用于切割衬底的工作台的制作方法

一个或更多个实施方式涉及用于切割衬底的方法和设备。

背景技术：

通常，显示装置的示例包括有机发光显示器、液晶显示器(lcd)、电泳显示器(ed)、表面传导电子发射显示器(sed)、真空荧光显示器(vfd)等。

显示设备可以用于移动装置，如智能手机、平板个人计算机、膝上型计算机、数字摄像机、摄像放像机和个人数字助理(pda)，或者用于电子产品，如纤薄电视机、显示器和广告面板中。

最近，已经进行了制造更纤薄显示设备的研究。在这些显示设备中，便携并且能够应用于具有各种形状的装置的柔性显示设备已经作为下一代显示设备受到关注。例如，已经研究了利用有机发光显示器的柔性显示设备。

显示设备会经历切割过程。在切割过程期间，通过切割衬底产生的杂质应该被去除。

在这个背景技术部分内公开的信息是本发明人在实现本发明构思之前已知的或者是在实现本发明构思的过程中获得的技术信息。因此，它可以包含不形成对于本领域普通技术人员而言已知的现有技术的信息。

技术实现要素：

一个或更多个实施方式包括用于切割衬底的工作台以及衬底切割设备，其通过有效地去除在衬底切割期间产生的杂质并减少或最小化衬底的污染而提高制造显示设备的生产率。

额外的方面将在随后的描述中部分地给出，且部分将从该描述明显或可以通过所给出的实施方式的实践而习知。

根据一个或更多个实施方式，用于切割衬底的工作台包括：多个单元区域，每个单元区域包括第一开口；在单元区域的外侧的边缘区域，边缘区域包括第二开口，该第二开口具有比第一开口的直径大的直径；在单元区域中的相邻单元区域之间的哑区域；以及在单元区域的所述相邻单元区域中的一个与哑区域之间或者在其中一个单元区域与边缘区域之间的切割沟槽。

工作台还可以包括连接到切割沟槽的排出管路，并且该排出管路可以被构造成将杂质从切割沟槽排出。

切割沟槽可以在哑区域的相反侧。

排出管路可以沿着切割沟槽延伸，并可以在每个单元区域的外侧。

工作台可以还包括：在单元区域的一侧连接到第一开口的第一抽吸空间；以及在边缘区域的一侧连接到第二开口的第二抽吸空间。

排出管路可以与第一抽吸空间和第二抽吸空间间隔开。

哑区域可以包括第三开口，该第三开口可以具有比第一开口的直径大且比第二开口的直径小的直径。

工作台还可以包括在哑区域的一侧连接到第三开口的第三抽吸空间。

边缘区域还可以包括：沿着单元区域的外侧延伸的第一狭缝；以及朝向第一狭缝的外侧延伸的第二狭缝。

至少一个单元区域的边缘可以没有第一开口。

根据一个或更多个实施方式，衬底切割设备包括：用于容纳衬底的工作台；以及用于将激光束辐射到衬底上的激光器模块。工作台包括：多个单元区域，每个单元区域包括第一开口；在单元区域的外侧的边缘区域，边缘区域包括第二开口，该第二开口具有比第一开口的直径大的直径；在单元区域中的相邻单元区域之间的哑区域；以及在单元区域的所述相邻单元区域中的一个与哑区域之间或者在其中一个单元区域与边缘区域之间的切割沟槽。激光束沿着切割沟槽辐射到衬底上。

