等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法

专利名称：等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法
技术领域：
本发明涉及一种等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法。
背景技术：
当前，在半导体装置的制造领域等中，作为在半导体晶片等的基板上执行成膜处理或者蚀刻处理等处理的装置，已知有使用等离子体的等离子体处理装置。已知有在上述等离子体处理装置中，使氢气的等离子体产生，并使该氢气的等离子体中的氢自由基作用到被处理基板上，来执行抗蚀剂的灰化或者低导电率膜的蚀刻的技术。在这样使用氢气的等离子体的情况下，当使用平行平板型等电容耦合型的等离子体处理装置时，电极因氢等离子体收到较大的损坏。因此，使用产生电感耦合等离子体(ICP)的电感耦合型等离子体处理装置。 作为这种电感耦合型的等离子体处理装置，已知有在圆筒状的等离子体生成室的侧壁部上设置有线圈弹簧状的高频线圈，并通过具有贯通孔的多个遮蔽板(间隔部件)划分该等离子体生成室和配置有执行处理的半导体晶片等的被处理基板的等离子体处理室，仅使等离子体中的原子团选择性地作用到基板上的等离子体处理装置(例如参照专利文献I)。如上所述，在通过遮蔽板将在侧壁部上设置有高频线圈的圆筒状等离子体生成室和等离子体处理室分开构成的等离子体处理装置中，在侧壁部上设置有高频线圈的情况下，等离子体生成室的形状变得纵向比横向长。而且，当在该纵向比横向长的等离子体生成室中产生的等离子体中，仅使原子团移动并作用到被处理基板上时，原子团的移动距离变长，只有效率良好的原子团作用到被处理基板上，难以执行有效的处理。因此，从利用氢自由基有效地执行处理这一点上来看，优选使用在处理室的顶部设置电介质窗并且在其上面设置平面状的高频线圈的等离子体处理装置。此外，作为使用了氧等离子体的灰化装置的清理方法，已知有通过四氟化碳等离子体对附着在等离子体处理室上的、由光致抗蚀剂引起的炭成分以及作为屏蔽金属层形成在半导体晶片上的氮化钛膜或钛膜引起的钛成分进行干洗，来防止灰化速度的降低(例如参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2009-16453号公报专利文献2 :日本特开平11-145115号公报

发明内容
发明想要解决的问题在上述使用氢等离子体的等离子体处理技术中，有时在构成等离子体生成室的结构部件中使用包含硅的结构部件。例如，存在用石英等构成电介质窗或者间隔部件的情况。在该包含硅的结构部件中与因等离子体电动势而加速的氢离子发生碰撞，包含硅的结构部件被溅射，被溅射的微粒堆积在等离子体密度低的部分。于是，存在该堆积物由于热应力被剥落而产生微粒，并附着在等离子体处理室内的被处理基板上的问题。本发明是鉴于上述问题而完成的，提供一种等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法，其能够防止因构成等离子体生成室的包含硅的结构部件引起的微粒附着在被处理基板上。用于解决课题的方法本发明的等离子体处理装置的清理方法的一个方面是一种等离子体处理装置的清理方法，该等离子体处理装置具备具有包含硅的结构部件、激发处理气体而生成等离子体的等离子体生成室；和经由具有开口部的间隔部件与上述等离子体生成室连通的等离子体处理室；和平面状高频天线，其配置于在上述等离子体生成室的顶部上设置的板状电介质窗的外侧，上述等离子体处理装置的清理方法的特征在于在上述等离子体生成室内对 包含氢气的处理气体进行等离子体激发，将产生的氢自由基经由上述间隔部件导入到上述等离子体处理室中，并使上述氢自由基作用于被处理基板来实施等离子体处理，将上述被处理基板从上述等离子体处理室中搬出后，向上述等离子体生成室内导入四氟化碳气体，来除去堆积于该等离子体生成室内的硅类堆积物。