偏光膜制造方法及使用该制造方法制造的偏光膜的制作方法

文档序号:2442152阅读:356来源:国知局
专利名称:偏光膜制造方法及使用该制造方法制造的偏光膜的制作方法
技术领域
本发明涉及一种偏光膜制造方法;具体而言,本发明涉及一种供液晶显示器(liquid crystal display, LCD ) 4吏用的偏光膜的制造方法。
背景技术
偏光膜的质量是影响液晶显示器的包括对比、可^L角、色彩饱和度、暗态、色偏等显示效果的重要因素之一。优选的偏光膜质量可才是高液晶显示器的显示效果。
已知的偏光膜制造方法包括将聚乙烯醇(polyvinylalcohol,PVA)经过染色、固色、拉伸以及烘干步骤后,将三醋酸纤维素(tri-acetyl cellulose, TAC )保护层及聚环烯烃高分子(cycloolefinpolymer,COP)保护层分别勦于两侧,再分别在三醋酸纤维素4呆护层的一侧及聚环烯烃高分子保护层的一侧贴上表面^f呆护膜及离型膜即完成。
由于偏光膜是以不同材质的光学膜贴合而成的,所以不同材质的光学膜贴合的效果好坏会直接影响偏光膜的质量,进而影响液晶显示器的显示效果。光学膜贴合效果好坏的评估指标之一是偏光膜翘曲的发生及程度。若翘曲状况较多或翘曲程度较大,使用该偏光膜进行片贴时易于发生无法片贴或贴合缺陷的情形。因此,当光学膜贴合后偏光膜发生翘曲的状况较少或翘曲程度较小时,偏光膜的质量即是优选的。

发明内容
本发明的主要目的在于提供一种偏光膜制造方法,以便减少偏光膜翘曲的发生。
本发明的另一主要目的在于提供一种偏光膜,具有较少的翘曲状况。
本发明的偏光膜制造方法步骤包括以第 一 张力拉伸第 一保护膜;以第二张力拉伸第二保护膜;将第一保护膜及第二保护膜分别贴合于基底膜两侧;以第三张力拉伸第三保护膜;将第三保护膜贴合于第一保护膜的相对于基底膜的另一侧,以形成复合膜;以及以
第四张力拉伸复合膜以形成偏光膜。其中,第一张力与第三张力的乘积除以第二张力与第四张力的乘积的比4直介于0.015至8之间。
拉伸步骤包括使用滚轴巻收。第一保护膜是三醋酸纤维素。第二保护膜是聚环烯烃高分子。基底膜是聚乙烯醇。其中,基底膜的单体穿透率大于41%、偏光度高于99.9%,厚度介于20至35 ium。第三保护膜是聚对苯二曱酸乙二醇酯。
偏光膜制造方法进一步包括在基底膜与第一保护膜及第二保护膜贴合之前,对基底膜进行预处理。预处理步骤包括在温度介于25。C至35。C的水中进4亍膨润,以及在温度介于25。C至5(TC的含有3.0至5.5重量百分率的硼S吏以及2.0至6.0重量百分率的石與4匕4甲的溶液中,拉伸使基底膜的长度成为原本长度的4至7倍。偏光膜制造方法进一步包括在基底膜与第一保护膜及第二保护膜贴合之前,对第一4呆护膜进行皂化处理。偏光膜制造方法进一步包括在基底膜与第 一保护膜及第二保护膜贴合之前,对第二保护膜进行表面改性。
贴合步骤包括使用聚乙烯醇高分子作为贴合剂。贴合步骤包括
使用聚氨基甲酸乙酯(polyurethane)作为贴合剂。偏光膜制造方法进一步包4舌对第一^f呆护力莫进4亍雾面处理(anti-glare treatment )。偏光膜制造方法进 一 步包括对第 一 保护膜进行高精细雾面处理(highdefine anti-glare treatment )。偏光月莫制造方法进一步包4舌对第 一寸呆护膜进行硬镀膜处理(hard-coating treatment )。
本发明的一种偏光膜包括基底膜、第一保护膜、第二保护膜以及第三保护膜。其中,第一保护膜经第一张力拉伸后贴合于基底膜的一侧。第二保护膜经第二张力拉伸后贴合于基底膜的相对于第一保护膜的另 一侧。第三保护膜经第三张力拉伸后贴合于第 一保护膜的相对于基底膜的另一侧。偏光膜经第四张力拉伸,且第一张力与第三S长力的乘禾只卩余以第二 艮力与第四7艮力的乘,只的t匕'f直'介于 0.015至8之间。


图1为本发明的偏光膜制造方法的优选实施例示意图;图2为本发明的偏光膜制造方法的优选实施例流程图;图3为本发明的偏光膜的优选实施例示意具体实施例方式
