专利名称：导电膜及其制造方法以及具有该导电膜的基材的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种形成在例如，布劳恩管面板等的玻璃基体上的具有电磁波屏蔽性能的导电膜。
背景技术：
布劳恩管因在高电压下工作，所以在启动或关闭时，布劳恩管表面会产生静电。该静电会使灰尘附着在其表面上，显示图像的对比度下降，手指直接触摸时，多出现被轻微电击的痛感。
近年来，电磁波噪音对电子设备的电波干扰成为社会问题，为了防止这些干扰，正在进行标准的制定和限制。关于电磁波噪音，各国都在重视如下涉及人体实验的问题存在布劳恩管表面上的静电荷引起皮肤癌的可能性，低频电场(ELF)对胎儿的影响以及其它的X射线、紫外线等所引起的公害。这些问题可通过将导电膜置于布劳恩管的表面，电磁波到达该导电膜时，在膜内产生涡电流，利用该作用反射电磁波来解决。反射该电磁波的电磁波屏蔽性能可通过导电膜的表面电阻值来表示，该表面电阻值越低，电磁波的屏蔽性能越得到提高。
如上所述形成的导电膜不仅用在光学仪器上，还用于民用设备，特别是TV、计算机终端的阴极射线管面板等，但存在显示图像的对比度和面板面反射外来光等问题，就防止这些反射光，进行了大量的探讨。
以往的反射防止方法，如日本特许公开公报昭61-118931号所记载的，采用了如下方法为了使布劳恩管表面具有防眩效果，在表面上附着具有微小凹凸的SiO2膜，或利用氢氟酸对表面进行蚀刻而在表面形成凹凸等的方法。
但是，这些方法被称为使外部光散射的防止眩光处理，本质上不是配置低反射膜的方法，反射率的减弱是有限度的，而且在布劳恩管等中，还成为清晰度降低的原因。
为了解决上述问题，例如日本特许公开公报平5-151839号公报所公开的，提出在布劳恩管面板表面上形成导电膜，并在其上形成比该导电膜的折射率更低的低折射率膜，利用光的干涉作用来防止反射光的低反射导电膜。
作为这样的低反射导电膜的制作方法，提出使用一直以来所用的溅射法或CVD法。但溅射法的设备规模大，存在成本上升的问题；CVD法要将布劳恩管表面至少加热到350℃以上的高温，存在布劳恩管内的荧光体脱落、尺寸精度下降等问题。
相对于这些方法，通过在布劳恩管面板表面上涂布溶剂中分散有导电性微粒的涂布液，使其干燥而形成导电膜的方法可低成本、低温下成膜，是有利的。
另外，随着近年来的布劳恩管面板的表面平坦化技术的进步，不仅面板表面的平坦性上升，但面板周边部分和面板中心部分的玻璃厚度差别较大。为此，采用了提高玻璃的透射率，减小玻璃厚度所引起的面板面内的透射率的差异的方法。但是，此时，因整个使玻璃的透射率提高，所以在显示图像时，产生了对比度下降的弊病。为了消除该弊病，可将具有着色性的覆膜形成在玻璃表面上。
作为用于上述涂布法的导电性微粒，可用Ag、Au、Pd、Ru之类的金属微粒或其合金微粒，或者ITO(掺锡氧化铟)、ATO(掺锑氧化锡)或RuO2之类的金属氧化物微粒。因此，谋求利用成本更低的ITO或ATO之类的材料，得到充分的电磁波屏蔽性能。但是，利用ATO或ITO，为了发挥充分的电磁波屏蔽性能，必须增加膜厚，在增加膜厚情况下，存在很难维持低反射性的问题。
为此，作为进一步降低导电膜的表面电阻值，使其具有充分的电磁波屏蔽性能的方法，人们想出了将紫外线等的光照射到所形成的导电膜上的方法。例如，日本特许公开公报昭60-19610号、日本特许公开公报昭63-314714号和日本特许公开公报平11-60278号公开了上述方法。
日本特许公开公报昭60-19610号公开了透明导电膜的形成方法，其特征在于，将紫外线照射到由铟化合物等构成的涂膜上后，高温下进行焙烧。但是，该方法是以制得均匀的良好的干燥涂膜为目的的，而不是着眼于减低导电膜的表面电阻值。
日本特许公开公报昭63-314714号公开了透明导电膜的制作方法，其特征在于，用产生紫外线的灯，照射光到透明导电膜上至少1分钟以上而使电阻值减低。但是，虽然在该方法中记载了通过紫外线照射使所吸附的氧脱离，来将电阻值降低的要点，但是紫外线照射不是直接作用于导电性微粒上，将电阻值降低的方法。
日本特许公开公报平11-60278号公开了透明导电膜的制作方法，其特征在于，将紫外线照射到透明导电膜上，再在非氧化性气氛中进行焙烧。非氧化性气氛虽可防止导电性微粒的氧化，可使导电性提高，但是利用该方法需要非氧化性气氛，存在工艺烦琐的问题。
发明内容
为了解决上述问题，本发明的目的是提供使导电性提高、具有透明性、耐磨损性不劣化、具有低反射功能的低反射导电膜及着色低反射导电膜，它们的制造方法，具有上述低反射导电膜及上述着色低反射导电膜的显示装置，形成上述导电膜的导电膜形成用涂布液和形成上述低反射导电膜的低折射率膜形成用涂布液。
本发明提供一种低反射导电膜，其特征在于，它至少由含导电性微粒的导电膜和形成在上述导电膜上的、折射率低于上述导电膜的低折射率膜2层膜构成，其特征在于，上述导电膜中含有降电阻材料。
本发明提供导电膜形成用涂布液和低折射率膜形成用涂布液，在导电膜形成用涂布液中含有溶剂、导电性微粒以及降电阻材料；在低折射率膜形成用涂布液中含有溶剂、硅化合物以及降电阻材料。
本发明提供一种低反射导电膜的制造方法，通过在基体上涂布含导电性微粒的导电膜形成用涂布液，然后，涂布含降电阻材料的低折射率膜形成用涂布液来形成低反射导电膜。
具体实施例方式
下面，就低反射导电膜(以下还称为XY膜)及着色低反射导电膜(以下还称为XYZ)，它们的制造方法以及具有这些膜的基材进行具体说明。
本发明的XY膜是至少由含导电性微粒的导电膜和形成在上述导电膜上的、折射率低于上述导电膜的低折射率膜2层膜构成的XY膜，其特征在于，上述导电膜中含有降电阻材料。除了上述导电膜和上述低折射率膜以外，还可以配置其他的膜。
