有源矩阵衬底及其制造方法、显示装置、液晶显示装置及电视接收装置的制作方法

专利名称：有源矩阵衬底及其制造方法、显示装置、液晶显示装置及电视接收装置的制作方法
技术领域：
本发明，涉及一种有源矩阵衬底、有源矩阵衬底的制造方法、显示装置、液晶显示装置及电视接收装置。例如，关于在各像素中配置了用以驱动液晶层的薄膜晶体管和存储电容元件的有源矩阵(下面简称为“AM”)衬底及包括该AM衬底的AM型液晶显示装置。
背景技术：
AM衬底，被广泛应用于液晶显示装置、EL(电致发光)显示装置等的AM型显示装置中。在使用该AM衬底的以往的AM型液晶显示装置中，具有在衬底上设置的多条扫描信号线、以与扫描信号线交叉的方式设置的多条数据信号线、以及在两信号线的交叉点设置的薄膜晶体管(下面简称为“TFT”)等，且利用TFT的开关功能，图像信号被传递到各像素部。并且，有时还在各像素部设置存储电容元件(例如，参照专利文献1)。
该存储电容元件，防止TFT处于关闭(off)期间时的液晶层的自然放电或者TFT的关态电流所引起的图像信号的劣化。还有，存储电容元件，不仅可以存储TFT处于关闭状态时的影像信号，还被用于施加驱动液晶的各种调制信号的路径中等，且包括存储电容元件的液晶显示装置，能够实现低耗电量和高画质。
在此，在参照附图的同时，对以往的AM衬底结构的一个示例进行说明。图24，是表示被用于以往的AM型液晶显示装置中、且包括存储电容元件的AM衬底的一个像素的结构的平面模式图。图25，是表示用A-A′线切割图24中所示的AM衬底后所出现的剖面的剖面模式图。
如图24及图25所示，在AM衬底上，呈矩阵状设置有多个像素电极51，且以通过这些像素电极51的周围并相互交叉的方式设置有用以供给扫描信号的扫描信号线52和用以供给数据信号的数据信号线53。还有，在这些扫描信号线52和数据信号线53的交叉部分，设置有连接在像素电极51上的作为开关元件的TFT54。在该TFT54的栅极电极62上连接有扫描信号线52，TFT54被输入到栅极电极62中的扫描信号驱动控制。还有，在TFT54的源极电极66a上连接有数据信号线53，并且数据信号被输入到TFT54的源极电极66a中。再者，漏极电极66b，通过连接电极55连接在存储电容元件的一侧的电极(上侧存储电容电极)55a上，而且还通过形成在层间绝缘膜68中的接触孔56连接在像素电极51上。在透明绝缘性衬底(绝缘衬底)61上设置有存储电容(共通)布线57，该存储电容(共通)布线57作为存储电容元件的另一侧的电极(下侧存储电容电极)发挥作用。
如图25所示，在由玻璃或塑料等构成的透明绝缘性衬底(绝缘衬底)61上，设置有连接在扫描信号线52上的栅极电极62。扫描信号线52和栅极电极62，是由钛、铬、铝、钼等构成的金属膜、或者它们的合金、叠层膜形成的。作为存储电容元件的另一侧的电极(下侧存储电容电极)发挥作用的存储电容(共通)布线57，是由与扫描信号线52和栅极电极62相同的材料形成的。覆盖它们的栅极绝缘膜63，是由氮化硅、氧化硅等构成的绝缘膜形成的。在其上以与栅极电极62相重叠的方式，设置有由非晶硅、多晶硅等构成的高电阻半导体层64以及由还掺杂有磷等杂质的n+非晶硅等构成的低电阻半导体层。而且，低电阻半导体层用作为源极电极66a及漏极电极66b。
还有，以与源极电极66a连接的方式，形成有数据信号线53。再者，以与漏极电极66b连接的方式，设置有连接电极55，连接电极55延伸连接在存储电容元件的一侧的电极即上侧存储电容电极55a上，上侧存储电容电极55a通过接触孔56与像素电极51相连接。数据信号线53、连接电极55及上侧存储电容电极55a，是由相同的材料形成的，例如是由钛、铬、铝、钼等的金属膜、或者它们的合金、叠层膜形成的。
像素电极51，是由例如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、氧化锌、氧化锡等具有透明性的导电膜形成的。接触孔56，是以贯穿覆盖TFT54、扫描信号线52、数据信号线53以及连接电极55的上部的层间绝缘膜68的方式形成的。作为层间绝缘膜68的材料，能够列举出例如丙烯树脂、氮化硅、氧化硅等。关于图24及图25所示结构的AM衬底，已在例如专利文献2中被公开。
在这种结构的AM衬底中，以简化制造工序、降低制造成本为目的，用形成扫描信号线52的同一工序形成存储电容(共通)布线(下侧存储电容电极)57，用形成数据信号线53和连接电极55的同一工序形成上侧存储电容电极55a。还有，如图25所示，在层间绝缘膜68之上形成像素电极51的话，则因为能够使像素电极51和各信号线52、53相重叠，所以可以实现高开口率化，还具有能够遮蔽对像素电极51产生影响的各信号线52、53的电场的效果。此时，在存储电容(共通)布线57或者扫描信号线52的图案上的层间绝缘膜68中形成接触孔56，以连接像素电极51和上侧存储电容电极55a，并通过连接电极55，来实现像素电极51和漏极电极66b之间的连接。接触孔56的形成位置，并不特别局限于上侧存储电容电极55a的形成区域内，也能够形成在连接电极55的形成区域内。然而，如图24所示，如果形成在存储电容(共通)布线57的图案上的上侧存储电容电极55a的形成区域内，则将不会成为一个新的导致开口率下降的原因，所以是理想的。
在如图24及图25所示的AM衬底的存储电容元件中，一旦在存储电容布线(下侧存储电容电极)57和上侧存储电容电极55a之间的栅极绝缘膜63中存在导电性异物(粉尘或微粒)或小孔99的话，则存储电容布线(下侧存储电容电极)57和上侧存储电容电极55a之间出现短路，因此已短路的像素在显示图像中成为点缺陷，对于这一问题曾留有能够进行技术改进的空间。还有，由于蚀刻不良或光刻不良等原因，用同一工序形成的数据信号线53和上侧存储电容电极55a之间因为残膜98的缺陷等出现了短路时，也成为相同的点缺陷，并无法进行修复，对这一问题也曾留有进行技术改进的空间。
例如，在使用了多畴垂直取向(MVA＝Multi-domain Vertical Alignment)模式等的垂直取向(VA＝Vertically Alignment)液晶的液晶显示面板中，设定为在没有被施加电压的状态下进行黑色显示。在数据信号线53和上侧存储电容电极55a之间出现了短路时，因为数据信号在没有经由TFT54的情况下被输入到像素电极51中，所以无法用扫描信号对输入到像素电极51中的数据信号进行控制。因此，在没有被施加电压时该像素没有进行黑色显示而成为亮点。再者，因为在全屏进行了黑色显示时出现的亮点，比全屏进行了白色显示时出现的黑点或灰点更为明显，所以对显示画质带来的影响较大。修正该点缺陷的技术在例如专利文献3～5中已被公开。
近年来，随着薄型TV的大画面化的发展像素变大，缺陷像素的尺寸已增大到无法在显示画质上忽略不计的程度。为了缩小像素缺陷的尺寸，开发出了下记技术，即通过将一个像素分割成多个子像素，从而将点缺陷的尺寸本身加以缩小的技术。然而，由于将一个像素分割为多个子像素而出现了图案复杂化、开口率降低的问题。例如，在26英寸型的超炫丽宽屏(WXGA＝Wide eXtended Graphics Array)显示器中开口率下降了4％～5％左右。
为了提高开口率，相邻的像素共有存储电容布线的这一结构已在例如专利文献6及7中被公开。此外，具体来说，即使在将像素分割成为例如两个子像素的情况时，一旦在存储电容布线(下侧存储电容电极)和上侧存储电容电极之间的绝缘层中存在导电性异物或小孔的话，存储电容布线(下侧存储电容电极)和上侧存储电容电极之间也出现短路，且已短路的子像素在显示图像中成为点缺陷。然而，与没有进行分割的情况相比，点缺陷的面积缩小为1/2，所以点缺陷对于显示画质带来的影响降低。
图26，是表示在将一个像素分割为多个子像素的AM衬底中的一个像素的结构的平面模式图。图27，是表示用B-B′线切割图26所示的AM衬底后出现的剖面的剖面模式图。再者，在图26及图27中，凡是与图24及图25中所示的构成要素相同的构成要素均用相同的参照符号进行表示。
如图26及图27所示，像素电极51被分割成为两个子像素电极51L、51R，在这两个子像素电极51L、51R的交界附近设置有用以供给扫描信号的扫描信号线52，在像素电极51的周围设置有用以供给数据信号的数据信号线53。还有，在扫描信号线52和数据信号线53的交叉部分，设置有从平面图来看以夹持着扫描信号线52的方式配置、且连接在子像素电极51L、51R上的作为开关元件的TFT54L、54R。在TFT54L、54R的栅极电极62L、62R上连接有扫描信号线52，TFT54L、54R被输入到栅极电极62L、62R中的扫描信号驱动控制。还有，在TFT54L、54R的源极电极66a上连接有数据信号线53，且数据信号被输入到TFT54L、54R的源极电极中。再者，漏极电极66b，通过连接电极55L、55R连接在存储电容元件的一侧的电极(上侧存储电容电极)55La、55Ra上，并且还通过形成在层间绝缘膜68中的接触孔56L、56R连接在子像素电极51L、51R上。在透明绝缘性衬底(绝缘衬底)61上设置有存储电容(共通)布线57，该存储电容(共通)布线57作为存储电容元件的另一侧的电极(下侧存储电容电极)发挥作用。换言之，相邻像素的上侧存储电容电极55La、55Ra，共有作为存储电容元件另一侧电极(下侧存储电容电极)的存储电容(共通)布线57。还有，图26及图27中所示的AM衬底，能够通过与制造图24及图25所示的AM衬底的工序相同的工序进行制造。
然而，在图26及图27所示的AM衬底中，为了抑制开口率的下降，在相邻像素的交界附近形成有存储电容(共通)布线57。为了确保充足的存储电容，有必要将相对于存储电容(共通)布线57而设置的上侧存储电容电极55La、55Ra的面积尽可能地增大。因此，相邻像素的上侧存储电容电极55La、55Ra挨得很近，所以在相邻的上侧存储电容电极55La、55Ra之间容易出现漏电不良。
