介电陶瓷及具备其的介质滤波器的制造方法

介电陶瓷及具备其的介质滤波器的制造方法
【专利摘要】提供一种采用不含有稀土类的材料、具有40～46的相对介电常数εr、且使Qf值提高的介电陶瓷及具备其的介质滤波器。介电陶瓷由在组成式表示为αZrO2·βTiO2·γZnO·δNb2O5时，摩尔比α、β、γ、δ满足0.3000≤α≤0.5500、0.3300≤β≤0.6000、0.0108≤γ≤0.0717、0.0193≤δ≤0.1283、α+β+γ+δ＝1及0.5<γ/δ≤1的烧结体构成，且在烧结体表面的至少一部分存在有Zn浓度5％以上的部分。
【专利说明】介电陶瓷及具备其的介质滤波器
【技术领域】
[0001]本发明涉及在便携式电话的中继基站或BS天线中使用的介电陶瓷及具备该介电陶瓷的介质滤波器。
【背景技术】
[0002]在便携式电话的中继基站或BS天线等中组入有具备介电陶瓷的介质滤波器。作为该介电陶瓷要求的介电特性，由于向介质滤波器的要求特性的差异而相对介电常数er各种各样，但在各个相对介电常数中，要求Qf值(根据圆柱谐振器法(国际标准IEC61338-1-3(1999))在3.5~4.5GHz的频率下进行测定，根据在微波介质中通常成立的(Q值)X(测定频率f)=恒定的关系换算为IGHz的值较高。并且，作为这样的介电陶瓷，采用了包含La-Al-Ca-Ti系等稀土类元素的材料。但是，由于环境限制、生产制限、输出限制等，最近以来的稀土类元素的原料价格高涨，故寻求由不包含稀土类元素的材料构成的介电特性优越的介电陶瓷。
[0003]并且，作为这样的由不包含稀土类元素的材料构成的介电陶瓷，提出以Zr、Ti两成分、从由Mg、Co、Zn、N1、Mn构成的A组中选择出的至少一种的成分及从由Nb、Ta构成的B组中选择出的至少一种的成分的复合氧化物作为主成分的电介质瓷器(参考专利文献I)。
[0004]【在先技术文献】
[0005]【专利文献】
[0006]【专利文献I】日本特开平6-295619号公报
【发明内容】

[0007]【发明所要解决的课题】
[0008]但是，在本发明中，寻求一种由不包含稀土类元素的材料构成、且Qf值进一步高的介电陶瓷。
[0009]本发明是为满足上述要求而作出的，其目的在于，提供一种由不包含稀土类元素的材料构成、具有40~46的相对介电常数、且使Qf值提高的介电陶瓷及具备该介电陶瓷的介质滤波器。
[0010]【用于解决课题的手段】
[0011]本发明的介电陶瓷的特征在于，由烧结体构成，该烧结体在主成分的组成式表示为a ZrO2.β TiO2.Y Zn0.δ Nb2O5 时，摩尔比 α、β、1-、δ 分别满足 0.3000 大于 α 大于 0.5500、0.3300 大于 β 大于 0.6000,0.0108 ^ y ^ 0.0717,0.0193 大于 δ 大于 0.1283、α+β + 1- + δ =1 及0.5<1-/δ ( 1，且在烧结体表面的至少一部分存在有Zn浓度5%以上的部分。
[0012]另外，本发明的介质滤波器的特征在于，具备:上述结构的介电陶瓷；与该介电陶瓷进行电磁场耦合，被从外部输入电气信号的输入端子；与所述介电陶瓷进行电磁场耦合，选择性地输出与所述介电陶瓷的谐振频率对应的电气信号的输出端子。
[0013]【发明效果】[0014]根据本发明的介电陶瓷，通过由烧结体构成，该烧结体在主成分的组成式表示为a ZrO2.β TiO2.Y Zn0.δ Nb2O5 时，摩尔比 α、β、y、δ 分别满足 0.3000 ≤ α ≤0.5500、0.3300 ≤ β ≤ 0.6000,0.0108 ≤ y ≤ 0.0717,0.0193 ≤ δ ≤ 0.1283、α+β + y + δ =I及0.5〈 y / δ ≤1，且在烧结体表面的至少一部分存在有Zn浓度5%以上的部分，由此相对介电常数ε r为40~46，与在烧结体表面的至少一部分不存在Zn浓度5%以上的部分时相比，能够使Qf值提高。
