喷墨打印头的制作方法

专利名称：喷墨打印头的制作方法
技术领域：
本发明涉及热喷墨打印头，具体而言，涉及与打印喷嘴个体相关 的驱动电路。
背景技术：
热喷墨打印是一种广泛使用的打印技术。典型的墨喷打印机包括 至少一个打印墨盒，其中，形成小墨滴，并使其朝向纸或任何其他打 印介质喷射，从而在该介质上形成图像。常将最接近打印介质的墨盒 部分称为打印头。其含有在其内钻取了由微小喷嘴构成的阵列的孔 板。临近每一喷嘴设有墨室，在形成小墨滴之前，将墨水存储在所述 墨室内。
每一墨室设有热换能器，所述热换能器通常具有欧姆薄膜电阻的 形式。通过迅速加热存储在墨室内的墨水而完成喷墨。墨水的迅速膨 胀迫使墨室中的一部分墨水以墨滴的形式通过所述喷嘴。破裂的气泡 在墨室内建立了真空，从而引起墨水从墨盒内的墨水容器再次填充到 墨室当中，所有的墨室均与所述墨水容器流体相通。补充的墨水冷却 了电阻器、室壁和喷嘴，因而再次填充和冷却使其做好了在下一次激 活加热电阻器时形成下一墨滴的准备。
在基于CMOS硅晶片技术的常规热喷墨打印头中，在形成于硅 衬底上的薄膜内淀积热换能器，所采用的电阻材料通常为金属合金。
图1以示意图的形式示出了已知打印头的第一例子，其提供了具 有薄膜电阻加热器2和对其加以驱动的晶体管4的喷嘴1。在这一例 子中，釆用常规硅IC工艺在晶片6上制造晶体管。
为了避免电阻材料和墨水之间发生化学反应，至少要采用一个通 常由氮化硅构成的惰性、耐热钝化层覆盖所述热换能器及其金属端 子。可以在钝化层的顶部淀积空化层，以降低对钝化层和电阻器层的
机械损伤，所述机械损伤可能是由于在墨滴喷射之后重新填充墨水 时，进入墨室的墨水的冲击导致的。
将热换能器的一个端子连接至电源电压，将另一个端子连接至驱 动晶体管的漏极，将驱动晶体管的源极连接至公共地。使针对每一喷 嘴的打印数据能够在晶体管栅极处可得，从而根据所要打印的数据， 使热换能器按照特定顺序在开启、关闭之间切换。驱动晶体管与热换 能器相邻，并且将其与热换能器制造在同一衬底上。
可以采用很多种不同的技术形成驱动晶体管。所述晶体管的沟道 必须足够宽，从而使其导通状态下的电阻与热换能器的电阻相比小。 这确保了外部电源电压几乎全部跨越导通状态下的热换能器降落，由 此使晶体管中的能量损失降至最低。在截止状态下，电源电压几乎全 部跨越晶体管沟道降落。非常重要的一点是，晶体管在该电压下的漏 电流充分低，以防止在与墨室相邻的晶体管的散热作用下墨水温度显 著升高。
为了提供高打印处理能力和高打印分辨率，新型打印头的喷嘴数
量通常为几百，喷嘴间距为20-200pm。高喷嘴数量和小间距的结合 使得采用外部逻辑电路对开关晶体管单独寻址不切实际，因为其要求 为每一喷嘴设置一个接触焊盘。因此，新型打印头具有嵌入到打印头 衬底上的逻辑电路，所述逻辑电路是在制造开关晶体管的过程中制造 的。所述集成逻辑电路具有单一、串行打印数据输入，由此显著降低 了外部接触焊盘的数量。
对于具有非常高的喷嘴数量的高级打印头而言，提出了采用多晶 硅薄膜晶体管(TFT)技术。
在多晶硅打印头中，多晶硅岛提供了沟道、源极、漏极和场释放 区。它们是通过利用化学气相淀积在衬底上淀积非晶硅(a-Si)，随后 实施掺杂剂注入和利用激光的a-Si结晶或本领域已知的其他结晶技 术而形成的。由于衬底不是TFT的部分，而只是提供机械支撑，因 而可以采用玻璃、塑料薄片或钢箔等宽范围的衬底材料。
在多晶硅岛的顶部制造栅极氧化物和栅极金属。淀积通过介质层 隔离的其他金属层，并对其进行光刻界定，使之连接至源极、漏极和
栅极，并布设打印头内的信号线和电源线。
所述热换能器也由多晶硅构成，并且在优选工艺流中，通过与用
于TFT的多晶硅岛相同的加工步骤制造所述换能器。在多晶硅岛的 中央部分注入界定热换能器的低剂量区，两个高剂量区界定了连接至 换能器的导电迹线。