上述XY膜是通过在基体上涂布含导电性微粒的导电膜形成用涂布液(以下还称为X涂布液)，然后，涂布含降电阻材料的低折射率膜形成用涂布液(以下还称为Y涂布液)来形成。上述XY膜还可以通过在基体上涂布含导电性微粒和降电阻材料的X涂布液，然后，涂布Y涂布液而形成。
上述导电性微粒较好用金属氧化物微粒或金属微粒。从导电性、化学上的实用性和耐久性等方面考虑，作为金属氧化物微粒，较好用选自Sn、Sb、In、Zn、Ga、Ru、Al、Si、Zr的氧化物中的1种以上。作为金属微粒，较好用Ag、Au、Pd、Ru、Pt、Ir、Re、Rh、Cu及Ni中的1种以上。2种以上，即，作为合金金属的例子，可用Au-Pd、Ru-Re、Au-Ag、Ag-Pd等。另外，特别是作为上述金属氧化物微粒，适合用掺锡氧化铟微粒(以下称为ITO微粒)或掺锑氧化锡微粒等复合金属氧化物微粒。
用于本发明的X涂布液的导电性微粒分散液通过如下的方法进行配制。例如，要制作含ITO微粒之类的复合金属氧化物微粒的分散液的话，可以用碱水解In盐和Sn盐，使Sn/In的氢氧化物共沉淀，对该共同沉淀物进行焙烧形成ITO粉末。将该ITO粉末和液体介质混合，利用砂磨机、球磨机、均化器、油漆搅拌机等公知的分散手段进行分散而制得分散液。若要制得含金属氧化物微粒的分散液，可将金属氧化物微粒粉末和液体介质混合，通过上述分散手段而制得分散液。
要制得金属微粒分散液，可通过在金属盐溶液中添加硫酸亚铁、氢氧化硼钠、甲醛等还原剂，将金属微粒还原析出而进行配制。此时，还可以使其含有提高分散性用的称为保护胶体的无机离子、有机酸、高分子或表面活性剂。作为这些保护胶体，可用柠檬酸、甲酸、聚丙烯酸、聚乙烯醇、纤维素类等。另外，在配制后，通过进行超滤、离子交换等除去不需要的离子而使分散液的稳定性提高。
在上述分散液中，金属微粒的平均一次粒径较好为5-100nm。若金属微粒的平均一次粒径超过100nm的话，所形成的膜会产生可视光的散射，膜的浊度增加，可视性降低。另外，涂布液中的金属微粒的分散均匀性和分散稳定性会受到严重影响。金属微粒的平均一次粒径，从涂布液中的分散稳定性、涂布涂布液所形成的膜的导电特性等角度出发，较好为5-30nm，特好在5-20nm。
对于金属氧化物微粒的平均一次粒径，也因为同样的理由，较好在5-100nm，特好在10-50nm。
对于X涂布液中的金属微粒和金属氧化物微粒的浓度，相对于涂布液总质量，较好为0.01-20质量％，特好为0.05-5质量％。若金属微粒和金属氧化物微粒的浓度超过20质量％时，所形成的膜的外观差；若未满0.01质量％的话，所形成的膜的电阻上升。
由上述方法所配制的导电性微粒分散液作为涂布液可直接进行涂布，但为了调整成膜后的膜的外观，较好利用水及各种公知的有机溶剂进行适当稀释以控制溶液的表面张力和粘性系数等。
作为有机溶剂，较好用甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、仲丁醇、叔-丁醇等醇类；乙二醇等多元醇类；乙二醇-乙醚、乙二醇-甲醚、乙二醇-丁醚、丙二醇甲基醚等醚类；2，4-戊二酮、双丙酮醇等酮类；乳酸乙酯、乳酸甲酯等酯类；N-甲基吡咯烷酮等酰胺类等。
在上述X涂布液中，为了提高涂布液的涂布适应性，可以添加作为添加剂的SiO2，特别是水解硅酸乙酯等所得的SiO2溶胶。通过添加上述添加剂可使涂布液的涂布适应性提高，可控制所形成的膜的色调，较为理想。这些添加剂，可以微粒方式或者烷氧基金属的水解物等方式进行添加。还可以通过超声波分散机或均化器等分散机进行分散而成的溶液进行添加。还为了提高涂布液向基体上的涂布性，还可以在上述X涂布液中添加各种表面活性剂。作为上述表面活性剂，可用直链烷基苯基磺酸钠或烷基醚硫酸酯等。另外为了调整所得的膜的色调和透射率，还可以含有钛黑或炭黑等着色性成分。
本发明的XY膜是通过在基体上涂布含导电性微粒的X涂布液，然后，涂布低折射率形成用涂布液而形成。从能够形成折射率比涂布上述X涂布液所形成的导电膜更低的且硬度高的低折射率膜的角度出发，上述涂布液要含有硅化合物。
作为上述硅化合物，可用含硅醇盐(silicon alkoxide)的各种物质。作为适当的材料，可用含Si(OR)y·R′4-y(y为1-4，R、R′为烷基)所示的硅醇盐或者其中部分水解物的溶液。作为上述硅化合物，例如较好用乙氧基硅、甲氧基硅、异丙氧基硅、丁氧基硅的单体或者聚合体。
上述Y涂布液可通过将硅化合物的硅醇盐溶解于乙醇、酯、醚等溶剂中而制成。另外，还可以在上述溶剂中溶解硅醇盐而形成的硅醇盐溶液中，添加盐酸、硝酸、硫酸、乙酸、甲酸、马来酸、氢氟酸或者氨水溶液，对硅醇盐进行水解而制成。上述硅醇盐，相对于Y涂布液，以SiO2的固体成分浓度计，较好含有0.1-30质量％，若超过30质量％的话，溶液的保存稳定性变差，不理想。
在上述Y涂布液中，为了降低折射率，还可以添加MgF2溶胶。为了使所形成的膜的强度上升，还可以添加作为粘合剂的Zr、Sn、Al等的烷氧基金属，或者它们的部分水解物，使ZrO2、SnO2及Al2O3中的1种以上的复合物和MgF2和SiO2同时析出。为了提高Y涂布液对基体的涂布性，还可以在涂布液中含有表面活性剂。作为表面活性剂，可用直链烷基苯基磺酸钠或者烷基醚硫酸酯等。
本发明的XY膜，如上所述，可通过在基体上涂布X涂布液和Y涂布液来形成，但本发明者进行深入研究，结果发现通过使上述制造方法所形成的导电膜中含有降电阻材料就能更加提高导电膜的导电性，并能抑制导电性的经时下降。另外还发现，作为使导电膜中含有降电阻材料的方法，如下所述，通过使涂布于导电膜上的Y涂布液中含有降电阻材料，上述降电阻材料从所形成的低折射率膜向导电膜浸透，结果可使降电阻物质含在导电膜中。
