一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其制备方法
【专利摘要】一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，由下列重量份的原料制成：乌洛托品3-4、柠檬酸钠2-3、碳酸钠1-2、纤维素酶2-3、硫代琥珀酸钠3-4、乙醇30-40、正丁醇4-5、月硅酸聚氧乙烯酯1-2、月桂醇聚氧乙烯醚3-5、助剂4-5、去离子水100-120。本发明清洗剂的表面活性剂协同效应好，对有机物、金属离子溶解能力强，对无机物清除能力强；对氧化膜清除效果好，清洗彻底，腐蚀性小，适用于集成电路衬底硅片清洗。本发明的助剂能够在硅片表面形成保护膜，隔绝空气，防止大气中水及其他分子腐蚀硅片，抗氧化，方便下一步制作工艺进行。
【专利说明】一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其制备方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及清洗剂领域，尤其涉及一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其制备方法。
【背景技术】
[0002]硅片清洗剂广泛应用于光伏，电子等行业硅片清洗；由于硅片在运输过程中会有所污染，表面洁净度不是很高，对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响，所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污，然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷进”，会引起外延缺陷；再去除颗粒、金属等，同时使硅片的表面钝化。
[0003]目前多数娃片清洗剂米用RAC清洗中的一号液和三号液,但是一号液显碱性,可能会造成硅表面粗糙，要严格控制温度、浓度和时间；三号液显酸性，有强腐蚀性，对人体健康也不利，生产成本高，有刺激性气味，污染环境，因此需要进一步改进配方，以达到清洁彻底、无污染、腐蚀小、对人体健康、电路安全、降低成本的目的。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其制备方法，该清洗剂具有清洁彻底、清洁速度快的优点。
[0005]本发明的技术方案如下:
一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于由下列重量份的原料制成:乌洛托品3-4、柠檬酸钠2-3、碳酸钠1-2、纤维素酶2-3、硫代琥珀酸钠3_4、乙醇30-40、正丁醇4-5、月硅酸聚氧乙烯酯1-2、月桂醇聚氧乙烯醚3-5、助剂4-5、去离子水100-120 ；
所述助剂由下列重量份的原料制成:硅烷偶联剂KH-570 2-3、抗氧剂1035 1_2、植酸1-2、吗啉3_4、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯3_4、乙醇12-15 ;制备方法是将硅烷偶联剂KH-570、植酸、乙醇混合，加热至60-70°C，搅拌20-30分钟后，再加入其它剩余成分，升温至80-85°C，搅拌30-40分钟，即得。
[0006]所述用于集成电路衬底硅片的清洗剂的制备方法，其特征在于包括以下步骤:将去离子水、柠檬酸钠、碳酸钠、硫代琥珀酸钠、乙醇、正丁醇4-5、月硅酸聚氧乙烯酯、月桂醇聚氧乙烯醚混合，在1000-1200转/分搅拌下，以6-8°C /分的速率加热到60_70°C，再冷却到35°C以下，加入其他剩余成分，继续搅拌15-20分钟，即得。
[0007]本发明的有益效果
本发明清洗剂的表面活性剂协同效应好，对有机物、金属离子溶解能力强，对无机物清除能力强；对氧化膜清除效果好，清洗彻底，腐蚀性小，适用于集成电路衬底硅片清洗。本发明的助剂能够在硅片表面形成保护膜，隔绝空气，防止大气中水及其他分子腐蚀硅片，抗氧化，方便下一步制作工艺进行。【具体实施方式】
[0008]一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，由下列重量份(公斤)的原料制成:乌洛托品3.5、柠檬酸钠2.5、碳酸钠1.5、纤维素酶2.5、硫代琥珀酸钠3.5、乙醇35、正丁醇4.5、月硅酸聚氧乙烯酯1.5、月桂醇聚氧乙烯醚4、助剂4.5、去离子水110 ；
所述助剂由下列重量份(公斤)的原料制成:硅烷偶联剂KH-570 2.5、抗氧剂1035
1.5、植酸1.5、吗啉3.5、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯3.5、乙醇14 ;制备方法是将硅烷偶联剂KH-570、植酸、乙醇混合，加热至65°C，搅拌25分钟后，再加入其它剩余成分，升温至84°C，搅拌34分钟，即得。
[0009]所述用于集成电路衬底硅片的清洗剂的制备方法，包括以下步骤:将去离子水、柠檬酸钠、碳酸钠、硫代琥珀酸钠、乙醇、正丁醇4-5、月硅酸聚氧乙烯酯、月桂醇聚氧乙烯醚混合，在1100转/分搅拌下，以7V /分的速率加热到65°C，再冷却到30°C，加入其他剩余成分，继续搅拌18分钟，即得。
[0010]该用于集成电路衬底硅片的清洗剂用于清洗集成电路衬底硅片,洗净率为99.5%,对洗净硅片表面不会残留不溶物， 不产生新污染，不影响产品的质量，洗净后的硅片表面干净，色泽一致，无花斑。
【权利要求】
1.一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于由下列重量份的原料制成:乌洛托品3-4、柠檬酸钠2-3、碳酸钠1-2、纤维素酶2-3、硫代琥珀酸钠3_4、乙醇30-40、正丁醇4-5、月硅酸聚氧乙烯酯1-2、月桂醇聚氧乙烯醚3-5、助剂4-5、去离子水100-120 ； 所述助剂由下列重量份的原料制成:硅烷偶联剂KH-570 2-3、抗氧剂1035 1_2、植酸1-2、吗啉3_4、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯3_4、乙醇12-15 ;制备方法是将硅烷偶联剂KH-570、植酸、乙醇混合，加热至60-70°C，搅拌20-30分钟后，再加入其它剩余成分，升温至80-85°C，搅拌30-40分钟，即得。
2.根据权利要求1所述用于集成电路衬底硅片的清洗剂的制备方法，其特征在于包括以下步骤:将去离子水、柠檬酸钠、碳酸钠、硫代琥珀酸钠、乙醇、正丁醇4-5、月硅酸聚氧乙烯酯、月桂醇聚氧乙烯醚混合，在1000-1200转/分搅拌下，以6-8°C /分的速率加热到60-700C，再冷却到35°C以下，加入其他剩余成分，继续搅拌15-20分钟，即得。
【文档编号】C11D10/02GK103571665SQ201310527930
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年10月31日 优先权日:2013年10月31日
【发明者】郭万东, 孟祥法, 董培才 申请人:合肥中南光电有限公司