在当前的批量生产设施中，多晶硅技术采用尺寸为0.5-21112的大 的矩形衬底。其能够制造出具有非常宽的喷嘴阵列的打印头，具体而 言，所述喷嘴阵列的宽度等于典型的打印介质(A4或B4纸)的宽度。 纸张宽度的打印头的主要优点在于，它们消除了像当前办公室应用中 采用的墨喷打印机那样移动打印墨盒的需要。另一个优点是提高了打 印处理能力。由于常规打印头是制造在小的、圆硅晶片上的，因而常 规技术无法制造出纸张宽度的打印头。
在基于Si晶片CMOS技术的常规燃烧室设计中，在电阻层的顶 部界定导电迹线，以提供两个到热换能器的连接。这里，常规设计在 燃烧室层内两个金属迹线终止的位置具有两个突变的阶梯。在喷墨打 印领域，众所周知，在打印过程中的恒定温度循环的作用下以及在墨 滴喷射之后由墨水重新填充墨室引起的动量的作用下，这些台阶易于 劣化。在多晶硅工艺中，在同一多晶硅层内制造热换能器及其端子， 从而形成了共面结构。这样做提高了成品率，并且能够使用较薄的钝 化层和空化层，这样又能降低形成墨滴所需的能量。
尽管将多晶硅技术用于热喷墨打印是非常具有吸引力的，因为如 上文所述其能够实现纸张宽度打印，并且能够提高燃烧室内的成品 率，但是多晶硅技术的引入也带来了很大的缺陷，这一缺陷与多晶硅 TFT的高导通电阻有关。
与喷嘴间距(20-200拜)相比，打火晶体管的宽度必须非常大。 对于这一点原因有二。首先，对于每个喷嘴形成墨滴所需的功率高达 2瓦，这意味着必须具备低导通电阻，以提供足够高的电流。其次， 晶体管的导通电阻应当小于热换能器的电阻的10%，以确保电压降几 乎完全发生在换能器上。
与热喷墨打印有关的关键技术问题之一是如何使非常宽的打火
晶体管与小喷嘴间距适配。对于其内的打火晶体管是采用多晶硅技术
而不是在硅晶片上采用常规CMOS技术制造的打印头尤其如此。这
是因为，多晶硅TFT具有较高的阈值电压，需要更长的沟道，并且
具有较低的迁移率。因此，它们提供了比常规CMOS晶体管更低的
每沟道宽度的导通电流。假设喷嘴功率为1W，并且向热换能器施加
20V的电源电压，那么就典型的TFT参数(沟道长度为4um，阈值
电压为2V，迁移率为150cmVVs，栅极电压为15V)而言，沟道宽度
具有几毫米的量级。此外，在多晶硅技术中，在更大设计规则的影响
下，最小特征尺寸(具体而言为最小间隔和接触孔尺寸)也变得更大。
一种降低所需的沟道宽度的方法在于提高电源电压。为了使功率
保持恒定，还必须提高热换能器的电阻，这意味着，具有较小宽度的
TFT足以确保其导通电阻与热换能器的电阻相比仍为小电阻。由于对
于固定功率而言，加热器的电阻与电源电压的二次方成正比，所需的
晶体管宽度随电压平方的倒数降低。因而，提高电压是一种确保晶体 管与小喷嘴间距匹配的非常有效的方式。
但是，尽管提高电压降低了 TFT尺寸，但是也降低了其寿命， 因为更高的电压将导致晶体管在雪崩效应、热载流子效应和自发热的 影响下而发生劣化。在全部电压均在TFT沟道的两端降落时的截止 状态下尤其如此。

发明内容
根据本发明，提供了一种包括由每者与相应的打印头喷嘴相关的 打印头加热器电路构成的阵列的喷墨打印头，其中，每一加热器电路 包括加热器装置和用于驱动通过所述加热器装置的电流的驱动晶体 管，所述加热器装置和所述驱动晶体管串联在电源线之间，其中，所 述加热器装置包括多个串联的二极管元件。
所述二极管元件具有固有电阻，以提供所需的加热，但是跨越二 极管元件的电压降能够使处于截止条件下的晶体管两端的电压降低。 其实现了晶体管的尺寸的降低和/或能够采用更高的电源电压。
所述驱动晶体管优选包括多晶硅薄膜晶体管，于是，所述加热器
装置包括由多晶硅层形成的二极管。这使得加热器能够由与晶体管所 需的工艺步骤相同的工艺步骤形成。
