专利名称：半导体钛晶节能芯片的制造方法
技术领域：
本发明涉及半导体钛晶节能芯片，尤其涉及一种半导体钛晶节能芯片的制造方法。
背景技术：
石油为地球有限的重要能源之一，其所提炼出来的汽油、柴油等燃油，为交通工具引擎必要的燃料，为了节省能源的运用达到减碳的目的，并降低交通工具的使用成本，如何提升交通工具引擎的燃油利用效率，以最少的燃油，发挥最大的效益，来降低燃油的使用量为相当重要的课题。已知要提升引擎的燃烧效率，已有采用远红外线材料制成的省油零件，该省油零件加挂在引擎外油管上，以借由省油零件所释放出来的远红外线切割燃油为小分子，其可提高燃烧效率，而达到省油的效果，但是已知所采用可以产生远红外线的材质，其释放出来的远红外线量有限且波长较短，因而只能作用在燃油的表面上，无法深入穿透燃油的内部， 导致其切割燃油为小分子的效果有限，无法真正的提高燃油效率，难以满足使用者节能减碳省成本的需求。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一半导体钛晶节能芯片的制造方法，其可以产生穿透力强的远红外线波长来切割油分子细小化，以确切达到节能减碳的目的。为了实现上述目的，本发明为一种半导体钛晶节能芯片的制造方法，其步骤包含一准备程序、一清洗程序与一镀膜程序，其中，该准备程序为准备一可产生远红外线的钛晶玻璃；该清洗程序为将该钛晶玻璃用超音波清洗干净并加以烘干；该镀膜程序为将该钛晶玻璃置入一呈真空的真空腔体中，并用摄氏300-750度的温度使该钛晶玻璃的表面毛细孔扩张以于该钛晶玻璃上植入阻抗在2500-3500微米波长且50-70纳米厚的一氧化金属群， 并于呈真空的真空腔体中将温度降至摄氏-10度使该钛晶玻璃的表面收缩使该氧化金属群形成在该钛晶玻璃的表层内为完成一循环，并重复此一循环多次，即完成该半导体钛晶节能芯片的制作。根据本发明进一步改进的方案，还包含一切割完成程序，该切割完成程序为将镀有氧化金属群的钛晶玻璃切割成所需大小。根据本发明进一步改进的方案，重复该镀膜程序的循环为30-50次之间。根据本发明进一步改进的方案，该氧化金属群为氧化银。根据本发明进一步改进的方案，该氧化金属群为氧化锡。根据本发明进一步改进的方案，该氧化金属群为氧化铝。根据本发明进一步改进的方案，该钛晶玻璃为利用一钛金属植入玻璃经加热结晶而形成。据此，本发明是利用氧化钛于高温加热的同时植入玻璃而形成钛晶玻璃，因而该钛晶玻璃即可借由加热后植入的氧化钛物质来释放远红外线的波长，并具释放光波能量的能力，又于该钛晶玻璃上在高温的真空环境中再溅镀上一层氧化金属群，使该钛晶玻璃与氧化金属群产生键结而产生远红外线长波频率来达到光波能量而将油分子切割，可以深入穿透油料内部使油质分子细小化，进而使油料完全燃烧以提升引擎效率，油料完全燃烧后就无废气排放，引擎亦无积碳，而达到节能减碳的目的。
图1为本发明的制造流程图一；图2为本发明的结构示意图；图3为本发明的制造流程图二；图4为本发明套入长形保护套示意图；以及图5为本发明另一套入方形保护套示意图。
具体实施例方式有关本发明的详细内容及技术说明，现以实施例来作进一步说明，但应了解的是， 该等实施例仅为示例说明之用，而不应被解释为本发明实施的限制。请参阅图1与图2所示，其为本发明的实施例一，本发明为一种半导体钛晶节能芯片的制造方法，其步骤包含一准备程序10、一清洗程序20与一镀膜程序30，其中，该准备程序10为准备一可产生远红外线的钛晶玻璃50，该钛晶玻璃50可以利用一氧化钛(未图示) 植入玻璃经加热结晶而形成，其为使该氧化钛加热至玻璃转换温度并快速冷却以结晶形成该钛晶玻璃50。而该清洗程序20为将该钛晶玻璃50以超音波清洗干净并加以烘干，其目的在于去除该钛晶玻璃50表面的杂质与油脂，以利于后续工艺的进行。又该镀膜程序30为将该钛晶玻璃50置入一呈真空的真空腔体(未图示)中，并以摄氏300-750度的温度使该钛晶玻璃50的表面毛细孔扩张，以于该钛晶玻璃上植入钛晶阻抗在2500-3500微米波长且50-70纳米厚的一氧化金属群60，该氧化金属群60可以选自氧化银、氧化锡或氧化铝等，且其镀膜方式可以选自溅镀、蒸镀等常见的表面镀膜技术，并于呈真空的真空腔体中将温度降至摄氏-10度，使该钛晶玻璃50的表面收缩，使该氧化金属群60形成在该钛晶玻璃50的表层内为完成一循环。