工作台还可以包括连接到切割沟槽的排出管路，并且排出管路可以被构造成排出在激光器模块将激光束辐射到衬底上时产生的杂质。

切割沟槽可以在哑区域的相反侧。

排出管路可以沿着切割沟槽延伸，并可以在每个单元区域的外侧。

衬底切割设备还可以包括：在单元区域的一侧连接到第一开口的第一抽吸空间；以及在边缘区域的一侧连接到第二开口的第二抽吸空间。

排出管路可以与第一抽吸空间和第二抽吸空间分离开。

哑区域可以包括第三开口，且第三开口可以具有大于第一开口的直径且小于第二开口的直径的直径。

衬底切割设备还可以包括在哑区域的一侧连接到第三开口的第三抽吸空间。

边缘区域还可以包括：沿着单元区域的外侧延伸的第一狭缝以及朝向第一狭缝的外侧延伸的第二狭缝。

至少一个单元区域的边缘可以没有第一开口。

附图说明

这些和/或其它方面将从下面结合附图给出的实施方式的描述中变得清楚和更容易理解，在图中：

图1是根据实施方式的衬底切割设备的透视图；

图2是图1所示的用于切割衬底的工作台(stage)的平面图；

图3是图2中所示的用于切割衬底的工作台的部分平面的透视图；

图4a是图2的区域a的放大图；

图4b是图2的区域b的放大图；

图4c是图2的区域c的放大图；

图5是沿着图2的线v-v截取的横截面图；

图6是示出图1所示的衬底切割设备的操作状态的横截面图；

图7是根据另一实施方式的图2的单元区域的平面图；

图8是通过利用图1所示的衬底切割设备制造的显示设备的子像素的横截面图。

具体实施方式

现在详细参照实施方式，其示例在附图中示出。所给出的实施方式可以具有不同形式，而不应理解为局限于在此阐述的描述。于是，示例性实施方式仅通过参照附图在下面描述，以说明本描述的各个方面。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项目的任何和全部组合。诸如“至少一个”的表达方式，在一列元件之前时，修饰整列元件而不修饰该列中的个别元件。而且，术语“示例性的”意在涉及示例或图示。而且，如在此使用的，术语“使用”、“正使用”和“被使用”可以被认为分别与术语“利用”、“正利用”和“被利用”是具有相同涵义。

下面，相同的附图标记表示相同或基本上类似的元件，且可以省略它们的重复描述。为了说明的方便，在附图中的元件的尺寸可以被夸大，且由于图中的部件的尺寸和厚度为了说明的方便可以被任意示出，所以下面的实施方式并不局限于此。

将理解，虽然术语第一、第二、第三等可以在此用于描述各种元件、组件、区域、层和/或区段，但是这些元件、组件、区域、层和/或区段不应被这些术语限制。这些术语被用于将一个元件、组件、区域、层或区段与另一元件、组件、区域、层或区段区分开。因而，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一区段可以称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二区段，而不背离示例性实施方式的教导。

为了便于描述，在此使用空间关系术语，如“在……下面”、“在……之下”、“下部”、“在……之上”、“上部”等，来描述一个元件或特征与另一元件(其它元件)或特征(其它特征)如图中所示的关系。将理解，该空间关系术语意在涵盖除了图中描述的取向之外该装置在使用或操作中的其它不同取向。例如，如果图中的装置被颠倒，则被描述为“在”其它元件或特征“之下”或“下面”的元件将取向为“在”其它元件或特征“之上”或“上方”。因而，术语“在……之下”可以涵盖之上和之下的取向。该装置可以其它方式取向(旋转90度或以其它取向)，且在此使用的空间关系描述语应被相应地解释。

如在此使用的，单数形式旨在也包括复数形式，除非上下文清楚地另有所指。将进一步理解，在此使用的术语“包括”、“包括……的”、“包含”和/或“包含……的”表明所述特征或组件的存在，但是并不排除一个或更多其它特征或组件的存在或加入。

将理解，当元件或层被称为“在……上”、“形成在……上”、“连接到”、或者“联接到”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上、直接形成在所述另一元件或层上、直接连接到或联接到所述另一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。当元件被称为“直接在……上”、“直接形成在……上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，没有中间元件或层存在。例如，当第一元件被描述为“联接”或“连接”到第二元件时，第一元件可以直接联接或连接到第二元件，或第一元件可以通过一个或更多个中间元件间接联接或连接到第二元件。

在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不局限于直角坐标系的三个轴，而是可以在更宽的含义下解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直或可以表示彼此不垂直的不同方向。