所述二极管元件优选包括橫向p-n结二极管，其p型和n型结是 由公共的多晶硅层形成的。
本发明还提供了一种制造用于喷墨打印头的打印头加热器电路 阵列的方法，所述电路设置于公共衬底之上，所述方法包括
在所述公共衬底上提供电介质层；
在所述电介质层上淀积非晶硅层；
处理所述非晶硅层以形成多晶部分；
执行多种掺杂操作，从而在所述多晶硅部分内界定源极、栅极和 漏极晶体管区，以及界定用于p-n结二极管的n型和p型区；
在所述掺杂多晶硅层上提供栅极电介质层；
在所述栅极电介质层上提供栅极导体层，并由所述栅极导体层至 少界定栅极端子；以及
提供其他电介质层。
所采用的界定晶体管的场释放区的掺杂工艺可以与用于n型p-n 结二极管区的掺杂工艺相同。
也可以采用另一种掺杂工艺界定P型p-n结二极管区，并将同样 的掺杂工艺应用于控制电路的P型晶体管的源极区和漏极区。
这些措施能够实现在不需要额外的工艺步骤或只需要最少的额 外工艺步骤的情况下实施本发明。


现在将参考附图详细说明本发明的例子，其中
图1示出了已知的、在硅晶片上制造的打印头电路；
图2示出了本发明的打印头电路；以及
图3到图5示出了用来制造本发明的打印头的过程。
具体实施例方式
图2示出了本发明的加热器电路个体的示意性电路图。
所述加热器电路包括薄膜晶体管TFT 10和加热装置12。本发明 采用的加热器元件具有多个二极管元件12串联的形式。在优选实现 中，所述串联的二极管14以交替的方式按照正向偏置和反向偏置工 作。在任何一对相邻二极管14之间设有电阻16，在串联结构的每一 末端设有一个电阻器。但是，在下文所述的优选实施例中，这些电阻 器不是分立元件，而是二极管特征的一部分。
具体而言，所述二极管由多晶硅岛形成，在下文中将对其做更为 详细的说明。将所述p和n结设计为使它们的击穿电压充分低，从而 使所有的反偏二极管在指定电源电压下均在击穿区工作，而不管TFT 10处于导通状态还是截止状态。此外，选择所有的p区和n区的注 入剂量和尺寸，从而使它们的组合电阻比TFT IO的导通电阻高得多 (例如至少高10倍)。
例如，这些二极管可以是电阻性横向薄膜二极管。
在切换热换能器的TFT处于截止状态时，外部电源电压的相当 大的部分将跨越二极管结降落，这意味着降低了跨越TFT沟道的电 压。因而，其允许在不牺牲TFT稳定性的情况下采用更大的电源电 压Vs。因此，能够降低TFT的宽度，这样更易于设计用于高分辨率 打印机的、具有小喷嘴间距的打印头。
在本发明的优选实现中，将打火TFT IO实现为在淀积于衬底上 的多晶硅岛内界定的沟道、源极、漏极和场释放区。在多晶硅岛的顶 部具有栅极氧化物和栅电极。将所述源极连接至公共地GND，将所 述漏极连接至所述加热器装置12的一个端子，所述加热器装置12靠 近TFT 10，并与之位于同一衬底上。将热换能器的第二端子连接至 外部电源电压Vs。在同一衬底上制造逻辑电路(未示出)，从而使 TFT栅极可以得到打印数据。
与TFT类似，加热器装置12也包括多晶硅岛。采用标准光刻技 术，通过离子注入在这一岛内形成横向p-n结和n-p结。将所述p区 和n区界定为使所述多晶硅岛呈现出交替的pn和np 二极管的串行连 接，所述串联结构的一端连接至TFT漏极，另一端连接至电源电压。 每一 n区和p区具有一定的电阻，所述电阻取决于注入剂量和该区域 的尺寸。
首先将描述电路的操作，之后将给出采用薄膜加工技术的电路制 造的例子。
首先，将说明处于导通状态的电路操作。对于足够高的电源电压
Vs和高注入电流而言，跨越每一二极管结的电压降将延伸到其p区 和n区内，从而导致跨越这些电阻区的欧姆压降。跨越所述结的电压 降自身将变得无足轻重。跨越所述电阻区的电压降导致了引起墨水汽 化和墨滴喷射的所需热耗散(以常规方式)。