发生了漏电不良时，将出现下记问题，即共有存储电容(共通)布线57的两个子像素电极51L、51R导通、成为连结失效点。为了回避这个问题，有必要进行下记修正，即不输入相邻像素的数据信号。例如，为了防止数据信号从相邻像素中的一个像素(第一像素)的上侧存储电容电极55La被输入到与第一像素相邻的第二像素的子像素电极51R中，通过除去第二像素中的接触孔56R内的子像素电极51R，从而将子像素电极51R和上侧存储电容电极55Ra电分离。还有，为了防止数据信号从第二像素的漏极电极66b经由上侧存储电容电极55La、55Ra被输入到第一像素的子像素电极51L中，则将第二像素的连接电极55R和上侧存储电容电极55Ra进行电分离。因此，由于在相邻像素中的一个像素(第二像素)的子像素成为没有通电的状态，所以成为点缺陷。
也就是，在将一个像素分割成多个子像素的AM衬底中，与没有进行分割的AM衬底相比，点缺陷对显示画质带来的影响减小，但因为出现了在相邻的上侧存储电容电极55La、55Ra之间可能产生漏电不良的问题，所以仍然存在对产生点缺陷的可能性提高的这一问题进行技术改进的空间。
专利文献1专利公开平6-95157号公报(第1页)专利文献2专利公开平9-152625号公报(第8-11、19页、第3、4图)专利文献3专利公开平1-303415号公报专利文献4专利公开平9-222615号公报专利文献5专利公开平7-270824号公报专利文献6专利公开2004-62146号公报专利文献7专利公开2004-78157号公报发明内容(发明所要解决的课题)本发明的目的之一在于对AM衬底中的点缺陷进行修正。本发明的另一个目的在于通过对点缺陷进行修正，从而提高制造成品率。
(解决课题的方法)在本发明中，通过设置两个以上的与存储电容布线相对配置的上侧存储电容电极，并在各上侧存储电容电极上的层间绝缘膜中形成接触孔，且通过接触孔使层间绝缘膜上的像素电极与各上侧存储电容电极导通，从而解决了上述课题。
在参照附图的同时，对本发明进行具体说明。图1是表示本发明AM衬底12的一个形态的平面模式图，图2是图1中的II-II线剖面图。
本形态的AM衬底12具有衬底31、形成在衬底31上的有源元件(例如TFT24)、形成在衬底31上的存储电容元件20、覆盖存储电容元件20的层间绝缘膜38、形成在层间绝缘膜38上的像素电极21。存储电容元件20具有形成在衬底31上的存储电容布线27、形成在存储电容布线27上的绝缘膜(例如栅极绝缘膜33)、隔着栅极绝缘膜33与存储电容布线27相对设置的三个上侧存储电容电极25a、25b、25c。TFT24具有由沿列方向延伸的扫描信号线22开始沿着行方向延伸的栅极电极32、覆盖栅极电极32的栅极绝缘膜33、夹持着栅极绝缘膜33在栅极电极32上形成的高电阻半导体层34、在高电阻半导体层34上形成的源极电极36a及漏极电极36b。源极电极36a连接在沿行方向延伸的数据信号线23上，漏极电极36b通过连接电极25连接在上侧存储电容电极25b上。
三个上侧存储电容电极25a、25b、25c，通过分别在层间绝缘膜38中形成的接触孔26a、26b、26c，与像素电极21导通。由此，因为三个上侧存储电容电极25a、25b、25c通过像素电极21导通，所以经由连接电极25输入到一个上侧存储电容电极25b中的数据信号被输入像素电极21中，同时数据信号也被输入其余两个上侧存储电容电极25a、25c中。也就是，对三个上侧存储电容电极25a、25b、25c施加了相同的电位。
下面，关于修正点缺陷的工序进行说明。当存储电容布线27和上侧存储电容电极25a、25c之间由于栅极绝缘膜33中的导电性异物或小孔99出现了短路时，供给到存储电容布线27的电位经由上侧存储电容电极25a、25c被施加到像素电极21上。具有代表性的是因为在与像素电极21相对配置的相对电极(无图示)和存储电容布线27上被施加相同的电位，所以像素电极21和相对电极处于没有被施加电压的状态。因此，在常白模式的液晶显示装置中，该像素成为亮点，在常黑模式的液晶显示装置中，该像素成为黑点。
还有，数据信号线23和上侧存储电容电极25a、25c之间由于残膜98的缺陷等出现了短路时，数据信号在没有经由TFT24的情况下被输入到像素电极21中，所以无法利用扫描信号对输入像素电极21中的数据信号进行控制。因此，当没有施加电压时，在常白模式的液晶显示装置中，该像素没有进行白色显示，在常黑模式的液晶显示装置中，该像素没有进行黑色显示。
为了修正这些点缺陷，利用激光等将形成在已短路的上侧存储电容电极25a、25c上的接触孔26a、26c内的像素电极21去除。由此，因为能够将已短路的上侧存储电容电极25a、25c与像素电极21分离开，所以可以防止来自存储电容布线27的电位经由上侧存储电容电极25a、25c施加到像素电极21上。因此，虽然与正常的情况相比存储电容出现下降，但能够进行接近正常的像素驱动。
另一方面，当连接在连接电极25上的上侧存储电容电极25b和存储电容布线27之间因为栅极绝缘膜33中的导电性异物或小孔出现了短路时，由于利用激光等将形成在已短路的上侧存储电容电极25b上的接触孔26b内的像素电极21去除，从而能够将已短路的上侧存储电容电极25b与像素电极21分离开。还有，如果利用激光等在切割点K对连接电极25进行切割断开的话，则能够避免数据信号线23和存储电容布线27之间经由TFT24而发生短路的问题。然而，因为同时像素电极21也与TFT24分离开，所以通过利用激光等熔融(melt)了其他的上侧存储电容电极25a、25c(不过，除了接触孔26a、26c的区域)，从而使像素电极21和存储电容布线27导通。由此，因为能够使像素电极21保持与存储电容布线27相同的电位，所以在例如常黑模式的液晶显示装置中，能够使像素电极21的区域进行黑色显示，并可作为微小的失效点进行修正。
在本形态的AM衬底12中，连接在连接电极25上的上侧存储电容电极25b和存储电容布线27相重叠的区域的面积(第一面积)，比没有连接在连接电极25上的上侧存储电容电极25a、25c和存储电容布线27相重叠的区域的面积(第二面积)小。不过，能够根据上侧存储电容电极25a、25b、25c和像素电极21之间的接触可靠性、及存储电容布线27和上侧存储电容电极25a、25b、25c之间出现短路的比率等，适当地选择第一面积和第二面积之间的面积比。
例如，与接触孔26b相比，在接触孔26a、26c中有时难于将像素电极21以良好的覆盖性(coverage)连接到上侧存储电容电极25a、25c上。或者有时出现上侧存储电容电极的铝等金属膜与像素电极21的氧化铟锡(ITO)等膜之间的接触电阻增大的情况。在出现上述情况时，上侧存储电容电极25a、25c有时没有发挥作为存储电容元件的电极的这一作用。于是，将设定第一面积大于第二面积。由此，因为第一面积相对于第一面积和第二面积相加后的总面积的比率提高，所以能够确保与第一面积的比率相对应的较大的存储电容。
在本形态的AM衬底12中，连接TFT24和上侧存储电容电极的连接电极25的个数为一个。由此，与将连接电极25连接到全部上侧存储电容电极25a、25b、25c的情况相比，能够抑制开口率的下降。
还有，在图1所示的AM衬底12中，通过连接电极25而使TFT24和上侧存储电容电极25b相连接，然而也可以不设置连接TFT24和上侧存储电容电极的连接电极。由此，能够进一步抑制开口率的下降。例如，在TFT24的漏极电极36b上的层间绝缘膜38中形成接触孔，经由接触孔将像素电极21和漏极电极36b之间进行连接，从而经由像素电极21能够对上侧存储电容电极25a、25b、25c施加数据信号的电位。
还有，接触孔26b的位置，并没有特别限定在上侧存储电容电极25b的区域内，也可以在连接电极25的区域内。不过，如图1所示，在存储电容布线27的图案内，将接触孔26b形成在上侧存储电容电极25b的区域内，则能够抑制开口率的下降。
除此之外，当在动作模式为MVA(多畴垂直取向)的液晶显示装置中使用本发明的AM衬底12时，通过在缝隙(没有电极层的部分)区域、或者在相对衬底上形成并向液晶层一侧突出的隆起(凸部)区域配置连接电极25，从而能够减少由于连接电极25造成的开口率的下降。
在本形态的AM衬底12中，从平面图来看上侧存储电容电极25a、25b、25c的形状为四边形，但并不仅局限于此，也可以是三角形、半圆形、梯形等形状。三个上侧存储电容电极25a、25b、25c，以与存储电容布线27的图案相重叠的方式被设置在栅极绝缘膜33之上。具有代表性的是因为上侧存储电容电极是由与数据信号线23相同的膜形成的，所以由于残膜98上侧存储电容电极和数据信号线23之间容易出现短路。因此，如图1所示，理想的是将接近数据信号线23的上侧存储电容电极25a、25c和连接在连接电极25上的上侧存储电容电极25b分离开。还有，如图1所示，上侧存储电容电极，被分割为三个，但分割数(N)并不仅局限于此，只要是N≥2即可。
具有代表性的是存储电容布线27是由与扫描信号线22和栅极电极32相同的材料形成的，但并不只局限于此。例如，在扫描信号线22和栅极电极32形成前或者形成后，也可以利用其他的材料(例如，ITO等的透明导电膜)来形成存储电容布线27。
还有，如图2所示，在本形态的AM衬底12中，构成存储电容元件20的绝缘膜，仅为栅极绝缘膜33，但并不仅局限于此。例如，通过在存储电容布线27之上，在栅极绝缘膜33形成前或者形成后，形成除栅极绝缘膜33以外的其他的绝缘膜，从而可以形成包含栅极绝缘膜33的叠层膜。
本发明的AM衬底，能够在液晶显示装置和有机或无机EL(电致发光)显示装置等显示装置中加以利用。此外，本发明还提供一种显示装置。本发明的显示装置具有本发明的AM衬底、与AM衬底相对的相对电极、夹在AM衬底及相对电极之间的显示媒质层。在本说明书中，所谓“显示媒质层”是指根据被施加的电压或者被供给的电流来对光量进行调整的层，包括对来自光源的光和外侧的光(周围光)的光透射率(或者光反射率)进行调制的层和自发光型的层。具体的显示媒质层为例如液晶层、无机或者有机EL(电致发光)层等。