根据在此描述的本发明的实施方式，控制器和/或任何其它相关装置或组件可以利用任何适当的硬件、固件(例如专用集成电路)、软件和/或软件、固件和硬件的适当组合来实现。例如，控制器的各种组件可以形成在一个集成电路(ic)芯片上或在分离的ic芯片上。此外，控制器的各种组件可以在柔性印刷电路膜、载带封装(tcp)、印刷电路板(pcb)上形成，或者形成在与控制器相同的衬底上。此外，控制器的各种组件可以是用于执行在此描述的各种功能的，在一个或更多个处理器上运行的、在一个或更多个计算装置内运行的、执行计算机程序指令和与其它系统组件相互作用的过程或线程。计算机程序指令被存储在存储器内，该存储器可以在计算装置内利用标准存储装置如例如随机存取存储器(ram)来实现。计算机程序指令也可以被存储在其它非瞬态计算机可读取介质诸如例如cd-rom、闪存驱动器等中。而且，本领域技术人员将认识到各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以跨一个或更多个其它计算装置分布，而不背离本发明的示例性实施方式的范围。

当特定实施方式能够不同地实现时，特定的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时(例如，共同地)执行或以与所描述顺序相反的顺序执行。

图1是根据实施方式的衬底切割设备10的透视图。

参照图1，衬底切割设备10可以包括衬底1被装载到其上的工作台100、在工作台100之上的激光器模块200(例如，激光器)、以及用于控制激光器模块200的控制器300。

衬底1可以被装载到工作台100上用于切割。工作台100可以包括连接到第一吸入管路l1(例如第一真空管路)的第一抽吸单元v1(例如第一真空或第一泵)、连接到第二吸入管路l2(例如第二真空管路)的第二抽吸单元v2(例如第二真空或第二泵)、连接到第三吸入管路l3(例如第三真空管路)的第三抽吸单元v3(例如第三真空或第三泵)、以及连接到第四吸入管路l4(例如第四真空管路)的第四抽吸单元v4(例如第四真空或第四泵)。下面将给出这些组件的进一步描述。

激光器模块200可以包括用于发射激光束的激光束发生器以及在激光束的路径上(例如与激光束的路径对准)的光学系统(例如透镜)。激光束发生器可以包括固态激光器，如红宝石激光器、玻璃激光器、钇铝石榴石(yag)激光器、氟化钇锂(ylf)激光器等，气态激光器，如准分子激光器、氦(he)-氖(ne)激光器等，或脉冲激光器。

光学系统可以位于由激光束发生器产生的激光束的路径中。光学系统可以包括用于使激光束的形状均匀化的均化器或者用于聚焦激光束的聚光透镜。激光束可以通过透过或穿过光学系统而变成特定形状，如线、四边形等。

而且，光学系统可以包括安装在激光束的路径中的一个或更多个镜子，使得该镜子改变激光束的角度或方向。所述镜子可以包括电流镜(galvanomirror)，该电流镜可以根据输入电压线性改变或调整角度，或包括反射镜。

控制器300可以控制激光器模块200的位置(例如移动)和/或被发射的激光束的集中度(strength)和强度。控制器300可以移动激光器模块200，使得激光束沿着工作台100的切割沟槽单元140(例如切割沟槽或切割沟槽区域)被照射到衬底1上。激光器模块200可以沿着x轴和y轴移动。

而且，控制器300可以调节激光束的集中度，使得激光束能够切割衬底1。控制器300可以根据特定(例如预定的或存储的)值或根据由操作者输入的值控制从激光束发生器发射的激光束的集中度和强度。

图2是图1中所示的用于切割衬底1的工作台的平面图。图3是图2中所示的用于切割衬底1的工作台的局部平面的透视图。图4a是图2的区域a的放大图，图4b是图2的区域b的放大图，图4c是图2的区域c的放大图。图5是沿着图2的线v-v截取的横截面图。

参照图2至5，用于切割衬底1的工作台可以包括单元区域110、边缘区域120、哑区域130和切割沟槽单元140。

工作台100可以包括多个单元区域110。单元区域110的数量没有限制，并且可以根据衬底1的尺寸改变和/或选择。但是，下面，为了说明方便，将描述其中工作台100包括八个单元区域110的实施方式作为示例。

每个单元区域110是工作台100的一区域，在该区域，要被切割以用于显示设备的一部分衬底1被吸到工作台100上。单元区域110可以具有多个第一开口113。第一开口113的数量没有限制，并可以根据被切割的衬底(例如，要被切割的一部分衬底1)的尺寸来确定。