接下来，将说明处于截止状态的电路操作。在采用具有单个均匀 的电阻多晶硅区的形式的加热器时，如在常规设计中那样，漏极处的 电压等于外部电源电压。但是，在图2的电路中，降低了TFT漏极 处的电压，降低量为处于反偏操作的二极管的击穿电压以及针对正向 操作的每一二极管的额外的小量(每个二极管约为0.2-0.7V)之和。
这一击穿电压通常处于2-10V的范围内，电源电压处于20-70V 的范围内。用于所述二极管的多晶硅岛的宽度和长度为十到几十微 米。
因而，图2的电路能够以更高的电源电压工作，同时又不会由于 热载流子劣化而导致截止状态下的TFT劣化。更高的电源电压意味 着能够提高热换能器的总电阻，其能够降低TFT沟道宽度。由于对 于固定功率而言，热换能器的电阻与电源电压的二次方成正比，所需 的TFT宽度随电压平方的倒数降低。因而，向多晶硅热换能器岛内 引入二极管结构是确保打火TFT与高分辨率喷墨打印所需的小喷嘴 间距匹配的非常有效的方法
技术领域：
本发明的另一个具有吸引力的特征在于，能够在不需要任何专门 用来形成二极管结构的额外工艺步骤的情况下实施本发明。制造针对 热换能器的多晶硅岛所采用的工艺步骤可以与针对TFT岛的加工步 骤相同，在本发明的优选实施例中，可以通过优化加工流程而使二极 管热换能器采用与TFT源极、漏极或场释放区相同的n和p注入。
图3到图5示出了针对本发明的一个优选实施例的工艺流程。这 一实施例是以场释放区完全被栅极覆盖的非自对准n型TFT架构为
基础的。图3到图5示出了制造过程中的渐进阶段，为简化起见，一 般不再重复在不同附图中出现的特征的附图标记。
在多晶硅工艺中，衬底30只为多晶硅电路提供机械支撑。与常 规Si晶片工艺不同的是，其不构成晶体管的任何部分。因此，可以 采用各种衬底，例如，玻璃、塑料薄片或金属箔。在针对显示器应用 的多晶硅批量生产过程中，采用厚度通常为0.4mm，尺寸处于0.5到 2m2之间的玻璃薄板。
在衬底上淀积电介质层的叠层32，所述叠层通常为位于SiNx顶 部的SiOx，继之以典型厚度为20-100nm的a-Si层34。
典型地，通过通常在400。 C的温度下的热退火使a-Si膜的氢含 量降低到典型的3%。电介质叠层32的氮化物层防止成分(例如，硼、 磷、Na)从衬底30扩散到淀积层34内，具体而言，防止其扩散到 形成TFT的多晶硅岛内。TFT沟道内的杂质将影响TFT的电性能。 具体而言，硼和磷将使阈值电压发生漂移。优选的由SiNx和SiOx 构成的双层将为衬底降低针孔密度。
在a-Si层的顶部旋涂光致抗蚀剂，通过对其进行光刻界定而形成 用于加热器装置的岛36和用于打火TFT的岛38。此外，还界定集成 在同一衬底上的逻辑电路所需的、用来向打火TFT栅极分配打印数 据的n型或p型TFT、电阻器、电容器、MOS电容器或导电迹线。 这些额外的逻辑电路和所采用的形成工艺可以是常规的，在图中未示 出这些电路和部件。
可以采用反应离子刻蚀对a-Si特征进行干法蚀刻，例如，所述反 应离子刻蚀可以采用SF6/HCL/02气体混合物，但是也可以采用本领 域技术人员可用的其他蚀刻技术。
在界定岛之后，TFT需要通常为l-3X10Ucn^的低剂量硼注入， 以调整其阈值电压。但是，为了减少污染，可以省略这一步骤。优化 n型和p型TFT的阈值电压所需的掺杂剂浓度可以是相同的。如果是 这种情况，那么除了构图注入外还应用毯式(blanket)注入。
还需要对打火TFT以及集成逻辑电路中的任何n沟道和p沟道 TFT的源极、漏极和场释放区、电阻器及其两个端子以及所述逻辑可
能采用的、由掺杂多晶硅构成的任何电容器、MOS电容器或导电迹 线进行额外的掩模界定和离子注入。
所述TFT场释放区40所需的磷剂量处于3X 1012和3X 10l3cnf2 之间(典型地为9Xl(Pcnr2)，以防止TFT劣化，所述源极42和漏 极44的剂量典型地为1015cnT2。