作为上述降电阻材料，例如可用硫化合物或者氧化钛。通过涂布含氧化钛的涂布液，可形成含氧化钛的膜。
在导电膜中含硫化合物使导电性上升的机理被认为是通过在导电性微粒表面上吸附硫化合物，就可抑制加热处理时的微粒表面的氧化，以及在大气中保管时的微粒表面的经时氧化。众所周知的是特别是ITO微粒等金属氧化物微粒，微粒表面氧的缺损会成为载(carrier)电子发生源，若经氧化而使该氧缺损减少的话，导电性显著变差。在本发明中，通过硫化合物的吸附，可有效抑制氧缺损，结果是可大幅度提高膜的导电性，同时，可抑制导电性的经时下降。
作为用于本发明的硫化合物，只要是通过涂布涂布液后的干燥或者加热，能残存在上述导电膜中的硫化合物，对此无特别限制。具体地说，可用硫化钠、硫化钾、硫化铵等硫化盐；硫代硫酸钠、硫代硫酸钾、硫代硫酸铵等硫代硫酸盐；硫代乙酸、硫代乙酸钾等硫代乙酸盐；硫酸钠、硫酸钾、硫酸铵等硫酸盐；α-硫辛酸、α-硫辛酰胺、硫代二丙酸、巯基乙酸、巯基乙酸乙酯、巯基乙酸2-乙基己酯、巯基乙酸钠、巯基乙酸钾、硫脲等。可用其中的1种，还可以合用2种以上。
作为使上述硫化合物含在导电膜中的方法，可用使X涂布液中直接含有硫化合物并将其涂布在基体上的方法；或者使Y涂布液中含有硫化合物，在形成导电膜后，涂布Y涂布液的方法等。另外，还可用如下任何一种方法直接将硫化合物或者溶解于适当的溶剂中而制成涂布液，从基体侧按照硫化合物涂布液/X涂布液/Y涂布液的顺序进行涂布的方法；按照X涂布液/硫化合物涂布液/Y涂布液的顺序涂布的方法；或者按照X涂布液/Y涂布液/硫化合物涂布液的顺序涂布的方法等。其中，考虑到导电性微粒的稳定性和成本，较好的方式为使Y涂布液中含有硫化合物，在形成导电膜后，涂布Y涂布液的方法。通过该方法，硫化合物从所形成的低折射率膜渗透到导电膜上，结果是能够使硫化合物含在导电膜中。
上述Y涂布液中的上述硫化合物的含量较好是相对于上述Y涂布液总质量的0.01-1.5质量％。若含量未满0.01质量％时，添加硫化合物而使导电性上升的效果降低；而超过1.5质量％的话，膜的反射率上升，另外，因为妨碍硅醇盐的聚合而使膜的强度降低，不理想。其中，较好为0.01-1.0质量％，特好是0.01-0.5质量％，更好为0.01-0.2质量％。而对于上述硫化合物，可以在上述Y涂布液的配置途中，进行适当添加。
所形成的导电膜中的上述硫化合物的含量较好是相对于导电膜中的ITO微粒，以换算成导电膜中的硫的质量计，为0.1-10质量％，特好为0.1-7质量％，更好为0.1-5质量％。含量未满0.1质量％的话，添加硫化合物而使导电性上升的效果降低；若超过10质量％的话，膜的反射率上升，另外，因妨碍了硅醇盐的聚合，膜的强度降低，不理想。
本发明者还进行了深入研究发现通过将具有比形成上述导电膜的导电性微粒的能带隙更大的能量的光照射到上述XY膜上，就可将上述XY膜的表面电阻值降低，改善电磁波屏蔽性能。
通过光照射上述XY膜而使导电性上升的机理可通过如下理由进行说明利用光照射，吸附在导电性微粒上的氧的脱离所引起的接触电阻的降低，或者导电性微粒的光激励所引起的载(carrier)电子密度的上升等。
作为用于上述光照射的光源，导电性微粒若为ITO的话，因必须是能照射具有比ITO的能带隙(ITO的能带隙依存于载(carrier)流子的浓度，相当于波长约280-330nm的光)更大的能量的光的光源，所以可为低压汞灯(中心波长为254nm)或太阳光等。另外，上述光照射较好以0.01μW/cm2以上的强度进行。若光强度未满0.01μW/cm2时，光激励的低电阻化效果不充分。另外，虽在照射光的瞬间发现了低电阻化效果，但为了得到充分的效果，最好进行1分钟以上的照射。
本发明者发现因是至少由含导电性微粒的导电膜和形成在上述导电膜上的、折射率低于上述导电膜的低折射率膜2层膜构成的XY膜，所以可通过在上述导电膜中含有二氧化钛，将具有比二氧化钛的能带隙更大的能量的光照射到上述XY膜上，和不进行光照射的情况比，上述XY膜的表面电阻值降低，电磁波屏蔽性能进一步提高。
在导电膜中含有二氧化钛而使导电性提高的机理如下所述进行说明对含二氧化钛的导电膜进行光照射不仅引起吸附氧脱离，而且二氧化钛的光激励所产生的电子向导电性微粒移动，而使导电性微粒的载流子电子密度提高。由此，作为使二氧化钛进行光激励的光源，因必须是能照射具有比二氧化钛的能带隙(约为400nm)更大的能量的光的光源，所以可为低压汞灯(中心波长为254nm)、高压汞灯(中心波长为365nm)、太阳光、室内光(荧光灯、白炽灯)等。另外，上述光照射较好以0.01μW/cm2以上的强度进行。若光强度未满0.01μW/cm2时，光激励的低电阻化效果不充分。另外，虽在照射光的瞬间发现了低电阻化效果，但为了得到充分的效果，最好进行1分钟以上的照射。
作为将二氧化钛含在导电膜中的方法，可用使X涂布液中含有二氧化钛源，并使其涂布在基体上的方法；使Y涂布液中含有二氧化钛源，在形成导电膜后，涂布上述Y涂布液的方法。通过使Y涂布液中含有二氧化钛，形成导电膜后，涂布上述Y涂布液，二氧化钛源可从所形成的低折射率膜浸透到导电膜上，其结果能够使二氧化钛含在导电膜中。
作为为使二氧化钛含在导电膜中所用的二氧化钛源，只要是将含二氧化钛源的涂布液涂布在基体上后，经干燥或加热而形成二氧化钛的物质，对此无特别限制。不仅可用预先进行结晶化的二氧化钛，还可用过钛酸、钛醇盐等。其中，为了能通过低温加热而得到充分的结晶性，较好用预先结晶化的二氧化钛。上述低温加热可因溶剂的不同而不同，但一般在常温-200℃左右进行加热。