第一开口113可以包括第一端部111和第二端部112，该第一端部111相对于工作台100的表面敞开，第二端部112相对于第一抽吸部分115(例如第一抽吸空间)敞开。第一端部111的直径可以小于第二端部112的直径(例如第一开口113可以是锥形的或具有锥形形状)。第一端部111可以形成为具有比第二端部112小的直径，以便作用为吸嘴。通过具有比第二端部112小的直径，第一端部111可以将衬底1牢固地吸到工作台100上。

而且，由于第一端部111的直径小于第二端部112的直径，所以当衬底1被吸到单元区域110上时，由于该抽吸而在衬底1上发生的包括刮痕、弯曲、折叠等的接触污染可以减少。

第一抽吸部分115可以位于所述多个单元区域110之下(例如，可以在所述多个单元区域110之下延伸)。第一抽吸部分115连接到第二吸入管路l2。第二吸入管路l2连接到第二抽吸单元v2。因而，当第二抽吸单元v2被驱动时，第二抽吸单元v2从第一抽吸部分115和第一开口113去除(例如吸入)空气。因而，衬底1可以在第一开口113处被吸到工作台100上。

所述多个单元区域110中的每个可以包括第一抽吸部分115。所述多个第一抽吸部分115可以通过歧管彼此连接，并且该歧管可以连接到第二抽吸单元v2。在第一抽吸部分115处的吸力(例如在第一抽吸部分115内的内部压力)可以通过第二抽吸单元v2调节。在另一实施方式中，每个第一抽吸部分115可以连接到第二抽吸单元v2。

边缘区域120可以位于所述多个单元区域110的外侧(例如可以围绕所述多个单元区域110)。装载的衬底1的一部分(例如衬底1的要被激光束去除的部分)被吸到边缘区域120上。

边缘区域120可以包括第二开口121、第一狭缝122和第二狭缝123。第二开口121、第一狭缝122和第二狭缝123连接到第二抽吸部分125(例如第二抽吸空间)(例如与第二抽吸部分125连通)。

多个第二开口121可以位于边缘区域120内。第二开口121的直径可以大于第一开口113的直径。例如，第二开口121的直径可以大于第一开口113的第一端部111的直径。第二开口121可以形成为具有比第一开口113的直径大的直径，以增加在边缘区域120处衬底1向工作台100的吸力。由于被吸到边缘区域120的部分衬底1在衬底切割过程期间被去除，所以第二开口121的直径可以相对大。具有相对大的直径的第二开口121增大了吸力，这可以防止在衬底1被激光束切割时衬底1的扭曲或振动。

第一狭缝122可以沿着单元区域110的外侧(例如可以围绕单元区域)定位。第一狭缝122可以形成在边缘区域120的与单元区域110相邻的区域中，并可以沿着单元区域110的外侧延伸。第一狭缝122可以允许衬底1附着到边缘区域120，该边缘区域120邻近切割沟槽单元140。

第一狭缝122平行于切割沟槽单元140延伸，并具有可以增加在边缘区域120处衬底1的吸力的相对大的开口。因而，当衬底1被激光束切割时，可以减小或防止衬底1的扭转或振动，从而可以准确地执行切割衬底1的工艺。

第二狭缝123可以从第一狭缝122延伸。第二狭缝123可以允许衬底1在邻近切割沟槽单元140的区域中附着到工作台100。

第二抽吸部分125可以连接到第二开口121、第一狭缝122和第二狭缝123(例如第二开口121、第一狭缝122和第二狭缝123中的每个可以与第二抽吸部分125连通)。第二抽吸部分125可以位于边缘区域120之下(例如可以在边缘区域120之下延伸)。第二抽吸部分125连接到第三吸入管路l3。第三吸入管路l3连接到第三抽吸单元v3。因而，当第三抽吸单元v3被驱动时，第三抽吸单元v3从第二抽吸部分125、第二开口121、第一狭缝122和第二狭缝123去除空气。因而，衬底1可以在第二开口121、第一狭缝122和第二狭缝123处被吸到工作台100。

