专利名称：一种低温活性真空扩散连接陶瓷的方法
技术领域：
本发明属于陶瓷焊接领域，特别涉及一种适用于陶瓷、陶瓷基复合材料、TiAl基合金、C/C复合材料的同种及与其它异种金属的连接方法。
背景技术：
陶瓷具有优越的高硬度、低比重、高强度、耐高温、耐腐蚀等特性，是公认的在航天飞行器、武器装备、原子能及汽车等工业领域最有发展前途的高温结构材料。但由于陶瓷的塑性差，不易制成大型或形状复杂的构件。为了解决这一问题，需要发展陶瓷与金属等其它异种材料的连接技术，以期获得兼具陶瓷和金属各自优异性能的陶瓷-金属复合构件。
由于陶瓷与金属化学键结构不同，在物理、化学性能方面也存在着较大的差异，加上陶瓷的热导率低，耐热冲击能力弱，集中加热时尤其是在用高能密度热源进行熔焊时很容易产生裂纹，因此，常规的熔化焊接方法难以实现陶瓷与金属的连接。而当采用常规的钎焊方法时，由于陶瓷材料的配位键主要有离子键和共价键两种，都非常稳定，因而陶瓷很难被熔化的金属所润湿，所以陶瓷与金属的钎焊比金属之间的钎焊要复杂得多，目前研究较多的是活性钎焊法。
活性钎焊连接是一种利用陶瓷与金属母材之间的钎料在高温下熔化，其中的活性组元与陶瓷发生化学反应，形成稳定的反应梯度层，将两种不同材料结合在一起的方法。活性金属钎焊用钎料是在Cu、Ag、Au等贵金属基料中添加活性金属Ti，In等而成。钎料中加入表面活性元素Si、Mg、Ti，可使其润湿性得到明显改善[Devletian JH.SiC/AlMMC Welding bya Capacitor Discharge Process.WeldingJournal，1987，66(7)34-39]，应用综合涂层并提高润湿过程温度，可使金属与陶瓷的接触角随温度升高而降低[陈康华，包崇玺.金属与陶瓷润湿性研究的综述.材料导报，1997，11(4)15]，从而改善陶瓷-金属润湿性能。
一般来说，钎料中活性元素含量越高，其润湿性能越好。但同时也有许多研究证实活性元素加入量并不是越多越好，过量的活性元素会使焊料的脆性增大，导致接头性能恶化。陶瓷-金属钎焊连接目前存在的主要问题是(1)不能有效地用于大面积结合；(2)容易引起界面残余应力，导致陶瓷-金属接头性能在实际工作条件下容易发生变化；(3)结合强度较低；(4)接头性能评定的可比性较差；(5)钎料价格较高。
为了降低连接温度并获得耐高温接头，过渡液相扩散连接(简称为TLPB)成为近几年陶瓷-金属连接研究的重要方法。TLPB使用不均匀多层中间层，通过连接层的熔化或界面反应，在接头区形成局部液态合金，再通过其与陶瓷的界面反应以及中间层核心金属之间长时间的相互扩散，使液相区等温凝固和固相成分均匀化，从而获得理想的接头质量。TLPB的关键是复合中间层材料的选择和设计。复合中间层由两层以上活性和熔点不同的金属或合金组成。
目前，已报道的Si3N4-Si3N4陶瓷钎焊用的复合中间层有Ti/Ni/Ti，Al合金/Ti，Ni/Al合金，Nb/Ni/Nb，Ni/Nb/Ni等[方芳，陈铮，楼宏青.陶瓷部分瞬间液相连接的研究进展.材料科学与工程，1999(1)70-74；熊华平.Si3N4-Si3N4，Si3N4/1.25Cr-0.5Mo连接用新钎料的研制，其润湿性、接头的界面反应与力学性能.长春吉林工业大学，1996.1-10；唐逸民.金属基复合材料焊接的研究进展问题及对策.焊接与生产，1998(1)5-12]。但TLPB应用于陶瓷-金属连接工艺的时间较短，目前在技术上仍存在的问题主要有(1)被连接材料主要针对为陶瓷-陶瓷，缺乏适用于陶瓷-金属连接的复合中间层；(2)评估接头标准主要是室温强度，缺乏高温强度的准确数据；(3)连接温度仍需进一步降低。扩散连接一般在真空条件下，使经过精细加工的被连接表面紧密的靠在一起，有时加一些中间层，在一定的温度及压力下，接触界面原子间相互扩散，形成金属键接合，是一种精密的连接方法，连接质量可靠。