还有，在本说明书中，所谓的“相对电极”是指与AM衬底的像素电极相对配置的电极，包含共通(全面)电极和条形(stripe)电极。例如，在有机EL(电致发光)显示装置中，具有代表性的是正极相当于像素电极，负极相当于相对电极。相对电极，可以是由铝、银等具有光反射性的导电膜形成的，也可以是由ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、氧化锌、氧化锡等具有透明性的导电膜形成的。
再有，除此之外，本发明，还提供一种液晶显示装置。本发明的液晶显示装置具有本发明的AM衬底、与AM衬底相对并在一个面上形成相对电极的相对衬底、夹在AM衬底及上述相对衬底之间的液晶层。并且，具有代表性的相对衬底，是由玻璃或塑料等构成的透明绝缘性衬底。
本发明的显示装置及液晶显示装置中，在存储电容布线和相对电极上可以被施加相同的电位。在有机EL(电致发光)显示装置中，通过修正AM衬底的点缺陷，从而在像素电极和存储电容布线已导通时，若存储电容布线和相对电极为同电位的话，则因为在有机EL层(具有代表性的是包含电子传送层、发光层及空穴传送层)中没有电流通过，所以发光区域(像素)没有进行发光。换言之，因为发光区域变为黑点，所以点缺陷变得不明显。
在液晶显示装置中，通过修正AM衬底的点缺陷，从而在缺陷像素的像素电极和存储电容布线已导通时，若存储电容布线和相对电极为同电位的话，则在液晶层上没有被施加电压。当液晶层是包含具有负介电异向性的向列(nematic)型液晶材料的垂直取向型液晶层时，具有代表性的是，因为液晶显示装置是用常黑模式进行驱动的，所以被修正了的像素成为黑色显示，点缺陷变得不明显。
另一方面，当液晶层是包含具有正介电异向性的向列(nematic)型液晶材料的扭曲(twist)取向型液晶层时，具有代表性的是，液晶显示装置是用常白模式进行驱动的。此时，通过使缺陷像素的像素电极和存储电容布线导通，并且将与供给到相对电极的电位不同的电位供给到存储电容布线上，从而在液晶层上被施加规定的电压。例如，通过将像素成为黑色显示时的电位供给到存储电容布线上，从而在液晶层上被施加规定的电压(像素成为黑色显示时的电压)，所以被修正了的像素成为黑点，点缺陷变得不明显。
(发明的效果)根据本发明，能够修正AM衬底中的点缺陷。由此，能够使制造成品率得以提高。


图1是表示本发明的AM衬底12的一个形态的平面模式图。
图2是图1中的II-II线剖面图。
图3是表示实施例一的AM衬底12a的平面模式图。
图4是图3中的IV-IV线剖面图。
图5是用来对上侧存储电容电极25a、25c之间出现了短路时的修正工序进行说明的平面模式图。
图6是用来对上侧存储电容电极25a和数据信号线23之间出现了短路时的修正工序进行说明的平面模式图。
图7是用来对上侧存储电容电极25a和存储电容布线27之间出现了短路时的修正工序进行说明的平面模式图。
图8是用来对上侧存储电容电极25b和上侧存储电容电极25d之间出现了短路时的修正工序进行说明的平面模式图。
图9是用来对上侧存储电容电极25b和数据信号线23之间出现了短路时的修正工序进行说明的平面模式图。
图10是用来对上侧存储电容电极25b和存储电容布线27之间出现了短路时的修正工序进行说明的平面模式图。
图11是表示将上侧存储电容电极25a、25c和存储电容布线27相重叠的区域的面积设定为小于上侧存储电容电极25b、25d和存储电容布线27相重叠的区域的面积的实施例二的AM衬底12b的平面模式图。
图12是表示实施例三的AM衬底12c的平面模式图。
图13是表示实施例四的AM衬底12d的平面模式图。
图14是表示实施例五的AM衬底12e的平面模式图。
图15是表示实施例六的AM衬底12f的平面模式图。
图16是表示沿着图15中的XVI-XVI线被切割的实施例六的液晶显示面板的剖面模式图。
图17是用来对在实施例六的AM衬底12f中上侧存储电容电极25a、25c之间出现了短路时的修正工序进行说明的平面模式图。
图18是表示实施例七的AM衬底12g的平面模式图。
图19是图18中的XIX-XIX线剖面图。
图20是表示实施例八的AM衬底12h的平面模式图。
图21是图20中的XXI-XXI线剖面图。
图22是表示实施例九的电视接收装置15的方块图。
图23是表示实施例九的液晶显示装置10的方块图。
图24是表示被用于以往的AM型液晶显示装置中且包括存储电容元件的AM衬底的一个像素的结构的平面模式图。
图25是表示用A-A′线切割图24所示的AM衬底后出现的剖面的剖面模式图。
图26是表示在将一个像素分割为多个子像素的AM衬底中的一个像素的结构的平面模式图。
图27是表示用B-B′线切割图26所示的AM衬底后出现的剖面的剖面模式图。
(符号说明) 10 液晶显示装置11 调谐器部12 AM衬底13 相对衬底14 液晶层(显示媒质层)15 电视接收装置20 存储电容元件20R 第一存储电容元件20L 第二存储电容元件21 像素电极21R 子像素电极(第一像素电极)21L 子像素电极(第二像素电极)22 扫描信号线22a 第一扫描信号线
22b 第二扫描信号线23 数据信号线24、24L、24RTFT(有源元件)25L、25R连接电极25a、25b、25c、25d 上侧存储电容电极26a、26b、26c、26d 接触孔27 存储电容(共通)布线27a、38c缝隙部31 衬底32、32R 栅极电极33 栅极绝缘膜34 高电阻半导体层36a 源极电极36b 漏极电极37b 黑矩阵38 层间绝缘膜39 相对电极98 残膜(短路部)具体实施方式

下面，在参照附图的同时对本发明的实施例进行说明，但本发明并不仅局限于下面的实施例。还有，为了概括地表示相同种类的构成要素，有时将参照符号中的英文字母进行省略，只表示参照符号中的数字符号。例如，有时将第一扫描信号线22a及第二扫描信号线22b统一表示为扫描信号线22。
在以下实施例所示的AM衬底中，将一个像素分割成数个而得到的子像素(subpixel)被共通的扫描信号线及数据信号线驱动，还有在数据信号线的延伸方向上相邻的像素共有相同的存储电容(共通)布线。在存储电容(共通)布线上，夹持着绝缘膜，形成了被分割成三个以上的上侧存储电容电极。两个以上的上侧存储电容电极，通过各自的连接电极，连接在扫描信号线和数据信号线的交点附近设置的TFT上。还有，没有与连接电极连接的上侧存储电容电极，与构成子像素的子像素电极相连接。
通过将上侧存储电容电极分割成数个，从而当上侧存储电容电极与存储电容布线、数据信号线或相邻像素的上侧存储电容电极之间出现漏电等不良情况时，利用将出现了漏电的上侧存储电容电极电气分离的方法来进行修正。还有，经过修正当子像素没有通电时，通过利用激光等照射没有连接在连接电极上的分割电极(上侧存储电容电极)，从而使子像素电极和存储电容(共通)布线导通。由此，能够向子像素电极施加存储电容(共通)布线上的电位。当在存储电容(共通)布线和相对电极上被施加相同的电位时，则成为下记状态，即夹在子像素电极和相对电极之间的液晶层上没有被施加电压。在用常黑模式驱动的垂直取向型液晶显示装置中，被修正了的像素成为黑色显示，点缺陷变得不明显。
另一方面，在用常白模式驱动的扭曲取向型液晶显示装置中，例如通过将像素成为黑色显示时的电位供向存储电容(共通)布线，从而在液晶层上被施加规定的电压(像素成为黑色显示时的电压)，所以被修正了的像素成为黑色，点缺陷变得不明显。因此，通过进行上述修正，能够使不良像素成为没有对显示画质带来影响的微小的点缺陷，并能够使制造成品率得以提高。
(实施例一)图3是表示本实施例的AM衬底12a的平面模式图，图4是图3中的IV-IV线剖面图。本实施例的AM衬底12a，为作为存储电容元件的下侧电极形成了存储电容布线的Cs-on-Common(存储电容在公共极)方式。还有，本实施例的AM衬底12a，具有一个像素被分割为两个子像素，且相邻的像素共有存储电容布线的结构。
在本说明书中，子像素(subpixel)是显示的最小单位，由根据供向相同的扫描信号线的扫描信号和供向相同的数据信号线的数据信号加以选择、并输入相同的数据信号的两个以上的子像素构成了一个像素(pixel)。再者，由例如R、G、B三个像素构成一个图像元素(pictureelement)。像素(或者子像素)的区域，在AM型液晶显示装置中是由像素电极(或者子像素电极)、与像素电极(或者子像素电极)相对的相对电极来规定的。还有，在设置有黑矩阵的结构中，严格地说，根据应该显示的状态被施加电压的区域中，与黑矩阵的开口部对应的区域是与像素(或者子像素)的区域相对应的。
本实施例的AM衬底12a，具有呈矩阵状配置的多个像素，由沿行方向排列的两个子像素构成一个像素。具体来说，如图3所示，像素电极被分割为两个子像素电极21R(第一像素电极)、21L(第二像素电极)。在这两个子像素电极21R、21L的交界附近，设置有沿列方向(图中纵方向)延伸的用以供给扫描信号的扫描信号线22，在像素电极的周围，设置有沿行方向(图中横方向)延伸的用以供给数据信号的数据信号线23。还有，在扫描信号线22和数据信号线23的交叉部分，设置有从平面图来看以夹持着扫描信号线22的方式在行方向上设置、且连接在对应的子像素电极21R、21L上的两个作为开关元件的TFT24R、24L。
在TFT24R、24L的栅极电极上连接有扫描信号线22，TFT24R、24L被输入到栅极电极中的扫描信号驱动控制。还有，在TFT24R、24L的源极电极36a上连接有数据信号线23，数据信号输入TFT24R、24L的源极电极36a中。漏极电极36b，通过连接电极25L、25R连接在存储电容元件的一侧的电极(上侧存储电容电极)25a、25c上，且通过形成在层间绝缘膜38中的接触孔26a、26c连接在子像素电极21R、21L上。
在图3中，表示的是位于存储电容(共通)布线27的左侧的包含于第一像素中的右侧的子像素电极21R、和包含于在行方向(右侧)上与第一像素相邻的第二像素中的左侧的子像素电极21L。包含于第一像素中的子像素电极21R，是根据供向第一扫描信号线22a中的扫描信号和供向数据信号线23中的数据信号选择出的两个子像素电极中的位于右侧的子像素电极。包含于第二像素中的子像素电极21L，是根据供向夹持着存储电容(共通)布线27、且在行方向上与第一扫描信号线22a相邻的第二扫描信号线22b中的扫描信号和供向数据信号线23中的数据信号选择出的两个子像素电极中的位于左侧的子像素电极。