本发明重复此一循环多次，亦即使该钛晶玻璃50连续在高温低温的循环中一层一层的镀上该氧化金属群60，即完成该半导体钛晶节能芯片的制作，且为达较佳效果，本发明为进行高温低温循环达到30-50次，2000 微米工艺则镀膜30次，2500微米工艺则镀膜35次，3000微米工艺则镀膜40次，3500微米工艺则镀膜50次，依需求而有不同的工艺，确切可以产生远红外线波长及半导体阻抗放射波长，请参阅图3与图4所示，其为本发明的实施例二，本发明更可以包含一切割完成程序40，该切割完成程序40为将镀有该氧化金属群60的钛晶玻璃50 (即该半导体钛晶节能芯片)切割成所需大小的钛晶玻璃50A并置入一长形保护套70，该长形保护套70为橡胶的软性材质所制成，其可用以保护该钛晶玻璃50A免于外力碰撞而毁损，且该切割的尺寸可以依据实际使用所需的大小加以选择，如要将镀有该氧化金属群60的钛晶玻璃50A直接
4丢入油箱中与油料直接接触，则需要将其宽度切割至可以通过油箱口(未图示)或维修口 (未图示)以满足所需。请再参阅图5所示，其为另一形状的方形保护套80，该方形保护套80于四边角各设有一保护凸缘81，并于中心处设有一保护凸柱82，该方形保护套80可穿套另一对应尺寸的钛晶玻璃50B，并通过该保护凸缘81与该保护凸柱82保护该钛晶玻璃50B，以避免该钛晶玻璃50B因撞击而损坏。如上所述，本发明是利用氧化钛于高温加热的同时植入玻璃而形成钛晶玻璃50， 因而该钛晶玻璃50即可借由加热后植入的氧化钛物质来释放远红外线的波长，并具释放光波能量的能力，又于该钛晶玻璃50上在高温的真空环境中再溅镀上一层氧化金属群60 的物质群，氧化金属群60可为氧化银、氧化锡或氧化铝等，使该钛晶玻璃50与氧化金属群 60产生键结而产生远红外线长波频率来达到光波能量而将油分子切割，使油质分子细小化，进而使油料完全燃烧以提升引擎效率，油料完全燃烧后就无废气排放，引擎亦无积碳， 而达到节能减碳的目的。
权利要求
1.一种半导体钛晶节能芯片的制造方法，其特征在于，包含以下步骤一准备程序(10)，所述准备程序(10)为准备一可产生远红外线的钛晶玻璃；一清洗程序(20)，所述清洗程序00)为将所述钛晶玻璃用超音波清洗干净并加以烘干；以及一镀膜程序(30)，所述镀膜程序(30)为将所述钛晶玻璃置入一呈真空的真空腔体中， 并用摄氏300-750度的温度使所述钛晶玻璃的表面毛细孔扩张，以于所述钛晶玻璃上植入阻抗在2500-3500微米波长且50-70纳米厚的氧化金属群(60)，并于呈真空的真空腔体中将温度降至摄氏-10度，使所述钛晶玻璃的表面收缩，使得所述氧化金属群(60)形成在所述钛晶玻璃的表层内从而完成一循环，并重复此一循环。
2.根据权利要求1所述的半导体钛晶节能芯片的制造方法，其特征在于，还包含一切割完成程序(40)，所述切割完成程序00)为将镀有所述氧化金属群(60)的钛晶玻璃切割成所需大小。
3.根据权利要求1所述的半导体钛晶节能芯片的制造方法，其特征在于，重复所述镀膜程序(30)的循环为30-50次之间。
4.根据权利要求1所述的半导体节能芯片的制造方法，其特征在于，所述氧化金属群 (60)为氧化银。
5.根据权利要求1所述的半导体节能芯片的制造方法，其特征在于，所述氧化金属群 (60)为氧化锡。
6.根据权利要求1所述的半导体节能芯片的制造方法，其特征在于，所述氧化金属群 (60)为氧化铝。
7.根据权利要求1所述的半导体节能芯片的制造方法，其特征在于，所述钛晶玻璃为利用一钛金属植入玻璃经加热结晶而形成。
全文摘要
一种半导体钛晶节能芯片的制造方法，其步骤包含一准备程序、一清洗程序、一镀膜程序与一切割完成程序，其中该准备程序为准备一可产生远红外线的钛晶玻璃；该清洗程序为将该钛晶玻璃以超音波清洗干净并加以烘干；该镀膜程序为将该钛晶玻璃置入一呈真空的真空腔体中，并以摄氏300-750度的温度使该钛晶玻璃的表面毛细孔扩张，以于该钛晶玻璃上植入该钛晶阻抗在2500-3500微米波长且50-70纳米厚的一氧化金属群，并于呈真空的真空腔体中将温度降至摄氏-10度，使该钛晶玻璃的表面收缩使得该氧化金属群形成在该钛晶玻璃的表层内为完成一循环，并重复此一循环多次直至满足所需规格即完成该半导体钛晶节能芯片的制作，并可借该切割完成程序加以切割成所需的大小。
文档编号C03C17/23GK102442786SQ20101050947
公开日2012年5月9日 申请日期2010年10月8日 优先权日2010年10月8日
发明者杨炯耀 申请人:中科半导体科技有限公司