别限制。此清洁层可以直接涂在合适承载元件之上的隔离层上，方法是例如旋涂或喷涂，或者首先用
小间断涂布法或凹版照相涂布法涂布在PET膜或聚酰亚胺膜上，然后转移或 层压到在合适承载元件之上的隔离层上。在溶剂干燥后进行的对清洁元件进 行处理的高温优选至少为200°C。为防止树脂的氧化变质，这种处理优选在 惰性氛围如氮气或在真空中进行。利用这种处理，残留在树脂中的挥发性成 分能被完全消除。不受特別限制的树脂厚度通常从5至100pm(优选从10至 50|am)。
前述的清洁层，当以与晶片(镜面)成180度角被剥离时，显示出 0.2N/10mm宽或更小优选从0.01到0.1N/10mm宽或更小的粘合强度(根据JIS Z0237测定)。当此清洁层有很少或没有粘合强度时，所得的清洁元件不能被 粘到设备中的接触部分，并且在传输时不引起传输故障。
在本发明中，通过单独形成这样的清洁层为片或带，或者将此清洁层置 于合适的支撑物上并且然后层压前述的可剥离的保护膜于此清洁层上，就制 备得到了本发明的清洁片。通过传输这种清洁片到各种基片处理设备中，同 时将前述保护膜剥离，或者在此同时用粘结剂将清洁片粘到承载元件上，使 清洁层与设备中的接触部分接触，于是粘附到接触部分的杂质能够被简单而 又确实地除去。
本发明特别优选的实施方案是包括置于支撑物一 面的清洁层的清洁片， 前述的可剥离的保护膜层压于清洁层上，并且粘合层置于支撑物的另一面。
在这种安排中，支撑物的厚度通常从10pm到lOOiam，清洁层的厚度通 常从5fim到lOO(im，并且粘合层的厚度通常从5|im到100fim(优选从lOjim 到50,)。
清洁片通过被置于支撑物另 一面的粘合层而被层压于承载元件上而制备 成具有清洁功能的承载元件。通过传输这种承载元件到各种基片处理设备中 去，同时将保护模从上述的清洁层剥离，因而清洁层与接触部分接触，粘附 到接触部分的杂质能够被简单而又确实地除去。
在本发明中，这种清洁层单独形成片或带。这种清洁层被用适当的粘合 剂置于承载元件的至少一面上。作为替代，前述的清洁层被置于支撑物上。 清洁层然后通过支撑物被置于承载元件的至少 一 面上。
更优选的是，前述的清洁层被置于支撑物的 一 面而粘合层被置于另 一 面。 前述的清洁层通过前述的粘合层被置于承载元件的至少一面上。由此，制得了所期望的具有清洁功能的承载元件。
在清洁层含有耐热树脂的情况中，用旋涂法、喷涂法或类似方法，将树 脂直接涂布于承载元件例如硅片上，然后干燥形成清洁层。作为替代，前述
的树脂可以用小间断涂覆法(comma coating)、喷射涂布法(fountain)、凹版照 相涂布法或类似方法，涂覆于支撑物上，然后干燥形成清洁层。已涂覆的材 料通过支撑物被层压于前述的承载元件上。
作为代替，只将清洁层转移到承载元件上，得到所期望的具有清洁功能 的承载元件。
涂覆和干燥时的加热温度优选为200。C或更高。此外，为了防止树脂的 氧化和变质，优选在惰性气氛(例如氮气氛或在真空)下处理。据此，就可能完 全除去树脂中保留的挥发性组分。
根据这一具有清洁功能的承载元件，作为 一个包括清洁层的整体真空恢 复时间被限制到上述定义的范围内。在这种安排中，具有清洁功能的承载元 件可以被传输入各种基片处理设备，尤其是高真空基片处理设备中，而不会 如在相关技术中，导致这些基片处理设备真空度的过度降低和因此引起设备 操作的故障。由此，通过使承载元件的清洁层与接触部分接触，粘附到接触 部分的杂质就可以-波简单而又确实地除去。
用于支撑清洁层的支撑物不受特别限制。在此可以使用的支撑物的例子 包括基于聚烯烃的材料例如聚乙烯，聚丙烯，聚丁烯，聚丁二烯和聚甲基戊 烯的膜，和由聚氯乙烯，氯乙烯共聚物，聚对苯二曱酸乙二醇酯，聚对苯二 曱酸丁二醇酯，聚氨基曱酸酯，乙烯-醋酸乙烯酯共聚物，离聚物树脂，乙烯 -(曱基)丙烯酸共聚物，乙烯-(曱基)丙烯酸酯共聚物，聚苯乙烯，聚碳酸酯 等制成的塑料膜。