[0015]另外，根据本发明的介质滤波器，通过具备相对介电常数ε r为40~46、且使Qf值提高的本发明的介电陶瓷；与该介电陶瓷进行电磁场耦合，被从外部输入电气信号的输入端子；与所述介电陶瓷进行电磁场耦合，选择性地输出与所述介电陶瓷的谐振频率对应的电气信号的输出端子，由此能够形成为性能良好且可靠性高的介质滤波器。
【专利附图】

【附图说明】
[0016]图1是表示本实施方式的介质滤波器的一例的剖视图。
【具体实施方式】
[0017]以下，关于本实施方式的介电陶瓷的一例进行说明。
[0018]本实施方式的介电陶瓷的特征在于，由烧结体构成，该烧结体在主成分的组成式表示为a ZrO2.β TiO2.Y Zn0.δ Nb2O5时，摩尔比α、β、Υ、δ分别满足 0.3000 ≤ α ≤ 0.5500,0.3300 ≤ β ≤ 0.6000,0.0108 ≤y ≤ 0.0717、0.0193 ≤ δ≤0.1283、α+β + y + δ =1及0.5〈/3 ≤ I，且在烧结体表面的至少一部分存在有Zn浓度5%以上的部分。需要说明的是，在本实施方式的介电陶瓷中，所谓“主成分”，是指在将构成介电陶瓷的总成分设为100质量％时95质量％以上的成分，尤其优选是指98质量％以上的成分。
[0019]另外，在本实施方式中，所谓“烧结体表面”，是指形成烧结体的外侧的面。另外，在以下，也往往关于上述的摩尔比的数值范围、Y和δ的关系式等记载为组成范围。
[0020]并且，在满足上述的主成分的组成范围的烧结体中，相对介电常数ε为40~46，Qf值成为36000以上。在不满足上述的主成分的组成范围中的任一者的情况下，相对介电常数ε、Qf值中的任一者无法满足上述的值。尤其是，在y/δ的值为0.5以下时，难以获得烧结体，即便获得，也成为相对介电常数较小且Qf值较低的烧结体。另外，当Υ/δ的值超过I时,成为Qf值较低的烧结体。因此,满足0.5〈y/δ≤I极为重要。
[0021]接着，关于相对介电常数及Qf值的测定方法及算出方法进行说明。关于相对介电常数Sr而言，为根据圆柱谐振器法(国际标准IEC61338-1-3(1999))，在3.5~
4.5GHz的频率下测定出的值。另外，Qf值为根据在微波介质中通常成立的(Q值)X (测定频率f)=恒定的关系，换算为IGHz下的值时的值。
[0022]并且，本实施方式的介电陶瓷除了主成分满足上述的组成范围以外，还在烧结体表面的至少一部分存在有Zn浓度5%以上的部分，由此与在烧结体表面的至少一部分不存在Zn浓度5%以上的部分时相比，能够使Qf值提高。此处，关于能够使Qf值提高的理由并不明确，但可认为是作为介电损失较低的成分的Zn大量存在于烧结体表面的原因。
[0023]在此，关于在烧结体表面的至少一部分是否存在有Zn浓度5%以上的部分的确认方法进行说明。关于烧结体的任意的表面，利用电子射线微型分析器，根据加速电压15kV、照射电流2.0X 10_7A、照射时间30ms的条件进行Zn的测定。此时,关于Zn浓度,通过采用电子射线微型分析器进行测定，由此能够根据与Zn浓度明确的标准试样的特性X射线强度的比较来掌握Zn浓度。