上述二氧化钛源，在涂布液中是以二氧化钛微粒存在的，该二氧化钛微粒的平均一次粒径较好在5-100nm。若上述平均一次粒径超过100nm的话，所形成的膜上会发生可视光的散射，膜的浊度增加，可视性降低，而且二氧化钛微粒的分散均匀性及分散稳定性显著受到影响。
在上述X涂布液中含有二氧化钛源时，二氧化钛源的含量相对于导电性微粒，换算成二氧化钛，较好为0.1-20质量％。若该添加量未满0.1质量％的话，不能显现充分的电磁波屏蔽性能；若超过20质量％的话，涂布液的稳定性差，存在二氧化钛超过需要量时，相反可能会阻碍导电，不理想。更好为0.1-10质量％，特好为0.1-7质量％，最好为0.1-5质量％。对于二氧化钛源，也可以在上述X涂布液的制作过程中进行适当添加。
在上述Y涂布液中含有二氧化钛源的情况下，二氧化钛源的添加量相对于上述Y涂布液总质量，换算成二氧化钛，较好为0.01-1.0质量％。上述添加量未满0.01质量％的话，不能显现充分的电磁波屏蔽性能。超过1.0质量％的话，膜的反射率上升，因硅化合物的硅醇盐的聚合受到妨碍，涂膜的强度降低，所以不理想。较佳为0.01-0.5质量％，特佳为0.01-0.3质量％。另外，对于二氧化钛源，还可以在上述Y涂布液制作的过程中，进行适当添加。
所形成的导电膜中的二氧化钛的含量，相对于导电性微粒，较好为0.1-20质量％。若上述添加量未满0.1质量％的话，不能显现充分的电磁波屏蔽性能，超过20质量％的话，涂布液的稳定性差，存在二氧化钛在需要量以上的话，相反可能会阻碍导电，不理想。较佳为0.1-10质量％，特佳为0.1-7质量％，最佳为0.1-5质量％。
另外，在上述基体和上述导电膜之间、在上述导电膜和上述低折射率膜之间、或者在上述低折射率膜上(基体的相反侧)，还可以配置其他的膜，构成多层结构的XY膜。作为具有防止反射性能的多层的低折射率膜的结构，公知的有如下典型的例子将要防止反射的光的波长设定为λ，以光学厚度λ/2-λ/4、或者λ/4-λ/4从基体侧形成高折射率膜-低折射率膜的2层的低折射率膜；以光学厚度λ/4-λ/2-λ/4从基体侧形成中折射率膜-高折射率膜-低折射率膜的3层的低折射率膜；以光学厚度λ/2-λ/2-λ/2-λ/4从基体侧形成低折射率膜-中折射率膜-高折射率膜-低折射率膜的4层的低折射率膜等。
本发明的X涂布液可用在上述多层结构膜的中-高折射率膜的形成中，Y涂布液可用在上述多层结构膜的低折射率膜的形成中。作为中-高折射率膜，可使用含对所形成的膜的色调进行调整用的炭黑或钛黑等着色性成分的着色膜。在上述多层结构膜的例子中，形成至少由含着色性成分的着色膜、形成在上述着色膜上的含导电性微粒的导电膜、形成在上述导电膜上的折射率低于上述导电膜的低折射率膜3层膜构成的XYZ膜，因SiO2从所形成的低折射率膜向导电膜渗透，结果是焙烧时膜收缩形成导电通路而使导电性提高，所以是较为理想的。另外，通过使上述导电膜中含有二氧化钛，将具有比二氧化钛的能带隙更大的能量的光照射到上述XYZ膜上，和不进行光照射的情况比，可将上述XYZ膜的表面电阻值降低，更加提高了电磁波屏蔽性能。
XYZ膜可通过在基体上涂布含着色性成分的着色膜形成用涂布液(以下称为Z涂布液)，其后涂布含导电性微粒的X涂布液，再其后涂布含硫化合物的Y涂布液而形成。在布劳恩管面板上涂布Z涂布液的情况下，为了提高对比度，着色膜为中性色调(即，在可视光的波长区域内，不具有特异的吸收)为好，由此，作为含在上述着色膜中的着色性成分，较好用炭黑或钛黑等。
上述Z涂布液通过将上述着色性成分和液体溶剂混合，为使分散性良好使其成为适当的酸性，利用砂磨机等公知的分散手段制得分散液，再用适当的溶剂进行稀释就可制得。作为上述着色性成分的浓度，较好是0.5-2.0质量％。
为了缩小玻璃厚度所产生的面板面内透射率的差异，全面降低面板面内的透射率，提高图像显示时的对比度，可调整着色膜的膜厚，将基体厚度厚的部分的着色膜的膜厚减薄，而将基体厚度薄的部分的着色膜的膜厚变薄。另外还可以将基体厚度厚的部分的着色膜的色调调淡，而将基体厚度薄的部分的着色膜的色调调浓。
作为在基体上涂布上述X涂布液、上述Y涂布液及上述Z涂布液的涂布方法，较好用溅射法、浸涂法、喷涂法等方法。另外还可以采用喷涂法在表面形成凹凸，使所形成的膜具有防眩效果，在其上还可设置二氧化硅覆膜等硬膜。
另外，还可以利用溅射法或喷涂法形成本发明的导电膜，在其上喷射涂布含硅醇盐的溶液，设置表面上具有凹凸的二氧化硅覆膜的不眩光覆膜(nonglare)。
将上述X涂布液、上述Y涂布液和上述Z涂布液涂布在基体上后，为形成XY膜或XYZ膜，最好进行加热处理。加热处理的温度，在采用沸点为100-250℃的中-高沸点溶剂作为涂布液的溶剂时，为防止上述溶剂残留在膜中，较好在100℃以上。另一方面，若采用沸点在100℃以下的低沸点的溶剂作为涂布液的溶剂时，可在室温下进行干燥和加热处理来形成膜。加热处理的温度取决于用作基板的玻璃、塑料等的软化点，加热处理的温度较好为100-500℃。
本发明的X涂布液、Y涂布液及Z涂布液对基体的涂布量(膜厚)会因被涂布基体的种类、被涂布基体的使用目的等而变化，X涂布液的涂布量，作为导电膜的硬化膜(完全硬化后的膜)的厚度，最好在大约5-200nm的范围内。未满5nm，膜的导电性降低，并且形成2层膜或多层膜时的低反射性降低，因此不理想。若超过200nm，低反射性降低，因此不理想。Y涂布液的涂布量，作为低折射率膜的硬化膜的厚度，较好在大约5-150nm的范围内。未满5nm，膜强度降低，不理想。超过150nm，形成时的低反射性下降，不理想。Z涂布液的涂布量，作为着色膜的硬化膜的厚度，较好在5-200nm的范围内，特好在10-60nm的范围内。未满5nm，着色不充分，未满200nm，透射率过度下降，因此不理想。
