一种裸芯片清洗方法
【专利摘要】本发明一种裸芯片清洗方法，属于电子芯片清洗方法领域。其特征在于包括如下步骤：加热气相清洗溶剂至沸腾，气相清洗溶剂蒸汽上升，接触到冷状态下的需要被清洗的组件时，蒸汽冷凝在组件表面，凝结成液态下滑同时带下组件表面的污染物，落回到加热槽，之后气相清洗溶剂再被加热气化上升与冷组件进行接触变成液体滴下，以此循环直至裸芯片清洗干净为止。针对裸芯片本身特点和装联过程的特殊要求来说，气相清洗工艺是一种高度满足其清洗要求的方式，易于推广使用。
【专利说明】一种裸芯片清洗方法
【技术领域】
[0001]本发明属于电子芯片清洗方法领域，尤其涉及一种裸芯片清洗技术。
【背景技术】
[0002]裸芯片的组件有裸露的CMOS电路的元器件，电路板因毛刷摩擦容易产生静电的原因，不能采用刷洗的清洗方法。另外在实践过程中发现，通常用于微电路组件清洗的超声清洗的空化作用对裸芯片的空气桥等精细结构会造成可能的损伤，经过金丝键合的裸芯片在超声过程中也容易造成金丝脱落和变形，对组件造成使用隐患甚至彻底破坏。
【发明内容】
[0003]本发明旨在提供一种可以对裸芯片进行清洗的方法。
[0004]本发明所述一种裸芯片清洗方法，其特征在于包括如下步骤:加热气相清洗溶剂至沸腾，气相清洗溶剂蒸汽上升，在接触到冷状态下的需要被清洗的组件时，蒸汽冷凝在组件表面，凝结成液态下滑的同时带下组件表面的污染物，落回到加热槽，之后气相清洗溶剂再被加热气化上升与冷组件进行接触变成液体滴下，以此循环直至裸芯片清洗干净为止。
[0005]本发明所述的一种裸芯片清洗方法，其特征在于所述的清洗溶剂为溴丙烷。
[0006]本发明所述的一种裸芯片清洗方法，其特征在于所述的加热气相清洗溶剂的温度为 60 0C ?65。。。
[0007]本发明所述的一种裸芯片清洗方法，其特征在于所述的清洗溶剂溴丙烷的纯度为999Γ99.5%。
[0008]本发明所述裸芯片清洗方法，对于已经完成组装的复杂结构的组件来说，气相清洗产生的蒸汽可以深入到某些常用手段不易接触的部位，完成清洗工作；对于需要返修的组件，在清洗污染物的同时保证其他部位不会受到损伤，这是其他清洗手段所不具备的特点；针对裸芯片本身特点和装联过程的特殊要求来说，气相清洗工艺是一种高度满足其清洗要求的方式，易于推广使用。
【具体实施方式】
[0009]本发明所述一种裸芯片清洗方法，其特征在于包括如下步骤:加热气相清洗溶剂至沸腾，气相清洗溶剂蒸汽上升，在接触到冷状态下的需要被清洗的组件时，蒸汽冷凝在组件表面，凝结成液态下滑的同时带下组件表面的污染物，落回到加热槽，之后气相清洗溶剂再被加热气化上升与冷组件进行接触变成液体滴下，以此循环直至裸芯片清洗干净为止。
[0010]本发明所述的一种裸芯片清洗方法，其特征在于所述的清洗溶剂为溴丙烷。所述的加热气相清洗溶剂的温度为60°c?65°C。的清洗溶剂溴丙烷的纯度为999Γ99.5%。
【权利要求】
1.一种裸芯片清洗方法，其特征在于包括如下步骤:加热气相清洗溶剂至沸腾，气相清洗溶剂蒸汽上升，在接触到冷状态下的需要被清洗的组件时，蒸汽冷凝在组件表面，凝结成液态下滑的同时带下组件表面的污染物，落回到加热槽，之后气相清洗溶剂再被加热气化上升与冷组件进行接触变成液体滴下，以此循环直至裸芯片清洗干净为止。
2.如权利要求1所述的一种裸芯片清洗方法，其特征在于所述的清洗溶剂为溴丙烷。
3.如权利要求1所述的一种裸芯片清洗方法，其特征在于所述的加热气相清洗溶剂的温度为60°C?65°C。
4.如权利要求1或2所述的一种裸芯片清洗方法，其特征在于所述的清洗溶剂溴丙烷的纯度为999Γ99.5%。
【文档编号】B08B3/08GK104226621SQ201410365080
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年7月29日 优先权日:2014年7月29日
【发明者】贾卫东, 魏军锋 申请人:西安三威安防科技有限公司