两个子像素，具有分别包括夹持着绝缘膜的一对电极的第一存储电容元件20R及第二存储电容元件20L。第一及第二存储电容元件20R、20L，共有用作为存储电容元件的一侧电极(下侧存储电容电极)的在透明绝缘性衬底(绝缘衬底)31上设置的存储电容(共通)布线27。在存储电容(共通)布线27上，形成了栅极绝缘膜33，隔着栅极绝缘膜33形成了与存储电容(共通)布线27相对配置的存储电容元件的另一侧电极(上侧存储电容电极)。与存储电容(共通)布线27相对的上侧存储电容电极，被分割为4个，即被分割为第一存储电容元件20R的上侧存储电容电极25a、25b以及第二存储电容元件20L的上侧存储电容电极25c、25d。这些上侧存储电容电极25a、25b、25c、25d是以与存储电容(共通)布线27的图案相重叠的方式设置而成的。
在本实施例的AM衬底12a中，连接电极25R、25L连接在各存储电容元件20R、20L中的一个上侧存储电容电极25a、25c上。作为具有代表性的连接电极25R、25L的材料，所使用的是非透过性材料，所以连接电极25R、25L的形成区域成为非透过性区域。因此，很难将连接电极25R、25L作为开口部加以利用，所以通过将连接电极25R、25L仅连接到一个上侧存储电容电极25a、25c上，从而与连接到两个上侧存储电容电极上的情况相比，能够提高开口率。然而，当能够使连接电极25R、25L的区域与隆起或缝隙等区域相重叠时，理想的是将连接电极连接到两个上侧存储电容电极上。
在参照图4的同时，对包含在第一像素中的子像素电极21R的剖面结构进行说明。在由玻璃或塑料等构成的透明绝缘性衬底(绝缘衬底)31上，设置有连接在第一扫描信号线22a上的栅极电极32R。第一扫描信号线22a和栅极电极32R，是由钛、铬、铝、钼等构成的金属膜、或者它们的合金、叠层膜形成的。作为存储电容元件的下侧存储电容电极发挥作用的存储电容(共通)布线27，具有代表性的是由与第一扫描信号线22a和栅极电极32R相同的材料形成的。覆盖它们的栅极绝缘膜33，是由氮化硅或氧化硅等构成的绝缘膜形成的。在其上以与栅极电极32R相重叠的方式，设置了由非晶硅、多晶硅等构成的高电阻半导体层34、由还掺杂有磷等杂质的n+非晶硅等构成的低电阻半导体层。而且，低电阻半导体层用作为源极电极36a及漏极电极36b。
还形成有数据信号线23，且该数据信号线23与源极电极36a相连接。再者，还设置有连接电极25R，且该连接电极25R与漏极电极36b相连接，连接电极25R延伸连接在一侧的上侧存储电容电极25a上，上侧存储电容电极25a通过接触孔26a与子像素电极21R相连接。
另一个上侧存储电容电极25b通过接触孔26b与子像素电极21R相连接。也就是，两个上侧存储电容电极25a、25b，构成为通过子像素电极21R相互电气连接的结构。数据信号线23、连接电极25及上侧存储电容电极25a、25b，具有代表性的是由相同的材料形成的，例如是由钛、铬、铝、钼等构成的金属膜、或者它们的合金、叠层膜形成的。像素电极21R及21L，是由例如ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、氧化锌、氧化锡等具有透明性的导电膜形成的。接触孔26a、26b，是以贯穿覆盖TFT24R、扫描信号线22a、数据信号线23及连接电极25的上部的层间绝缘膜38的方式形成的。作为层间绝缘膜38的材料，能够列举出例如丙烯树脂、氮化硅、氧化硅等。
下面，关于本实施例的AM衬底12a中的点缺陷的修正工序进行说明。在本实施例的AM衬底12a中，为了确保充足的存储电容，有必要将相对于存储电容(共通)布线27而设置的上侧存储电容电极25a～25d的面积尽可能地增大。因此，在行方向上相邻的子像素的上侧存储电容电极挨得很近，所以在行方向上相邻的上侧存储电容电极之间容易出现漏电不良。还有，在数据信号线23和上侧存储电容电极25a之间由于残膜的缺陷等原因有可能出现短路的问题。再者，在上侧存储电容电极25a和存储电容布线27之间由于栅极绝缘膜33中的导电性异物或小孔有可能出现短路的问题。
图5是用来对相邻、且分别连接在连接电极25R、25L上的上侧存储电容电极25a、25c之间出现了短路时的修正工序进行说明的平面模式图。修正前的AM衬底12aa里，在上侧存储电容电极25a、25c之间，由于残膜等原因出现短路，且通过已短路的上侧存储电容电极25a、25c以及接触孔26a、26c，相邻的子像素电极21R和子像素电极21L之间导通，所以成为连结失效点。
图6是用来对连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25a和数据信号线23之间出现了短路时的修正工序进行说明的平面模式图。修正前的AM衬底12ab里，在数据信号线23和上侧存储电容电极25a之间，由于残膜的缺陷等原因出现短路，数据信号从数据信号线23经由上侧存储电容电极25a输向子像素电极21R中。
图7是用来对连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25a和存储电容布线27之间出现了短路时的修正工序进行说明的平面模式图。修正前的AM衬底12ac里，在上侧存储电容电极25a和存储电容布线27之间，由于栅极绝缘膜33中的导电性异物或小孔出现短路，已短路的像素在显示图像中成为点缺陷。
当连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25a，与相邻的上侧存储电容电极25c、数据信号线23或存储电容布线27之间出现了短路时，通过将在已短路的上侧存储电容电极25a上形成的接触孔26a内的电极部分101去除，从而能够解决子像素电极21R及21L的各种短路问题。再者，如果利用激光等在切割点K对连接电极25R进行切割断开的话，则能够将已短路的上侧存储电容电极25a分离开，所以在TFT24R处于接通(on)状态时，能够避免存储电容布线27经由TFT24与数据信号线23之间出现漏电的问题。
然而，因为此时子像素电极21R也被从TFT24R中电气分离开，成为没有通电的状态，所以利用激光102等熔融了另一个上侧存储电容电极25b(不过，除了接触孔26b的区域)，从而经由上侧存储电容电极25b使子像素电极21R和存储电容(共通)布线27导通。由此，能够使子像素电极21R保持与存储电容(共通)布线27相同的电位。所以，在具有被修正了的该AM衬底12a的液晶显示装置中，能够使子像素电极21R的区域进行黑色显示，并可作为微小的失效点进行修正。
图8是用来对没有连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25b和与之相邻的上侧存储电容电极25d之间出现了短路时的修正工序进行说明的平面模式图。修正前的AM衬底12ad里，在上侧存储电容电极25b、25d之间，由于残膜等原因出现短路，且通过已短路的上侧存储电容电极25b、25d以及接触孔26b、26d，相邻的子像素电极21R和子像素电极21L之间导通，所以成为连结失效点。
图9是用来对没有连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25b和数据信号线23之间出现了短路时的修正工序进行说明的平面模式图。修正前的AM衬底12ae里，在数据信号线23和上侧存储电容电极25b之间，由于残膜的缺陷等原因出现短路，数据信号从数据信号线23经由上侧存储电容电极25b输向子像素电极21R中。
图10是用来对没有连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25b和存储电容布线27之间出现了短路时的修正工序进行说明的平面模式图。修正前的AM衬底12af里，在上侧存储电容电极25b和存储电容布线27之间，由于栅极绝缘膜33中的导电性异物或小孔出现短路，已短路的像素在显示图像中成为点缺陷。
当没有连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25b，与相邻的上侧存储电容电极25d、数据信号线23或者存储电容布线27之间出现了短路时，利用激光等将形成在已短路的上侧存储电容电极25b上的接触孔26b内的电极部分103去除。由此，因为能够将已短路的上侧存储电容电极25b与子像素电极21R分离开，所以可以防止来自存储电容布线27的电位经由上侧存储电容电极25b被施加到子像素电极21R上。因此，能够使子像素以接近正常的状态进行驱动。
(实施例二)在实施例一的AM衬底12a中设定为连接在连接电极25R、25L上的上侧存储电容电极25a、25c和存储电容布线27相重叠的区域的面积(第一面积)，大于没有连接在连接电极25R、25L上的上侧存储电容电极25b、25d和存储电容布线27相重叠的区域的面积(第二面积)。
与接触孔26a、26c相比，在接触孔26b、26d中有时难于将子像素电极21R、21L以良好的覆盖性(coverage)连接到上侧存储电容电极25b、25d上。或者有时出现上侧存储电容电极的包含铝等的金属膜与子像素电极21R、21L的氧化铟锡(ITO)等的膜之间的接触电阻增大的情况。在出现上述情况时，上侧存储电容电极25b、25d有时没有发挥作为存储电容元件的电极的这一作用。于是，通过设定成第一面积大于第二面积，从而第一面积相对于第一面积和第二面积相加后的总面积的比率提高，所以能够确保与第一面积的比率相对应的较大的存储电容。
然而，当与接触可靠性相比，更多地考虑到连接在连接电极25R、25L上的上侧存储电容电极25a、25c的短路(例如、与存储电容布线27之间的短路)问题时，也可以使第一面积小于第二面积。
图11是表示将连接在连接电极25R、25L上的上侧存储电容电极25a、25c和存储电容布线27相重叠的区域的面积设定为小于没有连接在连接电极25R、25L上的上侧存储电容电极25b、25d和存储电容布线27相重叠的区域的面积的AM衬底12b的平面模式图。再者，与实施例一相同的构成要素均用相同的参照符号进行标注，从而省略对相同参照符号所示的构成要素进行说明。