本发明的XY膜或XYZ膜，因含有降电阻材料，所以表面电阻值低，电磁波屏蔽性能优异。上述XY膜或XYZ膜的表面电阻值较好在3.0×103Ω/□以下，特好在2.5×103Ω/□以下。
作为本发明的形成XY膜或XYZ膜的基体，例如有布劳恩管面板、复印机用玻璃板、计算机用面板、无菌室用玻璃、LCD用、PDP用等的显示装置的前面板等的各种玻璃、塑料基板(还包括在基板上所形成的滤色片)等。作为本发明的显示装置，例如有布劳恩管、复印机、计算机、LCD、PDP等。
实施例下面，列举实施例(例1-9、13-26、28-31)及比较例(例10-12、27)对本发明进行更加具体地说明，但本发明不受这些实施例的限制。在以下的实施例及比较例中，所得的溶胶中的粒子的平均一次粒径是通过TEM(透过型电子显微镜，日立制作所制造的H9000)测定的。另外，所得的膜的评价方法如下所述进行。
(1)表面电阻值通过ロ一レスタ电阻测定器(三菱油化公司制造)来测定形成在基体上的膜的表面电阻值。
(2)反射率利用自记分光光度计U-3500(日立制作所制造)来测定形成在基体上的膜的400-700nm的视觉反射率。
(3)耐摩擦性在1kg的负荷下，用橡皮((Lion)公司制造50-50)对膜表面进行50次来回摩擦后，目测判断其表面损伤情况，评价标准为○完全无损伤，△有一些损伤，×一部分出现膜剥离。
(4)耐氧化性将形成膜的基体在80℃的高温空气中，保存200小时后取出，和(1)一样进行表面电阻值的测定。
(5)膜厚利用SEM(扫描型电子显微镜，日本电子公司制造JSM6340F)对形成膜的基体的截面进行观察并进行测定。
(6)膜的透射率利用自记分光光度计U-3500(日立制作所制造)对形成有膜的基体测定550nm的透射率，然后扣除所测得的基体单独的透射率，测定了膜单独的透射率。
(7)硫的含量利用马卡斯(Marcus)型高频辉光放电发光表面分析装置JY-500RF(堀场制作所制造)，在导电膜的深度方向上测定S、In、Sn、O、Si各元素的强度，用膜的深度进行积分，换算成各元素的摩尔比来算出值。通过各元素的摩尔比，从硫含量＝导电膜中的硫的质量/导电膜中的ITO(SnO2的质量的比率为17.5质量％)的质量的公式计算出硫的含量。
(8)二氧化钛的含量利用马卡斯型高频辉光放电发光表面分析装置JY-500RF(堀场制作所制造)，在导电膜的深度方向上测定Ti、In、Sn、O、Si各元素的强度，用膜的深度进行积分，换算成各元素的摩尔比来算出值。通过各元素的摩尔比，从二氧化钛含量＝导电膜中的二氧化钛的质量/导电膜中的ITO(SnO2的质量的比率为17.5质量％)的质量的公式计算出二氧化钛的含量。
(1)降电阻材料为硫化合物的情况(ITO微粒分散液的配制)配制如下溶液将79.9g的硝酸铟溶解于686g的水中而成的硝酸铟水溶液，以及将12.7g的锡酸钾溶解于400g的10％氢氧化钾水溶液中而形成的锡酸钾水溶液。
在加热至50℃的1000g水中，边搅拌边同时添加上述硝酸铟水溶液和上述锡酸钾水溶液，将混合溶液中的pH保持在11，同时使水溶液中的硝酸铟和锡酸钾水解。将这样所生成的微粒过滤，洗净，干燥后，在氮气中于300℃焙烧3小时，再在氮气氛中，于500℃焙烧6小时，制得ITO(SnO2的质量的比率为17.5质量％)的微粉末(A)。
将100g该微粉末(A)分散于40g的乙酰丙酮后，添加360g的乙醇，然后将该分散液放入砂磨机中，用砂磨机对该分散液中的微粉末(A)进行5小时粉碎，制得ITO的固体成分浓度为20质量％的A液。
该A液中的微粒的平均粒径为40nm。将如此制得的A液放置6个月以上，无微粒的凝集和沉降，较为稳定。
(X涂布液的配制)利用甲醇/乙二醇单异丙醚/双丙酮醇＝100/25/5(质量比)的混合溶剂(B液)将上述A液稀释，以使ITO固体成分浓度为3.5质量％，制得X涂布液(C液)。
将B液和炭黑分散液(固体成分为10质量％)混合并使固体成分比为2∶100，用甲醇/乙二醇单异丙醚/双丙酮醇＝100/25/5(质量比)的混合溶剂稀释，以使固体成分质量为3.5质量％，制得X涂布液(C2液)。这样所得的C液、C2液经过2个月以上，无微粒的凝集和沉降，较为稳定。
(Y涂布液的配制)将50g的硅酸乙酯溶解于200g的甲醇，搅拌下滴下1.5g的浓硝酸和33g的纯水的混合溶液，室温下搅拌2小时，制得SiO2浓度为4.9质量％的溶液(D液)。
以异丙醇/乙二醇单异丙醚/乙酰丙酮/二甲基甲酰胺＝100/24/8/8(质量比)的混合溶剂将D液进行稀释，以使SiO2的固体成分浓度为1.3质量％而形成(E液)。这样制得的E液经过6个月以上，也无微粒的凝集和沉降，较为稳定。
将0.05g的α-硫辛酸(和光纯药公司制造)添加到上述E液中，制得Y涂布液(E1液)。这样制得的E液和后叙的E1-E7液经过6个月以上，也无微粒的凝集和沉降，较为稳定。
(Z涂布液的配制)将5g的钛黑(型号为13M三菱材料公司制造)和pH经硝酸调整到3的硝酸酸性水溶液50g混合，用砂磨机进行2小时粉碎，制得钛黑的固体成分浓度为9质量％的F液。该G液中的微粒的平均粒径为80nm。这样制得的F液经过2个月以上后，也无微粒的凝集和沉降，较为稳定。
用甲醇/乙二醇单异丙醚/双丙酮醇＝100/25/5(质量比)的混合溶剂稀释上述F液，使钛黑的固体成分浓度为0.9质量％，制得Z涂布液(G液)。
(例1)用乙醇及水洗净14英寸布劳恩管面板表面后，用CeO2的微粒研磨上述布劳恩管面板表面，洗净。接着，利用旋涂法，在150rpm、90秒钟的条件下将20g的C液涂布到面板表面温度被加温到45℃的上述布劳恩管面板表面上。然后，用旋涂法在120rpm、90秒钟的条件下涂布20g的E1液，在210℃加热30分钟而制得XY膜。形成上述XY膜的导电膜的硬化膜的膜厚为100nm，低反射膜的硬化膜的膜厚为100nm。