扩散连接适用于各种陶瓷与金属的连接。主要优点是连接强度高、接头质量稳定和耐腐蚀性能好，特别适用于高温和耐蚀条件下陶瓷与金属的连接。但在进行陶瓷与金属的连接时，一般扩散连接所用的压力较大，温度较高，在接头局部处金属变形较大，又由于连接时作用温度较高，常常超过材料的相变点或强化相析出温度，使接头性能变差。特别是对陶瓷与金属这样的异种材料的连接，由于连接温度较高，造成接头界面处有金属间化合物析出，在陶瓷和金属界面生成各种脆性硅化物、氮化物、碳化物和各种多元化合物[M.Naka，J.C.Feng and J.C.Schuster.Phase Reaction and Diffusion Path atthe SiC/Ti System.Metallurgical Transaction，1997，(28A)1385；Liu Huijie，FengJicai，Li zhuoran and Qian Yiyu.Interface Structure and Formation Mechanism ofDiffusion-bonded Joints of SiC Ceramic to TiAl-based Alloy.Scripta Mater，2000，43(1)49；J.C.Feng，M.Naka and J.C.Schuster.Interfacial Structure and PhaseReaction in SiC/NiCr Alloy Joint.Acta Metallurgica Sinca，2000，13(1)2]，这些反应生成相的种类、成长状况和形态分布对接头性能有很大影响，直接影响了陶瓷-金属结构的实际应用，同时冷却时接头处会形成较大的内应力，使接头性能变差，因此期望能够在相对较低的温度及压力下实现接头的低应力、高性能、高精密可靠扩散连接。但降低连接温度与满足使用性能尤其是较高温度时的性能往往是一对矛盾。为降低扩散连接温度，日本有人在其它异种材料连接方面进行了探索，进行所谓的高精密扩散连接，如日本的深谷保博曾进行超精密加工铜板的扩散连接，当表面粗超度为20nm时，在773K，0.15MPa压力下，可以实现X-射线靶的精密连接。因温度较低，应力较小，材料处于弹性变形区间，因此可实现高精度的连接。但由于被连接表面必须要具有较高的加工精度以及连接时在要求较高的真空度，因此应用受到限制。
发明内容
为了解决现有陶瓷扩散连接技术中扩散连接温度高、扩散连接压力大的技术不足，本发明提供了一种低温活性真空扩散连接方法，本发明的基本操作过程如下a、扩散连接前对母材表面进行物理清理或化学清理；b、把TiH2粉均匀的置于待焊母材的连接面上；c、在室温下给母材两端施加400～800MPa的压力，加压时间10～30min，使得TiH2粉中间层的孔隙率可保持在5％～10％之间；d、将夹装好的焊件置于真空扩散焊机内进行加热，在真空度为1×10-5～3×10-5Torr真空条件下进行扩散连接；e、焊接结束后焊件在原真空条件下降温至100℃时撤压，降温到室温时，取出焊件。
方法原理采用TiH2粉作为扩散连接中间层，TiH2粉在真空扩散连接加热过程中发生脱氢，即TiH2从500℃～800℃经历TiH2→Tix→α-Ti(其中0.7＜x＜1.1)的连续脱氢过程，TiH2脱氢完全后可得到有效的活性Ti，它作为活性中间层存在于被连接材料的界面，由于金属Ti粉很细，可达到纳米级，因此具有较大的表面能，可以在相对较低的温度下实现陶瓷接头可靠的扩散连接。同时由于Ti颗粒中间层中存在一定的孔隙，且具有较大的塑性，也可以更好的缓和陶瓷与金属异种材料连接接头的内应力。针对于陶瓷与金属的真空扩散连接，与常规的直接扩散连接或采用Ti箔作为中间层的扩散连接方法相比，本发明提出的低温活性真空扩散连接方法及工艺，扩散连接温度可降低100℃～400℃，接头抗剪切强度可提高20％～100％。这是一种独特的低温活性真空扩散连接方法，也可用于陶瓷基复合材料、TiAl基合金、C/C复合材料的同种及与其它异种金属的扩散连接。
