一种内圆切割装置的制作方法

本实用新型涉及摄像机零件生产设备领域，特别涉及一种内圆切割装置。

背景技术：

内圆切割机用于将半导体材料、磁性材料、陶瓷、碳棒、硅棒等硬脆材料切割成片状或粒装，其应用范围广泛，通常人们利用内圆切割机对晶体块进行切割用于生产摄像机所用的镜片。

但是随着现代机械加工业的发展，对切割的质量、精度要求也在不断的提高。现有的内圆切割装置在对晶体块进行切割时，由于刀头与晶体块紧密接触产生摩擦，刀头和晶体块表面的温度急剧升高，容易使得刀头和晶体块发热变形，进而造成晶体块的切割精度降低，同时容易损坏刀头，不仅如此，在切割过程中，还会伴有火花和大量的粉尘，当粉尘浓度达到一定范围后，容易引发爆炸事故，进而降低了切割生产的安全性，从而导致现有的内圆切割装置实用性降低。

技术实现要素：

本实用新型要解决的技术问题是：为了克服现有技术的不足，提供一种内圆切割装置。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种内圆切割装置，包括水箱、顶板、处理器、放置台、排水管、切割机构和两个支板，所述顶板的两端分别通过两个支板固定在水箱的上方，所述排水管固定在水箱的底部的一侧，所述排水管内设有阀门，所述处理器固定在顶板的上方，所述处理器内设有PLC，所述处理器上设有若干按键，所述按键和阀门均与PLC电连接，所述放置台固定在水箱的底部，所述切割机构设置在顶板的下方；

所述切割机构包括第一电机、转盘、调节组件和两个切割组件，所述第一电机固定在顶板的下方，所述第一电机与转盘传动连接，所述调节组件和切割组件均位于转盘的下方，两个切割组件分别位于调节组件的两侧，所述切割组件包括第一气缸和刀头，所述调节组件与第一气缸的缸体传动连接，所述第一气缸的气杆的底端与刀头固定连接，所述第一电机和第一气缸均与PLC电连接。

作为优选，为了调节切割的半径，所述调节组件包括第二电机和两个调节单元，所述第二电机固定在转盘底端下方，所述第二电机与PLC电连接，两个调节单元分别位于第二电机的两侧，所述调节单元与切割组件一一对应，所述调节单元包括丝杆、套管和固定环，所述第二电机与丝杆的一端传动连接，所述丝杆的另一端设置在套管内，所述套管的与丝杆的连接处设有与丝杆匹配的螺纹，所述套管与第一气缸的缸体固定连接，所述固定环固定在转盘的下方，所述固定环套设在套管上。

作为优选，为了辅助支撑转盘转动，所述支板的靠近转盘的一侧设有支撑块，所述支撑块的竖向截面的形状为U形，所述支撑块固定在支板上，所述转盘的外周位于支撑块的U形截面内。

作为优选，为了减小转盘转动时所受的摩擦力，所述支撑块的两侧的内壁上设有凹口，所述凹口内设有滚珠，所述凹口与滚珠相匹配，所述滚珠的球心位于凹口内，所述滚珠抵靠在转盘上。

作为优选，为了便于固定晶体块，所述放置台的外周设有若干紧固组件，所述紧固组件包括开口、第二气缸和夹板，所述开口设置在放置台上，所述第二气缸的缸体固定在开口内，所述第二气缸的气杆与夹板固定连接，所述第二气缸与PLC电连接。

作为优选，为了加固夹板与第二气缸的气杆之间的连接，所述夹板与第二气缸的气杆为一体成型结构。

本实用新型的有益效果是，该内圆切割装置通过在水箱中注水，使水位没过晶体块，便于切割工作在水中进行，水溶液不仅可吸收切割时刀头和晶体块表面的热量，防止变形，从而保证切割精度，同时还可避免切割时产生火花和粉尘，保证了切割工作的安全性，从而提高了设备的实用性。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的内圆切割装置的结构示意图；

图2是本实用新型的内圆切割装置的切割机构的结构示意图；

图中：1.水箱，2.顶板，3.处理器，4.放置台，5.排水管，6.支板，7.按键，8.第一电机，9.转盘，10.第一气缸，11.刀头，12.第二电机，13.丝杆，14.套管，15.固定环，16.支撑块，17.滚珠，18.第二气缸，19.夹板。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图1所示，一种内圆切割装置，包括水箱1、顶板2、处理器3、放置台4、排水管5、切割机构和两个支板6，所述顶板2的两端分别通过两个支板6固定在水箱1的上方，所述排水管5固定在水箱1的底部的一侧，所述排水管5内设有阀门，所述处理器3固定在顶板2的上方，所述处理器3内设有PLC，所述处理器3上设有若干按键7，所述按键7和阀门均与PLC电连接，所述放置台4固定在水箱1的底部，所述切割机构设置在顶板2的下方；