(例2)将0.05g的α-硫辛酰胺(东京化成公司制造)添加到99.95g的上述D液中，制得Y涂布液(E2液)。
除了用E2液来代替例1中的E1液以外，和例1一样进行处理，制得XY膜。
(例3)将0.05g的硫代二丙酸(纯正化学公司制造)添加到99.95g的上述D液中，制得Y涂布液(E3液)。
除了用E3液来代替例1中的E1液以外，和例1一样进行处理，制得XY膜。
(例4)将0.05g的硫代硫酸钠(纯正化学公司制造)添加到99.95g的上述D液中，制得Y涂布液(E4液)。
除了用E4液来代替例1中的E1液以外，和例1一样进行处理，制得XY膜。
(例5)将0.05g的硫脲(纯正化学公司制造)添加到99.95g的上述D液中，制得Y涂布液(E5液)。
除了用E5液来代替例1中的E1液以外，和例1一样进行处理，制得XY膜。
(例6)将0.05g的巯基乙酸钠(纯正化学公司制造)添加到99.95g的上述D液中，制得Y涂布液(E6液)。
除了用E6液来代替例1中的E1液以外，和例1一样进行处理，制得XY膜。
(例7)将0.1g的α-硫辛酸(和光纯药公司制造)添加到99.95g的上述D液中，制得Y涂布液(E7液)。
除了用E7液来代替例1中的E1液以外，和例1一样进行处理，制得XY膜。
(例8)除了用C2液来代替例1中的C液以外，和例1一样进行处理，制得XYZ膜。
(例9)用乙醇及水洗净14英寸布劳恩管面板表面后，用CeO2的微粒研磨上述布劳恩管面板表面，洗净。接着，利用旋涂法，在150rpm、90秒钟的条件下将25g的G液涂布到面板表面温度被加温到45℃的上述14英寸布劳恩管面板表面上形成着色膜。然后，用旋涂法在150rpm、90秒钟的条件下在上述着色膜上涂布20g的C液，再用旋涂法在120rpm、90秒钟的条件下涂布20g的E1液，在210℃加热30分钟制得XYZ膜。形成上述XYZ膜的着色膜的硬化膜的膜厚为40nm，导电膜的硬化膜的膜厚为100nm，低反射膜的硬化膜的膜厚为100nm。
(例10)除了用E液来代替例1中的E1液(即，不含硫化合物)以外，和例1一样进行处理，制得XY膜。
(例11)将2.0g的α-硫辛酸(和光纯药公司制造)添加到98.0g的上述E液中，制得Y涂布液(E8液)。
除了用E8液来代替例1中的E1液以外，和例1一样进行处理，制得XY膜。
(例12)除了用E液来代替例8中的E1液(即，不含硫化合物)以外，和例9一样进行处理，制得XYZ膜。
(评价结果)测定例1-12所得的XY膜及XYZ膜的硫含量、表面电阻值、反射率、耐摩擦性及透射率的结果如表1所示。另外，表1中，3.0E3表示3.0×103，其它也都一样。
表1
(2)降电阻材料为二氧化钛的情况(X涂布液的配制)配制如下水溶液将79.9g的硝酸铟溶解于686g的水中而形成硝酸铟水溶液和将12.7g的锡酸钾溶解于400g的10质量％氢氧化钾水溶液中而形成锡酸钾水溶液。
在加热至50℃的1000g水中，边搅拌边添加上述硝酸铟水溶液和上述锡酸钾水溶液，将混合溶液中的pH保持在11，同时使水溶液中的硝酸铟和锡酸钾水解。将所生成的IT0微粒过滤，洗净，干燥后，在氮气中，于300℃焙烧3小时，再在氮气氛中，于500℃焙烧6小时，制得ITO微粉末(SnO2的质量的比率为17.5质量％)。
将100g的ITO微粉末分散于40g的乙酰丙酮后，添加360g的乙醇后以调整导电膜形成用分散液。将该导电膜形成用分散液放入砂磨机中，用砂磨机粉碎5小时，制得ITO的固体成分浓度为20质量％的J液。
该J液中的ITO微粒的平均粒径为40nm。将J液放置6个月以上，也无微粒的凝集和沉降，较为稳定。
利用甲醇/乙二醇单异丙醚/双丙酮醇＝100∶25∶5(质量比)的混合溶剂(K液)将J液稀释，使ITO固体成分浓度为3.5质量％，制得X涂布液(L液)。
将J液和二氧化钛微粒分散液(用甲醇稀释结晶化的二氧化钛粉(石原产业公司制造ST-K01)形成的固体成分为2质量％的分散液)混合，使二氧化钛相对于ITO微粒为2.8质量％，用K液稀释使固体成分浓度为3.6质量％，制得X涂布液(L1液)。
将J液和炭黑分散液(固体成分为10质量％)混合，使固体成分比为2∶100，用K液进行稀释使固体成分质量为3.5质量％，制得X涂布液(L2液)。这样制得的L、L1、L2液即使经过6个月以上，也无微粒的凝集和沉降，较为稳定。
(Y涂布液的配制)将50g的硅酸乙酯溶解于200g的甲醇，搅拌下滴下1.5g的浓硝酸和33g的纯水的混合溶液，室温下搅拌2小时，制得SiO2浓度为4.9质量％的溶液(M液)。
以异丙醇/乙二醇单异丙醚/乙酰丙酮/二甲基甲酰胺＝100/24/8/8(质量比)的混合溶剂将M液进行稀释，使SiO2的固体成分浓度为1.3质量％而形成(N液)。这样制得的N液经过6个月以上，也无微粒的凝集和沉降，较为稳定。
将二氧化钛微粒分散液(用甲醇稀释结晶化的二氧化钛粉(石原产业公司制造ST-K01)形成的固体成分为1.3质量％的分散液)添加到92.3g的N液中，使二氧化钛相对于N液的添加量为0.1质量％，搅拌制得固体成分质量为1.3质量％的Y涂布液(N1液)。这样制得的N1液经过6个月以上，也无微粒的凝集和沉降，较为稳定。
(Z涂布液的配制)将5g的钛黑(型号为13M三菱材料公司制造)和pH经硝酸调整到3的硝酸酸性水溶液50g混合，用砂磨机粉碎2小时，制得钛黑的固体成分浓度为9质量％的着色膜形成用分散液(P液)。该P液中的微粒的平均粒径为80nm。这样制得的P液经过2个月以上，也无微粒的凝集和沉降，较为稳定。