本发明提供了 一种偏光膜制造方法,以及使用该偏光膜制造方 法制造的偏光膜。
图l及图2分别为本发明的偏光膜制造方法实施例示意图及实 施例流程图。如图1所示,在优选实施例中,滚轴400、第一滚轴 410、第二滚轴420及第三滚轴430分别巻收基底膜100、第一保护 膜110、第二保护膜120及第三保护膜130。第一槽体510是染色 槽。第二槽体520是固色拉伸槽。干燥装置530则供烘干膜片之用。 第一巻收滚轴310可将第一4呆护月莫110 乂人第一滚轴410巻收4立出并 压贴于基底膜100。第二巻收滚轴320可将第二保护膜120从第二 滚轴420巻收^立出并压贴于基底膜100。第三巻收滚轴330可将第 三保护膜130从第三滚轴430巻收拉出并压贴于第一保护膜110。 偏光膜140最终则巻收于偏光膜巻收滚轴340。
进一步说明本发明的偏光膜制造方法的实施步骤。如图2所示, 步骤3001包括如图1所示的以第一张力210拉伸第一保护膜110。 在优选实施例中,第一保护膜110是三醋酸纤维素,第一保护膜110 巻收于第一滚轴410上,第一张力210由第一巻收滚轴310巻收第 一4呆护力莫110时产生。然而在不同实施例中,可以其它方式^立伸第 一保护膜110以产生第一张力210。
如图2所示,步骤3003包括如图1所示的以第二张力220拉 伸第二保护膜120。在优选实施例中,第二保护膜是聚环烯烃高分 子,第二保护膜120巻收于第二滚轴420上,第二张力220由第二 巻收滚轴320巻收第二保护膜120时产生。然而在不同实施例中, 可以其它方式4i伸第二4呆护力莫120以产生第二张力220。如图2所示,步骤3005包括如图1所示的在基底膜100经过 于第一槽体510中进行的染色步骤、在第二槽体520中进行的固色 与拉伸步骤、以及在干燥装置530中进行的干燥步骤后,将第一保 护膜110及第二保护膜120分别贴合于基底膜100两侧。其中,基 底膜100的单体穿透率大于41%、偏光度高于99.9%,厚度介于20 至35jum。在优选实施例中,基底膜100是聚乙烯醇,基底膜100 巻收于基底膜滚轴400上。
如图2所示,步骤3007包括如图1所示的以第三张力230拉 伸第三保护膜130。在优选实施例中,第三保护膜是聚对苯二曱酸 乙二醇酯,第三4呆护膜130巻收于第三滚轴430上,第三张力230 由第三巻收滚轴330巻收第三保护膜130时产生。然而在不同实施 例中,可以其它方式4立伸第三^f呆护力莫130以产生第三张力230。
如图2所示,步骤3009包括如图1所示的将第三保护膜130 贴合于第一保护膜110的相对于基底膜100的另一侧,以形成复合 膜141。
如图2所示,步骤3011包括如图1所示的以第四张力240拉 伸复合膜141以形成偏光膜140。在优选实施例中,第四张力240 由偏光膜巻收滚轴340巻收复合膜141时产生。然而在不同实施例 中,可以其它方式4立伸复合膜141以产生第四张力240。
其中,从步骤3001至步骤3011中的第一张力210与第三张力 230的乘积除以第二张力220与第四张力240的乘积的比值介于 0.015至8之间。即,
(第一张力210)x(第三张力230) nm《y zQ
——^-^-= ",0.015 ^"^8
(第二张力220)x(第四张力240)此外,在优选实施例中,贴合步骤包括使用聚乙烯醇高分子或
聚氨基甲酸乙酯(polyurethane )作为贴合剂。然而在不同实施例中, 也可4吏用其它水性黏月交作为贴合之用。
本发明的偏光膜制造方法进一步包括在如图1所示的基底膜 100与第一保护膜110及第二保护膜120贴合之前,对基底膜100 进4亍预处理。在优选实施例中,预处理步骤包4舌在温度介于25。C至 35。C的水中进行膨润,以及在温度介于25。C至5(TC的含有3.0至 5.5重量百分率的硼酸以及2.0至6.0重量百分率的石典化钾的溶液中, 4立伸使基底膜100的长度成为原本长度的4至7倍。