本发明的等离子体处理方法的一个方面是一种等离子体处理装置的等离子体处理方法，该等离子体处理装置具备具有包含硅的结构部件、激发处理气体而生成等离子体的等离子体生成室；经由具有开口部的间隔部件与上述等离子体生成室连通的等离子体处理室；和平面状高频天线，其配置于在上述等离子体生成室的顶部上设置的板状电介质窗外侧，上述等离子体处理方法的特征在于，具有等离子体处理工序，其在上述等离子体生成室内对包含氢气的处理气体进行等离子体激发，将生成的氢自由基经由上述间隔部件导入到上述等离子体处理室中，并使上述氢自由基作用于被处理基板来实施等离子体处理；搬出工序，其从上述等离子体处理室中搬出通过上述等离子体处理工序被等离子体处理过的上述被处理基板；和清理工序，其在上述搬出工序后，向上述等离子体生成室内导入四氟化碳气体，来除去堆积于该等离子体生成室内的硅类堆积物。发明效果根据本发明，能够提供一种等离子体处理装置的清除方法和等离子体处理方法，其能够防止因构成等离子体生成室的包含硅的结构部件引起的微粒附着在被处理基板上。


图I是表示本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理装置的截面概略结构的图。图2是表示图I的等离子体处理装置的高频天线的概略结构的图。图3是表示图2的高频天线中的电压和电流的关系的图。图4是表示在图I的等离子体处理装置的电介质窗上贴装的半导体晶片的热氧化膜的膜厚变化的调查结果的图表。图5是表示在图I的等离子体处理装置的电介质窗和间隔部件上贴装的半导体晶片的热氧化膜的膜厚变化的调查结果的图表。
图6是表示在图I的等离子体处理装置的间隔部件上贴装的半导体晶片的热氧化膜的膜厚的调查结果的图表。图7是说明实施方式的工序的流程图。符号说明I等离子体处理装置10处理腔室13电介质窗15载置台、20等离子体处理室30等离子体生成室40间隔部件40a 开口部140高频天线142天线元件150高频电源
具体实施例方式以下，参照附图，基于实施方式说明本发明的细节。图I是示意地表示本发明的一个实施方式中所使用的等离子体处理装置I的结构的图。首先，说明等离子体处理装置I的结构。等离子体处理装置I具备处理腔室10。处理腔室10由对表面进行过阳极氧化处理的铝等大致圆筒状地构成。在处理腔室10的内侧底部上设置有用于载置半导体晶片W等的被处理基板的载置台15。在载置台15的基板载置面上设置有用于吸附被处理基板的未图示的静电卡盘等。在处理腔室10的顶部以与载置台15相对的方式设置有作为包含硅(Si)的部件的石英制电介质窗13。电介质窗13形成为圆板状，并以气密地堵塞处理腔室10的顶部上形成的圆形开口的方式配置。在处理腔室10的内部设置有作为包含硅(Si)的部件的石英制间隔部件40，其划分配置有载置台15的下方的等离子体处理室20和上方的等离子体生成室30。该间隔部件40上形成有多个开口部40a。在等离子体蚀刻装置I设置有用于向处理腔室10的等离子体生成室30内供给包含氢气气体的处理气体的气体供给部120。处理腔室10的侧壁部形成有气体导入口 121，气体导入口 121经由气体提供管道123与气体提供源122连接。在气体提供管道123的途中插入有用于控制处理气体流量的质量流量控制器124和开闭阀126。来自气体提供源122的处理气体通过质量流量控制器124控制为规定的流量，从气体导入口 121供给至处理腔室10的等离子体生成室30内。在图I中为了简单说明，虽然将气体供给部120用单个系统的输气管道表示，但是气体供给部120并不限于仅能提供一种处理气体的情况，也可以提供多种处理气体作为处理气体。另外，气体供给部120也不限于从处理腔室10的侧壁供给气体的结构，也可以为从处理腔室10的顶部供给气体的结构。