在这些材料中，特别优选基于聚烯烃的薄膜和乙烯-醋酸乙烯酯共聚物的 薄膜，因为它们具有低吸湿性。这些支撑物可以单独使用或两个或更多个结 合使用。此外，这些支撑物可以进行表面处理，例如在其一面或两面进行电 暈处理。
这种被置于支撑物另 一面的粘接层在其材料上并没有受到特别限制，并 且可以由普通粘合剂例如丙烯酸类粘合剂和基于橡胶的粘合剂制成。在这些 粘合剂中，优选含有重均分子量为100,000或更小的占10%重量或更小比例 的丙烯酸系聚合物作为主要组分的粘合剂作为丙烯酸类粘合剂。前述的丙烯酸系聚合物可以通过将含有(曱基)丙烯酸烷基酯作为主要单
粘接层的厚度优选从5 pm到1 OOpm ，尤其从5pm到20|am ，以减少其绝
对含水量。
当以180度角剥离硅片(镜面)的粘接层时，粘接层显示出从0.01到 10N/10mm宽，优选从0.05到5N/10mm宽或更小的粘合强度。
当粘接层的粘合强度过高时，在清洁层通过支撑物被从承载元件剥离时， 支撑物可以被撕裂。
在本发明中，保护层可以被层压于清洁层及粘结层上以保护这些层。
在这里可使用的保护膜的例子包括用隔离剂处理过的塑料膜如聚氯乙烯 膜，氯乙烯共聚物膜，聚对苯二曱酸乙二醇酯膜，聚对苯二曱酸丁二醇酯膜， 聚氨基曱酸酯膜，乙类-醋酸乙烯酯共聚物膜，离聚物树脂膜，乙烯-(曱基) 丙烯酸共聚物膜，乙烯-(曱基)丙烯酸酯共聚物膜，聚苯乙烯膜和聚碳酸酯膜， 所述隔离剂例如基于硅氧烷，基于长链烷烃，基于氟，基于脂肪族酰胺和基 于二氧化硅的隔离剂。由基于聚烯烃树脂例如聚乙烯，聚丙烯，聚丁烯，聚 丁二烯和聚曱基戊烯制成的薄膜自身可以被作为保护膜，因为它们不用任何
隔离剂就可以保持可隔离。
由这些材料制成的保护膜的厚度优选从约10pm到100pm。
用于根据本发明的具有清洁功能承载元件的承载元件不受特别限制。可
使用各种基片，这取决于基片处理设备的种类，而从此设备可将杂质除去。
这些基片包括半导体晶片，平板显示器的基片如LCD和PDP，以及压缩盘和
MR头的基片。
由于本发明中具有清洁功能的承载元件被设计成防止真空度的降低，用 此承载元件清洁的基片处理设备优选为高真空基片处理设备。
可是，本发明中具有清洁功能的承载元件可以被应用于其它各种基片处 理设备中。这些基片处理设备的具体例子包括曝光设备，抗蚀剂涂布设备， 显影设备，灰化设备，干蚀刻设备，离子注入设备，PVD设备，CVD设备， 外观检测设备，和晶片探针。
本发明也提供通过传输本发明的具有清洁功能的承载元件而被清洁的前 述的各种基片处理设备。
实施例在下面的实施例中将进一 步描述本发明，但是本发明不能解释为被限定 于其中。下文中所用的术语"份"表示"重量份"。 实施例1
将由75份丙烯酸2-乙基己基酯，20份丙烯酸曱酯和5份丙烯酸的单体 混合物制备的IOO份丙烯酸系聚合物A(重均分子量700， OOO)与200份聚乙 二醇200 二曱基丙烯酸酯(商品名NK Ester 4G，由Shin画nakamura Chemical Corporation生产)，3份多异氰酸酯化合物(商品名Colonate L,由NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY CO.， LTD.生产)和2份作为光聚合引发剂的苯 甲基二甲基酮缩醇(商品名Irgacure 651,由Ciba Specialty Chemical, Inc.生产) 均匀混合，制备成紫外线固化树脂组合物A。