[0024]另外，本发明的介电陶瓷优选前述组成式的摩尔比α、β、Y、δ满足 0.3500 < α < 0.4000,0.4800 < β < 0.5300,0.0358 ^ y ^ 0.0538、0.0642 < δ < 0.0963、α+β + + δ = 1,0.5385 ( Y / δ < 0.7647。在满足上述的摩尔比的数值范围及Y和5的关系时，相对介电常数ε为42~44，可以使Qf值为40000以上。
[0025]另外，本实施方式的介电陶瓷优选烧结体表面中的Zn浓度5%以上的部分的面积占有率为0.1%以上且5%以下。需要说明的是，该Zn浓度可以与上述的方法同样地通过采用电子射线微型分析器进行测定来确认。并且，在烧结体表面中的Zn浓度5%以上的面积占有率为0.1%以上且5%以下时，可以使Qf值的提高率为5%以上。需要说明的是，所谓“Qf值的提高率”，是指在作为相同的组成范围的烧结体中，将在烧结体表面的至少一部分不存在Zn浓度5 %以上的部分时的烧结体的Qf值作为分母，并将在烧结体表面的至少一部分存在有Zn浓度5%以上的部分时的烧结体的Qf值作为分子而由百分率表示的数值。
[0026]需要说明的是，关于Zn浓度5%以上的部分的面积占有率的测定方法，可以采用电子射线微型分析器，关于介电陶瓷(烧结体)表面中的Zn进行测定，并根据将检测出的Zn的特性X射线强度记录于X-Y坐标中而得到的颜色映射结果，将Zn浓度为5%以上的部分的面积除以观察视野的总面积，由此算出面积占有率。
[0027]另外，本实施方式的介电陶瓷优选相对于主成分100质量％，以CaO换算时包含超过0.01质量％且0.3质量％以下的Ca。在以CaO换算时包含超过0.01质量％且0.3质量％以下的Ca时，能够形成为使Qf值进一步提高、并且在广范围的温度域中具有稳定的介电特性的介电陶瓷。
[0028]需要说明的是，广范围的温度域中的介电特性的稳定程度可以采用表示谐振频率相对于温度的变化的温度系数Tf，借助低温域和高温域中的谐振频率的温度系数Tf的差Λ Tf的大小来进行确认。
[0029]在此，作为低温域及高温域各自的谐振频率的温度系数τ f,对-40~80°C的温度范围中的谐振频率进行测定，将以20°C下的谐振频率为基准而算出的-40~20°C (低温域)的谐振频率的温度系数设为Tfl(ppm/°C)df20~8(rC (高温域)的谐振频率的温度系数设为τ f2 (ppm/°C )，从τ fl中减去τ f2并由绝对值表示的数值为Λ τ f。
[0030]另外，本实施方式的介电陶瓷优选包含Mo、Ce或者Y之中一种以上的氧化物，相对于主成分100质量％，以分别换算为Mo03、CeO2, Y2O3时的值的合计计时包含0.3质量％以下(除O质量％以外)。由此，能够维持较高的Qf值，且同时使Λ Tf为2以下。
[0031]在此，关于可以使Λ τ?.为2以下的、即在广范围的温度域中可以减小谐振频率的变化的方面，理由并不明确，但可认为是通过在由Zr、T1、Zn、Nb的氧化物构成的主结晶中固溶有MoO3、CeO2或者Y2O3之中一种以上，由此对由温度引起的谐振频率的变化加以抑制。
[0032]另外，在制造工序中的调合时，在包含Mo、Ce或者Y之中一种以上的氧化物时，这些物质作为烧结助剂发挥作用，从而能够促进烧结，故能够使烧成温度下降，并能够抑制烧成时容易蒸发的Zn成分的蒸发。由此，能够减小调合组成和烧结体组成的差，故形成为为了形成所期望的烧结体组成而考虑了 Zn成分的蒸发量的调合组成的需要变少。
[0033]另外，在本实施方式的介电陶瓷中优选包含S1、Al、Mn及Cu之中至少一种的氧化物，相对于主成分100质量％，以分别换算为Si02、A1203、MnO2及CuO时的值的合计计时包含0.005质量％以上且0.2质量％以下。在上述的范围内包含这些物质时，理由并不明确，但能够提高陶瓷密度。