图1为焊件夹装示意图，图2为扩散连接过程中脱氢工艺曲线示意图，图3为SiC/TiH2/SiC扩散连接工艺曲线示意图，图4为Si3N4/TiH2/Si3N4扩散连接工艺曲线示意图，图5为Al2O3/TiH2/AISI304不锈钢扩散连接工艺曲线示意图，图6为Al2O3/TiH2/Kovar合金扩散连接工艺曲线示意图，图7为SiC/TiH2/TC4钛合金扩散连接工艺曲线示意图，图8为SiC/TiH2/GH128镍基高温合金扩散连接工艺曲线示意图，图9为TiAl基合金/TiH2/TiAl基合金扩散连接工艺曲线示意图，图10为TiAl基合金/TiH2/TC4钛合金扩散连接工艺曲线示意图，图11为TiAl基合金/TiH2/SiC陶瓷扩散连接工艺曲线示意图，图12为TiAl基合金/TiH2/Al2O3陶瓷扩散连接工艺曲线示意图，图13为TiAl基合金/TiH2/C/SiC复合材料扩散连接工艺曲线示意图，图14为C/SiC复合材料/TiH2/C/SiC复合材料扩散连接工艺曲线示意图，图15为C/SiC复合材料/TiH2/TC4钛合金扩散连接工艺曲线示意图，图16为C/C复合材料/TiH2/C/C复合材料扩散连接工艺曲线示意图，图17为C/C复合材料/TiH2/TC4钛合金扩散连接工艺曲线示意图。
具体实施例方式
具体实施方式
一本实施方式按照如下步骤进行1、扩散连接前对母材表面进行物理清理或化学清理，所述的物理清理是用400#、500#、600#、800#、1000#金相砂纸逐级磨光，所述的化学清理是根据母材的不同而配制相应的腐蚀液以去除母材表面的吸附层、杂质或氧化膜，然后用丙酮擦拭待焊母材表面或把母材放在丙酮溶液中用超声波清洗。
2、把TiH2粉均匀的置于待焊母材表面，如图1所示，TiH2粉的颗粒度为20nm～500nm，TiH2粉中间层的厚度为20～50μm。
3、在室温下给母材两端施加400～800MPa的压力，加压时间10～30min，使得TiH2粉中间层的孔隙率可保持在5％～10％之间。
4、将夹装好的焊件置于真空扩散焊机内，加热方式采用感应加热、电阻加热或辐射加热，在真空度为1×10-5～3×10-5Torr真空条件下进行扩散连接，扩散连接工艺参数应按照母材的不同采用相应的扩散连接温度、扩散连接压力和扩散连接时间。由于本发明实现低温活性真空扩散连接的关键取决于能否得到有效的活性Ti，因此在设置焊接工艺热循环曲线时需要在500℃、700℃和800℃分别保温30～60min，如图2所示，以保证TiH2脱氢完全，得到有效的活性Ti。
5、焊接结束后焊件在原真空条件下降温至100℃时撤压，降温到室温时，取出焊件。
具体实施方式
二本实施方式扩散连接母材为SiC陶瓷，SiC陶瓷是在SiC粉中加入2～3wt.％的Al2O3烧结剂后常压烧结而成。扩散连接中间层材料采用TiH2粉，颗粒度为20nm～500nm，最好为20nm～100nm；TiH2粉中间层的厚度为30～50μm。采用电阻加热Gleeble-1500型热/力模拟试验机或辐射加热真空扩散焊机。加热设备均采用油压加压，真空度1×10-5～3×10-5Torr，焊接过程各工艺参数可程序控制和手动控制。SiC母材被焊接表面用400#、500#、600#、800#、1000#金相砂纸逐级磨光，然后放在丙酮溶液中用超声波清洗。把TiH2粉均匀的置于清洗后的待焊母材表面，然后进行夹装，如图1，注意防止焊件的错边。焊件安装完毕后关闭真空室，打开真空泵，待真空度达到1×10-5～3×10-5Torr时，接通电源进行焊接，焊接工艺规范参数曲线如图3。焊接结束后，切断电源，焊件在原真空条件下降温至100℃时撤压，降温到室温时，从真空室中取出焊件，其目的是为了防止焊件在高温下发生氧化。