边缘区域120可以分成多个区段，且边缘区域120的每个区段可以包括第二抽吸部分125。第二抽吸部分125可以彼此连接。在第二抽吸部分125处的吸力可以通过第三抽吸单元v3调节。每个第二抽吸部分125也可以连接到第三抽吸单元v3，该第三抽吸单元v3控制在每个第二抽吸部分125处的吸力。

而且，边缘区域120可以形成沿着工作台100的外部部分循环的流动路径。例如，边缘区域120可以不分成多个区段，且第二抽吸部分125可以形成为一个流动路径。在一个实施方式中，第二抽吸部分125可以连接到第三抽吸单元v3。在边缘区域120处的吸力可以通过第三抽吸单元v3调节。

哑区域130可以在所述多个单元区域110之间。哑区域130可以在其中一个单元区域110和邻近所述其中一个单元区域110的另一单元区域110之间。哑区域130的数量没有限制，并可以根据单元区域110的数量而变化或改变。图2中所示的工作台100包括十个哑区域130。但是，本发明并不局限于此。例如，当单元区域110的数量增加时，哑区域130的数量可以增加，并且当单元区域110的数量减少时，哑区域130的数量可以减少。

被吸到哑区域130的部分衬底1是余量(margin)区域，并利用激光束被去除。该余量区域增加了衬底1的切割表面的品质。

切割沟槽单元140可以位于哑区域130的两侧(例如在相反两侧)。当激光束沿着切割沟槽单元140移动时，衬底1的对应于哑区域130的部分可以被从其它部分的衬底1切去或分离。

哑区域130可以具有第三开口131。多个第三开口131可以位于哑区域130处。第三开口131可以沿着哑区域130的长度方向布置。第三开口131的直径可以大于第一开口113的第一端部111的直径并小于第二开口121的直径。

第三开口131可以增加衬底1向哑区域130的吸力。这种衬底1向哑区域130的增大的吸力可以减小或防止在衬底1被激光束切割时衬底1的扭转和振动。于是，衬底切割工艺可以精确地进行。

第三抽吸部分135(例如第三抽吸空间)可以连接到第三开口131(例如与第三开口131连通)。第三抽吸部分135可以位于哑区域130之下(例如可以在哑区域130之下延伸)。第三抽吸部分135连接到第四吸入管路l4。第四吸入管路l4连接到第四抽吸单元v4。因而，当第四抽吸单元v4被驱动时，第四抽吸单元v4从第三抽吸部分135和第三开口131去除空气。因而，衬底1可以在第三开口131处被吸到工作台100。

所述多个哑区域130中的每个可以包括第三抽吸部分135。第三抽吸部分135可以通过歧管彼此连接，并且该歧管可以连接到第四抽吸单元v4。在第三抽吸部分135处的吸力可以通过第四抽吸单元v4调节。在另一实施方式中，每个第三抽吸部分135可以连接到第四抽吸单元v4。

切割沟槽单元140可以是从激光器模块200发射的激光束的路径。切割沟槽单元140可以在单元区域110和哑区域130之间和/或在单元区域110和边缘区域120之间。

在单元区域110和哑区域130之间的切割沟槽单元140内，第一沟槽141和第二沟槽142可以沿着哑区域130的两侧(例如相反两侧)定位。当激光束被照射到第一沟槽141和第二沟槽142上时，衬底1可以被分成用于产品的多个单元部分，且衬底1的在该单元部分之间的部分被去除。第一沟槽141和第二沟槽142可以通过连接单元144(例如连接器或开口)连接到排出管路145(例如可以与排出管路145连通)。

第三沟槽143可以在单元区域110和边缘区域120之间。当激光束照射到第三沟槽143上时，衬底1可以分成单元部分和外部部分。单元部分可以用在产品中，并且外部部分可以被去除。第三沟槽143连接到排出管路145(例如与排出管路145连通)。

排出管路145可以连接到切割沟槽单元140，并可以从切割沟槽单元140排出杂质。排出管路145可以沿着切割沟槽单元140形成在所述多个单元区域110中的每一个之下(例如，在所述多个单元区域110中的每一个之下延伸)。

排出管路145可以与第一抽吸部分115、第二抽吸部分125和第三抽吸部分135分离，以便防止排出管路145中的杂质流入单元区域110、边缘区域120和哑区域130中。

