一种连铸水口材料的制作方法

文档序号:1822370阅读:232来源:国知局

专利名称::一种连铸水口材料的制作方法
技术领域
:本发明属于耐火材料及其制作方法。连铸用浸入式水口材料经历了从熔融石英到Al2O3-C及ZrO2-C的发展。在我国,目前大多采用Al2O3-C。现在国外正研制或试用ZrO2-C-ZrB2、ZrO2-SiC-C、CaO-ZrO2-C、BN-AlN-C及Sialon(赛隆)-C等材料制作连铸水口。但这些材料都程度不同的存在着外壁渣线附近抗熔渣侵蚀较差、内壁因Al脱氧形成的未熔Al2O3的粘附堵塞以及自身强度较低的不足。目前采用在水口中吹氩尽管可以减少Al2O3粘附,但吹氩波动又带来新的问题,它导致结晶器中钢坯结晶状态受到破坏。本发明的目的是提高水口强度对薄板连铸尤其重要、改善外壁受渣液的侵蚀和不用吹氩方法避免水口内壁Al2O3的粘附堵塞。发明人采用以O′-Sialon为基,加入3-7wt%C和不同含量的ZrO2分别制成水口内壁和外壁,可弥补现有材料之不足,实现本发明的目的。本发明的核心内容在于1、以O′-Sialon为基,加入5-15wt%ZrO2和3-7wt%C作为水口内壁。由于O′-Sialon与钢液中Al2O3反应可生成液相,从而避免了Al2O3在水口内壁的粘附堵塞。但因ZrO2及被钢液润湿,故其含量不宜超过15wt%。图1和图2分别为本发明所制成试样(10wt%ZrO2、5wt%C)和以Al2O3-C所制成的试样在1600℃下,经一小时后表面粘附情况的宏观结果(图2中a为粘附层)。两者相比,前者(图1)无粘附,后者(图2)粘附显著。2、以O′-Sialon为基,加入25-40wt%ZrO2和3-7wt%C作为水口外壁,由于表层O′-Sialon被氧化(见图3a)使ZrO2富集,在熔渣外压下形成致密的抗氧层(见图3b),从而减缓了熔渣对外壁渣线的进一步侵蚀。图3为以O′-Sialon为基,加入30wt%ZrO2和5wt%C,在1600℃下经2小时试验后的扫描电镜照片。图中a为侵蚀的O′-Sialon层,b为富集的抗侵蚀的ZrO2致密层。此外,还因为ZrO2中固溶了保护渣中的氧化物,使四方ZrO2转变为单斜ZrO2,其抗热振性能提高,使用寿命延长。3、本发明的制作方法是依据相图取2-7wt%Y2O3、30-50wt%SiN4、15-20wt%ZrO2(制作水口外壁材料)或25-40wt%ZrO2(制作水口内壁材料),经球磨混匀、压制成型,再埋入SiC粉中通N2,在1660-1700℃下经2-3小时常压(即0.101MPa)烧结即可得理想的没有抗氧化较差的β-Sialon、β′-Sialon、ZrON及ZrON等杂相的应用于水口内壁或外壁材料的O′-Sialon-ZrO2-C。4、亦可先在常压下合成O′-Sialon粉,再加入3-7wt%C、5-15wt%或25-40wt%ZrO2,随后再经球磨、混匀、压制成型、埋入SiC粉中,在保护气氛下(如通N2或Ar等等),经1660-1700℃,2-3小时常压烧结,同样可得到理想的用于水口内壁或外壁材料的O′-Sialon-ZrO2-C。需要指出的是,本发明的前法通N2,不单为起保护作用,因为N2与其中的SiO2产生化学作用为获得O′-Sialon所必需,面后者通N2或Ar只起保护作用。O′-Sialon的分子式为Si2-xAlxO1+xN2-x,其中x=0-2。实施例见表1、2。表1O′-Sialon-ZrO2-C合成(方法1.wt%)</tables>表2O′-Sialon-ZrO2-C合成(方法2.Wt%)</tables>权利要求1.一种以Sialon(塞隆)为基加入C制成的水口材料,其特征在于所说的Sialon为O′-Sialon,分别加5-15wt%或25-40wt%ZrO2及3-7wt%C。2.一种以O′-Sialon为基分别加入5-15wt%或25-40wt%ZrO2及3-7wt%C所形成的连铸水口材料的制作方法,它包括球磨、混匀、压制成型、在保护气氛下高温烧结,其特征在于a.将球磨、混匀、压制成型的2-7wt%Y2O3+30-50wt%Si3N4+15-20wt%SiO2+2-15wt%Al2O3+3-7wt%C+5-15wt%或25-40wt%ZrO2或者是将常压合成的O′-Sialon中加入5-15wt%或25-40wt%ZrO2及3-7wt%C,经球磨、混匀、压制成型后的材料埋入SiC粉中;b.所述的保护气氛对前一种材料必须是通N2;C.所述的高温烧结是在1660-1700℃下经2-3小时的常压烧结。全文摘要本发明属于耐火材料及其制作方法。它提出了以O′-Sialon为基、加入3-7wt%C及不同的ZrO文档编号C04B35/584GK1163243SQ96104708公开日1997年10月29日申请日期1996年4月19日优先权日1996年4月19日发明者李文超,仲维斌,钟香崇,王俭申请人:北京科技大学
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