专利名称：半导体芯片分割方法
技术领域：
本发明是与将形成于半导体晶圆(wafer)上的芯片(Chip)分离的方法，特别是关于一种以非物理方式将晶圆(wafer)分割成多个芯片(Chip)的方法。
背景技术：
对于将晶圆(wafer)分割成多个芯片(Chip)的技术上，目前均是以物理方式居多，更详细的说，所谓的物理方式就是以刀具锯切或以激光方式切割，例如在美国专利第 6，121，118号，第6，924，210号以及第7，550，367号所揭露的，此等切割方式事实上有不少缺点，就以刀具锯切来说，其最大的缺失就是分割后的芯片周缘会受到破坏或受到锯切后的粉末或粒屑所污染，而以激光分割方式而言，其最大缺点就是分割后的芯片会受到高温切割进行时所生灰烬的污染。再者，此二种切割方式在切割速率上并不理想。
发明内容
本发明的主要目的即是在提供一种一种以非物理方式将晶圆(wafer)分割成多个芯片(Chip)的方法，其不会有前述各物理切割方式所生的缺点。为达成前述的目的，本发明的将晶圆(wafer)分割成多个芯片(Chip)的方法，包含有取用一待切割晶圆以及一支撑用的基板，然后将一以可溶性材质制成的分隔层夹置于该待切割晶圆以及一基板之间，形成一三明治状物。再之，以蚀刻方式将该待切割晶圆形成多个附着于该分隔层上的芯片；继之则是取用一设备，该设备具有一内部空间以及一承载面；然后将该三明治状物以该待切割晶圆朝该承载面的方式固置于该设备的内部空间内； 最后再将一溶解液灌填于该设备的内部空间内用以溶解该分隔层，并使由该待切割晶圆切割而成的各该多个芯片，分别地被承放于该设备的承载面上而完成分割。由前述可知，本发明所提供的切割方法，并不会有切割后的屑粒或者灰烬，而且是各芯片是被同时分割，因此已知分割方法的缺点即可有效的予以解决。
以下列举一较佳实施例并配合附图，对本发明做进一步的详细说明，其中图1是本发明方法的实施步骤中，将一以可溶性材质制成的分隔层夹置于该待切割晶圆以及一基板之间，形成一三明治状物的示意图；图2是本发明方法的实施步骤中，以蚀刻方式将该待切割晶圆形成多个附着于该分隔层上的芯片的示意图；图3是本发明方法的实施步骤中，将图2所示的三明治状物以该已被切割的晶圆朝下的方式固置于一治具的内部空间内的示意图；图4是本发明方法的实施步骤中，将图3所示治具以及其内部的三明治状物浸泡于一含有溶解液的槽体内用以溶解该分隔层的示意图；以及图5是本发明方法的实施步骤中，各该切割后的芯片分别地被承放于该设备的承
3载面上的示意图。
具体实施例方式请参阅各附图，本发明所揭示的方法，实际上可依以下步骤进行，惟必须了解的是此等步骤仅是该方法的一实施例而已。首先，取用一待切割晶圆10，以及一支撑用基板20，本实施例是取用一与待切割晶圆10相同大小的晶圆充当。然后将一分隔层30夹置于待切割晶圆10与基板20之间形成一三明治状物40(如图1所示)。在此必须一提的是，分隔层30是以可被适当化学药剂溶解的材质制成，例如塑料聚合物(Polymer)。接着，是以蚀刻Etching)方式将待切割晶圆10分离成多个的芯片12，此处所提的以蚀刻Etching)方式是众所周知的技术，因此不与详述，但是必须一提的是分离后的各芯片12仍是贴附于分隔层30上(如图2所示)。再之，取用一设备，本实施例是以如图3所示的治具50来进行，治具50具有一上盖52，一底座M以及一位于二者间的容纳空间56。三明治状物40是以待切割晶圆10朝下，也就是说朝向底座M座面542的方式，悬置于上盖52内侧顶面522。另外，于本实施例底座M座面542设有多个的贯孔M4，其作用将于后面说明。继之，如图4所示，是取用一槽体60，其内部盛装有可溶解分隔层30但不会溶解待切割晶圆10与用基板20的液体化学药剂62，然后将图2所示的三明治状物40浸入槽体60 内，此时液体化学药剂62将经由底座M座面542的多个贯孔544进入治具50的容纳空间 56，对分隔层30进行溶解，当分隔层30被完全融解时，分离后的各芯片12将被承载于底座 M座面542上(如图4所示)。另外，必须一提的是液体化学药剂62是视分隔层30的材质而定，由于这方面也是已知技术，本处并不予详述。最后，如图5所示，将治具50自槽体60取出，然后将上盖52打开，即可取出分离后的各芯片12供后续加工用。由前述所知，本发明的方法在实施上均未以锯切或激光方式对待切割晶圆进行加工，因此即不会产生该二已知方法所产生的缺点。
权利要求
1.一种将半导体晶圆分割成多个芯片的方法，包含有如下的步骤取用一待切割晶圆以及一基板；将一以可溶性材质制成的分隔层夹置于该待切割晶圆以及一基板之间，形成一三明治状物；蚀刻该待切割晶圆形成多个附着于该分隔层上的芯片；取用一设备，该设备具有一内部空间以及一承载面；将该三明治状物以该待切割晶圆朝该承载面的方式固置于该设备的内部空间内；将一溶解液灌填于该设备的内部空间内用以溶解该分隔层，并使各该多个芯片被承放于该设备的承载面上而完成分割。
2.如权利要求1所述的将半导体晶圆分割成多个芯片的方法，其中该分隔层包含有一塑料聚合物层。
3.如权利要求1所述的将半导体晶圆分割成多个芯片的方法，其中该设备包含有一治具，该治具具有一上盖，一底座，该上盖与该底座结合后是形成一容纳空间，该底座的座面形成该承载面；该三明治状物是以该待切割晶圆朝该朝该底座的座面的方式固置于该上盖内侧顶面。
4.如权利要求3所述的将半导体晶圆分割成多个芯片的方法，其中该治具的底座设有若干贯孔供该溶解液的灌入与流出。
5.如权利要求4所述的将半导体晶圆分割成多个芯片的方法，其中是将该容置有三明治状物的治具浸入一含有该溶解液的槽体内，使该溶解液可进入该容纳空间对该分隔层进行溶解。
全文摘要
一种将半导体晶圆(wafer)分割成多个芯片(Chip)的方法，包含有取用一待切割晶圆以及一支撑用的基板，然后将一以可溶性材质制成的分隔层夹置于该待切割晶圆以及一基板之间，形成一三明治状物。再之，以蚀刻方式将该待切割晶圆形成多个附着于该分隔层上的芯片；继之则是取用一设备，该设备具有一内部空间以及一承载面；然后将该三明治状物以该待切割晶圆朝该承载面的方式固置于该设备的内部空间内；最后再将一溶解液灌填于该设备的内部空间内用以溶解该分隔层，并使由该待切割晶圆切割而成的各该多个芯片，分别地被承放于该设备的承载面上而完成分割。
文档编号B28D5/00GK102237308SQ20101017403
公开日2011年11月9日 申请日期2010年5月6日 优先权日2010年5月6日
发明者吴名清 申请人:利顺精密科技股份有限公司