专利名称：晶圆切割制程的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种半导体制程，且特别是有关于一种晶圆切割制程。
背景技术：
随着科技日新月异，集成电路(integrated circuits, IC)元件已广泛地应用于我们日常生活当中。一般而言，集成电路的生产主要分为三个阶段半导体晶圆(wafer)的制造、集成电路的制作及集成电路的封装。此外，在半导体晶圆上制造集成电路之后，会对半导体晶圆进行切割以形成多个芯片(chip)。一般来说，上述的切割制程通常是先于晶圆的正面贴附研磨贴片(grindingtape)，并研磨晶圆的背面，以减少晶圆的厚度。然后，移除研磨贴片。接着，于晶圆的背面贴附第一切割贴片(saw tape)，并切割晶圆的正面，以于晶圆的正面上形成切割道。而后， 移除第一切割贴片。之后，于晶圆的正面贴附第二切割贴片，并切割晶圆的背面，以形成多个芯片。然而，在上述的切割制程中，在切割晶圆的背面之后往往会产生背崩(chipping)现象，即在切割晶圆的背面而形成多个芯片之后芯片会彼此碰撞或者因切割应力而造成芯片的背面受损，因而影响所形成的芯片的品质。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的就是在提供一种晶圆切割制程，其可解决晶圆因背崩而损坏的问题。本发明提出一种晶圆切割制程，其先提供晶圆。晶圆具有正面与背面。然后，于晶圆的正面贴附研磨贴片，并预切割(pre-cutting)晶圆的背面，以于晶圆的背面上形成多个切割道。接着，研磨晶圆的背面，以减少晶圆的厚度与切割道的深度。而后，移除研磨贴片。之后，于晶圆的背面贴附第一切割贴片，并切割晶圆的正面，以形成多个彼此分离的芯片。依照本发明实施例所述的晶圆切割制程，上述的晶圆例如具有多个凸块(bump)，且这些凸块阵列排列于晶圆的正面。依照本发明实施例所述的晶圆切割制程，上述的预切割晶圆的背面的方法例如是先将贴附有研磨贴片的晶圆置于第二切割贴片上，其中研磨贴片与第二切割贴片接触。之后，于晶圆的背面上形成切割道。依照本发明实施例所述的晶圆切割制程，在预切割晶圆的背面之后，还可以移除第二切割贴片。依照本发明实施例所述的晶圆切割制程，上述的预切割晶圆的背面的方法例如是进行激光切割、机械切割或蚀刻。依照本发明实施例所述的晶圆切割制程，上述的研磨贴片例如是在晶圆被研磨之后被移除。
在本发明中，在对晶圆的背面进行预切割之后，对晶圆的背面进行研磨，以移除晶圆的背面因背崩而造成的损坏，因此可形成具有良好品质的芯片。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下。
图IA至图IE为依照本发明实施例所绘示的晶圆切割制程的剖面示意图。主要元件符号说明100:晶圆100a:正面 IOOb :背面102:凸块104 :研磨贴片106、112:切割贴片108 :切割道110:区域114:芯片
具体实施例方式图IA至图IE为依照本发明实施例所绘示的晶圆切割制程的剖面示意图。首先，请参照图1A，提供晶圆100。晶圆100具有正面IOOa与背面100b。正面IOOa为主动表面，其上具有多个凸块102。凸块102例如为银凸块、铜金凸块或金凸块。凸块102例如是阵列排列于晶圆100的正面IOOa上。然后，于晶圆100的正面IOOa上贴附研磨贴片104。请参照图1B，将贴附有研磨贴片104的晶圆100置于切割贴片106上，使研磨贴片104与切割贴片106接触。之后，进行预切割步骤，切割晶圆100的背面100b，以于晶圆100的背面IOOb上形成多个切割道108。切割晶圆100的背面IOOb的方法例如是进行激光切害I]、机械切割(例如使用切割刀)或蚀刻。需要注意的是，在此步骤中，并未将晶圆100切割成多个分离的芯片，亦即切割道108并未贯穿晶圆100。此外，在形成切割道108之后，晶圆100的背面IOOb可能会因切割应力的影响而在区域110处产生损坏，此即为熟知的背崩现象。接着，请参照图1C，移除切割贴片106。之后，研磨晶圆100的背面100b，以减少晶圆100的厚度与切割道108的深度。特别一提的是，在研磨晶圆100的背面IOOb之后，因背崩而在区域110处造成的损坏已一并被移除，因而解决了先前技术中所形成的芯片的背面受损的问题。而后，请参照图1D，移除研磨贴片104。然后，于晶圆100的背面IOOb贴附切割贴片 112。之后，进行切割步骤，对应于晶圆100的背面IOOb上的切割道108，切割晶圆100的正面100a，以形成多个彼此分离的芯片114。特别一提的是，在切割晶圆100的正面IOOa时，若使用切割刀来进行切割，则所使用的切割刀的宽度大于切割晶圆100的背面IOOb时所使用的切割刀的宽度。综上所述，在本发明的晶圆切割制程中，先对晶圆的背面进行预切割再切割晶圆的正面来形成多个芯片，且在预切割之后对晶圆的背面进行研磨。如此一来，晶圆的背面因背崩而造成的损坏可在研磨的过程中被移除，因而可形成具有良好品质的芯片。虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当以权利要求所界定的为准。
权利要求
1.一种晶圆切割制程，包括 提供晶圆，该晶圆具有正面与背面； 于该晶圆的该正面贴附研磨贴片，并预切割该晶圆的该背面，以于该晶圆的该背面上形成多个切割道； 研磨该晶圆的该背面，以减少该晶圆的厚度与该些切割道的深度； 移除该研磨贴片；以及 于该晶圆的该背面贴附第一切割贴片，并切割该晶圆的该正面，以形成多个彼此分离的芯片。
2.如权利要求I所述的晶圆切割制程，其特征在干，该晶圆具有多个凸块，且该些凸块阵列排列于该晶圆的该正面。
3.如权利要求I所述的晶圆切割制程，其特征在于，预切割该晶圆的该背面的方法包括 将贴附有该研磨贴片的该晶圆置于第二切割贴片上，其中该研磨贴片与该第二切割贴片接触；以及 于该晶圆的该背面上形成该些切割道。
4.如权利要求3所述的晶圆切割制程，其特征在于，预切割该晶圆的该背面的方法更包括 在预切割该晶圆的该背面之后，移除该第二切割贴片。
5.如权利要求I所述的晶圆切割制程，其特征在于，预切割该晶圆的该背面的方法包括进行激光切割、机械切割或蚀刻。
6.如权利要求I所述的晶圆切割制程，其特征在于，该研磨贴片是在该晶圆被研磨之后被移除。
全文摘要
一种晶圆切割制程，其是先提供晶圆。晶圆具有正面与背面。然后，于晶圆的正面贴附研磨贴片，并预切割晶圆的背面，以于晶圆的背面上形成多个切割道。接着，研磨晶圆的背面，以减少晶圆的厚度与切割道的深度。而后，移除研磨贴片。之后，于晶圆的背面贴附切割贴片，并切割晶圆的正面，以形成多个彼此分离的芯片。
文档编号B28D5/00GK102693941SQ20111017914
公开日2012年9月26日 申请日期2011年6月20日 优先权日2011年3月25日
发明者陈崇龙 申请人:南茂科技股份有限公司