用甲醇/乙二醇单异丙醚/双丙酮醇＝100/25/5(质量比)的混合溶剂稀释P液，使钛黑的固体成分浓度为0.9质量％，制得Z涂布液(Q液)。
(例13)用乙醇及水洗净14英寸布劳恩管面板表面后，用CeO2的微粒研磨上述布劳恩管面板表面，洗净。接着，利用旋涂法，在150rpm、90秒钟的条件下将20g的L1液涂布到面板表面温度被加温到45℃的上述14英寸布劳恩管面板表面上。然后，用旋涂法在120rpm、90秒钟的条件下涂布20g的N液，在210℃加热面板30分钟，制得XY膜。形成上述XY膜的导电膜的硬化膜的膜厚为200nm，低反射膜的硬化膜的膜厚为100nm。利用低压汞(主波长为365nm)灯以0.2mW/cm2的强度，对上述XY膜照射10分钟，制得XY膜。
(例14)除了用高压汞灯(主波长为365nm)代替低压汞灯以0.2mW/cm2的强度照射10分钟以外，和例13一样制得XY膜。
(例15)除了用台灯(荧光灯、白炽光)代替低压汞灯以5μW/cm2的强度照射60分钟以外，和例13一样制得XY膜。
(例16)除了用室内光(荧光灯、白炽光)代替低压汞灯以0.5μW/cm2的强度照射300分钟以外，和例13一样制得XY膜。
(例17)除了不用低压汞灯(不进行光照射)以外，和例13一样制得XY膜。
(例18)除了用L液代替L1液、用N1液代替N液以外，和例13一样进行处理，制得XY膜。
(例19)除了用高压汞灯(主波长为365nm)代替低压汞灯以0.2mW/cm2的强度照射10分钟以外，和例18一样制得XY膜。
(例20)除了用台灯(荧光灯、白炽光)代替低压汞灯以5μW/cm2的强度照射60分钟以外，和例18一样制得XY膜。
(例21)除了用室内光(荧光灯、白炽光)代替低压汞灯以0.5μW/cm2的强度照射300分钟以外，和例18一样制得XY膜。
(例22)除了不用低压汞灯(不进行光照射)以外，和例18一样制得XY膜。
(例23)除了用N液代替N1液以外，和例18一样进行处理，制得XY膜。
(例24)除了用高压汞灯(主波长为365nm)代替低压汞灯以0.2mW/cm2的强度照射10分钟以外，和例23一样制得XY膜。
(例25)除了用台灯(荧光灯、白炽光)代替低压汞灯以5μW/cm2的强度照射60分钟以外，和例23一样制得XY膜。
(例26)除了用室内光(荧光灯、白炽光)代替低压汞灯以0.5μW/cm2的强度照射300分钟以外，和例23一样制得XY膜。
(例27)(比较例)除了不用低压汞灯(不进行光照射)以外，和例23一样制得XY膜。
(例28)用乙醇及水洗净14英寸布劳恩管面板表面后，用CeO2的微粒研磨上述布劳恩管面板表面，洗净。接着，利用旋涂法，在150rpm、90秒钟的条件下将20g的L2液涂布到面板表面温度被加温到45℃的上述14英寸布劳恩管面板表面上。然后，用旋涂法在120rpm、90秒钟的条件下涂布20g的N1液，在210℃加热面板30分钟制得XY膜。形成上述XY膜的导电膜的膜厚为200nm，低反射膜的膜厚为100nm。利用台灯(白炽光)以05μW/cm2的强度照射前述XY膜60分钟，制得XY膜。
(例29)除了将N1液变换为N液(即，采用不加入二氧化钛的Y涂布液)以外，和例28一样，制得XY膜。
(例30)用乙醇及水洗净14英寸布劳恩管面板表面后，用CeO2的微粒研磨上述面板表面，洗净。接着，利用旋涂法，在150rpm、90秒钟的条件下将25g的Q液涂布到面板表面温度被加温到45℃的上述14英寸布劳恩管面板表面上形成着色膜。然后，用旋涂法在150rpm、90秒钟的条件下涂布20g的L液在上述着色膜上，再用旋涂法，在120rpm和90秒钟的条件下涂布20g的N1液，在210℃加热30分钟而制得XYZ膜。形成上述XYZ膜的着色膜的硬化膜的膜厚为40nm，导电膜的硬化膜的膜厚为200nm，低反射膜的硬化膜的膜厚为100nm。利用台灯(白炽光)以5μW/cm2的强度照射上述XY膜60分钟，制得XY膜。
(例31)除了将N1液变换为N液(即，采用不加入二氧化钛的Y涂布液)以外，和例30一样，制得XYZ膜。
(评价结果)测定例13-31所得的XY膜和XYZ膜的表面电阻值、视觉反射率、耐摩擦性以及透射率的结果如表2、3所示。另外表2、表3中的3.0E3表示3.0×103，其它也都一样。
表2
表3
从表2的例13-17可知通过对含二氧化钛的导电膜照射具有比二氧化钛的能带隙更大的能量的光，就可以大幅度降低XY膜的表面电阻值。照射光即使是室内光这类微弱的光，也可通过二氧化钛的光激励使表面电阻值降低。即使在导电膜中含有二氧化钛，耐摩擦性和透明性等特性也不会下降。
从表2的例18-22可知通过使涂布于导电膜上的低折射率形成用涂布液中含有二氧化钛源，可使二氧化钛浸透在导电膜中，使二氧化钛含在导电膜中。照射光即使是室内光这类微弱的光，也可因二氧化钛的光激励使表面电阻值降低。即使在导电膜中含有二氧化钛，耐摩擦性和透明性等特性也都不会下降。
从表3的例23-27可知通过将具有比导电性微粒的能带隙更大的能量的光照射到XY膜上，可大幅度降低XY膜的表面电阻值。
从表3的例28-31可知对于XYZ膜也同样可通过将具有比二氧化钛的能带隙更大的能量的光照射到含有二氧化钛的导电膜上，可大幅度降低XYZ膜的表面电阻值。
产业上应用的可能性利用本发明所形成的低反射导电膜或着色低反射导电膜，通过使导电膜中含有降电阻材料，可形成使导电性上升，抑制导电性的经时减弱，反射率和耐摩擦性不降低的，兼具低反射机能的透明的导电膜。