向装备有温度计，搅拌器，氮进气管和回流冷凝器的500ml三颈瓶反应 器中，分别地加入73份丙烯酸2-乙基己基酯，10份丙蹄酸正丁基酯，15 份N，N-二曱基丙烯酰胺，5份丙烯酸，0.15份作为聚合引发剂的2， 2，-偶 氮二异丁腈和100份乙酸乙酯，以得到200克混合物。在搅拌下，氮气被通 入到反应器中大约1小时，以用氮气取代反应器中的空气。
此后，反应器的内部保持在温度58。C下大约4小时从而导致粘合聚合物 溶液产生的聚合反应。然后将100份聚合物溶液与3份多异氰酸酯化合物(商 品名Colonate L，由NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY CO.， LTD.生 产)均匀混合，制备成粘合溶液A。
前述的粘合溶液A被涂布于由连续长度的聚酯膜(商品名MRF50N100， 由MITSUBISHI POLYESTER FILM CORPORATION制备的；厚度 50pm;宽度250mm)制备的分离器A上，其一面已经被基于硅氧烷的隔离 剂处理过，在经硅氧烷处理的表面上，其干膜厚度为15pm,再进行干燥。然 后连续长度的聚酯膜(厚度25pm;宽度250mm)被层压于粘接层上作为支 撑物。前述的紫外线固化树脂成分A被以3(Him的厚度涂布于支撑物上形成 树脂层。同时，由双轴拉伸的连续长度的聚丙烯膜(商品名TorayfanB02500， 由Toray Industries, Inc制备；厚度30(im;宽度250ium)制成的可剥离的保 护膜A被层压于树脂层的表面，以制备成层压片A。
叠层片A此后被具有总剂量为1, 000mJ/cm2的中心波长为365nm的紫 外线照射，以制备含有由聚合-固化的树脂层制备的清洁层的清洁片A。然 后当根据JIS Z0237保护膜A以相对于硅片(镜面)成180度角从清洁层剥离时，测量清洁层A的剥离粘合强度。结果，发现清洁层A的剥离粘合强度为
0.06N/10mm。清洁层的抗张强度(抗张模量根据JIS K7127测得)为440Mpa。 前述清洁层中的具体碎片离子的相对强度，在阳离子情况下相对于C2H3+ 或在阴离子情况下相对于0、用ULVAC-PHI， INC生产的TRIFTII型飞行时 间二次离子质谱仪测得。
结果，发现CH3Si+, C3H9Si+, C5H15Si20+, C5H15Si303+, C7H21Si302+, CH3SiCT CH3Si(V和Si +的相对强度分别为0.002, 0.0012， 0.00072， 0.00013， 0.00014， 0.00003, 0.000012和0.003。
将分离器A从粘接层上的清洁片A剥离。然后用手动辊将清洁片A粘结 到8-英寸硅片的镜面上以制备具有清洁功能的承载元件A。关于硅片(镜面) 的前述粘接层的180度剥离粘合强度为1.5N/10mm宽。
使用激光表面检测器，检测三片崭新的8英寸硅片的镜面上存在的大小 为0.2pm或更大的杂质。其结果是，发现三片硅片存在的具有如此大小的杂 质分别是5块、10块和3块。将这些硅片输送入具有分开的抽真空机械的抗 曝光设备之中，其镜面朝下，然后用激光表面检测器在其镜面上进行检测。
结果，发现这三片硅片在8英寸硅片大小的区域上，分别存在大小为 0.2lim或更大的杂质1523、 1498和1671块。
保护膜A从在清洁层面上的具有清洁功能的承载元件A被剥离。具有清 洁功能的承载元件A然后被传输入具有在晶片台上粘附有1,523块杂质的抗 曝光设备。结果，传输操作没有任何故障。这个程序执行5次。此后， 一个 崭新的8-英寸硅片被镜面朝下传送。然后用激光表面检测器测量此硅片上 出现的尺寸为0.2pm或更大的杂质。结果发现，90%的最初出现的杂质被除 去。
