硅料清洗方法
【专利摘要】本发明公开了一种硅料清洗方法，包括以下步骤：⑴、配制浓度为5～11%的氢氧化钠溶液，加热至50～90℃；⑵、将需要清洗的硅料置于步骤⑴氢氧化钠溶液中2～3分钟，捞出硅料；⑶、依次用浓度为20～30%的盐酸溶液和纯水冲洗硅料。采用碱液来清洗硅料，减少废气的排放量；不产生氮氧化合物，减少对环境的污染；减少酸的用量，降低了生产成本；现在一吨硅料需要氢氧化钠10Kg，盐酸50kg。还降低了硅料的损耗，提高了操作人员的安全性。
【专利说明】硅料清洗方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体材料【技术领域】，尤其是一种硅料清洗方法。
【背景技术】
[0002]硅料的传统清洗方法主要为:硝酸与氢氟酸的混合酸按一定比例混合后，将硅料投入其中，利用酸的腐蚀性，将硅料表面的氧化物、金属物、金属离子等反应物去除，确保硅料的洁净度，符合后道工序的使用要求。其具体操作过程为:氢氟酸和硝酸按照比例配置好腐蚀溶液；将准备腐蚀的硅料适量放在腐蚀提篮内，缓慢放入溶液内，在此过程必须注意防止溶液溅出伤人，晃动提篮内的硅料，时间控制在I分钟左右，可据料的洁净程度可相应调整，料脏时可适当延长，提出后快速放入准备好的纯水中冲洗，防止长时间与空气接触而氧化，经过四级纯水冲洗后再放入超声波清洗机中用纯水加超声波清洗2?3分钟(共2次)，确保硅料缝隙没有酸性物质和脏物，超声波清洗结束后将硅料用纯水经过二级冲刷漂洗干净。
[0003]使用上述方法每清洗一吨硅料需使用硝酸60Kg左右，氢氟酸15Kg左右，损耗15Kg左右混合酸，并剩余60Kg左右废酸。这种方法的不足:
1.硅料投入混合酸中，反应比较剧烈产生大量的废气，如不经过净化处理将严重污染空气。主要是因为硝酸具有不稳定性，容易挥发分解成棕黄色的氮氧化物。
[0004]2.反应剧烈，酸洗过程中会对硅料进行消耗，增加硅料的损耗。
[0005]3.使用硝酸后会产生大量的氮氧化合物，对环境有害。
【发明内容】
[0006]本发明针对现有技术的不足，提出一种硅料清洗方法，减少环境污染，清洗成本低，易于控制质量和提高收率。
[0007]为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案:一种硅料清洗方法，包括以下步骤:
⑴、配制浓度为5?11%的氢氧化钠溶液，加热至50?90°C ；
⑵、将需要清洗的硅料置于步骤⑴氢氧化钠溶液中2?3分钟，捞出硅料；
⑶、依次用浓度为20?30%的盐酸溶液和纯水冲洗硅料。
[0008]进一步地，步骤⑵中，加热氢氧化钠溶液至温度为70?100°C。
[0009]进一步地，步骤⑶中纯水冲洗时，同时超声波进行处理。
[0010]进一步地，步骤⑴中氢氧化钠溶液浓度为8%，加热温度为70°C。
[0011]进一步地，步骤⑶中盐酸溶液浓度为25%。
[0012]与现有技术相比，本发明具有以下优点:采用碱液来清洗硅料，减少废气的排放量；不产生氮氧化合物，减少对环境的污染；减少酸的用量，降低了生产成本；现在一吨硅料需要氢氧化钠10Kg，盐酸50kg。还降低了硅料的损耗，提高了操作人员的安全性。【具体实施方式】
[0013]下面结合具体实施例对本发明进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本发明的保护范围有任何的限制作用。
[0014]实施例1
一种硅料清洗方法，包括以下步骤:
(I)、配制浓度为8%的氢氧化钠溶液，加热至70°C ；
⑵、将需要清洗的硅料置于步骤⑴氢氧化钠溶液中3分钟，捞出硅料；
⑶、依次用浓度为25%的盐酸溶液和纯水冲洗硅料。
[0015]实施例2
一种硅料清洗方法，包括以下步骤:
(I)、配制浓度为5%的氢氧化钠溶液，加热至90°C ；
⑵、将需要清洗的硅料置于步骤⑴氢氧化钠溶液中2分钟，同时加热碱液至温度为100°C，捞出硅料； ⑶、用浓度为30%的盐酸溶液冲洗硅料，然后在超声波环境用纯水冲洗硅料。
[0016]实施例3
一种硅料清洗方法，包括以下步骤:
⑴、配制浓度为11%的氢氧化钠溶液，加热至50°c ；
⑵、将需要清洗的硅料置于步骤⑴氢氧化钠溶液中2.6分钟，，同时加热碱液至温度为80°C，捞出硅料；
⑶、依次用浓度为20%的盐酸溶液和纯水冲洗硅料。
[0017]工艺的检测
参照国标GB1031-1983对上述产品进行表面粗糙度检测，用粗糙度与表面光洁度之间对应的关系来测量表面的光洁度，测试结果如下:
【权利要求】
1.一种硅料清洗方法，包括以下步骤: ⑴、配制浓度为5?11%的氢氧化钠溶液，加热至50?90°C ； ⑵、将需要清洗的硅料置于步骤⑴氢氧化钠溶液中2?3分钟，捞出硅料； ⑶、依次用浓度为20?30%的盐酸溶液和纯水冲洗硅料。
2.如权利要求1所述硅料清洗方法，其特征在于:步骤⑵中，加热氢氧化钠溶液至温度为 70 ?100°C。
3.如权利要求1所述硅料清洗方法，其特征在于:步骤⑶中纯水冲洗时，同时超声波进行处理。
4.如权利要求1所述硅料清洗方法，其特征在于:步骤⑴中氢氧化钠溶液浓度为8%，力口热温度为70°C。
5.如权利要求1所述硅料清洗方法，其特征在于:步骤⑶中盐酸溶液浓度为25%。
【文档编号】B08B3/10GK103464413SQ201310408998
【公开日】2013年12月25日 申请日期:2013年9月10日 优先权日:2013年9月10日
【发明者】刘耀峰, 潘振东 申请人:无锡荣能半导体材料有限公司