该内圆切割装置在使用时，将晶体块放置于固定在水箱1内底部的放置台4的上方，而后向水箱1内添加水溶液，使水位没过晶体块后，操作人员按动按键7，处理器3内的PLC控制切割机构运行，向下方的晶体块进行切割，由于切割工作在水中进行，水溶液不仅可以及时吸收刀头11和晶体块的热量，对刀头11和晶体块进行降温处理，避免发生较大的形变，保证切割精度，同时还防止切割产生的粉尘飞溅，避免切割时产生火花，进而保证了切割工作安全运行，从而大幅度提高了该切割装置的实用性。

如图2所示，所述切割机构包括第一电机8、转盘9、调节组件和两个切割组件，所述第一电机8固定在顶板2的下方，所述第一电机8与转盘9传动连接，所述调节组件和切割组件均位于转盘9的下方，两个切割组件分别位于调节组件的两侧，所述切割组件包括第一气缸10和刀头11，所述调节组件与第一气缸10的缸体传动连接，所述第一气缸10的气杆的底端与刀头11固定连接，所述第一电机8和第一气缸10均与PLC电连接。

切割机构中，转盘9下方的调节组件可带动两个切割组件相互靠近或相互远离，从而调节设备的切割半径，在需要切割时，PLC控制第一气缸10启动，增加第一气缸10的缸体内的气压，使得第一气缸10的气杆带动刀头11向下移动，伸入水中与晶体块进行接触，而后PLC控制第一电机8启动，带动转盘9旋转，使得刀头11沿着转盘9的轴线转动，在晶体块的表面进行内圆切割工作。

作为优选，为了调节切割的半径，所述调节组件包括第二电机12和两个调节单元，所述第二电机12固定在转盘9底端下方，所述第二电机12与PLC电连接，两个调节单元分别位于第二电机12的两侧，所述调节单元与切割组件一一对应，所述调节单元包括丝杆13、套管14和固定环15，所述第二电机12与丝杆13的一端传动连接，所述丝杆13的另一端设置在套管14内，所述套管14的与丝杆13的连接处设有与丝杆13匹配的螺纹，所述套管14与第一气缸10的缸体固定连接，所述固定环15固定在转盘9的下方，所述固定环15套设在套管14上。PLC控制第二电机12启动，带动两侧的丝杆13进行旋转，丝杆13通过螺纹作用在套管14上，在固定环15的限位作用下，套管14沿着丝杆13的轴线进行移动，两个调节单元中的套管14相互靠近或移动，从而调节两个刀头11之间的距离，便于改变切割半径。

作为优选，为了辅助支撑转盘9转动，所述支板6的靠近转盘9的一侧设有支撑块16，所述支撑块16的竖向截面的形状为U形，所述支撑块16固定在支板6上，所述转盘9的外周位于支撑块16的U形截面内。利用固定在支板6上的支撑块16对转盘9进行支撑，使得转盘9旋转时，转盘9的外周位于支撑块16的U形开口内，便于保证转盘9的平稳转动。

作为优选，为了减小转盘9转动时所受的摩擦力，所述支撑块16的两侧的内壁上设有凹口，所述凹口内设有滚珠17，所述凹口与滚珠17相匹配，所述滚珠17的球心位于凹口内，所述滚珠17抵靠在转盘9上。在支撑块16的两侧的内壁上的凹口内，滚珠17可进行滚动，滚珠17抵靠在转盘9上，与转盘9进行接触，使得转盘9与支撑块16之间的滑动摩擦转为转盘9与滚珠17之间的滚动摩擦，便于减小转盘9转动时所受的摩擦力。

作为优选，为了便于固定晶体块，所述放置台4的外周设有若干紧固组件，所述紧固组件包括开口、第二气缸18和夹板19，所述开口设置在放置台4上，所述第二气缸18的缸体固定在开口内，所述第二气缸18的气杆与夹板19固定连接，所述第二气缸18与PLC电连接。PLC控制第二气缸18启动，减小第二气缸18的缸体内的气压，从而使得第二气缸18的气杆带动夹板19靠近放置台4，进而将晶体块固定在放置台4的上方，防止进行内圆切割时晶体块滑动。

作为优选，利用一体成型结构稳固的特点，为了加固夹板19与第二气缸18的气杆之间的连接，所述夹板19与第二气缸18的气杆为一体成型结构。

该内圆切割装置使用时，将晶体块放置在水箱1内的放置台4上，在水箱1中注水，使水位没过晶体块，而后控制切割机构运行，通过调节组件调节切割的半径，而后第一气缸10带动刀头11向下移动接触晶体块的表面后，第一电机8带动转盘9转动，使得刀头11在水中对晶体块进行切割，切割时，利用水溶液及时吸收刀头11和晶体块表面的热量进行降温，防止刀头11和晶体块发生变形，同时避免切割时产生火花和飞溅的粉尘，保证了切割工作的安全性，进而提高了设备的实用性。

与现有技术相比，该内圆切割装置通过在水箱1中注水，使水位没过晶体块，便于切割工作在水中进行，水溶液不仅可吸收切割时刀头11和晶体块表面的热量，防止变形，从而保证切割精度，同时还可避免切割时产生火花和粉尘，保证了切割工作的安全性，从而提高了设备的实用性。

以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。