[0034]另外，本实施方式的介电陶瓷优选在将2 θ =30.5°~30.6°中的(Zra4Tia6)O2的X射线衍射强度设为I1、将2 θ = 35.0°~35.5°中的Zn2TiO4的X射线衍射强度设为I2时，I2ZI1为0.1以上且2.0以下。通过I2A1为0.1以上且2.0以下，能够使Qf值进一步地提闻。
[0035]另外，本实施方式的介电陶瓷优选包含--χΝΙνχ02(0.04 ^ X ^ 0.2)的结晶相。在包含X满足0.04以上且0.2以下的范围的TixNbhO2的结晶相时，能够使相对介电常数ε r提闻。
[0036]需要说明的是，关于Zn2TiO4及TixNlvxO2的结晶相，可以采用X射线衍射装置(Bruker AXS公司制D8ADVANC)，对本发明的介电陶瓷表面照射CuK α射线，获得由检测器扫描CuKa射线的衍射方向与射入方向的角度差(2 Θ )和X射线衍射强度而得到的结果即X射线衍射图表，并根据JCPDS表格进行鉴定，由此来进行确认。另外，通过采用所获得的X射线衍射强度，能够求出12/%。
[0037]接着，关于构成介电陶瓷的各成分的含量的测定方法进行说明。首先，将介电陶瓷粉碎，从获得的粉状体中称量所期望量并将其溶解于盐酸等溶液中，然后采用ICP(Inductively Coupled Plasma)发光光谱分析装置(岛津制作所制:ICPS_8100)进行测定，并对获得的各成分的金属量进行氧化物换算，从而能够求得。另外，可以采用此处求出的Zr02、TiO2, ZnO、Nb2O5的值，并根据各自的分子量来算出摩尔比。需要说明的是，在本实施方式的介电陶瓷中，构成介电陶瓷的总成分100质量％之中的、作为Zn的含量的Zn浓度为0.68%~4.0 %的范围，但在烧结体表面的至少一部分存在有Zn浓度为5%以上的部分。
[0038]另外，本实施方式的介电陶瓷优选陶瓷密度为4.95g/>i3以上。如果陶瓷密度为
4.95g/cm3以上，则成为具有在烧成后的研磨加工时较少产生欠缺或裂纹等的机械特性的介电陶瓷。需要说明的是，关于该陶瓷密度，以JISR1634-1998为基准进行测定即可。
[0039]接着，根据作为表示具备本实施方式的介电陶瓷的介质滤波器的一例的剖视图的图1，在以下进行说明。
[0040]如图1所不,本实施方式的TE模制型的介质滤波器I具有金属壳体2、输入端子
3、输出端子4、介电陶瓷5及载置台6。金属壳体2由轻量的铝等金属构成，输入端子3及输出端子4设置在金属壳体2的内壁的相对置的两侧。另外，介电陶瓷5由本实施方式的介电陶瓷构成。并且，介电陶瓷5配置在输入端子3与输出端子4之间，分别与输入端子3及输出端子4进行电磁场f禹合。在这样的介质滤波器I中，从外部向输入端子3输入电气信号，在金属壳体2内产生磁场，介电陶瓷5以特定的频率发生谐振，并将与该谐振频率对应的电气信号从输出端子4输出。如此,介质滤波器I能够选择性地输出与介电陶瓷的谐振频率对应的电气信号。[0041]需要说明的是，不局限于TE模制，也可以设为TM模制、TEM模制或者多重模制。另外，介质滤波器1的结构不局限于上述的结构，也可以将输入端子3及输出端子4直接设置在介电陶瓷5上。另外，介电陶瓷5为由本实施方式的介电陶瓷构成的规定形状的谐振介质，但其形状可以为筒状体、长方体、立方体、板状体、圆板、圆柱、多棱柱或者其他能够谐振的立体形状。另外，所输入的高频信号的频率为500MHz~500GHz左右，且作为谐振频率为500MHz~iOGHz左右在实际运用上是优选的。