在这种情况下，例如，也可以在电介质窗13的例如中央形成气体导入口，并从该气体导入口供给气体。处理腔室10的底部经由排气管132与用于对处理腔室10内进行排气的排气部130连接。排气部130例如由真空泵等构成，能够将处理腔室10内的压力减压至规定压力。在处理腔室10的侧壁部形成有晶片搬出入口 32，在该晶片搬出入口 32上设置有气密地堵塞晶片搬出入口 32并自由开闭的门阀31。处理腔室10的顶部外侧以与电介质窗13的外侧面(上侧面)相对的方式设置有平面状高频天线140，并以覆盖该高频天线140的方式设置有大致筒状(本实施方式中为圆筒状)的遮蔽部件160。如图2所示，高频天线140由多个夹持体144夹持例如由铜、铝、钢等电介质构成的螺旋形线圈状的天线元件142构成。各夹持体144形成为棒状，3个夹持体144配置为从天线元件142的中央附近朝向其外侧放射状地延伸。天线元件142与高频电源150连接。通过从高频电源150向天线元件142以规定的功率供给规定频率(例如26. 70MHz)的高频，在处理腔室10内的等离子体生成室30内形成感应磁场。由此,导入到等离子体生成室30内的包含氢气气体的处理气体被激发，产生等离子体。在该等离子体生成室30内被激发的等离子体中的离子，被间隔部件40遮蔽，被阻止进入等离子体处理室20内，仅等离子体中的氢自由基移动到等离子体处理室20内，由此利用氢自由基对半导体晶片W进行处理。从高频电源150输出的高频电力的频率并不限于26. 70MHz。例如也可以为13. 56MHz、60MHz等。但是，需要相应于高频电源150输出的高频电力的频率，来调整天线元 件142的电气长度。遮蔽部件160包括固定到处理腔室10的顶部的大致圆筒状的下部遮蔽部件161 ;和可自由滑动地设置在该下部遮蔽部件161的外侧的上部遮蔽部件162。上部遮蔽部件162形成为上表面闭塞下表面开口的大致圆筒状。上部遮蔽部件162通过设置在处理腔室10的侧壁上的执行机构165进行上下滑动驱动。而且，高频天线140也可以通过执行机构145调整高度。等离子体处理装置I具备控制部200 (整体控制装置)，通过该控制部200控制等离子体处理装置I的各部分。另外，控制部200与操作部210连接，其包括用于操作员管理等离子体处理装置I而进行指令输入操作等的键盘；和将离子体处理装置I的工作情况可视化显示的显示器等。并且，控制部200与存储部220连接，其存储有通过控制部200的控制来实现在等离子体处理装置I中执行的各种处理的程序、和用于执行程序而需要的方案等。在存储部220中，除了用于执行半导体晶片W的处理的多个方案之外，还存储有用于执行处理腔室10内的清理处理等需要的处理的方案。其中，这些方法可以存储于硬盘或者半导体存储器中，另外，也可以以收纳在CD-ROM、DVD等存储介质的形式设置在存储部220的规定位置。控制部200，基于来自操作部210的指示等，从存储部220中读取所期望的方案来控制各部分，在等离子体处理装置I中执行所希望的处理。另外，通过来自操作部210的操作，能够对方案进行编辑。接着,说明高频天线140的具体的结构。如图2所示，高频天线140构成为以天线元件142的两端、即外侧端部142a和内侧端部142b作为自由端(电悬浮的状态)，并且以卷绕方向上的长度的中点或者其近旁(以下单独称为“中点”)作为接地点(地面)142c，能够形成1/2波长的驻波。S卩，设定天线元件142的长度、卷绕直径、卷绕间距、卷数，使得以从高频电源150供给的规定频率(例如26. 70MHz)为基准，在该基准频率的1/2波长处谐振(以半波长模式谐振)。例如，天线元件142的电气长度为在基准频率的1/2处谐振的长度，即作为基准频率26. 70MHz中的一个波长的1/2的长度。此外，天线元件142也可以构成为管状、线状、板状等任意一种形状。