排出管路145可以通过第一吸入管路l1连接到第一抽吸单元v1。当第一抽吸单元v1运行时，切割沟槽单元140内的杂质可以收集在排出管路145内，并可以被收集在第一抽吸单元v1的集尘器中。

第一抽吸单元v1是用于从排出管路145去除空气或杂质的装置。例如，第一抽吸单元v1可以包括用于调节开口的电磁阀、用于提供吸力的真空泵、以及用于存放被收集的杂质的集尘器。

参照图4a和4c，切割沟槽单元140可以包括延伸到边缘区域120内的延伸沟槽146。延伸沟槽146可以提供用于激光束的进一步移动空间，并因而，衬底切割工艺可以被更容易地执行。参照图4b，哑区域130可以在四个相邻的单元区域110彼此相交的区域处形成+形状。

参照图5，第一开口113、第二开口121和第三开口131的相对尺寸被示出。

第一开口113的第一端部111的直径d1可以小于第二开口121的直径d2且小于第三开口131的直径d3。第一开口113的第一端部111的相对小的直径d1可以减小或防止对衬底1的损坏(例如刮擦、弯曲、折叠等)，对衬底1的损坏会在衬底1附着到工作台100上时由于来自第一抽吸部分115的吸力而发生。当第一开口113的第一端部111具有相对小的直径d1时，附着到单元区域110上的衬底1的品质可以提高。

第二开口121的直径d2可以大于第一开口113的第一端部111的直径d1并大于第三开口131的直径d3。第二开口121可以具有相对大的直径d2，使得当从第二抽吸部分125抽吸空气时，衬底1的边缘附着到工作台100。当第二开口121的直径d2大于第一开口113的第一端部111的直径d1和第三开口131的直径d3时，衬底1的边缘可以固定到工作台100，使得在切割衬底1的工艺期间，可以减小或防止衬底1的扭转或振动。

第三开口131的直径d3可以大于第一开口113的第一端部111的直径d1。然而，第三开口131的直径d3可以小于第二开口121的直径d2。第三开口131的直径d3可以大于第一开口113的第一端部111的直径d1以便确保衬底1在哑区域131处的部分被吸到工作台100上。而且，第三开口131的直径d3可以小于第二开口121的直径d2，使得在哑区域130内被切割的衬底1的尺寸减小或最小化，以便减少从衬底1切割掉的材料。

第一开口113可以以第一吸力抽吸衬底1，第二开口121可以以第二吸力抽吸衬底1，第三开口131可以以第三吸力抽吸衬底1。在一个实施方式中，第一吸力可以小于第二吸力或第三吸力。而且，第二吸力可以大于第一吸力或第三吸力。而且，第三吸力可以大于第一吸力且小于第二吸力。

图6是示出图1中所示的衬底切割设备10的操作状态的横截面图。

参照图3和6，下面将进一步描述通过排出管路145去除在切割衬底时产生的杂质的过程。

上保护膜2结合到其上形成显示单元和封装层的衬底1(例如结合到衬底1的上表面上)，且下保护膜3结合在衬底1的下表面上。上保护膜2和下保护膜3可以防止衬底1被外部材料污染。

当衬底1被装载到工作台100上时，单元区域110通过连接到第一开口113的第二抽吸单元v2抽吸，且边缘区域120通过连接到第二开口121、第一狭缝122和第二狭缝123的第三抽吸单元v3抽吸。哑区域130通过连接到第三开口131的第四抽吸单元v4抽吸。

当激光器模块200发射激光束时，激光束沿着第一沟槽141和第二沟槽142移动以切割衬底1。当衬底1、上保护膜2和/或下保护膜3被切割时，会产生如烟雾或颗粒的杂质。

杂质可以穿过第一沟槽141和第二沟槽142并移动到排出管路145。排出管路145连接到第一抽吸单元v1，由此杂质可以被收集在第一抽吸单元v1中。

在被切割的衬底1中，上保护膜2和下保护膜3可以被去除，且滤色器可以结合在衬底1上。

排出管路145和第一抽吸单元v1可以去除在衬底切割工艺期间产生的杂质。杂质的这种去除可以提高显示设备的产量、耐久性和可靠性。

图7是根据另一实施方式的与图2中所示的单元区域110类似的单元区域110a的平面图。

参照图7，单元区域110a可以形成为使得单元区域110a的边缘不包括任何第一开口113。对准标记或快速响应(qr)码可以被包括在衬底1的与单元区域110a的边缘对应的部分处。为了防止对准标记或qr码由于一个或更多个第一开口113而被污染(例如扭曲或变形)，单元区域110a的该边缘可以不包括任何第一开口113。