[0042]并且，在本实施方式的介质滤波器I中，由于具备相对介电常数εr为40~46、使Qf值提高的本实施方式的介电陶瓷，因此能够形成为性能良好且可靠性高的介质滤波器。
[0043]接着，关于本实施方式的介电陶瓷的制造方法的一例进行说明。
[0044]首先，作为原始材料使高纯度的氧化锆(ZrO2)、氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)及氧化铌(Nb2O5)成为所期望的比例而进行称量后，与纯水一同放入使用了氧化锆球等的球磨机中，进行1~50小时的湿式混合及粉碎直至平均粒径成为2 μ m以下，由此获得I次原料。
[0045]在此，为了设为在烧成后包含TixNlvxO2 (0.04≤X≤0.2)的结晶相而介电特性良好的结构，在将作为原始材料的氧化锆(ZrO2)的粒径设为A、将氧化钛(TiO2)及氧化铌(Nb2O5)的粒径设为B时，将粒径比A/Β设为0.61~1.38的范围内即可。由此，氧化钛(TiO2)和氧化铌(Nb2O5)的在预烧工序中的反应性变高，从而能够在烧成后使TixNVxO2 (0.04≤X≤0.2)的结晶相存在。
[0046]接着，在对该I次原料进行干燥后，例如在1050°C以上且1200°C以下的温度下预烧1~10小时，且通过球磨机等进行湿式粉碎直至平均粒径成为2 μ m以下、优选平均粒径成为1μm以下。然后，移入不锈钢容器，在干燥后，通过网筛来获得预烧粉状体。需要说明的是，关于预烧，也可以在1000°C左右下进行，但在本实施方式中，通过将预烧温度设为10500C以上且1200°C以下，由此提高了由Zr、T1、Zn、Nb的氧化物构成的主结晶的合成度。
[0047]另外，氧化钙(CaO)可以在预烧前、预烧后的任一方中添加。进而，在添加氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳酸锰(MnCO3)、氧化铜(CuO)时，向预烧粉状体中添加即可。
[0048]接着，利用球磨机等向预烧粉状体添加纯水而在规定时间下以湿式的方式进行粉碎，向其添加粘合剂之后，利用喷雾式干燥机进行喷雾造粒而获得2次原料。然后，采用该2次原料，借助模具冲压法、冷静水压冲压成形法、挤压成形法等成形为任意的形状来获得成形体。然后，将获得的成形体在大气气氛中，在例如1200°C以上且1350°C以下的最高温度下保持30分钟~10小时进行烧成之后，从最高温度以小于20°C /hr的降温速度降温至700°C，之后，根据需要实施研磨加工，由此能够获得本实施方式的介电陶瓷。
[0049]在此，将烧成中的最高温度设为1200°C以上且1350°C以下的原因在于，使介电陶瓷的密度提高，获得所期望的相对介电常数、Qf值。需要说明的是，当最高温度超过1350°C时，熔点较低的Zn成分有可能蒸发，难以获得所期望的相对介电常数、Qf值，另外结晶的粒成长过快而机械特性显示降低倾向，故并不优选。
[0050]另外，将从最高温度到700°C的降温速度设为小于20°C /hr的原因在于，若将降温速度设为20°C /hr以上，则在烧结体表面的至少一部分无法存在Zn浓度5%以上的部分。如此，从最高温度到700°C的降温速度可认为是对Zn成分向烧结体表面的移动作出很大贡献的因素。作为从最高温度到700°C的降温速度的更优选的范围，为5~15°C /hr，如果处于该范围内，则能够将烧结体表面的电子射线微型分析器测定中的Zn浓度5%以上的面积占有率设为0.1%以上且5%以下。