在本实施例的AM衬底12b中，由于将连接在连接电极25R、25L上的上侧存储电容电极25a、25c和存储电容布线27相重叠的区域的面积(第一面积)设定为小于没有连接在连接电极25R、25L上的上侧存储电容电极25b、25d和存储电容布线27相重叠的区域的面积(第二面积)，所以当连接在连接电极25R、25L上的上侧存储电容电极25a、25c出现了短路时，能够确保与第二面积相对于第一面积和第二面积相加后的重叠总面积的比率对应的较大的存储电容。
(实施例三)在实施例二的AM衬底12b中，如图11所示，在位于存储电容布线27的左侧的包含于第一像素中的两个子像素(仅对左侧的子像素的一部分进行了图示)中的右侧的子像素(第一子像素)、和位于存储电容布线27的右侧的包含于第二像素中的两个子像素(仅对右侧的子像素的一部分进行了图示)中的左侧的子像素(第二子像素)中，上侧存储电容电极25a～25d的配置是左右对称的。换言之，第一子像素的连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25a和第二子像素的连接在连接电极25L上的上侧存储电容电极25c，在与存储电容布线27延伸的方向交叉的方向上相邻，并且没有连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25c和没有连接在连接电极25L上的上侧存储电容电极25d，在与存储电容布线27延伸的方向交叉的方向上相邻。
然而，在本发明中，上侧存储电容电极25a～25d的配置并不仅局限于实施例二所示的情况，第一子像素的连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25a和第二子像素的连接在连接电极25L上的上侧存储电容电极25c，也可以错开配置在存储电容布线27延伸的方向上。
图12是表示本实施例的AM衬底12c的平面模式图。在本实施例的AM衬底12c中，相对于第一子像素的连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25a而言，第二子像素的连接在连接电极25L上的上侧存储电容电极25c被错开设置在附图的下侧。还有，相对于第一子像素的没有连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25b而言，第二子像素的没有连接在连接电极25L上的上侧存储电容电极25d被错开设置在附图的上侧。
在本实施例的AM衬底12c中，因为上侧存储电容电极25c被错开设置在附图的下侧，所以连接TFT24L的漏极电极和上侧存储电容电极25c的连接电极25L，比第一子像素的连接电极25R长。因此，可能出现与第一子像素的开口率相比第二子像素的开口率下降的问题。然而，在将本实施例的AM衬底12c用于动作模式为M VA(多畴垂直取向)的液晶显示装置中时，通过在缝隙(没有电极层的部分)的区域、或者在形成于相对衬底上并向液晶层一侧突出的隆起(凸部)的区域配置连接电极25L，从而能够抑制由于连接电极25L变长而造成的开口率的下降。
在实施例二中，如图11所示，因为连接在连接电极25R、25L上的上侧存储电容电极25a、25c相互靠近，所以在上侧存储电容电极25a、25c之间有可能出现漏电的问题。当连接在连接电极25R、25L上的上侧存储电容电极25a、25c之间出现了短路时，有必要对其中的任意一个子像素进行修正，使其成为黑点。
在本实施例的AM衬底12c中，因为与实施例二相比连接在连接电极25R、25L上的上侧存储电容电极25a、25c相互远离，所以在上侧存储电容电极25a、25c之间出现短路的可能性下降。当连接在连接电极25R、25L上的上侧存储电容电极25a、25c，和没有连接在连接电极25R、25L上的上侧存储电容电极25b、25d之间出现了短路时，通过将没有连接在连接电极25R、25L上的上侧存储电容电极25b、25d分离开，从而虽然上侧存储电容电极25b、25d所存储的存储电容减少，但能够以接近正常的驱动显示子像素。
(实施例四)在实施例一～三中，第一子像素的上侧存储电容电极25a、25b和第二子像素的上侧存储电容电极25c、25d在与存储电容布线27延伸的方向交叉的方向上相邻，但本发明并不仅局限于此。例如，也可以在存储电容布线27延伸的方向上配置上侧存储电容电极25a～25d。
图13是表示本实施例的AM衬底12d的平面模式图。在本实施例的AM衬底12d中，与包含于第二子像素中的两个上侧存储电容电极25c、25d相比，包含于第一子像素中的两个上侧存储电容电极25a、25b被配置在附图的上侧。还有，与没有连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25b相比，第一子像素的连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25a被配置在附图的上侧。另一方面，与没有连接在连接电极25L上的上侧存储电容电极25d相比，第二子像素的连接在连接电极25L上的上侧存储电容电极25c被配置在附图的下侧。
如图13所示，通过将上侧存储电容电极25a～25d设置在存储电容布线27延伸的方向上，从而能够减小存储电容布线27的宽度，所以能够使子像素的开口率得以提高。还有，上侧存储电容电极25b、25d介于连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25a、和连接在连接电极25L上的上侧存储电容电极25c之间，所以能够防止两电极25a、25c之间的短路。当第一子像素的上侧存储电容电极25b和第二子像素的上侧存储电容电极25d之间出现了短路时，通过将其中的一个上侧存储电容电极分离开，从而能够用接近正常的驱动来显示子像素。
(实施例五)在实施例一～四中，第一子像素和第二子像素上分别设置了两个上侧存储电容电极25a～25d，而也可以将相邻的两个子像素中的至少一个子像素的上侧存储电容电极分割成两个以上。
图14是表示本实施例的AM衬底12e的平面模式图。在本实施例的AM衬底12e中，第二子像素具有两个上侧存储电容电极25c、25d，而第一子像素只有一个连接在连接电极25R上的上侧存储电容电极25a。将上侧存储电容电极分割成两个以上时，则与没有对上侧存储电容电极进行分割的情况相比，该子像素的存储电容降低。因此，通过仅对上侧存储电容电极的短路容易出现的子像素的上侧存储电容电极进行分割，从而能够抑制相邻的另一个子像素的存储电容的降低。
(实施例六)在上述各实施例中，当上侧存储电容电极之间出现了短路时，对通过将在已短路的上侧存储电容电极上形成的接触孔内的电极部分进行去除从而可以解决短路问题的情况等进行了举例说明，但本发明也可以通过所述的下记方法去除已短路的短路部来消除短路现象。
图15是表示本实施例的AM衬底12f的平面模式图。图16是表示沿着图15中的XVI-XVI线被切割的本实施例的液晶显示面板5的剖面模式图。
如图16所示，液晶显示面板5包括相对配置的AM衬底12f和相对衬底13、以及设置在这两个衬底12f及13之间的液晶层14。
在AM衬底12f中，各存储电容布线27，具有在上侧存储电容电极25a、25b和上侧存储电容电极25c、25d之间开口的缝隙部27a。关于该AM衬底12f的其他结构及效果，与在上述实施例一中说明的AM衬底12a相同，所以省略该说明。再者，缝隙部27a的图案形状，并不仅局限于图15中所示的形状，可以根据上侧存储电容电极25a～25d和存储电容布线27的形状进行适当地调整。
还有，相对衬底13形成为在衬底31上，彩色滤光层(Color Filter)37、相对电极39及取向膜(无图示)等依次叠层而成的多层叠层结构。
彩色滤光层37包括与AM衬底12f的各像素对应并呈矩阵状设置的R、G以及B中的任一着色层37a、和在各着色层37a之间设置的黑矩阵37b。还有，如图16所示，该黑矩阵37b，以与设置在AM衬底12f上的缝隙部27a相重叠的方式设置而成。由此，在常白模式的液晶显示装置中，当处于黑色显示时能够抑制从缝隙部27a中漏出的光。
下面，关于上述结构的液晶显示面板5的制造方法进行说明。液晶显示面板5，是经过以下所说明的AM衬底制造工序、相对衬底制造工序以及液晶显示面板制造工序制作而成的。还有，在AM衬底制造工序及液晶显示面板制造工序中的至少一个工序之后进行检查工序，当在检查工序中检测出像素缺陷时，在检查工序之后还要增加对像素缺陷进行修正的工序。
下面，关于AM衬底制造工序进行说明。
首先，在玻璃、塑料等构成的衬底31的整个衬底上，利用喷镀法形成钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等的金属膜、它们的合金膜、或者它们的叠层膜(厚度为1000～3000)，其后，利用光刻技术(PhotoEngraving Process，以下简称为“PEP技术”)形成图案，从而形成扫描信号线22、栅极电极32R以及存储电容布线27。
然后，在形成了扫描信号线22等的整个衬底上，利用化学气相沉积(CVD＝Chemical Vapor Deposition)法形成氮化硅或氧化硅等的无机绝缘膜(厚度为3000～5000左右)，从而形成了栅极绝缘膜33。
其后，在形成了栅极绝缘膜33的整个衬底上，利用化学气相沉积(CVD)法连续形成本征非晶硅膜(厚度为1000～3000)、和掺杂了磷的n+非晶硅膜(厚度为400～700)，其后，利用PEP技术在栅极电极32R上形成岛状图案，从而形成了由本征非晶硅层和n+非晶硅层构成的硅叠层体。
其后，在形成了硅叠层体的整个衬底上，利用喷镀法形成钛、铬、铝、钼、钽、钨、铜等的金属膜、它们的合金膜、或者它们的叠层膜(厚度为1000～3000)，其后，利用PEP技术形成图案，从而形成了数据信号线23、连接电极25R和25L、以及上侧存储电容电极25a～25d(存储电容电极形成工序)。
