一种水基硅片清洗剂及其制备方法
【专利摘要】一种水基硅片清洗剂，由下列重量份的原料制成：硼酸钠2-3、焦磷酸钾1-2、椰子油烷基醇酰胺磷酸酯3-4、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠4-5、柠檬酸2-3、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120。本发明的清洗剂对有机物、金属离子、颗粒等有快速的清除能力，对硅片无腐蚀；损耗更少，降低成本,节约时间、从而大大的减少硅片废品率,以及更快的制造出数量更多的,质量更好的硅片。本发明的助剂能够在硅片表面形成保护膜，隔绝空气，防止大气中水及其他分子腐蚀硅片，抗氧化，方便下一步制作工艺进行。
【专利说明】一种水基硅片清洗剂及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及清洗剂领域，尤其涉及一种水基硅片清洗剂及其制备方法。
【背景技术】
[0002]硅片清洗剂广泛应用于光伏，电子等行业硅片清洗；由于硅片在运输过程中会有所污染，表面洁净度不是很高，对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响，所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污，然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷进”，会引起外延缺陷；再去除颗粒、金属等，同时使硅片的表面钝化。
[0003]目前多数娃片清洗剂米用RAC清洗中的一号液和三号液,但是一号液显碱性,可能会造成硅表面粗糙，要严格控制温度、浓度和时间；三号液显酸性，有强腐蚀性，对人体健康也不利，生产成本高，有刺激性气味，污染环境，因此需要进一步改进配方，以达到清洁彻底、无污染、腐蚀小、对人体健康、电路安全、降低成本的目的。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种水基硅片清洗剂及其制备方法，该清洗剂具有清洁彻底、清洁速度快的优点。
[0005]本发明的技术方案如下:`
一种水基硅片清洗剂，其特征在于由下列重量份的原料制成:硼酸钠2-3、焦磷酸钾1-2、椰子油烷基醇酰胺磷酸酯3-4、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠4-5、柠檬酸2-3、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120 ；
所述助剂由下列重量份的原料制成:硅烷偶联剂KH-570 2-3、抗氧剂1035 1_2、植酸1-2、吗啉3_4、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯3_4、乙醇12-15 ;制备方法是将硅烷偶联剂KH-570、植酸、乙醇混合，加热至60-70°C，搅拌20-30分钟后，再加入其它剩余成分，升温至80-85°C，搅拌30-40分钟，即得。
[0006]所述水基硅片清洗剂的制备方法，其特征在于包括以下步骤:将去离子水、硼酸钠、焦磷酸钾、椰子油烷基醇酰胺磷酸酯、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、柠檬酸、乙醇混合，在1000-1200转/分搅拌下，以6-8°C /分的速率加热到60_70°C，加入其他剩余成分，继续搅拌15-20分钟，即得。
[0007]本发明的有益效果
本发明的清洗剂对有机物、金属离子、颗粒等有快速的清除能力，对硅片无腐蚀；损耗更少，降低成本，节约时间、从而大大的减少硅片废品率，以及更快的制造出数量更多的，质量更好的硅片。本发明的助剂能够在硅片表面形成保护膜，隔绝空气，防止大气中水及其他分子腐蚀硅片，抗氧化，方便下一步制作工艺进行。
【具体实施方式】[0008]一种水基硅片清洗剂，由下列重量份(公斤)的原料制成:硼酸钠2.5、焦磷酸钾2、椰子油烷基醇酰胺磷酸酯3.5、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠5、柠檬酸3、乙醇36、助剂4.4、去离子水110 ；
所述助剂由下列重量份(公斤)的原料制成:硅烷偶联剂KH-570 2.5、抗氧剂1035
1.5、植酸1.5、吗啉3.5、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯3.5、乙醇14 ;制备方法是将硅烷偶联剂KH-570、植酸、乙醇混合，加热至65°C，搅拌25分钟后，再加入其它剩余成分，升温至84°C，搅拌34分钟，即得。
[0009]所述水基硅片清洗剂的制备方法，包括以下步骤:将去离子水、硼酸钠、焦磷酸钾、椰子油烷基醇酰胺磷酸酯、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、柠檬酸、乙醇混合，在1100转/分搅拌下，以7V /分的速率加热到65°C，加入其他剩余成分，继续搅拌18分钟，即得。
[0010]该水基硅片清洗剂用于清洗硅片，洗净率为99.2%，对洗净硅片表面不会残留不溶物，不产生新污染，不 影响产品的质量，洗净后的硅片表面干净，色泽一致，无花斑。
【权利要求】
1.一种水基硅片清洗剂，其特征在于由下列重量份的原料制成:硼酸钠2-3、焦磷酸钾1-2、椰子油烷基醇酰胺磷酸酯3-4、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠4-5、柠檬酸2-3、乙醇30-40、助剂4-5、去离子水100-120 ； 所述助剂由下列重量份的原料制成:硅烷偶联剂KH-570 2-3、抗氧剂1035 1_2、植酸1-2、吗啉3_4、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯3_4、乙醇12-15 ;制备方法是将硅烷偶联剂KH-570、植酸、乙醇混合，加热至60-70°C，搅拌20-30分钟后，再加入其它剩余成分，升温至80-85°C，搅拌30-40分钟，即得。
2.根据权利要求1所述水基硅片清洗剂的制备方法，其特征在于包括以下步骤:将去离子水、硼酸钠、焦磷酸钾、椰子油烷基醇酰胺磷酸酯、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、柠檬酸、乙醇混合，在100 0-1200转/分搅拌下，以6-8°C /分的速率加热到60_70°C，加入其他剩余成分，继续搅拌15-20分钟，即得。
【文档编号】C11D3/60GK103571644SQ201310528004
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年10月31日 优先权日:2013年10月31日
【发明者】郭万东, 孟祥法, 董培才 申请人:合肥中南光电有限公司