此后，进行产品晶片的加工。结果，产品晶片没有被硅氧烷污染，表明 可以毫无问题地制备产品晶片。 实施例2
通过将30.0g亚乙基-l,2-双偏本三酸酯四羧酸二酐(以下缩略为TMEG) 与65.8g通式(2)代表的二胺(胺当量900,丙烯腈含量18%)及15.0g 2,2'-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷(以下缩略为BAPP),在110g N-曱基-2-p比咯烷 酮(以下缩略为NMP)中和氮气流中下，进行混合，然后进行冷却，而制得用 作清洁层所用树脂的聚酰胺酸溶液B。把此聚酰胺酸溶液B用旋涂法涂布在8英寸硅片上，以便在干燥后生成 30pm厚度的涂层，随后把此涂层在90。C干燥IO分钟。在氮气氛中把此产物 在300。C热处理2小时，得到具有清洁功能的承载元件B。此外，用喷射涂布 法把聚酰胺酸B涂布到聚酰亚胺膜上，生成干燥后厚度为30|am的涂层，此 涂层在90。C下千燥10分钟。在氮气氛下把此产品在300。C热处理2小时，得 到具有清洁树脂层的片B。
测定(按照JIS Z0237)片B的清洁层一侧与硅片(镜面)成180。剥离时的粘 合强度，结果为0.02N/10mm。拉伸强度(拉伸模量按照JIS K7127检验法进行 测定)为200Mpa。
此外，使用飞行时间二次离子质谱仪(由ULVAC-PHI，INC.生产的TRIFT IL型)测定上述清洁层中具体碎片离子的相对强度(对阳离子相对于C2H3+,而 对负离子相对于O，。
结果如下
CH3Si+:0.01, C3H9Si+:0.005， C5H15Si3O+:0.003, C5H15Si3O3+:0.001, C7H21Si3O2+:0.001， CH3SKT:0.005， CH3SiO2-:0.001,及Si+:0.02。
把层压在具有清洁功能承载元件B的清洁层一侧上的保护膜A,从承载 元件B上剥离。然后将具有清洁功能的承载元件B送入具有上述晶片台的抗 曝光设备中，在此台上已粘附有1671块杂质。其结果是，进行了平稳的输送， 不发生故障。此过程重复五次。此后，将崭新的8英寸硅片输送入，其镜面 朝下。然后用激光杂质检测仪测定存在的大小为0.2lam或更大的杂质。其结 果是，发现已除去杂质起始量的92%。
然后，将产物硅片进行处理，产品硅片不受硅氧烷污染，表明可以无任 何问题地制造产品硅片。
比專交实施例1
以与实施例A相同方法制造叠层片C,不同的是，提供在清洁层上的可 剥离的保护膜A用由连续长度的聚酯膜(商品名MRF25N100,由 MITSUBISHI POLYESTER FILM CORPORATION生产；厚度25|um;宽度 250mm)代替，其一侧已用基于硅氧烷的隔离剂进行处理。然后叠层片C用紫 外线以与实施例1相同的方式进行照射，制得清洁片C。然后清洁片C用与 实施例l相同的方式处理，制得具有清洁功能的承载元件C。
保护膜B被从清洁层一侧上的清洁片C剥离。在阳离子时相对于C2H3+或在阴离子时相对于O、清洁层中的具体碎片离子的相对强度的测量与上述 提及的方式相同。
结果，发现CH3Si+, C3H9Si+， C5H15Si20+， C5H15Si303+， C7H21Si302+, CH3SiO: CH3Si(V和Si +的相对离子强度分别为0.93, 0.15, 1.2， 0.35， 0.37， 0.0064， 0.0033 和2.9。
随后，保护膜B被从清洁层 一側上的具有清洁功能的承载元件C上剥离。 具有清洁功能的承载元件C被传输入具有粘附有1,498块杂质的晶片台的抗 曝光设备中。结果，传输操作没有任何故障。此程序执行5次。此后， 一个 崭新的8-英寸硅片被镜面朝下传送。然后用激光表面检测器测量此镜面上 出现的尺寸为0.2或更大的杂质。结果发现，70%的最初出现的杂质被除 去。