本发明的偏光膜制造方法进一步包括在如图1所示的基底膜 100与第一保护膜110及第二保护膜120贴合之前,对第一保护膜 110进行皂化处理。偏光膜制造方法进一步包括在基底膜100与第 一保护膜110及第二保护膜120贴合之前,对第二保护膜120进行 表面改性。偏光膜制造方法进一步包括对第一保护膜110进行雾面 处理(anti-glare treatment )。偏光膜制造方法进一步包括对第一保护 月莫110进4亍高4青细雾面处J里(high define anti-glare treatment )。 <扁光 膜制造方法进一步包括对第 一保护膜110进行硬4^膜处理 (hard-coating treatment)。以下举例i兌明上述<扁光月莫制造方法及各 步骤。
实施例1
在如图1中的第二槽体520中,将单体穿透率大于41%、偏光 度高于99.9%,厚度介于20至35 jum的聚乙烯醇基底膜100在温 度介于25。C至35。C的水中进行膨润,以及在温度介于25。C至50°C 的含有3.0至5.5重量百分率的硼酸以及2.0至6.0重量百分率的石典 化钾的溶液中,拉伸使基底膜100的长度成为原本长度的4至7倍。 而后如图1所示,〗吏用聚乙烯醇高分子水月交将以70^^斤的第一张力210拉伸的第一保护膜110及以30 />斤的第二张力220拉伸的 第二保护膜120分别贴合于基底膜100两侧。其中,第一保护膜110 是经过皂化处理的三醋酸纤维素,第二保护膜120是经过电暈处理 以增加表面亲水性的聚环烯烃高分子。接着将以37公斤的第三张 力230拉伸的第三保护膜130贴合于第一保护膜110的相对于基底 膜100的另 一侧,以形成复合膜141 。其中,第三保护膜130是聚 对苯二曱酸乙二醇酯。最后,以65公斤的第四张力240拉伸复合 膜141以形成^扁光月莫140。
如图3所示,本发明的偏光膜140包括基底膜100、第一保护 膜110、第二保护膜120以及第三保护膜130。其中,第一保护膜 经第一张力210 ^立伸后贴合于基底膜100的一侧。第二保护120月莫 经第二张力220拉伸后贴合于基底膜100的相对于第一保护膜110 的另一侧。第三保护膜130经第三张力230拉伸后贴合于第一保护 膜110的相对于基底膜100的另一侧。偏光膜140经第四张力240 4立伸,且第一张力210与第三张力230的乘积除以第二张力220与 第四张力240的乘积的比^f直介于0.015至8之间。在该实施例中,
(第一张力210)x(第三张力230) = 70公斤x37公斤—j 33 (第二张力220) x (第四张力240) — 30公斤x 65公斤—.
实施例2
在如图1中的第二槽体520中,将单体穿透率大于41%、偏光 度高于99.9%,厚度介于20至35 jum的聚乙烯醇基底膜100在温 度介于25。C至35。C的水中进行膨润,以及在温度介于25。C至50°C 的含有3.0至5.5重量百分率的硼酸以及2.0至6.0重量百分率的石典 化钾的溶液中,拉伸使基底膜100的长度成为原本长度的4至7倍。 而后如图1所示,^使用聚乙烯醇高分子水月交将以807>斤的第一张 力210拉伸的第一保护膜110及以70公斤的第二张力220拉伸的
ii第二保护膜120分别贴合于基底膜100两侧。其中,第一^f呆护膜110 是经过皂化处理的三醋酸纤维素,第二保护膜120是经过电暈处理 以增加表面亲水性的聚环烯烃高分子。接着将以35 />斤的第三张 力230拉伸的第三保护膜130贴合于第一保护膜110的相对于基底 膜100的另一侧,以形成复合膜141。其中,第三保护膜130是聚 对苯二曱酸乙二醇酯。最后,以40公斤的第四张力240拉伸复合 膜141以形成偏光膜140。其中,
(第一张力210)x(第三张力230) — 80公斤x35公斤 (第二张力220)x(第四张力240) — 70公斤x40公斤
二l.OO
