溢胶清除装置制造方法
【专利摘要】本实用新型溢胶清除装置包括一承载区、一环槽、至少一第一通道及至少一第二通道。该环槽环绕该承载区，且其槽口环绕该承载区。该第一通道连通该环槽，且用以对该环槽注入一正压气体，该正压气体带有有机溶液的成分。该第二通道连通该环槽，且用以对该环槽注入一负压气体，该负压气体用以对该环槽产生吸力。
【专利说明】溢胶清除装置
【技术领域】
[0001]本实用新型是与半导体或液晶显示器制程设备有关，特别是指一种用于清除溢胶的溢胶清除装置。
【背景技术】
[0002]传统在进行压合制程时，通常会先在半导体设备上提供一黏胶，例如紫外线硬化接着剂(UV胶)，接着，利用半导体设备将一半导体基板与该黏胶压合，以使该黏胶均匀分布在该半导体基板上。然而，在压合的过程中，往往该黏胶会受到压合的推挤，而有部分黏胶自然地溢出该半导体基板的外周围，因此，在产品完成前，需将该半导体基板的外周围的溢胶清除。而传统清除溢胶的方式有人工擦拭、黏胶黏除及利用刮刀刮除等，但利用这些方式清除溢胶，都有可能会损坏该半导体基板。
【发明内容】
[0003]有鉴于【背景技术】所述的缺失，本实用新型的半导体基板的溢胶清除装置利用正压气体来吹向溢胶，及利用负压气体将溢胶吸除，而达到清除溢胶的目的，且不会损坏半导体基板。
[0004]本实用新型的半导体基板的溢胶清除装置包括一承载区、一环槽、至少一第一通道及至少一第二通道。该环槽环绕该承载区，且其槽口环绕该承载区。该第一通道连通该环槽，且用以对该环槽注入一正压气体，该正压气体带有有机溶液的成分。该第二通道连通该环槽，且用以对该环槽注入一负压气体，该负压气体用以对该环槽产生吸力。
[0005]如此，本实用新型的溢胶清除装置就可以利用该正压气体的有机溶液的成分对该半导体基板的溢胶产生反应，而使该溢胶的黏性降低，以利该负压气体将该溢胶从第二通道吸除。
[0006]较佳地，该环槽具有一第一侧壁、一第二侧壁及一底部。该第一及第二两侧壁系相面对。该第一侧壁的顶边连接该承载区的周缘。该第一及第二侧壁的底边分别连接该底部。该底部正对该槽口。其中，该第一通道的出口形成于该环槽的底部，且邻近该环槽的第一侧壁。该第二通道的入口形成于该环槽的底部，且邻近该环槽的第二侧壁。由于该第一及第二通道位于在该环槽内，所以本实用新型的溢胶清除装置可藉由该第一通道吹出的正压气体，将该溢胶吹往第二通道周围，而让该溢胶接近该第二通道。
[0007]综合上述，由于本实用新型溢胶清除装置具有上述的结构，使得本实用新型的溢胶清除装置能有效将该半导体基板的溢胶清除，且不会损坏该半导体基板。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1绘示本实用新型的溢胶清除装置的立体图。
[0009]图2绘示图1的局部剖视图。
[0010]图3绘示图2的圈选部份的局部放大图。[0011]图4及图5分别绘示应用本实用新型溢胶清除装置的薄膜成型设备的示意图。
[0012]图6绘示半导体基板周围产生溢胶现象的示意图。
[0013]图7绘示图6的局部放大图。
【具体实施方式】
[0014]如图1至图3所示，本实用新型溢胶清除装置10是用以承载一半导体基板或一玻璃基板，本实施例以半导体基板为例来作说明。该溢胶清除装置10用以吸除该半导体基板的溢胶。该溢胶清除装置10包括一承载区12、一环槽14、至少一第一通道16及至少一第二通道18。该承载区12用以承载该半导体基板，于此实施例中，该承载区12为一平面，但实际上，该承载区12形成有特定图案的凹槽，因此，该承载区12不侷限于平面或凹槽。该环槽14环绕该承载区12。该第一通道16连通该环槽14，且用以对该环槽14注入一正压气体。该正压气体带有有机溶液的珠液，该有机溶液可以是酒精、丙酮等。该第二通道18连通该环槽14，且用以对该环槽14注入一负压气体，用以对该环槽14产生吸力。
[0015]如图4及图5所示，于此实施例中，本实用新型溢胶清除装置10用于半导体制程，例如:薄膜成型设备。薄膜成型设备用以在半导体基板的表面上形成薄膜。该薄膜成型设备具有一承载装置50及本实用新型溢胶清除装置10。该承载装置50用以吸住该半导体基板30，并于本实用新型溢胶清除装置的承载区内提供一黏胶70，于此实施例中，该黏胶是UV固化胶。接着，该承载装置50吸住该半导体基板30，且与该溢胶清除装置10相互压合，以使该半导体基板30及该承载区12相互抵靠，而让该黏胶70均匀分布于该半导体基板30的表面上。