供给从高频电源150产生的高频的供电点142d，与接地点142c相比无论在内侧或还是在外侧都可以，例如优选在阻抗为50 Ω的点。供电点也可以是可变的。在这种情况下，通过马达等也可以自动变更供电点。当采用这样的天线元件142，将高频电源150的基准频率(例如26. 70MHz)的高频施加到高频天线140使其以半波长模式谐振时，如图3所示，在某个瞬间施加到天线元件 142的电压V为如下波形中点(接地点)为O,—个端部为正峰值,另一个端部为负峰值。与此相对，施加到天线元件142的电流I，由于与电压波形的相位错开90度，所以形成为中点(接地点)处最大、两端部为O的波形。此时，由于在高频的正负每个周期中瞬时电容相互在相反方向上增减，所以施加到天线元件142上的电压V和电流I的波形分别如图3所示。S卩，电压V形成为由在天线元件142上产生的正负电压成分相抵而形成的平均电压变得非常小的半波长模式的驻波。与此相对，电流I形成在天线元件142上中点(接地点)处最强且仅由正电流成分或负电流成分构成的驻波。通过这样的驻波，产生在天线元件142的中央附近具有最大强度的垂直磁场B。由此，在等离子体生成室30内，被激发出以垂直磁场B为中心的圆形电场，生成圆圈状的等离子体。此时，由于施加到天线元件142上的平均电压非常小，所以电容耦合度极弱，因此能够产生电位低的等离子体。在此，在使天线元件142的外侧端部142a和内侧端部142b两端接地，外侧端部142a和接地之间连接有高频电源150的情况下，如图3所示的电压V和电流I的波形变得相反。S卩，当从高频电源150向高频天线140上施加基准频率(例如26. 70MHz)的高频使其以半波长模式谐振时，在某个瞬间，施加到天线元件142上的电压V变成中点(接地点)处最大、两个端部为O的波形。与此相对，由于施加至天线元件142的电流I与电压波形的相位错开90度，所以变成中点(接地点)处为0，一个端部为正峰值，另一个端部为负峰值的波形。这样，当使天线元件142的两端接地使其以半波长模式谐振时，以接地点作为边界，在天线元件142的内侧部和天线元件142的外侧部总是形成有相反方向的磁场。通过该相反的磁场，在大致同一平面的附近形成有两个圆形电场。而其，由于该两个圆形电场的旋转方向总是相反，所有相互干扰，具有生成的等离子体不稳定的问题。与之相对，当使天线元件142的中点作为接地点时，如上所述，被激发的圆形电场为一个且通常在一个方向上，没有相互干扰的反方向上的电场。因此，在使天线元件142的中点为接地点的情况下，与使天线元件142的端部为接地点的情况相比，能够形成稳定的等离子体。
另外，在使天线元件142的两端接地的情况下，由于在谐振状态下的天线元件142上残留电压成分，所以等离子体中多产生电容耦合成分。这点在以天线元件142的中点作为接地点的情况下，由于如上所述在谐振状态下的天线元件142的电压成分非常小，所以在等离子体中难以发生电容耦合成分。所以，在执行损坏小的等离子体处理，在以天线元件142的中点作为接地点的情况下是有利的。但是，在本实施方式中为了使天线元件142以1/2波长模式谐振，需要如上述方式使天线元件142的电气长度准确地与基准频率(这里是26. 70MHz)的1/2长度对应。然而，准确地制作天线元件142的物理长度并不容易。另外，天线元件142的谐振频率不仅影响天线元件142的固有的电抗，而且还影响天线元件142和遮蔽部件160之间的寄生电容(杂散电容)。因此，例如即使能够正确地制造天线元件142的物理长度，也由于安装误差等使天线元件142和遮蔽部件160的距离产生误差，有时不能获得设计程度的谐振频率。因此，在本实施方式中，能够调整遮蔽部件160的高度，由此，通过调整天线元件142和遮蔽部件160之间的距离来改变寄生电容，能够调整天线元件142的谐振频率。具体来讲，通过驱动驱动机构165来使上部护罩162升高，由此使遮蔽部件160和高频天线140之间的距离变长。