可是，当随后加工产品晶片时，由于设备已被硅氧烷污染，它被污染了。 结果，由于设备性能的下降，次品经常出现。因此，为了将硅氧烷的污染从 设备中除去，这需要耗费大量的劳动力以暂停设备操作，打开设备并且清洁 设备。
实施例3
此保护膜从以与实施例1同样方法制备的在粘合层一侧上的清洁片A上 剥离。然后，清洁片A被粘附到8-英寸硅片的镜面上以制备具有清洁功能 的承载元件A。前述粘合层对于硅片(镜面)的180度剥离粘合强度为 1.5N/10mm宽。
此保护膜被从清洁层一侧上的具有清洁功能的承载元件A上剥离。使用 由DENSHIKAGAKU KOGYO INC .生产的EMD - WA1000S型程序升温 脱附质谱仪测量真空恢复时间。结果是50分钟。
使用激光表面检测仪，测量三片8-英寸硅片镜面上出现的尺寸为0.2pm 或更大的杂质。结果，发现三片硅片的镜面上分别有10， 3和5块具有这样 尺寸的杂质出现。
其后，这些硅片被镜面朝下传输入真空度为10力托的静电吸紧设备的独 立溅射装置中。使用激光表面检测器，再次测量硅片镜面上出现的杂质。
结果，发现这些硅片在尺寸为8-英寸的面积上分别出现尺寸为0.2pm 或更大的杂质15， 553， 16， 643和14， 961块。
其后，此保护膜从清洁层一侧上的具有清洁功能的承载元件A上剥离。具有清洁功能的承载元件A被传输入具有粘附15,553块杂质的晶片台溅射设 备中。结果，在真空度保持在10一托的设备中传输操作没有任何故障。此程 序执行5次。此后， 一个崭新的8-英寸硅片被镜面朝下传送。然后用激光 表面检测器测量此硅片上出现的尺寸为0.2jxm或更大的杂质。结果发现，90% 的最初出现的杂质被除去。
由此，在往设备中传输具有清洁功能的承载元件A时，溅射设备中的真 空度显示没有下降。因此，此设备可以在没有任何设备操作故障的情况下被 清洁。
实施例4
由实施例1制得的粘合溶液A被涂布于用硅氧烷处理过的与实施例1所 用的同样的保护膜(MRF50N100)的表面，干厚度为15(im。然后，连续长度的 聚酯膜(厚度50pm;宽度250mm)被层压于作为支撑物的粘接层上。实施 例1中制备的紫外线固化的树脂组合物A被涂布于此膜上，干厚度为30(im， 得到树脂层。然后，与上述用的同样的保护膜被层压于已被硅氧烷处理过的 树脂层的表面以制得叠层片B。
以与实施例2同样的方法加工此叠层片B,制得清洁片B和具有清洁功 能的承载元件B。其后，此保护膜被从清洁层上的具有清洁功能的承载元件B 上剥离。具有清洁功能的承载元件B在卯。C下热处理IO分钟。然后，测量 此具有清洁功能的承载元件B的真空恢复时间。结果是30分钟。
其后，此保护膜被从清洁层一侧上的具有清洁功能的承载元件B上剥离。 此具有清洁功能的承载元件B被传输入具有粘附16，643块杂质的晶片台的喷 '践设备中去。
结果，在真空度保持在10一托的设备中传输操作没有任何故障。此程序 执行5次。此后， 一个崭新的8-英寸硅片被镜面朝下传送。然后用激光表 面检测器测量此硅片上出现的尺寸为0.2(im或更大的杂质。结果发现，93% 的最初出现的杂质被除去。
由此，在向设备中传输具有清洁功能的承载元件B时，溅射设备中的真 空度显示没有下降。因此，此设备可以在没有任何设备操作故障的情况下被 清洁。
比丰交例2
由实施例1制备的粘合溶液A被涂布于用硅氧烷处理过的与实施例1所用的同样的保护膜(MRF50N100)的表面，得到干厚度为30pm。然后，连续长 度的聚酯膜(厚度50nm;宽度250mm)被层压于粘接层上，作为支撑物。 实施例1中制备的紫外线固化的树脂组合物A被涂布于此聚酯膜上，干厚度 为60fim，形成树脂层。与此同时，与上述同样的保护膜被层压于树脂层的表 面被硅氧烷处理过的一侧以制备叠层片C。