[0051]另外，在将2 Θ = 30.5°~30.6°中的(Zra4Tia6)O2的X射线衍射强度设为1:、将2Θ =35.0°~35.5°中的Zn2TiOJ^ X射线衍射强度设为I2时，为了使I2A1作为0.1以上且2.0以下来获得更加良好的介电特性，将到达1200°C以上且1350°C以下的最高温度为止的升温速度设为20°C /hr以上且250°C /hr以下的范围内即可。
[0052]并且，通过上述的制造方法获得的本实施方式的介电陶瓷能够形成为在烧结体表面的至少一部分存在有Zn浓度5%以上的部分、相对介电常数ε r为40~46、且Qf值高达36000以上的介电陶瓷。
[0053]并且，通过上述的制造方法制成的本实施方式的介电陶瓷能够作为选择性地输出与介电陶瓷的谐振频率对应的电气信号的滤波器来使用。另外，本实施方式的介电陶瓷除了滤波器以外，还可以使用在MIC(Monolithic Integrated Circuit)用介质基板、介质波导或者层叠型陶瓷电容器之中。
[0054]【实施例1】
[0055]制作各种变更了主成分的组成范围及烧成时的降温速度的试样，进行了介电特性的比较。以下说明制造方法及介电特性测定方法的详细情况。
[0056]作为原始材料，准备了纯度为99.5%以上的氧化锆(ZrO2)、氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)及氧化铌(Nb2O5)的各粉末。接着，使烧结体组成成为表1的比例(摩尔比)而采用各粉末进行了称量。然后，将称量了的氧化锆(ZrO2)、氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)及氧化铌(Nb2O5)与纯水一同放入使用了氧化锆球等的球磨机中，进行湿式混合及粉碎直至平均粒径成为2 μ m以下，由此获得I次原料。
[0057]接着，在对该I次原料进行干燥后，在1100 °C下预烧2小时，将预烧后的I次原料通过球磨机进行湿式混合及粉碎直至平均粒径成为I μ m。然后，将湿式混合及粉碎后的浆料移入不锈钢容器进行干燥后，通过网筛来获得预烧粉状体。
[0058]接着，利用使用了氧化锆球的球磨机，向预烧粉状体添加纯水并以湿式的方式进行了粉碎。之后，添加5质量％的粘合剂进一步地进行混合，利用喷雾式干燥机进行喷雾造粒来获得2次原料。
[0059]接着，采用该2次原料，通过模具冲压成形法来获得φ'20ιηηι、高度15_的圆柱体的成形体。然后，将获得的成形体在大气中在1300°C的最高温度下保持2小时进行烧成，之后，使从最高温度到700°C的降温速度以表1所示的条件进行冷却，由此获得试样N0.1~37的介电陶瓷。需要说明的是，试样N0.2~6、9~13、17~21和试样N0.23~37是在同样的组成中使从最高温度到700 V的降温速度不同的试样。
[0060]另外，采用电子射线微型分析器，对作为各试样的烧结体表面中的Zn浓度进行确认，在表1中示出了 Zn浓度5%以上的部分的存在的有无。需要说明的是，测定条件是在加速电压15kV、照射电流2.0X 10_7A、照射时间30ms下进行了测定。
[0061]另外，关于试样N0.1~37，进行了相对介电常数ε r的测定及向Qf值的换算。相对介电常数ε r通过圆柱谐振器法(国际标准IEC61338-1-3(1999))在频率3.5~4.5GHz下进行了测定。Qf值根据在微波介质中通常成立的(Q值)X (测定频率f)=恒定的关系，换算为IGHz下的Qf值。另外，将关于试样N0.23~37获得的Qf值作为分子，并将与试样N0.23~37对应、在同样的组成中降温速度不同并在烧结体的表面不存在Zn浓度5%以上的部分的试样N0.2~6、9~13、17~21各自的Qf值作为分母，从而算出Qf值的提高率，并将该Qf值的提闻率不于表1。