由此，由于寄生电容C变小，所以能够调整谐振频率，以使天线元件142的电气长度变长。相反地，当降低上部遮蔽部件162时，遮蔽部件160和高频天线140之间的距离变短。由此，由于寄生电容C变大，所以能够调整谐振频率，以使天线元件142的电气长度变短。这样,根据本实施方式,通过调整遮蔽部件160的高度，能够改变天线元件142和遮蔽部件160之间的寄生电容C，所以不改变天线元件142的物理长度，就能够调整天线元件142的谐振频率。还有，在本实施方式中，也能够调整高频天线140的高度，由此，通过调整等离子体和天线元件142之间的距离，能够调整等离子体的电势。上述高频天线140和遮蔽部件160的高度调整分别是通过控制部200控制驱动机构145、165来进行。该情况下，高频天线140和遮蔽部件160的高度调整，也可以通过操作员对操作部210进行操作来执行，此外也可以通过控制部200的自动控制来执行。在自动进行遮蔽部件160的高度调整的情况下，能够构成为例如，在高频电源150的输出侧设置有高频功率表(例如反射波功率表)，对应于由高频功率表检测出的高频电力(例如以使反射波电力变得最小)，控制驱动机构165并调整遮蔽部件160的高度，自动地调整天线元件142的谐振频率。根据上述结构的等离子体处理装置I，在进行半导体晶片W的等离子体处理的情况下，打开门阀31，从晶片搬出入口 32将半导体晶片W搬入到处理腔室10的等离子体处理室20内，载置到载置台15上并由静电卡盘吸附。接着，关闭门阀31，通过排气部130的未图示的真空泵，将处理腔室10内抽真空至规定的真空度。然后，通过气体供给部120，向处理腔室10的等离子体生成室30内攻击规定流量的包含氢气的处理气体，例如包含氢气和稀有气体(Ar或He等)的处理气体，或者包含氢气和氧气的处理气体等。而且，在处理腔室10内的压力维持在规定压力之后，从高频电源150向高频天线140施加规定频率的高频电力。由此，在等离子体生成室30内，产生包含氢、气的处理气体的ICP等离子体。该ICP等离子体中的离子由于具有带电电荷，所以被间隔部件40遮蔽，几乎不能到达等离子体处理室20内。另一方面，氢自由基由于是电中性，所以通过间隔部件40的开口部40a到达等离子体处理室20内。而且，通过该氢自由基作用于载置在载置台15上的半导体晶片W，来进行半导体晶片W的等离子体处理，例如蚀刻处理或者清理处理。此时，在等离子体处理装置I中，使用平面状的高频天线140来产生ICP等离子体，在距离半导体晶片W比较近的区域存在等离子体。因此，从等离子体到半导体晶片W的氢自由基的移动量减少，能够使寿命短的氢自由基有效地作用到半导体晶片W上。而且，当规定的等离子体处理结束时，停止高频电力的施加和处理气体的供给，以与上述的顺序相反的顺序，从处理腔室10内搬出半导体晶片W。而且，在从处理腔室10内搬出半导体晶片W之后，根据需要实施相应的清理处理工序。、
在等离子体处理装置I中，在电介质窗13的真空侧的表面上，沿电介质窗13的径向粘贴有形成有热氧化膜的半导体晶片的长条状的切片，在该状态下，在等离子体生成室30内产生包含氢的气体的等离子体，并对半导体晶片的长条状切片中的热氧化膜的膜厚变化进行了测定，图4的图表表示该测定结果。在图4的图表中，纵轴表示的是热氧化膜的膜厚变化(nm/时间)，横轴表示的是距处理腔室10的中心的距离(mm)。另外，图4所示的方向I表示通过天线元件142的外侧端部142a和接地点(地)142c的正下方的方向。另外，方向2表不朝向门阀的方向。等离子体的发生条件如下。处理气体He/H2= 2400/100sccm压力1995Pa(I. 5Torr)高频电力3000W电源电流23. OA谐振频率26.70MHz放电时间30秒X 120回(合计I小时)(放电-放电期间5分钟冷却)如图4的图表所示，在径向上的中间部分(距中心的距离为75 150mm左右的部分)，热氧化膜的膜厚变化变成负值侧，产生溅射。