图8是通过利用图1所示的衬底切割设备10制造的显示设备500的子像素的横截面图。

在一个实施方式中，子像素可以包括有机发光器件(oled)和至少一个薄膜晶体管(tft)。tft不局限于图8所示的结构，并且其数量和结构可以变化。参照图8，显示设备500可以包括衬底510、显示单元d、封装层e和保护层p。

衬底510可以包括柔性绝缘材料。例如，该衬底510可以包括包含聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、聚醚砜(pes)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸(pen)、聚芳酯(par)、玻璃纤维加强塑料(frp)等的聚合物衬底。

根据一个实施方式，衬底510可以包括具有允许弯曲的厚度的玻璃衬底(例如柔性玻璃衬底)。在另一实施方式中，衬底510可以包括金属材料。衬底510可以是透明的、半透明的或不透明的。

包括有机化合物和/或无机化合物的缓冲层520可以进一步形成在衬底510上。缓冲层520可以阻挡氧和水，并可以平坦化衬底510的表面。

缓冲层520可以包括无机材料，如硅氧化物(siox)、硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sioxny)、铝氧化物(alox)和铝氮化物(alxny)，或者有机材料，如丙烯(acryl)、聚酰亚胺和聚酯。

tft可以形成在缓冲层520上。根据一个实施方式，tft是顶栅晶体管。然而，tft可以包括其它结构，并例如可以是底栅晶体管。

在有源层530以特定(例如，预定)图案形成在缓冲层520上之后，有源层530被栅绝缘层540覆盖。有源层530可以包括漏极区域531、源极区域533以及在漏极区域531和源极区域533之间的沟道区域532。

有源层530可以包括各种材料。例如，有源层530可以包括无机半导体材料，如非晶硅或晶体硅。作为另一示例，有源层530可以包括氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以包括来自12、13和14族的金属元素如锌(zn)、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、镉(cd)、锗(ge)和铪(hf)或其组合的材料的氧化物。在下面描述的实施方式中，有源层530包括非晶硅。

对应于有源层530的栅电极550和覆盖栅电极550的层间绝缘层560形成在栅绝缘层540上。

在接触开口h1(例如接触孔)形成在层间绝缘层560和栅绝缘层540中后，源电极571和漏电极572分别形成在层间绝缘层560上以接触源极区域533和漏极区域531。

钝化层570形成在tft上，且oled的像素电极581形成在钝化层570上。

像素电极581可以包括透明电极(例如半透明或部分透明的电极)或反射电极。当像素电极581是透明电极时，像素电极581可以包括例如铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、锌氧化物(zno)、氧化铟(in2o3)、铟镓氧化物(igo)或者铝锌氧化物(azo)。当像素电极581是反射电极时，像素电极581可以包括包含银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或其化合物的反射层以及包含ito、izo、zno或in2o3的层。然而，像素电极581的结构和材料并不局限于此，而是可以改变。

像素电极581通过形成在钝化层570中的开口h2(例如过孔)接触tft的漏电极572。钝化层570可以包括单个层，或可以是包括无机材料和/或有机材料的多层结构。钝化层570可以形成为平坦化层以平坦化钝化层570之下的层，其中，钝化层570之下的所述层的曲率可以变化。在另一实施方式中，钝化层570可以与钝化层570之下的所述层的曲率相对应地弯曲。钝化层570可以包括透明绝缘体，以便提供共振效果。

在像素电极581形成在钝化层570上后，可以形成像素限定层590。像素限定层590可以包括有机材料和/或无机材料，以覆盖像素电极581和钝化层570。开口形成在像素限定层590中以暴露像素电极581。