再者，以数据信号线23、连接电极25R和25L作为掩膜，蚀刻去除构成硅叠层体的n+非晶硅层，形成沟道部，从而形成具有源极电极36a以及漏极电极36b的半导体层(沟道部形成工序)。
在此，在半导体层可以如上所示的那样形成非晶硅膜，而也可以形成多晶硅膜，还有也可以对非晶硅膜以及多晶硅膜进行激光退火(laser anneal)处理使结晶性提高。由此，半导体层内的电子的移动速度变快，能够使TFT24的特性得以提高。
然后，在形成了数据信号线23等的整个衬底上，利用化学气相沉积(CVD)法形成氮化硅、氧化硅等的无机绝缘膜(厚度为2000～5000)、或者利用过渡涂层(涂敷)法形成感光性丙烯树脂膜(厚度为2μm～4μm)，从而形成了层间绝缘膜38。
然后，分别蚀刻去除层间绝缘膜38中的与上侧存储电容电极25a～25d相对应的部分，从而形成了接触孔26a～26d。
随后，在形成了具有接触孔26a～26d的层间绝缘膜38的整个衬底上，利用喷镀法形成了由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium ZincOxide)、氧化锌、氧化锡等构成的透明导电膜(厚度为1000～2 000)，其后利用PEP技术形成图案，从而形成了像素电极21R及21L。
最后，在形成了像素电极21R及21L的整个衬底上，印刷厚度为500～1000的聚酰亚胺树脂，其后，进行烧成，并用摩擦布按照一定方向进行摩擦处理，从而形成取向膜。
按照如上所示的方法，制作(制造)出了AM衬底12f。
下面，关于相对衬底制作工序进行说明。
首先，在玻璃、塑料等构成的衬底31的整个衬底上，形成了铬薄膜、或者含有黑色颜料的树脂薄膜以后，利用PEP技术形成图案，从而形成了黑矩阵37b。
然后，在黑矩阵之中分别使用颜料分散法等，使红、绿以及蓝中的任一着色层37a(厚度为2μm左右)形成图案，从而形成彩色滤光层37。
随后，在形成了彩色滤光层37的整个衬底上，形成ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、氧化锌、氧化锡等构成的透明导电膜(厚度为1000左右)，从而形成相对电极39。
最后，在形成了相对电极39的整个衬底上，印刷厚度为500～1000的聚酰亚胺树脂，其后，进行烧成，并用摩擦布按照一定方向进行摩擦处理，从而形成取向膜。
按照如上所示的方法，能够制作出相对衬底13。
<液晶显示面板制作工序>
下面，关于液晶显示面板制作工序进行说明。
首先，在按照上述方法制作的AM衬底12f以及相对衬底13中的任一个衬底上，利用丝网印刷，将由热硬化性环氧树脂等构成的密封材料涂敷为在液晶注入口的部分出现缺口的框状图案，并在另一个衬底上洒上具有直径相当于液晶层14的厚度并由塑料或者硅石构成的球状衬垫粉(spacer)。
然后，将AM衬底12f和相对衬底13相粘合，并使密封材料硬化，从而制作出空的液晶显示面板。
最后，向空的液晶显示面板中，利用减压法注入液晶材料以后，在液晶注入口涂敷紫外线(UV)硬化树脂，通过紫外线(UV)照射，来封装液晶材料。由此，形成了液晶层14。
按照如上所示的方法，制作出液晶显示面板5。
下面，关于检查工序以及缺陷修正工序进行说明。
首先，关于在AM衬底制作工序之后(取向膜形成之前)进行检查工序(短路部检测工序)的情况进行说明。
在该短路部检测工序中，通过对在AM衬底制作工序中制作的AM衬底12f进行外观检查、电光学检查等，检测出发生了短路的位置(短路部)。在此，所谓外观检查指的是利用CCD照相机等对布线图案进行光学检查，所谓电光学检查指的是在以与有源矩阵衬底相对的方式设置了调制器(电光学元件)以后，在有源矩阵衬底和调制器之间施加电压的同时使光入射到其中，并用CCD照相机捕捉该光的亮度变化，从而对布线图案进行电光学检查。
然后，对于检测出短路部的AM衬底12f进行去除短路部的缺陷修正。在本实施例中，关于在AM衬底12f的上侧存储电容电极25a及25c之间，出现了短路时的短路修正方法，将利用图17进行说明。
具体来说，通过使激光穿过缝隙部27a对短路部即残膜98进行照射，从而将已短路的上侧存储电容电极25a及25c分离开。由此，已被分离开的上侧存储电容电极25a和25c，与正常像素中的上侧存储电容电极25a和25c发挥同样的作用。
在此，对残膜98进行切断时，所使用的是例如钇铝石榴石(YAG＝Yttrium Aluminium Garnet)激光的第四高次谐波(波长为266nm)。由此，能够通过激光照射以高精度对短路部进行切断。
还有，缝隙部27a的宽度最好在5μm以上，作为缝隙部27a的面积最好在25μm2以上。还有，所谓缝隙部27a的宽度，是指数据信号线23延伸方向上的缝隙部27a的长度。由此，能够确保在利用钇铝石榴石(YAG)激光进行切断加工时的激光照射区域。还有，当考虑到激光照射时的钇铝石榴石(YAG)激光的照射波束直径的大小、及激光照射时的对准调整(alignment)等问题，缝隙部27a的宽度最好在10μm以上，且作为缝隙部27a的面积最好在100μm2以上。
再者，上述检查工序以及缺陷修正工序，除了可以在形成像素电极21R及21L以后进行以外，还可以在形成上侧存储电容电极25a～25d的存储电容电极形成工序之后、或者在形成沟道部的沟道部形成工序之后进行。由此，能够在制造工序的较初级阶段对像素缺陷进行修正，所以可以进一步提高AM衬底以及液晶显示面板的制造成品率。
其次，对于在液晶显示面板制作工序之后进行检查工序(短路部检测工序)的情况进行说明。
在该短路部检测工序中，通过对在液晶显示面板制作工序中制作的液晶显示面板5进行点灯检查从而检测出短路部。具体来说，例如，向各扫描信号线22输入偏压为-10V、周期为16.7msec、脉冲宽度为50μsec的+15V的脉冲电压的栅极检查信号将所有的TFT24设置成接通(ON)状态。还有向各数据信号线23中输入每16.7msec出现极性反转的±2V电位的源极检查信号，经由各TFT24的源极电极36a及漏极电极36b向像素电极21中写入与±2V对应的电荷。同时，向相对电极39及存储电容布线27输入直流的-1V电位的相对电极检查信号。此时，在像素电极21R和21L以及相对电极39之间构成的液晶电容、以及在存储电容布线27和上侧存储电容电极25a～25d之间构成的存储电容元件上施加电压，从而由该像素电极21R及21L构成的像素处于发光状态。并且，在相邻像素的各上侧存储电容电极之间(例如25a及25c之间)出现了短路的地方，该像素电极21L及21R导通，成为连结失效点。由此，检测出短路部的位置。
其后，对已检测出短路部的AM衬底12f，进行除去短路部的缺陷修正。关于具体的修正方法，因为与上述已说明的AM衬底12f的修正方法实质上相同，所以将省略详细的说明。还有，在AM衬底12f中进行修正时，能够从AM衬底12f的表面以及背面两个方向照射激光，而在液晶显示面板5中进行修正时，则是从AM衬底12f的衬底一侧(背面)照射激光。
如上所述，在本实施例的AM衬底12f中，当在上侧存储电容电极25a和25c、以及上侧存储电容电极25b和25d之间出现了短路时，通过使激光穿过缝隙部27a对短路部即残膜98进行照射，从而能够容易地对像素缺陷进行修正，因此可以使AM衬底以及液晶显示面板的制造成品率得以提高。
还有，当上侧存储电容电极25a～25d之间的残膜98仅由非晶硅膜等的高电阻半导体膜形成时，因为在存储电容布线27中设置有缝隙部27a，所以尽管被存储电容布线27施加了电位，该残膜98也难于沟道化，因此即使不进行上述的激光修正也能够抑制连结失效点的产生。与此相反，当在存储电容布线27上没有设置缝隙部27a时，存储电容布线27作为栅极电极发挥作用，同时各上侧存储电容电极分别作为源极电极及漏极电极发挥作用，从而由高电阻半导体膜形成的残膜98形成沟道化，各上侧存储电容电极之间导通。
(实施例七)图18，是表示本实施例的AM衬底12g的平面模式图。图19是图18中的XIX-XIX线剖面图。
在该AM衬底12g中，如图19所示，层间绝缘膜38成为由下层的第一层间绝缘膜38a和上层的第二层间绝缘膜38b构成的两层结构，该层间绝缘膜38具有以与存储电容布线27的缝隙部27a相重叠的方式进行开口的缝隙部38c。关于该AM衬底12g的其他结构以及效果，与在上述实施例一中所说明的AM衬底12a相同，所以将省略该说明。
第一层间绝缘膜38a，是利用化学气相沉积(CVD)法形成的氮化硅、氧化硅等的无机绝缘膜(厚度为2000～5000)构成的，第二层间绝缘膜，是利用过渡涂层(涂敷)法形成的感光性丙烯树脂膜(厚度为2μm～4μm)构成的。
缝隙部38c，是在层间绝缘膜38中形成与上侧存储电容电极25a～25d相对应的接触孔26a～26d时一并形成的。具体来说，首先，对构成第二层间绝缘膜38b的感光性丙烯树脂进行图案加工，其后，将被进行了图案加工的感光性丙烯树脂作为掩膜，通过对构成第一层间绝缘膜的无机绝缘膜进行干蚀刻，从而形成了具有接触孔26a～26d以及缝隙部38c的层间绝缘膜38。
还有，在形成接触孔26a～26d等的上述蚀刻工序中，也能够去除在上侧存储电容电极25a～25d之间产生的残膜98。由此，不需要利用激光照射切断短路部，而通过一般的蚀刻就能够除去短路部。
(实施例八)图20是表示本实施例的AM衬底12h的平面模式图，图21是图20中的XXI-XXI线剖面图。
在该AM衬底12h中，如图21所示，子像素电极21R是以与存储电容布线27的缝隙部27a相重叠的方式设置而成的。关于该AM衬底12h的其他结构以及效果，因为与在上述实施例一中所说明的AM衬底12a相同，所以将省略该说明。
在该AM衬底12h中，因为子像素电极21R与缝隙部27a相重叠，所以从AM衬底12h的衬底一侧(背面)进行激光照射。还有，当应用于常白模式的液晶显示装置中时，因为能够抑制黑色显示时的漏光，所以可以抑制显示画质的下降、并且能够抑制开口率的降低。
(实施例九)图22是表示本实施例的电视接收装置15的方块图。
如图22所示，电视接收装置15，包括接收电视广播并输出影像信号的调谐器部11、和根据调谐器部11供给的影像信号进行图像显示的液晶显示装置10。
