专利名称：清洗制造有机el器件的气相沉积掩模的方法及清洗液的制作方法
技术领域：
本发明示例性的实施方式涉及清洗方法，且更具体地说，涉及用于去除在制造有机EL器件的气相沉积过程中附着在掩模的有机EL材料，以及涉及用于有机EL掩模的清洗液组合物。
背景技术：
作为显示器件的平面显示器备受关注，包括液晶显示器件和具有有机电致发光(EL)器件的显示器件。液晶显示器件具有较低的能耗，但是需要外部光单元(背光单元)来得到明亮的图像，然而具有有机EL器件的显示器件与液晶显示器件不用，其并不需要背光单元，这是因为有机EL器件是自发光，所以可降低能耗。此外，具有有机EL器件的显示器件具有高亮度和宽视角的特点。根据有机材料的类型，有机EL器件可分为低分子型有机EL器件和高分子型有机EL器件。通过不同的方法可生产这些有机EL器件。就低分子型有机EL器件来说，通过气相沉积过程形成薄膜，而对于高分子型有机EL器件，在溶液中溶解后通过旋涂方法或喷墨方法形成薄膜。就低分子型有机EL器件来说，例如利用掩模通过真空气相沉积依次在玻璃基板上形成正极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及负极而形成层状结构。利用放置在基板附近的掩模通过真空气相沉积形成正极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及负极。然而，由于用于微细图案尤其是RGB层的气相沉积掩模需要高度精确，故其难以制造且非常昂贵。此外，当掩模在形成低分子型有机EL器件的有机层图案的过程中用于多次气相沉积时，有机材料沉积且附着在掩模上，使得高精确的掩模图案不能转移至基板。因此，为了实现高度精确的掩模图案，一个多次使用的昂贵掩模将会作为废物处理，这就增加了生产成本且难以大规模生产。在有机EL领域，目前并未尝试通过重复利用掩模来节约成本。试图解决该问题，韩国专利公开10-2005-0054452公开了一种用于清洗掩模的溶液和方法，其中该掩模在真空气相沉积中用于生产低分子型有机EL器件。然而，问题在于，在去除有机EL材料随后的漂洗过程是复杂的且需要额外的漂洗液。此外，韩国专利公开10-2004-0072279公开了 一种用于清洗有机EL(electroluminescence)掩模的装置，但问题在于，用于蒸发和液化溶剂的装置非常复杂且清洗过程耗时。另外，韩国专利公开10-2007-0065646公开了包括极性质子溶剂异丙醇的清洗液的用途，然而问题在于，清洗液溶解沉积材料的能力不足，不能达到完全清洗。专利文件1:KR10-2005-0054452A专利文件2:KR10-2004-0072279A
专利文件3:KR10-2007-0065646A
发明内容
因此，本发明是针对现有技术中存在的问题而完成。本发明的实施方式提供了一种用于清洗有机EL掩模的方法，其具有优良的溶解有机EL材料的性能且能够简化被简化的漂洗过程，以使得掩模干燥过程容易且简单。本发明的另一实施方式提供了一种清洗液以及利用该清洗液清洗掩模的方法，该清洗液具有优良的能力来溶解沉积材料，具有优良的干燥性能且不需要除去离子水外的单独的漂洗液。根据本发明的实施方式，用于清洗有机EL掩模的方法包括如下步骤:(A)在洁净的腔室内提供四氢呋喃(THF)溶液；(B)将有机EL掩模浸泡在THF溶液中；(C)超声清洗浸泡在THF溶液中的有机EL掩模；以及(D)用去离子水漂洗清洗后的有机EL掩模。根据本发明的另一实施方式，用于有机EL掩模的清洗液包括四氢呋喃和异丙醇。如上所述，用于清洗有机EL掩模的创造性方法具有溶解有机EL材料的优良性能，且能够简化漂洗过程，使得掩板的干燥过程容易且简单。此外，根据本发明的清洗液具有优良的溶解沉积材料的性能且包括沸点低于水的溶剂。因此，清洗液具有优良的干燥性能且不需要除去离子水外的单独的漂洗液。