另一方面，在该部分的内侧以及外侧，热氧化膜的膜厚变化变成正值侧，可知产生变形(堆积)。发生溅射的区域是等离子体密度高的部分，产生变形的部分是等离子体密度低的部分。其中，在方向I上和方向2上不存在大的差别。这些实验尽管是基于形成在半导体晶片的切片的热氧化膜(SiO2膜)的结果，同样，在电介质窗13的真空侧的表面中，作为包含硅的部件的石英制电介质窗13，在等离子体密度高的部分产生溅射，溅射的微粒堆积在位于等离子体密度低的部分的电介质窗13的部分。其中，使用氢等离子体的实际的等离子体处理中，作为处理气体，除了使用氢气单一气体之外,也使用氢气和氧气的混合气体、氢气和稀有气体(例如Ar气体)的混合气体
坐寸ο图5的图表表不上述方向2上的粘贴在电介质窗13的真空侧的表面和间隔部件40的上面表的半导体晶片的长方形切片中热氧化膜的膜厚变化的测定结果。在图5的图表中，纵轴表示热氧化膜的膜厚变化(nm/时间)，横轴表示距处理腔室10的中心的距离(mm) ο
如图5的图表所示，与电介质窗13的真空侧的表面相同，虽然在间隔部件40的上表面也存在溅射的部位和产生变形的部位，但是与电介质窗13的真空侧的表面相比，产生变形的区域变多，变形的量也较多。而且，该实验虽然也是基于形成于半导体晶片的切片上的热氧化膜(3102膜)的结果，同样，在间隔部件40的上表面，作为包含硅的部件的石英制间隔部件40，在等离子体密度高的部分产生溅射，溅射的微粒堆积在位于等离子体密度低的部分的间隔部件40的部分上。在图6的图表中，以纵轴为热氧化膜的膜厚(nm)，以横轴为距处理腔室10的中心的距离(mm)，表示间隔部件40的上表面的热氧化膜的膜厚的测定结果。在图6的图表中，菱形的曲线表示初始状态的膜厚。此外，正方形的曲线表示模拟利用氢等离子体对半导体晶片的等离子体处理后进行氢气放电30分钟后的膜厚。此外，三角形的曲线表示实施清理工序后的I吴厚。上述清理工序按照以下条件进行。处理气体CF4= 200sccm压力26·6Pa (2OOmTorr)高频电力3OOOW电源电流23. OA谐振频率26·70MHz放电时间30秒如图6的图表所示，模拟利用氢等离子体对半导体晶片的等离子体处理之后进行氢气放电30分钟后，在等离子体密度低的部分产生变形。于是，通过以上述条件执行清理工序，能够确认除去该变形物。其中，在图6所示的例中，是相对于30分钟的等离子体处理工序，实施了 30秒的清理工序的情况，所以尽管不能完全除去变形物，但可知如果实施2 3分钟的清理工序，则能够完全清除变形物。在实际的等离子体处理中，当变形物的量还不多时实施清理工序，能够提高防止剥离的变形物附着到半导体晶片的效果。所以，优选例如相对多个半导体晶片实施等离子体处理，等离子体处理的累积处理时间设为规定时间，例如每个大约5 10分钟，实施上述清理工序。在该情况下，优选在等离子体处理室内没有半导体晶片的状态下实施清理工序。因此，按照图7的流程图所示的方式利用氢等离子体对半导体晶片的进行等离子体处理工序。S卩，通过反复执行将被处理基板搬入到等离子体处理室中的工序(工序701)，使从氢等离子体引出的氢自由基作用于被处理基板来进行等离子体处理的工序(工序702)，将被处理基板从等离子体处理室搬出的工序(工序703)，来对规定个数的被处理基板实施等离子体处理。此时，在将被处理基板从等离子体处理室中搬出的工序(工序703)之后，判定等离子体处理的累积时间是否达到规定时间(工序704)，在等离子体处理的累积时间达到规定时间的情况下，执行清理工序(工序705)。另一方面，在等离子体处理的累积时间未达到规定时间的情况下，实施将下一个被处理基板搬入到等离子体处理室的工序(工 序701)，继续单片处理的等离子体处理。以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限于上述实施方式，当然还包括各种可能的变形。