图23，是表示本实施例的液晶显示装置10的方块图。
如图23所示，液晶显示装置10包括用以将调谐器部11等供给的影像信号分离成亮度信号及色度信号的Y/C分离电路1；用以将亮度信号及色度信号转换成光的三原色即R、G和B的模拟RGB信号的视频色度(video chroma)电路2；用以将模拟RGB信号转换成数字RGB信号的模数(A/D)转换器3；被输入数字RGB信号的液晶控制器4；具有在规定的时间被输入来自液晶控制器4的数字RGB信号、且实际上进行图像显示的在上述各实施例中已经进行了说明的AM衬底12的液晶显示面板5；用以向液晶显示面板5供给色阶电压的色阶电路7；用以向液晶显示面板5供给光的背光源(back light)9；用以驱动背光源9的背光源驱动电路8；以及用以对上述结构的整个系统进行控制的微型计算机6。
还有，作为提供给Y/C分离电路1的影像信号，除了来源于上述电视广播的影像信号以外，还能够利用由照相机拍摄的影像信号、通过网络线路提供的影像信号等各种各样的影像信号。
上述结构的电视接收装置15以及液晶显示装置10，因为具有能够容易地对像素缺陷进行修正的AM衬底，所以可以实现制造成品率的提高。
以上，对于本发明的理想的实施例进行了说明，但本发明的技术范围并不仅仅局限于上述实施例中所记载的范围。本领域的技术人员所应理解的是上述实施例仅为示例，通过将上述实施例的各构成要素和各处理过程进行组合还能够产生各种各样的变形例，还有这些变形例也属于本发明的范围。
(产业上的利用可能性)本发明的AM衬底，能够应用于液晶显示装置、无机或者有机EL(电致发光)显示装置中等。还有，本发明的液晶显示装置能够应用于各种电气器械。例如，能够应用于手机、PDA(Personal Digital Assistance)、微型计算机、薄型电视机、医疗用显示器、汽车驾驶导向系统、游艺器械等。
权利要求
1.一种有源矩阵衬底，具有衬底、形成在上述衬底上的有源元件、形成在上述衬底上的存储电容元件、覆盖上述存储电容元件的层间绝缘膜、形成在上述层间绝缘膜上的像素电极，其特征在于上述存储电容元件具有存储电容布线、形成在上述存储电容布线上的绝缘膜、隔着上述绝缘膜与上述存储电容布线相对设置的两个以上的存储电容电极，上述两个以上的存储电容电极，通过分别在上述层间绝缘膜中形成的接触孔与上述像素电极导通，并与上述有源元件的漏极电极导通。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵衬底，其特征在于上述两个以上的存储电容电极中的至少一个存储电容电极，与连接在上述漏极电极上的连接电极相连接。
3.根据权利要求2所述的有源矩阵衬底，其特征在于上述两个以上的存储电容电极，包含连接在上述连接电极上的上述存储电容电极、和没有连接在上述连接电极上的上述存储电容电极；连接在上述连接电极上的上述存储电容电极和上述存储电容布线相重叠的区域的面积，与没有连接在上述连接电极上的上述存储电容电极和上述存储电容布线相重叠的区域的面积不同。
4.根据权利要求1所述的有源矩阵衬底，其特征在于上述存储电容布线，具有在上述各存储电容电极之间开口的缝隙部。
5.根据权利要求4所述的有源矩阵衬底，其特征在于上述层间绝缘膜，具有以与上述存储电容布线的缝隙部相重叠的形态开口的缝隙部。
6.根据权利要求4所述的有源矩阵衬底，其特征在于上述存储电容布线的缝隙部的宽度在5μm以上。
7.根据权利要求4所述的有源矩阵衬底，其特征在于上述有源元件，是由第一及第二有源元件构成的，上述像素电极，是由相邻的第一及第二像素电极构成的，上述两个以上的存储电容电极，是由第一及第二存储电容电极构成的，上述第一存储电容电极，连接在上述第一像素电极及上述第一有源元件的漏极电极上，上述第二存储电容电极，连接在上述第二像素电极及上述第二有源元件的漏极电极上，第一数据信号经由上述第一有源元件输入上述第一像素电极，与上述第一数据信号不同的第二数据信号经由上述第二有源元件输入上述第二像素电极。
8.根据权利要求7所述的有源矩阵衬底，其特征在于上述存储电容布线的缝隙部，与上述第一像素电极或者第二像素电极重叠。
9.一种有源矩阵衬底，具有衬底、形成在上述衬底上的有源元件、形成在上述衬底上的存储电容元件、覆盖上述存储电容元件的层间绝缘膜、形成在上述层间绝缘膜上的像素电极，其特征在于上述存储电容元件具有存储电容布线、形成在上述存储电容布线上的绝缘膜、隔着上述绝缘膜与上述存储电容布线相对设置的两个以上的存储电容电极，上述两个以上的存储电容电极，与上述有源元件的漏极电极导通，上述存储电容布线，具有在上述各存储电容电极之间开口的缝隙部。
10.一种有源矩阵衬底，具有衬底、形成在上述衬底上的第一及第二有源元件、形成在上述衬底上的第一及第二存储电容元件、覆盖上述第一及第二存储电容元件的层间绝缘膜、分别形成在上述层间绝缘膜上并相邻的第一及第二像素电极，第一数据信号经由上述第一有源元件输入上述第一像素电极，与上述第一数据信号不同的第二数据信号经由上述第二有源元件输入上述第二像素电极，其特征在于上述第一及第二存储电容元件，具有互相共有的存储电容布线、和形成在上述存储电容布线上的绝缘膜，且上述第一存储电容元件具有隔着上述绝缘膜与上述存储电容布线相对设置的两个以上的存储电容电极，上述两个以上的存储电容电极，通过分别在上述层间绝缘膜中形成的接触孔与上述第一像素电极导通，并与上述第一有源元件的漏极电极导通。
11.根据权利要求10所述的有源矩阵衬底，其特征在于上述第二存储电容元件具有隔着上述绝缘膜与上述存储电容布线相对设置的两个以上的存储电容电极，且上述第二存储电容元件的上述两个以上的存储电容电极，通过分别在上述层间绝缘膜中形成的接触孔与上述第二像素电极导通，并与上述第二有源元件的漏极电极导通。
12.根据权利要求10所述的有源矩阵衬底，其特征在于上述第一存储电容元件的上述两个以上的存储电容电极中的至少一个存储电容电极，与连接在上述第一有源元件的上述漏极电极上的第一连接电极相连接。
13.根据权利要求12所述的有源矩阵衬底，其特征在于上述第一存储电容元件的上述两个以上的存储电容电极，包含连接在上述第一连接电极上的上述存储电容电极、和没有连接在上述第一连接电极上的上述存储电容电极；连接在上述第一连接电极上的上述存储电容电极和上述存储电容布线相重叠的区域的面积，与没有连接在上述第一连接电极上的上述存储电容电极和上述存储电容布线相重叠的区域的面积不同。
14.根据权利要求11所述的有源矩阵衬底，其特征在于上述第二存储电容元件的上述两个以上的存储电容电极中的至少一个存储电容电极，与连接在上述第二有源元件的上述漏极电极上的第二连接电极相连接。
15.根据权利要求14所述的有源矩阵衬底，其特征在于上述第二存储电容元件的上述两个以上的存储电容电极，包含连接在上述第二连接电极上的上述存储电容电极、和没有连接在上述第二连接电极上的上述存储电容电极；连接在上述第二连接电极上的上述存储电容电极和上述存储电容布线相重叠的区域的面积，与没有连接在上述第二连接电极上的上述存储电容电极和上述存储电容布线相重叠的区域的面积不同。
16.根据权利要求11所述的有源矩阵衬底，其特征在于上述第一存储电容元件的上述两个以上的存储电容电极和上述第二存储电容元件的上述两个以上的存储电容电极，在与上述存储电容布线延伸的方向交叉的方向上相邻；连接在上述第一连接电极上的上述第一存储电容元件的存储电容电极、和连接在上述第二连接电极上的上述第二存储电容元件的存储电容电极，被错开设置在上述存储电容布线延伸的方向上。
17.根据权利要求11所述的有源矩阵衬底，其特征在于上述第一存储电容元件的上述两个以上的存储电容电极和上述第二存储电容元件的上述两个以上的存储电容电极，设置在上述存储电容布线的延伸方向上；连接在上述第一连接电极上的上述第一存储电容元件的存储电容电极、和连接在上述第二连接电极上的上述第二存储电容元件的存储电容电极，是以夹持着没有连接在上述第一及第二连接电极上的上述存储电容电极的方式设置的。
18.根据权利要求10所述的有源矩阵衬底，其特征在于具有沿列方向延伸的多条扫描信号线、及沿与上述列方向交叉的行方向延伸的多条数据信号线；上述第一像素电极，是根据供向上述多条扫描信号线中的第一扫描信号线的扫描信号、和供向上述多条数据信号线中的第一数据信号线的数据信号所选择的两个以上的子像素电极中的一个；上述第二像素电极，是根据供向夹持着上述存储电容布线且在行方向上与上述第一扫描信号线相邻的第二扫描信号线的扫描信号、和供向上述第一数据信号线的数据信号所选择的两个以上的子像素电极中的一个。
19.一种有源矩阵衬底的制造方法，该有源矩阵衬底，具有衬底、形成在上述衬底上的第一及第二有源元件、形成在上述衬底上的存储电容元件、覆盖上述存储电容元件的层间绝缘膜、以及分别形成在上述层间绝缘膜上并相邻的第一及第二像素电极，上述存储电容元件，具有存储电容布线、形成在上述存储电容布线上的绝缘膜、隔着上述绝缘膜与上述存储电容布线分别相对设置的第一及第二存储电容电极，上述第一及第二存储电容电极，通过分别在上述层间绝缘膜中形成的接触孔分别与上述第一及第二像素电极导通，同时还分别与上述第一及第二有源元件的漏极电极导通，上述存储电容布线，具有在上述第一及第二存储电容电极之间开口的缝隙部，第一数据信号经由上述第一有源元件输入上述第一像素电极，与上述第一数据信号不同的第二数据信号经由上述第二有源元件输入上述第二像素电极，其特征在于包括短路部检测工序，对出现在上述第一及第二存储电容电极之间的短路部进行检测；短路部去除工序，将在上述短路部检测工序中检测出的短路部去除，从而将上述已短路的第一及第二存储电容电极分离开。
20.根据权利要求19所述的有源矩阵衬底的制造方法，其特征在于在上述短路部去除工序中，使激光穿过上述缝隙部对上述短路部进行照射。
21.根据权利要求20所述的有源矩阵衬底的制造方法，其特征在于上述激光是钇铝石榴石激光的第四高次谐波。
22.根据权利要求20所述的有源矩阵衬底的制造方法，其特征在于包括存储电容电极形成工序，是在上述衬底上形成上述各存储电容电极的工序，沟道部形成工序，是形成构成上述各有源元件的半导体层的沟道部的工序，以及像素电极形成工序，是形成上述各像素电极的工序；上述短路部去除工序，在上述存储电容电极形成工序、沟道部形成工序或者像素电极形成工序之后进行。