图1为示出了根据本发明的一实施方式用于清洗有机EL掩模的方法的流程图。
具体实施例方式以下，将详细描述根据本发明的用于清洗有机EL掩模的方法。根据本发明的清洗液可包括四氢呋喃(THF)溶液。四氢呋喃甚至在低温时也具有优良的清洗性能，因此无需单独的加热过程就可用于清洗有机EL掩模。四氢呋喃由下述分子式I来表示，其具有有效地溶解Alq3 (三(8-羟基喹啉)铝)的功能，其中Alq3是在OLED生产过程中的污染掩模的沉积材料。因此，四氢呋喃能显示出优良的清洗性能。[分子式I]
O
O在洁净的腔室内加入THF清洗液，然后将有机EL的掩模浸泡在THF清洗液中。这里，THF清洗液的温度为30至60°C。然后，对包含浸泡其内的有机EL掩模的THF清洗液施加超声波以清洗有机EL掩模。当进行该超声清洗方法时，可提高沉积材料的溶解且可缩短清洗时间。在超声清洗过程完成之后，用去离子水清洗有机EL掩模。在本发明中，由于四氢呋喃在水中的溶解性优良，可无需使用单独的漂洗液来清洗有机EL掩模。
在烘箱中干燥用去离子水清洗的有机EL掩模。这里，烘箱的温度优选为50至100。。。此外，本发明的清洗液除四氢呋喃(THF)外可进一步包括异丙醇。异丙醇是一种相对于其他醇类具有溶解有机材料的优良能力的溶剂，且对人体相对无害。此外，异丙醇在用去离子水清洗过程中，显示出优良的漂洗性能，因此不会产生清洗液残留在掩模上的问题。对于本发明的清洗液除四氢呋喃(THF)溶液外进一步包括异丙醇，基于清洗液的总重量,优选包含60至99wt %的四氢呋喃，更优选80至95wt %。如果清洗液中的四氢呋喃的含量小于60wt%，将过度地延长溶解污染掩模表面的沉积材料所需的时间，如果含量超过99wt%，其将并不会进一步提高沉积材料的溶解速率，在经济上不是优选的。此外，清洗液中异丙醇的含量优选为I至40wt%，且更优选5至20wt%。如果清洗液中异丙醇的含量小于lwt%，四氢呋喃的含量将相对增加，导致成本无效，且用去离子水漂洗清洗液将不会有效。如果异丙醇的含量大于40wt%，清洗液中的四氢呋喃那的含量将相对降低，清洗液去除沉积材料的能力将降低。对于本发明的清洗液除四氢呋喃(THF)溶液外进一步包括异丙醇，清洗液可用于下述清洗步骤中。利用包括四氢呋喃和异丙醇的清洗液清洗电子材料的方法包括如下步骤:(E)通过在包括四氢呋喃和异丙醇的清洗液中浸泡电子材料来清洗电子材料；以及(F)用去离子水漂洗电子材料。在清洗步骤(E)中，将电子材料，例如在AMOLED器件的生产中使用的掩模浸泡在清洗液中，以便于通过清洗液的溶解和剥离作用可从电子材料上去除杂质。本发明所使用的清洗液优选为包括四氢呋喃和异丙醇的清洗液。漂洗步骤(F)可通过在去离子水浸泡在清洗步骤(E)中已去除杂质的电子材料来进行。在清洗步骤(E)中，为了进一步用清洗液漂洗用去离子水漂洗的掩模，不仅可使用在清洗液中浸泡电子材料的方法，也可使用在电子材料上喷射清洗液的方法。当通过在掩模上喷射清洗液来进行清洗步骤时，与浸泡方法不同，其防止了二次污染。特别地，在喷射方法中，附着在掩模上的有机清洗液可被完全去除，且相对于浸泡方法可减少所使用的清洗液的量。因此，喷射方法在成本和经济上有优势。此外，喷射清洗方法具有相比浸泡方法缩短了漂洗时间的优势。本发明的清洗步骤(E)可在室温下实施，且因此不需要用于加热清洗液的单独过程。以下，将参照实施例和对比例详细描述本发明，但本发明的范围并不限于这些实施例。实施例1至6以及对比例I至6:有机EL掩模的清洗实施例1在超声处理装置的洁净腔室内加入作为清洗液的20升的THF溶液，然后在室温下，将具有有机EL材料沉积其上的有机EL气相沉积掩膜浸泡在THF溶液中。