SiC/TiH2/SiC的扩散连接表明SiC/TiH2/SiC扩散连接接头室温剪切强度可达280～300MPa，比在相同扩散连接温度(1200℃)、扩散连接时间(60min)、扩散连接压力(10MPa)下的SiC/Ti箔/SiC扩散连接接头强度(室温剪切强度为150～160MPa)高近一倍；比在高扩散连接温度条件下(扩散连接温度为1500℃、扩散连接时间60min、扩散连接压力10MPa)连接的SiC/Ti箔/SiC扩散连接接头强度(室温剪切强度为240～250MPa)高10～25％，扩散连接温度降低了300℃，实现了有效的低温活性扩散连接。SiC/TiH2/SiC扩散连接接头断裂发生在接头附近的SiC母材上；接头的界面微观结构为SiC/Ti3SiC2/Ti3SiC2+TiC/Ti3SiC2/SiC。SiC/TiH2/SiC扩散连接接头800℃高温剪切强度可达270～300MPa。
具体实施方式
三本实施方式扩散连接母材为Si3N4陶瓷，是在Si3N4粉中加入2～3wt.％Al2O3和7～8wt.％Y2O3的烧结剂后热压烧结而成。扩散连接中间层材料采用TiH2粉，颗粒度为50nm～200nm，TiH2粉中间层的厚度为50μm。焊接工艺规范参数曲线如图4。其它工艺条件及工艺过程与具体实施方式
二相同。
Si3N4/TiH2/Si3N4的扩散连接表明Si3N4/TiH2/Si3N4扩散连接接头室温剪切强度可达260～280MPa，比在相同扩散连接温度(1400℃)、扩散连接时间(60min)、扩散连接压力(10MPa)下的Si3N4/Ti箔/Si3N4扩散连接接头强度(室温剪切强度为140～150MPa)高出近一倍；比在高温条件下(扩散连接温度为1500℃、扩散连接时间60min、扩散连接压力10MPa)连接的Si3N4/Ti箔/Si3N4扩散连接接头强度(室温剪切强度为180～200MPa)高30～55％，扩散连接温度降低了100℃；接头的界面微观结构为Si3N4/Ti5Si3+TiN+TiSi/Si3N4。Si3N4/TiH2/Si3N4扩散连接接头800℃高温剪切强度可达250～280MPa。
具体实施方式
四本实施方式采用TiH2粉中间层扩散连接Al2O3陶瓷与AISI304不锈钢，其中Al2O3陶瓷纯度为95wt.％，其化学成分见表1。扩散连接中间层材料采用TiH2粉，颗粒度为50nm～100nm；TiH2粉中间层的厚度为50μm。焊接工艺规范参数曲线如图5。不锈钢待焊表面焊前采用化学清洗，酸洗剂采用HNO3和HCl的混合液，其比例为1∶3，酸洗液在使用前24小时内配制，酸洗温度为室温，酸洗时间为30秒。其它工艺条件及工艺过程与具体实施方式
二相同。
Al2O3/TiH2/AISI304不锈钢的扩散连接表明Al2O3/TiH2/AISI304不锈钢扩散连接接头室温剪切强度可达80～100MPa，比采用相同厚度的Ti箔(最佳焊接规范即扩散连接温度900℃、扩散连接时间60min、扩散连接压力15MPa)作为中间层扩散连接的Al2O3/Ti箔/AISI304不锈钢接头强度(室温剪切强度为40～50MPa)高近一倍，扩散连接温度降低了100℃。
表1 Al2O3母材的基本成分(wt.％)
具体实施方式
五本实施方式采用TiH2粉中间层扩散连接Al2O3陶瓷与Kovar合金，其中Al2O3陶瓷纯度为95wt.％，其化学成分见表1，Kovar合金采用4J33，化学成分见表2。扩散连接中间层材料采用TiH2粉，颗粒度为50nm～100nm；TiH2粉中间层的厚度为50μm。焊接工艺规范参数曲线如图6。其它工艺条件及工艺过程与具体实施方式
二相同。
表2 Kovar合金母材的成分(wt.％)
