二极管产品清洗工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了半导体制造领域的一种二极管产品清洗工艺。半导体晶片经酸腐蚀PN结后，表面进一步抛光处理，抛光处理后的晶片用二级管清洗液清洗，清洗温度为60℃±5℃；二级管清洗液按重量百分比由下述组分组成：EDTA2.9％、H2O2?24.3％、纯水72.8％。本发明具有工艺合理操作方便、对环境无污染；和产品良品率高等优点。
【专利说明】二极管产品清洗工艺
[0001]【技术领域】:
本发明涉及半导体制造领域的一种晶体管清洗工艺，特别是一种二极管产品清洗工艺。
[0002]【背景技术】:
半导体工艺是现代微电子工业发展的基础，二极管是其中常用的半导体电子元器件，广泛应用于电子行业的各个领域中，二极管在生产工艺中需进行清洗工序，在二极管生产制造行业中使用了大量对人体有害的物质作为清洗二极管表面的清洗液，传统工艺中用铬酸和氨水对硅片进行清洗，环境污染较大和过程控制困难，且产品良率水平不受控。如何在保证效果的情况下研制低成本、无污染的新型清洗液是本发明的目的。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种对环境无污染，具有产品良品率受控效果的二极管产品清洗工艺。
[0004]本发明是通过以下技术方案实现的:
一种二极管产品清洗工艺，其特征在于:半导体晶片经酸腐蚀PN结后，表面进一步抛光处理，抛光处理后的晶片用二级管清洗液清洗，清洗温度为60°C ±5V ;对上述技术方案做进一步限定，所述的二级管清洗液按重量百分比由下述组分组成=EDTA 2.9%, H2O224.3%、纯水72.8%，上述清洗液可以达到操作容易、对环境无污染和产品良品受控的效果O
[0005]本发明与现有技术相比具有以下有益效果:
1.工艺合理操作方便；
2.对环境无污染；
3.广品良品率闻。
【具体实施方式】
[0006]下面结合具体实施例对本发明的内容做进一步的描述:
传统二极管的清洗工艺会对环境造成污染，需要一种更好的环保的清洗工艺来替代，为对硅片清洗达到理想的效果，而无污染环境的化学成分的清洗液，铬酸对环境有重污染；氨水挥发性很强，整个清洗环境很难控制，对操作人员呼吸不利。经过多次配制、试验，最终使用EATA+H202的方案可以达到旧工艺的清洗的效果。SI台面经过清洗后表面光洁，平整；生产的S102层达到保护PN结的效果。
实施例
[0007]硅晶片经酸腐蚀PN结后，对其表面进一步抛光，生长一层SIO2层，将EADA称取600g加进大塑料桶内，再加入15L纯水,最后加入5kg (5L)双氧水配制成二极管清洗液,在二极管清洗工序中需进行加热，温度严格控制在60°C ±5°C。
【权利要求】
1.一种二极管产品清洗工艺，其特征在于:半导体晶片经酸腐蚀PN结后，表面进一步抛光处理，抛光处理后的晶片用二级管清洗液清洗，清洗温度为60°C ±5°C。
2.根据权利要求1所述的二极管产品清洗工艺，其特征在于:所述的二级管清洗液按重量百分比由下述组分组成:EDTA 2.9%, H2O2 24.3%、纯水72.8%。
【文档编号】B08B3/08GK103474330SQ201310443809
【公开日】2013年12月25日 申请日期:2013年9月26日 优先权日:2013年9月26日
【发明者】黄建山, 陈建华, 张练佳, 梅余峰 申请人:如皋市易达电子有限责任公司