层（未示出）。在一些实施例中，隔离特性可为结构化模板层固有的。然后使 所得的结构涂覆有非固化的回填层105以使得非固化的回填层105完全接触结构化模板层 103(步骤11)。然后可干燥、热交联或者光交联回填层，以产生稳定的中间膜，该中间膜任 选地可由隔离衬片104覆盖以用于防护。然后可将该结构反转并且层压到涂覆有粘合增进 层112的受体基底110 (步骤12)。在没有图案化的前提下将粘合增进层112均匀地涂覆在 受体基底110上。在移除载体101上的隔离涂覆的结构化模板层103 (步骤13)之后，制品 包括通过粘合增进层112附着到受体基底110的结构化回填层105。任选地，结构化回填层 105然后可经受另外的热处理，例如热解以烧结、固化或熔合回填层105并且使任何残余的 有机材料蒸发。
[0042] 图2示出了设置在载体201上的结构化模板层203。结构化模板层203可具有通 过等离子体增强化学气相沉积或其他方法沉积的一薄层隔离涂层（未示出）。然后所得 的结构被涂覆有非固化的回填层205以使得非固化的回填层205完全接触结构化模板层 203(步骤21)。这种稳定的中间膜可任选地覆盖有隔离衬片204以用于防护。然后可将所 得的结构反转并且层压到涂覆有图案化粘合增进层212的受体基底210 (步骤22)。将图案 化粘合增进层212施加到受体基底210并且通过光刻法进行图案化。在移除载体201上的 隔离涂覆的结构化模板层203 (步骤23)之后，制品包括通过图案化粘合增进层205附着到 受体基底210的非固化回填层212。在不存在图案化粘合增进层212 (在图案之间）的情况 下，回填层205粘合到结构化模板层203并且被移除以保留通孔区域或开口区域。具有通 孔的（区域但没有回填）这种结构在有源矩阵有机发光二极管（AMOLED)提取应用中可为 重要的，其中移除的区域对应于需要AMOLED背板上的通孔的区域（例如，子像素电路和对 应的子像素电极之间的电连接）。另外，本方法允许通孔和基准点之间的精确对齐或者可在 受体基底上的基底表面的其他特征。
[0043] 在一些实施例中，回填料在光固化之前在室温下为胶粘的。例如，在没有粘合增进 层的前提下，作为回填料的聚乙烯基硅倍半氧烷可用于本发明所公开的图案化的结构化转 印带。图3示出了设置在载体301上的结构化模板层303。然后使所得的结构涂覆有未固 化的回填层305 (步骤31)。未固化的回填层305与结构化模板层303接触。通过将临时衬 片304层压到未固化的回填层来制备稳定的中间膜。在使用层压转印膜之前移除衬片。一 旦移除衬片，则当未固化的回填层305为乙烯基硅倍半氧烷时在没有粘合增进层212的前 提下将组件反转并且层压到受体基底310 (步骤32)。然后将该结构暴露于毯状紫外线辐射 320以使结构化回填层305固化（步骤33)并且更好地促进与受体基底310的粘合。另选 地，热可用于固化回填层。在移除载体301上隔离涂覆的结构化模板层303之后，制品包括 设置在受体基底310上的结构化固化的回填层306。任选地，结构化固化的回填层306然后 可经受另外的热处理，例如热解以烧结、固化或熔合回填层305并且使任何残余的有机材 料蒸发。
[0044] 未固化的回填层可在隔离模板时回流。在隔离模板时可回流的示例性回填材料为 乙烯基硅倍半氧烷。在一些实施例中，可采用热来使得一些未固化的回填材料回流。图案化 和非图案化区域（归因于回流）可由光固化树脂通过图案化掩膜限定。在从模板移除时，回 流的未固化区域可回流以形成平面化表面，并且然后最终的毯状固化可用于聚合未固化区 域的其余部分。图4示出了设置在载体401上的结构化模板层403。结构化模板层403具 有通过等离子体增强化学气相沉积而沉积的一薄层隔离涂层（未示出）。然后使所得的结 构涂覆有非固化的回填层405以使得非固化的回填层405完全接触结构化模板层403 (步 骤41)。通过将临时衬片404层压到未固化的回填层制备稳定的中间膜。在使用层压转印 膜之前移除衬片。一旦移除衬片，则然后将组件反转并且层压到受体基底410 (步骤42)。 通过设置在光掩膜载体424上的光掩膜425使该结构暴露于第一光化辐射420。第一光化 辐射420在没有被光掩膜425阻碍的情况下光聚合回填层406。第一光化辐射420不能穿 透超过光掩膜425以使得回填层405保持未聚合。在移除载体401上隔离涂覆的结构化模 板层403之后，制品包括附着到受体基底410的结构化固化回填层406 (步骤43)。在与模 板层脱离接触之后，未固化的回填层405回流并且变成基本上平面化（未结构化）层407。 在回流之后，移除光掩膜425并且将该结构暴露于毯状光化辐射422,以完全地固化回填层 (步骤44)。任选地，然后可使该结构经受另外的热处理，例如热解以烧结、固化或熔合回填 层405并且使任何残余的有机材料蒸发。