[0062]另外，将各试样粉碎，从获得的粉状体中称量所期望量并将其溶解于盐酸等溶液，然后采用ICP发光光谱分析装置(岛津制作所制:ICPS-8100)进行测定，并对获得的各成分的金属量进行氧化物换算，算出氧化锆(ZrO2)、氧化钛(TiO2)、氧化锌(ZnO)及氧化铌(Nb2O5)的摩尔比，结果示于表1。需要说明的是，关于各摩尔比，为在小数点第5位处进行了四舍五入而得到的值，关于Y/S，为将采用四舍五入前的摩尔比的值而算出的值在小数点第5位处进行了四舍五入而得到的值。
[0063] 【表1】
[0064]
【权利要求】
1.一种介电陶瓷，其特征在于， 由烧结体构成，该烧结体在主成分的组成式表示为QZrO2.β TiO2.YZn0.δ Nb2O5时，摩尔比α、β、gamma、δ满足下述内容，且在烧结体表面的至少一部分存在有Zn浓度5%以上的部分，
0.3000 ≤ a ≤ 0.5500
0.3300 ≤ β ≤ 0.6000
0.0108 ≤ y ≤ 0.0717
0.0193 ≤ δ ≤ 0.1283
α + β + y + δ = I
0.5<gamma/δ ≤ I。
2.如权利要求1所述的介电陶瓷，其特征在于， 所述组成式的摩尔比α、β、gamma、δ满足下述内容，
0.3500 ≤ a ≤ 0.4000
0.4800 ≤ β ≤ 0.5300
0.0358 ≤ gamma ≤ 0.0538
0.0642 ≤ δ ≤ 0.0963
α + β + gamma + δ = I
0.5385 < gamma/ δ < 0.7647。
3.如权利要求1或2所述的介电陶瓷，其特征在于， 所述烧结体表面中的Zn浓度5%以上的部分的面积占有率为0.1%以上且5%以下。
4.如权利要求1~3中任一项所述的介电陶瓷，其特征在于， 相对于所述主成分100质量％，以CaO换算时包含超过0.01质量％且0.3质量％以下的Ca。
5.如权利要求1~3中任一项所述的介电陶瓷,其特征在于， 包含Mo、Ce或者Y之中一种以上的氧化物，相对于所述主成分100质量％，以分别换算为Mo03、CeO2, Y2O3时的值的合计计时包含0.3质量％以下且除O质量％以外。
6.如权利要求1~5中任一项所述的介电陶瓷,其特征在于， 包含S1、Al、Mn及Cu之中至少一种的氧化物，相对于所述主成分100质量％，以分别换算为Si02、Al203、Mn02及CuO时的值的合计计时包含0.005质量％以上且0.2质量％以下。
7.如权利要求1~6中任一项所述的介电陶瓷,其特征在于， 在将2Θ =30.5。~30.6。中的(Zra4Tia6)O2的X射线衍射强度设为I1、将2 Θ =35.0°~35.5°中的Zn2TiO4的X射线衍射强度设为I2时，I2A1为0.1以上且2.0以下。
8.如权利要求1~7中任一项所述的介电陶瓷，其特征在于， 包含TixNVxO2的结晶相，其中，0.04≤X≤0.2， 效果:因结晶相的存在而带来的er的上升。
9.一种介质滤波器，其特征在于，具备: 权利要求1~8中任一项所述的介电陶瓷； 输入端子，其与该介电陶瓷进行电磁场耦合，被从外部输入电气信号； 输出端子，其与所述介电陶瓷进行电磁场耦合，选择性地输出与所述介电陶瓷的谐振频率对应的电气信号 。
【文档编号】C04B35/49GK103492346SQ201280019702
【公开日】2014年1月1日 申请日期:2012年4月25日 优先权日:2011年4月25日
【发明者】丰田谕史, 竹之下英博, 小松刚士 申请人:京瓷株式会社