23.根据权利要求19所述的有源矩阵衬底的制造方法，其特征在于包括蚀刻去除上述层间绝缘膜的一部分而形成上述接触孔的蚀刻工序，上述蚀刻工序，包含将上述短路部蚀刻去除的短路部去除工序。
24.一种有源矩阵衬底的制造方法，该有源矩阵衬底，具有衬底、形成在上述衬底上的第一及第二有源元件、形成在上述衬底上的存储电容元件、覆盖上述存储电容元件的层间绝缘膜、以及分别形成在上述层间绝缘膜上并相邻的第一及第二像素电极，上述存储电容元件，具有存储电容布线、形成在上述存储电容布线上的绝缘膜、隔着上述绝缘膜与上述存储电容布线分别相对设置的第一及第二存储电容电极，上述第一及第二存储电容电极，通过分别在上述层间绝缘膜中形成的接触孔分别与上述第一及第二像素电极导通，同时还分别与上述第一及第二有源元件的漏极电极导通，上述存储电容布线，具有在上述第一及第二存储电容电极之间开口的缝隙部，第一数据信号经由上述第一有源元件输入上述第一像素电极，与上述第一数据信号不同的第二数据信号经由上述第二有源元件输入上述第二像素电极，其特征在于包括蚀刻去除上述层间绝缘膜的一部分而形成上述接触孔的蚀刻工序；上述蚀刻工序，将在上述第一及第二存储电容电极之间出现的短路部蚀刻去除。
25.一种显示装置，具有权利要求1所述的有源矩阵衬底、与上述有源矩阵衬底相对的相对电极、以及夹在上述有源矩阵衬底和上述相对电极之间的显示媒质层，其特征在于在上述存储电容布线和上述相对电极上施加相同的电位。
26.一种显示装置，具有权利要求9所述的有源矩阵衬底、与上述有源矩阵衬底相对的相对电极、以及夹在上述有源矩阵衬底和上述相对电极之间的显示媒质层，其特征在于在上述存储电容布线和上述相对电极上施加相同的电位。
27.一种显示装置，具有权利要求10所述的有源矩阵衬底、与上述有源矩阵衬底相对的相对电极、以及夹在上述有源矩阵衬底和上述相对电极之间的显示媒质层，其特征在于在上述存储电容布线和上述相对电极上施加相同的电位。
28.一种显示装置，具有按照权利要求19所述的制造方法制造的有源矩阵衬底、与上述有源矩阵衬底相对的相对电极、以及夹在上述有源矩阵衬底和上述相对电极之间的显示媒质层，其特征在于在上述存储电容布线和上述相对电极上施加相同的电位。
29.一种显示装置，具有按照权利要求24所述的制造方法制造的有源矩阵衬底、与上述有源矩阵衬底相对的相对电极、以及夹在上述有源矩阵衬底和上述相对电极之间的显示媒质层，其特征在于在上述存储电容布线和上述相对电极上施加相同的电位。
30.一种液晶显示装置，其特征在于具有权利要求1所述的有源矩阵衬底、与上述有源矩阵衬底相对并在一个面上形成相对电极的相对衬底、以及夹在上述有源矩阵衬底和上述相对衬底之间的液晶层。
31.根据权利要求30所述的液晶显示装置，其特征在于在上述存储电容布线和上述相对电极上施加相同的电位。
32.根据权利要求31所述的液晶显示装置，其特征在于上述液晶层是包含具有负介电异向性的向列型液晶材料的垂直取向型液晶层。
33.根据权利要求32所述的液晶显示装置，其特征在于以常黑模式进行驱动。
34.根据权利要求30所述的液晶显示装置，其特征在于在上述存储电容布线和上述相对电极上施加不同的电位。
35.根据权利要求34所述的液晶显示装置，其特征在于上述液晶层是包含具有正介电异向性的向列型液晶材料的扭曲取向型液晶层。
36.根据权利要求35所述的液晶显示装置，其特征在于以常白模式进行驱动。
37.根据权利要求30所述的液晶显示装置，其特征在于上述存储电容布线，具有在上述各存储电容电极之间开口的缝隙部，在上述相对衬底上，以与上述缝隙部重叠的方式设置有黑矩阵。
38.一种液晶显示装置，其特征在于具有权利要求9所述的有源矩阵衬底、与上述有源矩阵衬底相对并在一个面上形成相对电极的相对衬底、以及夹在上述有源矩阵衬底和上述相对衬底之间的液晶层。
39.根据权利要求38所述的液晶显示装置，其特征在于在上述存储电容布线和上述相对电极上施加相同的电位。
40.根据权利要求39所述的液晶显示装置，其特征在于上述液晶层是包含具有负介电异向性的向列型液晶材料的垂直取向型液晶层。
41.根据权利要求40所述的液晶显示装置，其特征在于以常黑模式进行驱动。
42.根据权利要求38所述的液晶显示装置，其特征在于在上述存储电容布线和上述相对电极上施加不同的电位。
43.根据权利要求42所述的液晶显示装置，其特征在于上述液晶层是包含具有正介电异向性的向列型液晶材料的扭曲取向型液晶层。
44.根据权利要求43所述的液晶显示装置，其特征在于以常白模式进行驱动。
45.根据权利要求38所述的液晶显示装置，其特征在于上述存储电容布线，具有在上述各存储电容电极之间开口的缝隙部，在上述相对衬底上，以与上述缝隙部重叠的方式设置有黑矩阵。
46.一种液晶显示装置，其特征在于具有权利要求10所述的有源矩阵衬底、与上述有源矩阵衬底相对并在一个面上形成相对电极的相对衬底、以及夹在上述有源矩阵衬底和上述相对衬底之间的液晶层。
47.根据权利要求46所述的液晶显示装置，其特征在于在上述存储电容布线和上述相对电极上施加相同的电位。
48.根据权利要求47所述的液晶显示装置，其特征在于上述液晶层是包含具有负介电异向性的向列型液晶材料的垂直取向型液晶层。
49.根据权利要求48所述的液晶显示装置，其特征在于以常黑模式进行驱动。
50.根据权利要求46所述的液晶显示装置，其特征在于在上述存储电容布线和上述相对电极上施加不同的电位。
51.根据权利要求50所述的液晶显示装置，其特征在于上述液晶层是包含具有正介电异向性的向列型液晶材料的扭曲取向型液晶层。
52.根据权利要求51所述的液晶显示装置，其特征在于以常白模式进行驱动。
53.根据权利要求46所述的液晶显示装置，其特征在于上述存储电容布线，具有在上述各存储电容电极之间开口的缝隙部，在上述相对衬底上，以与上述缝隙部重叠的方式设置有黑矩阵。
54.一种液晶显示装置，其特征在于具有按照权利要求19所述的制造方法制造的有源矩阵衬底、与上述有源矩阵衬底相对并在一个面上形成相对电极的相对衬底、以及夹在上述有源矩阵衬底和上述相对衬底之间的液晶层。
55.根据权利要求54所述的液晶显示装置，其特征在于在上述存储电容布线和上述相对电极上施加相同的电位。
56.根据权利要求55所述的液晶显示装置，其特征在于上述液晶层是包含具有负介电异向性的向列型液晶材料的垂直取向型液晶层。
57.根据权利要求56所述的液晶显示装置，其特征在于以常黑模式进行驱动。
58.根据权利要求54所述的液晶显示装置，其特征在于在上述存储电容布线和上述相对电极上施加不同的电位。
59.根据权利要求58所述的液晶显示装置，其特征在于上述液晶层是包含具有正介电异向性的向列型液晶材料的扭曲取向型液晶层。
60.根据权利要求59所述的液晶显示装置，其特征在于以常白模式进行驱动。
61.根据权利要求54所述的液晶显示装置，其特征在于上述存储电容布线，具有在上述各存储电容电极之间开口的缝隙部，在上述相对衬底上，以与上述缝隙部重叠的方式设置有黑矩阵。
62.一种液晶显示装置，其特征在于具有按照权利要求24所述的制造方法制造的有源矩阵衬底、与上述有源矩阵衬底相对并在一个面上形成相对电极的相对衬底、以及夹在上述有源矩阵衬底和上述相对衬底之间的液晶层。
63.根据权利要求62所述的液晶显示装置，其特征在于在上述存储电容布线和上述相对电极上施加相同的电位。
64.根据权利要求63所述的液晶显示装置，其特征在于上述液晶层是包含具有负介电异向性的向列型液晶材料的垂直取向型液晶层。
65.根据权利要求64所述的液晶显示装置，其特征在于以常黑模式进行驱动。
66.根据权利要求62所述的液晶显示装置，其特征在于在上述存储电容布线和上述相对电极上施加不同的电位。
67.根据权利要求66所述的液晶显示装置，其特征在于上述液晶层是包含具有正介电异向性的向列型液晶材料的扭曲取向型液晶层。
68.根据权利要求67所述的液晶显示装置，其特征在于以常白模式进行驱动。
69.根据权利要求62所述的液晶显示装置，其特征在于上述存储电容布线，具有在上述各存储电容电极之间开口的缝隙部，在上述相对衬底上，以与上述缝隙部重叠的方式设置有黑矩阵。
70.一种电视接收装置，其特征在于包括权利要求30所述的液晶显示装置。
71.一种电视接收装置，其特征在于包括权利要求38所述的液晶显示装置。
72.一种电视接收装置，其特征在于包括权利要求46所述的液晶显示装置。
73.一种电视接收装置，其特征在于包括权利要求54所述的液晶显示装置。
74.一种电视接收装置，其特征在于包括权利要求62所述的液晶显示装置。
75.一种电视接收装置，其特征在于包括权利要求25所述的显示装置。
76.一种电视接收装置，其特征在于包括权利要求26所述的显示装置。
77.一种电视接收装置，其特征在于包括权利要求27所述的显示装置。
78.一种电视接收装置，其特征在于包括权利要求28所述的显示装置。
79.一种电视接收装置，其特征在于包括权利要求29所述的显示装置。
全文摘要
本发明涉及一种有源矩阵衬底及其制造方法、显示装置、液晶显示装置和电视接收装置。有源矩阵衬底(12)具有衬底、形成在上述衬底上的TFT(24)、形成在上述衬底上的存储电容元件(20)、覆盖存储电容元件(20)的层间绝缘膜、形成在上述层间绝缘膜上的像素电极(21)。存储电容元件(20)具有存储电容布线(27)、形成在存储电容布线(27)上的绝缘膜、隔着上述绝缘膜与存储电容布线(27)相对设置的两个以上的存储电容电极(25a、25b、25c)。上述两个以上的存储电容电极，通过分别在上述层间绝缘膜中形成的接触孔(26a、26b、26c)与像素电极(21)导通，并与TFT(24)的漏极电极导通。
文档编号G09F9/35GK101080756SQ200580043349
公开日2007年11月28日 申请日期2005年12月14日 优先权日2004年12月16日
发明者缘田宪史, 八木敏文, 野田知希, 津幡俊英, 武内正典 申请人:夏普株式会社