一种新型保温砖的制作方法

文档序号:16963673发布日期:2019-02-26 17:24阅读:220来源:国知局
一种新型保温砖的制作方法

本实用新型涉及建材领域,尤其涉及一种新型保温砖。



背景技术:

保温砖是一种可替代瓷砖、铝塑板、蜂窝板等传统建材的新型的建材,保温砖具有装饰和保温两项功能,并且强度高、隔音隔热、降低建筑载荷、更加经济耐用。如2013年09月24日申请的中国专利申请公布号CN103485470A所公布的一种复合自保温砌块,由保温中心层、包覆在保温中心层外壁上下表面的横向主体砌块、设在保温材料中心层外壁左右表面的纵向肋壁连接保温砌块体组成,该复合自保温砌块结构设计合理,保温性能强,具有满足建筑力学性能和保温隔热性能要求。

本发明人在实际的使用过程中经过测试发现,由于复合自保温砌块的具有很好的保温隔热效果,若上述复合自保温砌块保温中心层外壁上表面的横向主体砌块接受太阳光线照射,而复合自保温砌块保温中心层外壁下表面的横向主体砌块不受太阳光线照射,则该复合自保温砌块保温中心层外壁上下表面的横向主体砌块之间的温差可以达到20℃以上。基于上述事实依据,本发明人设想,可以利用该复合自保温砌块保温中心层外壁上下表面的横向主体砌块之间的温差进行发电,以供家庭内的用电,节能环保,遂产生此方案。



技术实现要素:

因此,针对上述的问题,本实用新型提出一种可利用温差发电的新型保温砖。

为实现上述目的,本实用新型采用了以下技术方案:一种新型保温砖,包括保温中心层、设在保温中心层外壁上表面的第一横向主体砌块、设在保温中心层外壁下表面的第二横向主体砌块、分别设在保温中心层外壁左右表面的纵向肋壁连接保温砌块体,还包括一个具有热端和冷端半导体温差发电芯片,所述半导体温差发电芯片的冷端设置有正电极和负电极,所述半导体温差发电芯片的热端和冷端均设置在保温中心层表面,所述半导体温差发电芯片的热端位于保温中心层和第一横向主体砌块之间,所述半导体温差发电芯片的冷端位于保温中心层和第二横向主体砌块之间,所述第二横向主体砌块表面设置有正电极端子和负电极端子,所述正电极通过线路连接正电极端子,所述负电极通过线路连接负电极端子。

进一步的,所述保温中心层外壁上表面开设有一个第一凹槽,所述半导体温差发电芯片的热端设置于第一凹槽内;所述保温中心层外壁下表面开设有一个第二凹槽,所述半导体温差发电芯片的冷端设置于第二凹槽内。

通过采用前述技术方案,本实用新型的有益效果是:本保温砖内设置有半导体温差发电芯片,半导体温差发电芯片利用第一横向主体砌块和第二横向主体砌块之间的温差进行发电,半导体温差发电芯片产生的电能可为专门的储能装置(如锂电池)充电,以供家庭内的用电,具有节能环保的优点。

附图说明

图1是本新型保温砖的结构示意图;

图2是本新型保温砖的剖面示意图。

具体实施方式

现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。

参考图1和图2,本实施例提供一种新型保温砖,包括保温中心层1、设在保温中心层1外壁上表面的横向主体砌块3、设在保温中心层1外壁下表面的横向主体砌块4、分别设在保温中心层1外壁左右表面的纵向肋壁连接保温砌块体2、半导体温差发电芯片5。所述保温中心层1采用发泡保温材料,所述纵向肋壁连接保温砌块体2采用保温混凝土,所述横向主体砌块3和横向主体砌块4采用混凝土。所述横向主体砌块4上设置有正电极端子41和负电极端子42。所述保温中心层1外壁上表面开设有一个凹槽11,所述保温中心层1外壁下表面开设有一个凹槽12。半导体温差发电芯片5为现有公知技术,包括一个热端51和一个冷端52,所述半导体温差发电芯片5的热端51和冷端52采用5中国专利申请公布号CN103000799A所公开的冷端和热端分离型温差电致冷半导体技术,将热端51和冷端52分离。所述冷端52上设置有正电极(图中未示出)和负电极(图中未示出)。所述半导体温差发电芯片5的热端51设置于凹槽11内,所述半导体温差发电芯片5的热端51位于保温中心层1和横向主体砌块3之间。所述半导体温差发电芯片5的冷端52设置于凹槽12内,所述半导体温差发电芯片5的冷端52位于保温中心层1和横向主体砌块4之间。所述正电极通过线路连接正电极端子41,所述负电极通过线路接负电极端子42。

本新型保温砖砌砖时,横向主体砌块3一侧朝向墙壁外侧,当阳光照射横向主体砌块3一侧时,保温砖内半导体温差发电芯片5的热端51和冷端52之间形成温差,半导体温差发电芯片5产生电动势。单个保温砖产生的电动势较小,因此在实际使用过程中需将多个保温砖上的正电极端子41和负电极端子42串联连接,然后连接储能装置(如锂电池)充电,以供家庭内的用电,具有节能环保的优点。

尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型,但所属领域的技术人员应该明白,在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内,在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化,均为本实用新型的保护范围。

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