本发明已由上述相关实施例加以描述,然而上述实施例仅为实 施本发明的范例。必需指出的是,已披露的实施例并非限制本发明 的范围。相反地,包括在权利要求的精神及范围内的修改及等同设 置均包括在本发明的范围内。
主要组件符号说明
100 基底膜
110 第一保护膜
120 第二^f呆护膜
130 第三保护膜
140 偏光膜
141 复合膜
210 第一张力
220 第二张力
230 第三 长力
240 第四 长力
310 第一巻收滚轴
320 第二巻收滚轴
330 第三巻收滚轴
340 偏光力莫巻收滚轴400 基底膜滚轴
420 第二滚轴
510 第一槽体
530 干燥装置 3003 步骤 3007 步骤 3011 步骤
410 第一滚轴 430 第三滚轴 520 第二槽体 3001 步骤 3005 步骤 3009 步骤
权利要求
1. 一种偏光膜制造方法,包括以下步骤以第一张力拉伸第一保护膜;以第二张力拉伸第二保护膜;将所述第一保护膜及所述第二保护膜分别贴合于基底膜两侧;以第三张力拉伸第三保护膜;将所述第三保护膜贴合于所述第一保护膜的相对于所述基底膜的另一侧,以形成复合膜;以及以第四张力拉伸所述复合膜以形成所述偏光膜;其中,所述第一张力与所述第三张力的乘积除以所述第二张力与所述第四张力的乘积的比值介于0.015至8之间。
2. 根据权利要求1所述的偏光膜制造方法,其中,所述拉伸步骤 包括使用滚轴巻收。
3. 根据权利要求1所述的偏光膜制造方法,其中,所述第一保护 膜是三醋酸纤维素。
4. 根据权利要求1所述的偏光膜制造方法,其中,所述第二保护 膜是聚环烯烃高分子。
5. 根据权利要求1所述的偏光膜制造方法,其中,所述基底膜是 聚乙烯醇。
6. 根据权利要求5所述的偏光膜制造方法,其中,所述基底膜的单体穿透率大于41%、偏光度高于99.9%,厚度介于20至35 ju m。
7. 根据权利要求1所述的偏光膜制造方法,其中,所述第三保护 膜是聚对苯二曱酸乙二醇酯。
8. 根据权利要求1所述的偏光膜制造方法,进一步包括在所述基 底膜与所述第一保护膜及所述第二保护膜贴合之前,对所述基底月莫进4于预处理,包括在温度介于25。C至35。C的水中进^f亍膨润;以及在温度介于25。C至50。C的含有3.0至5.5重量百分率的 硼酸以及2.0至6.0重量百分率的石典化4甲的;:容液中,4立伸4吏所 述基底膜的长度成为原本长度的4至7倍。
9. 根据权利要求1所述的偏光膜制造方法,进一步包括在所述基 底膜与所述第 一保护膜及所述第二保护膜贴合之前,对所述第 一保护膜进4于皂化处理。
10. —种偏光月莫,包4舌基底膜;第一保护膜,经第一张力拉伸后贴合于所述基底膜的一侧;第二保护膜,经第二张力拉伸后贴合于所述基底膜的相 对于所述第一保护膜的另一侧;以及第三保护膜,经第三张力拉伸后贴合于所述第一保护膜 的相对于所述基底膜的另 一侧;其中,所述偏光膜经第四张力拉伸,且所述第一张力与 所述第三张力的乘积除以所述第二张力与所述第四张力的乘 积的比^直介于0.015至8之间。
全文摘要
本发明提供了一种偏光膜制造方法,步骤包括以第一张力拉伸第一保护膜;以第二张力拉伸第二保护膜;将第一保护膜及第二保护膜分别贴合于基底膜两侧;以第三张力拉伸第三保护膜;将第三保护膜贴合于第一保护膜的相对于基底膜的另一侧,以形成复合膜;以及以第四张力拉伸复合膜以形成偏光膜。其中,第一张力与第三张力的乘积除以第二张力与第四张力的乘积的比值介于0.015至8之间。本发明还提供了一种使用该偏光膜制造方法制造的偏光膜,包括基底膜、第一保护膜、第二保护膜以及第三保护膜。利用本发明的偏光膜制造方法可以减少偏光膜翘曲的发生。
文档编号B32B37/02GK101486268SQ200810000
公开日2009年7月22日 申请日期2008年1月14日 优先权日2008年1月14日
发明者郑孟嘉, 陈宏杰, 陈裕泓 申请人:达信科技股份有限公司
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