[0045] 在一些实施例中，数字激光致曝光可用于聚合回填层的选择性部分。图5示出了 利用直写数字激光致曝光用于制造和使用本发明所公开的利用可固化回填层和层压后第 一光致曝光层的结构化带的方法的流程图。图5示出了设置在载体501上的结构化模板层 503。结构化模板层503具有通过等离子体增强化学气相沉积或利用已知涂覆方法的一些 其他手段来沉积的一薄层隔离涂层（未示出）。然后使所得的结构涂覆有未固化的回填层 505以使得未固化的回填层505接触结构化模板层503 (步骤51)。可制备稳定的中间膜， 该中间膜任选地与临时衬片504层压以用于存储和进一步处理。在使用层压转印膜之前移 除衬片。然后可将该结构反转并且层压到受体基底510 (步骤52)。将所得的结构暴露于来 自第一直写数字激光520的光栅或矢量扫描辐射束。第一直写数字激光520在暴露于激光 束的区域光聚合回填层506。还未暴露于激光束的回填层505区域保持未聚合。在移除载 体501上隔离涂覆的结构化模板层503之后，制品包括附着到受体基底510的结构化固化 回填层506 (步骤53)。在与模板层脱离接触之后，未固化的回填层505回流并且变成基本 上平面化（未结构化）层507。在回流之后，该结构被暴露于第二光化辐射522以完全固化 回填层508 (步骤54)。图5A示出了小容量元件，其示出了正被来自第一直写数字激光520 的光束聚合的激光致曝光区域523。任选地，然后可使该结构经受另外的热处理，例如热解 以烧结、固化或熔合回填层505并且使任何残余的有机材料蒸发。
[0046] 图6示出了制造预曝光图案化层压转印膜的方法。这种方法对于建筑应用例如鸟 类回避膜和分级日光偏转膜而言可为重要的。预曝光的图案化层压转印膜在不需要精确定 位（例如，与受体基底上的基准点对齐）的应用中可为有用的。图6示出了用于制造和使 用本发明所公开的利用回填层、预层压图案化光致曝光层和粘合增进层的结构化带的方法 的流程图。图6示出了设置在载体601上的结构化模板层603。结构化模板层603具有通 过等离子体增强化学气相沉积而沉积的一薄层隔离涂层（未示出）。另选地，表面改性特 征或涂层的其他方法可用于增强结构化模板层的隔离特性。然后使所得的结构涂覆有未固 化的回填层605(乙烯基硅倍半氧烷）以使得未固化的回填层605完全地接触结构化模板 层603 (步骤61)并且形成稳定的中间膜，该中间膜可任选地被隔离衬片604覆盖以在处理 期间用于防护。通过设置在光掩膜载体624上的光掩膜625使该结构暴露于第一光化辐射 620 (步骤62)。第一光化辐射620在没有被光掩膜625阻碍的情况下光聚合回填层606。 第一光化辐射620不能穿透超过光掩膜625以使得回填层605保持未聚合。所得的结构在 然后将第一光化辐射曝光层由粘合增进层609包覆时，在一些实施例中，可为与回填层605 相同的材料（步骤63)。可形成稳定的中间膜，该中间膜任选地由临时衬片604覆盖以用于 存储和今后处理。然后将所得的结构反转并且层压到受体基底610 (步骤64)。然后移除具 有隔离涂层的模板层603的载体601 (步骤65)。然后结构化和固化回填层606仅在已暴 露于光化辐射的区域保持结构化。未曝光的回填层607回流以形成具有非结构化表面的区 域。回流方法可发生在室温或者可通过热来辅助。最终，回填层（结构化和未结构化）由 第二毯状光化曝光622固化（步骤66)。任选地，然后可使该结构经受另外的热处理，例如 热解以烧结、固化或熔合回填层605并且使任何残余的有机材料蒸发。
[0047] 图7示出了用于制造和使用本发明所公开的利用回填层和结构化预层压光致曝 光层的氧表面抑制的结构化带的方法的流程图。抑制回填层的表面固化允许在不需要如图 1所示的方法中需要的粘合增进层或者不需要图6所示的方法中的表涂层的前提下，直接 层压到受体基底。图7示出了设置在载体701上的结构化模板层703。结构化模板层703具 有通过等离子体增强化学气相沉积而沉积的一薄层隔离涂层（未示出）。然后使所得的结 构涂覆有非固化的回填层705以使得非固化的回填层705完全接触结构化模板层703 (步 骤71)。通过设置在光掩膜载体724上的光掩膜725使该结构暴露于第一光化辐射720,其 中回填层705的顶表面暴露于氧气以抑制表面固化（步骤72)。氧气抑制回填层的表面的 固化并且从该表面向内通过批量回填层产生固化梯度。第一光化辐射720在没有被光掩膜 725阻碍的情况下光聚合回填层706。第一光化辐射720不能穿透超过光掩膜725以使得 回填层705保持未聚合。回填层705/706的整个空气界面保持胶粘的，原因在于表面固化 的抑制。任选地，在固化后，回填层可涂覆有临时隔离衬片704以用于在处理期间进行保护 (步骤73)。然后将所得的移除临时隔离衬片的结构反转并且层压到受体基底710(步骤 74)。然后移除具有隔离涂层的模板层703的载体701 (步骤75)。然后结构化和固化回填 层706仅在已暴露于光化辐射的区域保持原状。未曝光的回填层707回流（步骤76)以形 成非结构化区域。非结构化区域的高度小于结构化转印带中任何结构化元件的平均高度。 最后，通过毯状第二光化辐射曝光722使回填层（结构化和非结构化）固化（步骤76)。任 选地，然后可使该结构经受另外的热处理，例如热解以烧结、固化或熔合回填层705并且使 任何残余的有机材料蒸发。
[0048] 图8示出了用于制造和使用本发明所公开的利用回填层和结构化预层压光致曝 光层的结构化带的方法的流程图。这种方法