[0016]如图6及图7所示，由于该黏胶70是借由该半导体基板30与该承载区12相互压合抵靠，而使该黏胶70扩散分布至该半导体基板30的表面上，但实务上，压合过程中，往往使得该黏胶70溢出该承载区12，而产生溢胶71的现象。
[0017]因此，本实用新型溢胶清除装置10可利用该第一通道16吹入带有有机溶液成分的正压气体至该环槽14，并该正压气体从该环槽14的槽口吹向溢出该承载区12的溢胶71，而使位于该溢胶71接触到该正压气体，如此，该溢胶71会受到正压气体的影响而融化，以降低该溢胶71的黏性，而该第二通道18内的负压气体对该环槽14产生吸力，使得该黏性降低的溢胶71受该负压气体影响，而吸入该第二通道18内。所以，本实用新型溢胶清除装置10可利用带有有机溶液成分的正压气体来使该溢胶71的黏性降低，并借由该第二通道18的负压气体吸除该黏性降低的溢胶71，而提高该第二通道18的负压气体吸除该溢胶71的效率。
[0018]需要注意的是，虽然本实施例中是以正压气体带有有机溶液的珠液为例来作说明，但实务中，若该正压气体就可以将该溢胶71吹至使该负压气体吸除的位置，这样，该正压气体就不需要有机溶液，所以，该正压气体不以带有有机溶液的珠液为限。
[0019]该环槽14的槽口正对该半导体基板的溢胶71，且具有一第一侧壁141、一第二侧壁142及一底部143。该第一及第二两侧壁141、142相面对。该第一侧壁的141顶边连接该承载区12的周缘。该第一及第二两侧壁141、142的底边分别连接该底部143。该底部143正对该槽口。其中，该第一通道16的出口形成于该环槽14的底部143，且邻近该环槽14的第一侧壁141，于此实施例中，该第一通道16的出口环绕该环槽14的底部143，以使该正压气体可均匀地吹向该半导体基板30的溢胶71。该第二通道18的入口形成于该环槽14的底部143，且邻近该环槽14的第二侧壁142，于此实施例中，该环槽14的底部143形成多个第二通道18的入口，以吸除该溢胶71。这样，从该第一通道16吹出的正压气体，不仅可使该溢胶71的黏性降低，也可以将该溢胶71吹向该第二通道18的入口，而使该溢胶71更容易被第二通道18内的负压气体吸除。
[0020]其中，该环槽14的底部143具有一环平面144及一斜面145。该环平面144的内边连接该第一侧壁141的底边。该环平面144的外边连接该斜面145的顶边。该斜面145的底边低于该斜面145的顶边，以使该溢胶71顺着该斜面145流至该第二通道18的入口。
[0021]需要注意的是，若该第二通道的负压气体足以将该溢胶确实清除，该环槽的底部结构就不限于前述的环平面及斜面。再者，该斜面也可以利用弧形面来代替，故不以该斜面为限。再者，若该第二通道与第一通道是相同结构，这样，该第二通道的入口就只要有一个。
[0022]虽然，本较佳实施例是以半导体制程中的薄膜成型设备为例来作说明，但在实务中，本实用新型溢胶清除装置也可以被应用于其他需要清除溢胶的设备中，所以，本实用新型的溢胶清除装置不以此所述的薄膜成型设备为限。
【权利要求】
1.一种溢胶清除装置，其特征在于，包括: 一承载区； 一环槽，其槽口环绕该承载区； 至少一第一通道，连通该环槽，且用以对该环槽注入一正压气体；及 至少一第二通道，连通该环槽，且用以对该环槽注入一负压气体，该负压气体对该环槽产生吸力。
2.根据专利权利要求1所述的溢胶清除装置，其特征在于，该环槽具有一第一侧壁、一第二侧壁及一底部，该第一及第二两侧壁相面对，该第一侧壁的顶边连接该承载区的周缘，该第一及第二两侧壁的底边分别连接该底部，该底部正对该槽口，其中，该第一通道的出口形成于该环槽的底部，且邻近该环槽的第一侧壁，该第二通道的入口形成于该环槽的底部，且邻近该环槽的第二侧壁。
3.根据专利权利要求2所述的溢胶清除装置，其特征在于，该环槽的底部具有一环平面及一斜面，该环平面的内边连接该第一侧壁的底边，该环平面的外边连接该斜面的顶边，该斜面的底边低于该斜面的顶边。
【文档编号】B08B5/04GK203508494SQ201320403617
【公开日】2014年4月2日 申请日期:2013年7月8日 优先权日:2013年7月8日
【发明者】邱建清, 陈赞仁 申请人:东捷科技股份有限公司