权利要求
1.一种等离子体处理装置的清理方法，该等离子体处理装置具备具有包含硅的结构部件、激发处理气体而生成等离子体的等离子体生成室；经由具有开口部的间隔部件与所述等离子体生成室连通的等离子体处理室；和平面状高频天线，其配置于在所述等离子体生成室的顶部上设置的板状电介质窗的外侧，所述等离子体处理装置的清理方法的特征在于: 在所述等离子体生成室内对包含氢气的处理气体进行等离子体激发，将产生的氢自由基经由所述间隔部件导入到所述等离子体处理室中，并使所述氢自由基作用于被处理基板来实施等离子体处理，将所述被处理基板从所述等离子体处理室中搬出后， 向所述等离子体生成室内导入四氟化碳气体，来除去堆积于该等离子体生成室内的硅 类堆积物。
2.如权利要求I所述的等离子体处理装置的清理方法，其特征在于 所述处理气体包含氧气或者稀有气体的任一种。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置的清理方法，其特征在于 所述稀有气体为IS气。
4.如权利要求I 3任一项所述的等离子体处理装置的清理方法，其特征在于 所述电介质窗包含娃。
5.如权利要求I 4任一项所述的等离子体处理装置的清理方法，其特征在于 所述间隔部件包含硅。
6.一种使用等离子体处理装置的等离子体处理方法，该等离子体处理装置具备具有包含硅的结构部件、激发处理气体而生成等离子体的等离子体生成室；经由具有开口部的间隔部件与所述等离子体生成室连通的等离子体处理室；和平面状高频天线，其配置于在所述等离子体生成室的顶部上设置的板状电介质窗外侧，所述等离子体处理方法的特征在于，具有 等离子体处理工序，其在所述等离子体生成室内对包含氢气的处理气体进行等离子体激发，将生成的氢自由基经由所述间隔部件导入到所述等离子体处理室中，并使所述氢自由基作用于被处理基板来实施等离子体处理； 搬出工序，其从所述等离子体处理室中搬出通过所述等离子体处理工序被等离子体处理过的所述被处理基板；和 清理工序，其在所述搬出工序后，向所述等离子体生成室内导入四氟化碳气体，来除去堆积于该等离子体生成室内的硅类堆积物。
7.如权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于 所述处理气体包含氧气或者稀有气体的任一种。
8.如权利要求7所述的等离子体处理方法，其特征在于 所述稀有气体为IS气。
9.如权利要求6 8任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于 所述电介质窗包含娃。
10.如权利要求6 9任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于 所述间隔部件包含硅。
全文摘要
本发明提供一种能够防止构成等离子体生成室的包含硅的部件引起的微粒附着到被处理基板上的等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法。该等离子体处理装置具备具有包含硅的结构部件、激发处理气体而生成等离子体的等离子体生成室；经由间隔部件与上述等离子体生成室连通的等离子体处理室；和配置于在等离子体生成室的电介质窗外侧的平面状高频天线，该清理方法在等离子体生成室内对包含氢气的处理气体进行等离子体激发，将生成的氢自由基经由上述间隔部件导入到上述等离子体处理室中，并使其作用于被处理基板来实施等离子体处理，将被处理基板搬出后，向等离子体生成室内导入四氟化碳气体，来除去堆积在等离子体生成室内的硅类堆积物。
文档编号B08B5/00GK102737948SQ20121018193
公开日2012年10月17日 申请日期2012年4月13日 优先权日2011年4月13日
发明者田原慈, 西村荣一 申请人:东京毅力科创株式会社