用与实施例2用同样的方法加工此叠层片，以制得清洁片C和具有清洁 功能的承载元件C。
用与实施例2同样的方法测量具有清洁功能的承载元件C的真空恢复时 间。结果是120分钟。
其后，此保护膜被从清洁层一侧上的具有清洁功能的承载元件C上剥离。 此具有清洁功能的承载元件C被传输入具有粘有14,961块杂质的晶片台上的溅 射设备中去。结果，当承载元件C的第一片被传入其中时，设备中的真空度从 10—9托降低到10"托。用承载元件C的第二片和其后的片进行的清洁被暂停。 由此，当被传输入其中时，前述的具有清洁功能的承载元件C导致了賊射设备 中真空度的过度降低，使设备操作不能进行，并且不可能清洁此设备。
如上所述，本发明被设置使得在清洁片进入基片处理设备以除去来自其 内部的杂质的过程中，当可剥离的保护膜从清洁层上剥离时，在清洁层中每 个都预定为0.1或更小的具体碎片离子的相对强度(在阳离子时相对于C2H3+, 或在阴离子时相对于cr)增大，这使得可能提供一种高利用率的清洁室，由于 硅氧烷从保护膜移动和转移到清洁层，清洁室使设备较少被污染。
依照本发明，在传输入基片处理设备，以便从内部除去杂质的过程中， 具有清洁功能的承载元件的真空恢复时间被限定到 一个具体值或更少，使得 有可能提供一种具有清洁功能的高效承载元件，在传输入设备中的过程中， 导致设备中真空度的略微降低，并且因此可以简单而确实地将杂质从设备内 部除去。
尽管本发明参考具体实施方案作了详细说明，但是在没有偏离其精神和
本发明以日本专利申请2003 - 1085854 (申请日2003年4月14日)和 曰本专利申请2003 - 139768 (申请日2003年5月19日)为基础，并且其全 部公开的内容在此全部引用作为参考文献。
权利要求
1、具有清洁功能的承载元件，包括承载元件和设置于承载元件至少一面上的清洁层，其中当在50℃的温度下将承载元件置于真空室中时，真空室的真空度被从3×10-10托暂时降低，在将承载元件置于真空室后真空室的真空度回升到1×10-9托所需的时间为100分钟或更少。
2、 根据权利要求1的具有清洁功能的承载元件，其中清洁层基本上无 粘合强度。
3、 根据权利要求1或2的具有清洁功能的承载元件，其中清洁层含有 耐热聚合物树脂。
4、 根据权利要求1或2的具有清洁功能的承载元件，还包括支撑物， 其中支撑物具有设置于支撑物的一面上的清洁层，且粘合层被设置于支撑物 的另一面，并且清洁层通过粘合层被设置于承载元件上。
5、 一种清洁基片处理设备的方法，包括向基片处理设备中传输由权利 要求1所定义的具有清洁功能的承载元件。
6、 由权利要求5定义的清洁方法清洁的基片处理设备。
全文摘要
本发明涉及清洁片、具有清洁功能的承载元件和基片处理设备的清洁方法。包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片，其中当保护膜被从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于C₂H₃⁺或在阴离子的情况下相对于O^-，在清洁层中碎片离子CH₃Si⁺，C₃H₉Si⁺，C₅H₁₅Si₂O⁺，C₅H₁₅Si₃O₃⁺，C₇H₂₁Si₃O₂⁺，CH₃SiO^-，CH₃SiO₂^-和Si⁺的相对强度为0.1或更少。
文档编号C11D17/04GK101402091SQ200810170809
公开日2009年4月8日 申请日期2004年4月14日 优先权日2003年4月14日
发明者宇圆田大介, 寺田好夫, 并河亮, 船津麻美 申请人:日东电工株式会社