Al2O3/TiH2/Kovar合金的扩散连接表明Al2O3/TiH2/Kovar合金扩散连接接头室温剪切强度可达160～180MPa，比采用相同厚度的Ti箔(最佳焊接规范即扩散连接温度1100℃、扩散连接时间60min、扩散连接压力10MPa)作为中间层扩散连接的Al2O3/Ti箔/Kovar合金接头强度(室温剪切强度为120～150MPa)高10％～50％，扩散连接温度降低了200℃。
具体实施方式
六本实施方式采用TiH2粉中间层扩散连接SiC陶瓷与TC4钛合金(Ti-6Al-4V)，其中SiC陶瓷是在SiC粉中加入2～3wt.％的Al2O3烧结剂后常压烧结而成。扩散连接中间层材料采用TiH2粉，颗粒度为50nm～100nm；TiH2粉中间层的厚度为50μm。焊接工艺规范参数曲线如图7。其它工艺条件及工艺过程与具体实施方式
二相同。
SiC/TiH2/TC4钛合金扩散连接接头室温剪切强度可达300～320MPa。
具体实施方式
七本实施方式采用TiH2粉中间层扩散连接SiC陶瓷与镍基高温合金(GH128)，其中SiC陶瓷是在SiC粉中加入2～3wt.％的Al2O3烧结剂后常压烧结而成。扩散连接中间层材料采用TiH2粉，颗粒度为50nm～100nm；TiH2粉中间层的厚度为50μm。焊接工艺规范参数曲线如图8。其它工艺条件及工艺过程与具体实施方式
二相同。
SiC/TiH2/GH128镍基高温合金扩散连接接头室温剪切强度可达250～280MPa。
具体实施方式
八本实施方式采用TiH2粉中间层扩散连接TiAl基合金，TiAl基合金的化学成分见表3。扩散连接中间层材料采用TiH2粉，颗粒度为300nm～500nm；TiH2粉中间层的厚度为50μm。焊接工艺规范参数曲线如图9。其它工艺条件及工艺过程与具体实施方式
二相同。
TiAl基合金/TiH2/TiAl基合金扩散连接接头室温抗拉强度可达450～480MPa。
表3 TiAl基合金母材的成分(at.％)
具体实施方式
九本实施方式采用TiH2粉中间层扩散连接TiAl基合金与TC4钛合金(Ti-6Al-4V)，TiAl基合金的化学成分见表3。扩散连接中间层材料采用TiH2粉，颗粒度为50nm～100nm；TiH2粉中间层的厚度为50μm。焊接工艺规范参数曲线如图10。其它工艺条件及工艺过程与具体实施方式
二相同。
TiAl基合金/TiH2/TC4钛合金扩散连接接头室温抗拉强度可达420～450MPa。
具体实施方式
十本实施方式采用TiH2粉中间层扩散连接TiAl基合金与SiC陶瓷，SiC陶瓷是在SiC粉中加入2～3wt.％的Al2O3烧结剂后常压烧结而成，TiAl基合金的化学成分见表3。扩散连接中间层材料采用TiH2粉，颗粒度为20nm～50nm；TiH2粉中间层的厚度为50μm。焊接工艺规范参数曲线如图11。其它工艺条件及工艺过程与具体实施方式
二相同。
TiAl基合金/TiH2/SiC陶瓷扩散连接接头室温抗剪切强度可达300～320MPa。
具体实施方式
十一本实施方式采用TiH2粉中间层扩散连接TiAl基合金与Al2O3陶瓷，Al2O3陶瓷化学成分见表1，TiAl基合金化学成分见表3。扩散连接中间层材料采用TiH2粉，颗粒度为50nm～100nm；TiH2粉中间层的厚度为50μm。焊接工艺规范参数曲线如图12。其它工艺条件及工艺过程与具体实施方式
二相同。
TiAl基合金/TiH2/Al2O3陶瓷扩散连接接头室温抗剪切强度可达200～220MPa。
具体实施方式
十二本实施方式采用TiH2粉中间层扩散连接TiAl基合金与C/SiC复合材料，C/SiC复合材料为三维编织碳纤维增韧碳化硅复合材料，TiAl基合金化学成分见表3。扩散连接中间层材料采用TiH2粉，颗粒度为50nm～100nm；TiH2粉中间层的厚度为50μm。焊接工艺规范参数曲线如图13。其它工艺条件及工艺过程与具体实施方式
二相同。
TiAl基合金/TiH2/C/SiC复合材料扩散连接接头室温抗剪切强度可达180～210MPa。
具体实施方式