超声处理包含浸泡其内的有机EL气相沉积掩膜的THF溶液，以清洗有机EL气相沉积掩模。在清洗过程完成之后，用去离子水漂洗有机EL气相沉积掩模一次。具体地，在清洗过程完成之后，使用喷射设备用去离子水以30秒漂洗有机EL气相沉积掩模一次。实施例2以与实施例1相同的方式实施该实施例，除了用去离子水进行两次漂洗处理。实施例3以与实施例1相同的方式实施该实施例，除了用去离子水进行三次漂洗处理。实施例4以与实施例1相同的方式实施该实施例，除了以THF清洗液的处理温度为50°C来替代室温。实施例5以与实施例4相同的方式实施该实施例，除了用去离子水进行两次漂洗处理。实施例6以与实施例4相同的方式实施该实施例，除了用去离子水进行三次漂洗处理。对比例I以与实施例1相同的方式实施该实施例，除了用NMP溶液替代THF溶液作为清洗液。对比例2以与对比例I相同的方式实施该对比例，除了用去离子水进行两次漂洗处理。对比例3以与对比例I相同的方式实施该对比例，除了用去离子水进行三次漂洗处理。对比例4以与对比例I相同的方式实施该对比例，除了以NMP清洗液的处理温度为50°C来替代室温。对比例5以与对比例4相同的方式实施该对比例，除了用去离子水进行两次漂洗处理。对比例6以与对比例4相同的方式实施该对比例，除了用去离子水进行三次漂洗处理。实施例7至11和对比例7至14:从掩模去除沉积材料的性能以及漂洗清洗液的性能清洗液组合物的制备下述表I中所示的成分相互混合并搅拌，从而制备清洗液组合物。[表 I]
权利要求
1.一种用于清洗有机EL掩模的方法，所述方法包括以下步骤: (A)在洁净的腔室内提供四氢呋喃THF溶液； (B)将所述有机EL掩模浸泡在所述THF溶液中； (C)超声清洗浸泡在所述THF溶液中的所述有机EL掩模；以及 (D)用去离子水漂洗清洗后的所述有机EL掩模。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述THF溶液具有室温的温度。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述THF溶液喷射在所述有机EL掩模的表面上。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法在室温下进行。
5.一种用于有机EL掩模的清洗液，所述清洗液包括四氢呋喃和异丙醇。
6.一种用于清洗有机EL掩模的方法，所述方法包括以下步骤: (E)通过在权利要求5所述的清洗液中浸泡所述有机EL掩模来清洗所述有机EL掩模；以及 (F)用去离子水漂洗所述有机EL掩模。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述清洗步骤通过在所述有机EL掩模的表面上喷射所述清洗液来进行。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述清洗步骤在室温下进行。
全文摘要
本申请公开了一种用于清洗有机EL掩模的方法，所述方法包括以下步骤(A)在洁净的腔室内提供四氢呋喃(THF)溶液；(B)将有机EL掩模浸泡在THF溶液中；(C)超声清洗浸泡在THF溶液中的有机EL掩模；以及(D)用去离子水漂洗清洗后的有机EL掩模。本申请还公开了一种用于有机EL掩模的清洗液，所述清洗液包括四氢呋喃和异丙醇。
文档编号B08B3/12GK103157619SQ20121045906
公开日2013年6月19日 申请日期2012年11月14日 优先权日2011年12月15日
发明者李殷相, 金佑逸, 金炳默, 洪宪杓 申请人:东友 Fine-Chem 股份有限公司