p沟道装置的源极和漏极区所需的剂量相同，但是其以硼作为注 入物质。
在本发明的优选实施例中，多晶硅加热器装置的导电迹线和形成 其二极管的n区和p区共享多晶硅TFT所需的注入步骤中的三个。 其优点在于，不需要对热换能器做额外的加工步骤，从而极大简化了 工艺流程，并提高了制造成品率。理想地，所述导电迹线接收与n型 TFT的源极和漏极相同的高剂量磷注入。(或者，可以采用针对p型 TFT的高剂量硼注入，但是其缺点在于，所得的薄层电阻通常高于对 应的n型注入。)
为了制造陡峭的二极管结，在与场释放区40相同的工艺步骤中， 将覆盖整个二极管区并且延伸到导电迹线之内或完全包括导电迹线 的区域注入为低剂量n型区。这界定了 n型二极管结所需的掺杂。
在对逻辑电路中的p型TFT的源极和漏极进行高剂量的硼注入 的过程中，采用光致抗蚀剂覆盖热换能器的区域38,、 383和385以及 导电端子以制造p区382和384。在n型TFT的高剂量磷注入过程中， 采用光致抗蚀剂覆盖所有的二极管，以制造用于加热器装置的导电迹 线。
因而，采用了三种掺杂操作。对n型TFT中的场释放区以及二 极管的n型区采用了低剂量n型掺杂。对n型TFT的源极和漏极以 及热换能器的导电端子采用了高剂量磷掺杂，对二极管的P型区以及 p型TFT的源极和漏极采用了高剂量硼掺杂。
根据工艺流程的细节以及TFT和二极管所需的电特性，TFT和 加热器装置不可能在不牺牲电路性能和打印质量的情况下共享相同 的注入步骤。
在这种情况下，可以向所述工艺中弓I入至少一个额外的注入和光
刻步骤。而且，对于某些打印应用而言，不可能所有的二极管都具有
相等的n和p注入剂量。在这种情况下，可以引入至少一个额外的注 入步骤。
在图3到图5中示意性示出的实施例采用了 4个二极管，2个处 于正向偏置，2个处于反向偏置。串联的二极管的数量取决于多晶硅 工艺流程和打印应用的细节。采用4个二极管只是为了举例说明，其 数量取决于击穿电压，并且优选处于2个和IO个之间。
二极管的数量优选为偶数，其原因有二。首先，由于高剂量磷所 提供的薄层电阻低于高剂量硼注入所提供的，因而对于加热器的两个 导电端子而言，前者都是优选注入。其需要奇数个二极管区，其对应 于偶数个二极管。这样还避免了在产生的结中出现两种注入物质都是 具有类似浓度的高剂量的情况，因为这样将无法形成具有适宜特性的 横向二极管，并且可能导致工艺的人为后果。与导电迹线相邻的高剂 量硼区将形成这样的结。如图3-5所示，与加热器端子相邻的注入是 用于场释放区40的低剂量注入。
在离子注入步骤、抗蚀剂清除和表面清洁之后，通过典型的能量 密度为300mJ/cm2的准分子激光束或其他任何适于激光结晶的激光 束将经注入的a-Si岛转化为多晶硅岛。或者，可以采用本领域的其他 结晶技术，例如，金属诱导激光结晶或顺序横向固化。
图4示出了栅极氧化物50。其厚度可以处于20和150nm之间， 并且可以通过CVD淀积，随后对结晶的Si岛表面进行彻底的清洁。 所述氧化物还起着燃烧室中的钝化层的作用。在栅极氧化物50的顶 部淀积栅极金属52。可以采用典型厚度为200到300nm的铝合金作 为栅极金属，并且可以采用干法或湿法蚀刻界定所述金属。在接下来 的步骤中，通过CVD在栅极金属的顶部淀积层间电介质54。可以采 用SiNx，对于200-300nm的栅极金属而言，其典型厚度为500nm。 该层还起着燃烧室中的钝化层的作用。
通过湿法或干法蚀刻技术形成通往源极和漏极、热换能器端子以 及栅极金属的接触孔。其要求蚀穿电介质层54，从而连接至栅极金 属，蚀穿电介质54和栅极氧化物50，从而连接至源极、漏极和电阻
器端子。在图中未示出与栅极金属的连接。