十三本实施方式采用TiH2粉中间层扩散连接C/SiC复合材料，C/SiC复合材料为三维编织碳纤维增韧碳化硅复合材料。扩散连接中间层材料采用TiH2粉，颗粒度为50nm～100nm；TiH2粉中间层的厚度为50μm。焊接工艺规范参数曲线如图14。其它工艺条件及工艺过程与具体实施方式
二相同。
C/SiC复合材料/TiH2/C/SiC复合材料扩散连接接头室温抗剪切强度可达200～220MPa。
具体实施方式
十四本实施方式采用TiH2粉中间层扩散连接C/SiC复合材料与TC4钛合金，C/SiC复合材料为三维编织碳纤维增韧碳化硅复合材料。扩散连接中间层材料采用TiH2粉，颗粒度为50nm～100nm；TiH2粉中间层的厚度为50μm。焊接工艺规范参数曲线如图15。其它工艺条件及工艺过程与具体实施方式
二相同。
C/SiC复合材料/TiH2/TC4钛合金扩散连接接头室温抗剪切强度可达180～200MPa。
具体实施方式
十五本实施方式采用TiH2粉中间层扩散连接C/C复合材料，C/C复合材料为三维正交增强型C/C复合材料。扩散连接中间层材料采用TiH2粉，颗粒度为50nm～100nm；TiH2粉中间层的厚度为50μm。焊接工艺规范参数曲线如图16。其它工艺条件及工艺过程与具体实施方式
二相同。
C/C复合材料/TiH2/C/C复合材料扩散连接接头室温抗剪切强度可达38～42MPa。
具体实施方式
十六本实施方式采用TiH2粉中间层扩散连接C/C复合材料与TC4钛合金，C/C复合材料为三维正交增强型C/C复合材料。扩散连接中间层材料采用TiH2粉，颗粒度为50nm～100nm；TiH2粉中间层的厚度为50μm。焊接工艺规范参数曲线如图17。其它工艺条件及工艺过程与具体实施方式
二相同。
C/C复合材料/TiH2/TC4钛合金扩散连接接头室温抗剪切强度可达30～32MPa。
权利要求
1.一种低温活性真空扩散连接陶瓷的方法，其特征在于所述方法为a、扩散连接前对母材表面进行物理清理或化学清理；b、把TiH2粉均匀的置于待焊母材的连接面上；c、在室温下给母材两端施加400～800MPa的压力，加压时间10～30min，使得TiH2粉中间层的孔隙率可保持在5％～10％之间；d、将夹装好的焊件置于真空扩散焊机内进行加热，在真空度为1×10-5～3×10-5Torr真空条件下进行扩散连接；e、焊接结束后焊件在原真空条件下降温至100℃时撤压，降温到室温时，取出焊件。
2.根据权利要求1所述的一种低温活性真空扩散连接陶瓷的方法，其特征在于所述物理清理是用400#、500#、600#、800#、1000#金相砂纸逐级磨光。
3.根据权利要求1所述的一种低温活性真空扩散连接陶瓷的方法，其特征在于所述化学清理是根据母材的不同而配制相应的腐蚀液以去除母材表面的吸附层、杂质或氧化膜，然后用丙酮擦拭待焊母材表面或把母材放在丙酮溶液中用超声波清洗。
4.根据权利要求1所述的一种低温活性真空扩散连接陶瓷的方法，其特征在于所述TiH2粉的颗粒度为20nm～500nm。
5.根据权利要求1所述的一种低温活性真空扩散连接陶瓷的方法，其特征在于所述TiH2粉中间层的厚度为20～50μm。
6.根据权利要求1所述的一种低温活性真空扩散连接陶瓷的方法，其特征在于所述加热方式采用感应加热、电阻加热或辐射加热。
7.根据权利要求1所述的一种低温活性真空扩散连接陶瓷的方法，其特征在于所述加热过程中，控制焊接工艺热循环曲线在500℃、700℃和800℃分别保温30～60min。
全文摘要
一种低温活性真空扩散连接陶瓷的方法，属于陶瓷焊接领域。为了解决现有陶瓷扩散连接技术中扩散连接温度高、扩散连接压力大的技术不足，本发明采用TiH
文档编号C04B37/00GK1903795SQ20061001035
公开日2007年1月31日 申请日期2006年8月2日 优先权日2006年8月2日
发明者何鹏, 冯吉才, 王明 申请人:哈尔滨工业大学