特别是通过将具有比二氧化钛的能带隙更大的能量的光照射到含二氧化钛的导电膜上，可大幅度降低导电膜的表面电阻值。照射光即使是室内光这类微弱的光，也因二氧化钛的光激励使表面电阻值降低。即使在导电膜中含有二氧化钛，耐摩擦性和透明性等特性也都不会下降。
权利要求
1.一种低反射导电膜，它至少由含导电性微粒的导电膜和形成在上述导电膜上的、折射率低于上述导电膜的低折射率膜构成，其特征在于，上述导电膜中含有降电阻材料。
2.根据权利要求1所述的低反射导电膜，其特征在于，上述导电性微粒是掺锡氧化铟微粒或掺锑氧化锡微粒。
3.根据权利要求1或2所述的低反射导电膜，其特征在于，上述降电阻材料为硫化合物及/或二氧化钛。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的低反射导电膜，其特征在于，上述降电阻材料为硫化合物，并且上述硫化合物为选自α-硫辛酸、α-硫辛酰胺、硫代二丙酸、硫代硫酸钠、硫脲以及巯基乙酸钠中的至少一种。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的低反射导电膜，其特征在于，上述降电阻材料为硫化合物，并且导电膜中的上述硫化合物的含量相对于导电膜中的导电性微粒，以换算成导电膜中的硫的质量计，为0.1-10质量％。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的低反射导电膜，其特征在于，上述降电阻材料为二氧化钛，并且导电膜中的上述二氧化钛的含量相对于导电膜中的导电性微粒为0.1-20质量％。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的低反射导电膜，其特征在于，上述导电膜的膜厚为5-200nm，并且上述低折射率膜的膜厚为5-150nm。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的着色低反射导电膜，其特征在于，在上述导电膜的低折射率膜的相反侧形成含着色性成分的着色膜。
9.根据权利要求8所述的着色低反射导电膜，其特征在于，上述着色性成分为炭黑或钛黑。
10.根据权利要求8或9所述的着色低反射导电膜，其特征在于，上述着色膜的膜厚为5-200nm。
11.被覆物，其特征在于，在基体上形成有权利要求1-7中任一项所述的低反射导电膜或权利要求8-10中任一项所述的着色低反射导电膜。
12.一种显示装置，其特征在于，将上述低反射导电膜或上述着色低反射导电膜置于外表面而装配权利要求11所述的被覆物。
13.一种X涂布液，其特征在于，其中含有溶剂、导电性微粒及降电阻材料。
14.根据权利要求13所述的导电膜形成用涂布液，其特征在于，上述导电性微粒的浓度相对于上述涂布液总质量为0.01-20质量％；上述降电阻材料为二氧化钛源，而上述二氧化钛源的含量相对于导电性微粒，换算成二氧化钛为0.1-20质量％。
15.一种低折射率膜形成用涂布液，其特征在于，其中含有溶剂、硅化合物及降电阻材料。
16.根据权利要求15所述的低折射率膜形成用涂布液，其特征在于，上述硅化合物为硅醇盐，上述硅醇盐的含量相对于上述低折射率膜形成用涂布液总质量，按SiO2的固体成分计的浓度为0.1-30质量％；上述降电阻材料为硫化合物，上述硫化合物的含量相对于上述低折射率膜形成用涂布液总质量为0.01-1.5质量％。
17.根据权利要求15所述的低折射率膜形成用涂布液，其特征在于，上述硅化合物为硅醇盐，上述硅醇盐的含量相对于上述低折射率膜形成用涂布液总质量，按SiO2的固体成分计的浓度为0.1-30质量％；上述降电阻材料为二氧化钛源，上述二氧化钛源的含量相对于上述低折射率膜形成用涂布液总质量，换算成二氧化钛为0.01-1.0质量％。
18.一种低反射导电膜的制造方法，其特征在于，通过在基体上涂布含导电性微粒的导电膜形成用涂布液，然后，涂布含降电阻材料的低折射率膜形成用涂布液来形成低反射导电膜。
19.根据权利要求18所述的着色低反射导电膜的制造方法，其特征在于，在涂布上述导电膜形成用涂布液之前，通过在基体上涂布含着色性成分的着色膜形成用涂布液来形成着色低反射导电膜。
20.一种低反射导电膜的制造方法，其特征在于，通过在基体上涂布含导电性微粒的导电膜形成用涂布液，然后，涂布低折射率膜形成用涂布液以形成低反射导电膜，此后，将具有比上述导电性微粒的能带隙更大的能量的光照射到上述低反射导电膜上，较不照射上述光时降低了上述低反射导电膜的表面电阻值。
21.一种低反射导电膜的制造方法，它是通过在基体上涂布含导电性微粒的导电膜形成用涂布液，然后，涂布低折射率膜形成用涂布液以形成低反射导电膜的低反射导电膜的制造方法，其特征在于，在上述导电膜形成用涂布液及/或上述低折射率膜形成用涂布液中含有二氧化钛源，并且将具有比二氧化钛的能带隙更大的能量的光照射到上述低反射导电膜上，较不照射上述光时降低了上述低反射导电膜的表面电阻值。
全文摘要
本发明提供一种使导电性提高、抑制导电性经时降低、反射率和耐磨损性不减弱并且兼具低反射机能的低反射导电膜及着色低反射导电膜及其制造方法和具有上述膜的基材。上述低反射导电膜至少由含导电性微粒的导电膜和形成在上述导电膜上的、折射率低于上述导电膜的低折射率膜2层膜构成，在上述导电膜中含有降电阻材料。上述低反射导电膜的制造方法是通过在基体上涂布含导电性微粒的导电膜形成用涂布液，其后再涂布含降电阻材料的低折射率膜形成用涂布液来形成低反射导电膜的方法。
文档编号B32B7/02GK1639807SQ02823880
公开日2005年7月13日 申请日期2002年12月4日 优先权日2001年12月5日
发明者猪熊久夫, 阿部启介, 真田恭宏 申请人:旭硝子株式会社