然后，中间层582和相对电极583形成在至少像素电极581上。

像素电极581作用为阳极，且相对电极583作用为阴极。然而，像素电极581和相对电极583的极性可以是相反的。

像素电极581和相对电极583通过中间层582彼此绝缘，且不同极性的电压被施加到中间层582，使得光从有机发射层发出。

中间层582可以包括该有机发射层。根据另一实施方式，中间层582可以包括该有机发射层，并可以进一步包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。

根据上述实施方式，有机发射层包括在每个像素中的发光材料。但是，本发明构思并不局限于此。在其它实施方式中，有机发射层可以共同形成在所有像素中，与像素的位置无关。在一个实施方式中，有机发射层可以包括包含发射红色、绿色和蓝色光的发光材料的垂直叠置层或组合层。而且，有机发射层可以具有发射白色光的其它颜色组合物。在一些实施方式中，可以包括将发出的白色光转变成另一颜色的光的颜色转变层或滤色器。

在显示单元d形成在衬底510上之后，封装层e可以形成在显示单元d上。封装层e可以包括多个无机层，或可以包括无机层和有机层。

例如，封装层e的有机层可以包括聚合物，并可以包括包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和/或聚丙烯酸酯的单个层或叠置层。在一个实施方式中，有机层可以包括聚丙烯酸酯。例如，有机层可以包括包含基于二丙烯酸酯的单体和基于三丙烯酸酯的单体的聚合单体组合物。单体组合物可以进一步包括基于单丙烯酸酯的单体。而且，单体组合物可以进一步包括光引发剂，如tpo。但是，本发明并不局限于此，且单体组合物可以包括环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯和聚丙烯酸酯。

封装层e的无机层可以包括包含金属氧化物和/或金属氮化物的单层或叠置层。例如，无机层可以包括二氧化硅(sio2)、硅氮化物(sinx)、氧化铝(al2o3)、二氧化钛(tio2)、氧化锆(zrox)和/或氧化锌(zno)。

封装层e的暴露于环境的最上层可以包括无机层以防止水渗透到oled中。

封装层e可以包括夹层结构，其中至少一个有机层插入至少两个无机层之间。作为另一示例，封装层e可以包括夹层结构，其中，至少一个无机层插入至少两个有机层之间。例如，封装层e可以在oled上按顺序依次包括第一无机层u1、第一有机层o1、第二无机层u2、第二有机层o2、第三无机层u3和第三有机层o3。

包括氟化锂(lif)的卤化金属层可以被进一步包括在oled和第一无机层u1之间。卤化金属层可以在通过溅射形成第一无机层u1时防止对oled的损坏。

第一有机层o1的面积(例如表面积)可以小于第二无机层u2的面积(例如表面积)，且第二有机层o2的面积(例如，表面积)可以小于第三无机层u3的面积(例如表面积)。

但是，封装层e不局限于此，且可以包括其中无机层和有机层以各种顺序层叠的任何适当结构。

保护层p可以形成在封装层e上。保护层p可以通过各种方法形成。例如，保护层p可以通过溅射、离子束沉积、蒸镀、化学气相沉积等形成。

保护层p可以包括包含sinx、sioxny、tiox、tinx、tioxny、zrox、tanx、taox、hfox和alox的金属基氧化物或氮化物。

保护层p可以形成为完全覆盖或围绕封装层e的侧表面。因而，保护层p可以通过保护封装层e免受水或氧气影响而增加封装层e的寿命。

显示设备500可以是柔性显示设备和/或刚性显示设备。

如上所述，根据一个或更多个实施方式，用于切割衬底的工作台以及衬底切割设备可以通过对应于衬底的区域布置不同尺寸的开口来改善衬底切割工艺的效率。用于切割衬底的工作台和衬底切割设备也可以通过经排出管路排出在衬底切割工艺期间产生的杂质而提高被切割的衬底的耐久性。

应该理解，在此描述的实施方式应该仅以描述的意义来考虑而非用于限制目的。在每个示例性实施方式中的特征或方面的描述应典型地被认为可用于其它示例性实施方式中的其它类似特征或方面。而且，虽然已经参照附图描述了一个或更多个示例性实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由权利要求书及其等价物限定的精髓和范围的情况下，可以在细节和形式上做出各种变化。

本申请要求2015年10月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0151095号的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用结合于此。