根据加工细节，形成与栅极金属的接触所需的技术可能不同于用 来形成针与注入多晶硅的接触窗口的技术。
淀积第二金属层56，并通过光刻以及湿法或干法蚀刻将其界定 为导电迹线。
图5示出了淀积于源极/漏极金属56的顶部的电介质层60，从而 允许将另一 (第三)金属层62用于路由。这一电介质层60还起着燃 烧室64内的钝化和空化层的作用。通过干法或湿法蚀刻在这一层中 形成终止于源极/漏极金属的顶部的接触孔。淀积第三金属层62并对 其光刻界定，从而使之连接至打火TFT的源极42以及加热器装置的 一个端子。还采用这一金属实现集成逻辑电路内的更高级别的路由。
在图5所示的最后加工艺骤中，淀积用于燃烧室壁的材料70， 并将所述壁界定为使加热电阻器位于燃烧室内部。将孔板72接合到 所述室的顶部。
图5所示的完成的实施例是以具有位于漏极处的单个栅极重叠 的场释放区40的非自对准TFT工艺为基础的。在备选实施例中，可 以采用具有与栅极重叠或邻接的单个场释放区或一系列场释放区的 自对准工艺。间隔体技术的采用允许实现借助完全自对准工艺的制 造。对于小喷嘴间距而言，优选采用栅极重叠场释放架构，因为最高 工作电压更高。
上文已经详细描述了单个优选实施例，并且已经具体提及了一些 可能的替代实现。但是，可以通过很多其他方式实现本发明，这对于 本领域技术人员而言是显而易见的。
具体而言，本发明涉及采用二极管形成加热装置。但是，具体的 晶体管设计及其在喷墨打印头电路中的使用也构成了本发明的部分， 不应从上述说明推断所述晶体管设计是已知的。
权利要求
1、一种包括由每者与相应的打印头喷嘴相关的打印头加热器电路构成的阵列的喷墨打印头，其中，每一加热器电路包括加热器装置(12)和用于驱动通过所述加热器装置(12)的电流的驱动晶体管(10)，所述加热器装置(12)和所述驱动晶体管(10)串联在电源线(Vs，GND)之间，其中，所述加热器装置(12)包括多个串联的二极管元件(16)。
15、 根据权利要求14所述的方法，其中，将每一打印头电路界 定为包括多个串联的p-n二极管元件(16)的加热器装置(12)和用 于驱动通过所述加热器装置(12)的电流的驱动晶体管(10)。
16、 根据权利要求14或15所述的方法，还包括在所述的另一电 介质层(54)上提供第二金属层(56)，以界定源极和漏极连接。
17、 根据权利要求14到17中的任何一项所述的方法，其中，执 行多种掺杂操作还界定了与所述漏极晶体管区相邻的场释放区(40)。
18、 根据权利要求17所述的方法，其中，采用相同的掺杂工艺 界定所述场释放区(40)和所述二极管的n型区。
19、 根据权利要求14到18中的任何一项所述的方法，其中，在 包括n型和p型晶体管的同一衬底上界定控制电路，并且其中，用同 一掺杂工艺界定二极管的p型区和所述控制电路的p型晶体管。
20、 根据权利要求14到19中的任何一项所述的方法，还包括形 成另一电介质层(60)和所述的另一电介质层(60)之上的加热室(64)。
全文摘要
一种喷墨打印头，其包括由每者与相应的打印头喷嘴相关的打印头加热器电路构成的阵列。每一加热器电路包括串联于电源线(Vs，GND)之间的加热器装置(12)和用于驱动通过所述加热器装置(12)的电流的驱动晶体管(10)。所述加热器装置(12)包括多个串联的二极管元件(16)。所述二极管元件具有固有电阻，以提供所需的加热，但是跨越二极管元件的电压降能够使处于截止条件下的晶体管两端的电压降低。其实现了晶体管的尺寸的降低和/或能够采用更高的电源电压。
文档编号B41J2/05GK101098787SQ200680001818
公开日2008年1月2日 申请日期2006年1月3日 优先权日2005年1月6日
发明者F·W·罗尔芬 申请人:皇家飞利浦电子股份有限公司