专利名称：等离子体显示器、驱动设备及其操作方法
技术领域：
本发明涉及等离子体显示器。更具体地讲，本发明涉及用于控制等离子体显示器的设备与方法。
背景技术：
等离子体显示器是一种使用通过放电室中的气体放电所产生的等离子体来显示字符或图像的显示设备。取决于其大小，等离子体显示器的等离子体显示器面板(PDP)包括按矩阵模式排列的数十到数百万个像素。
在等离子体显示器中，把帧划分为多个子场，每个子场包括重置周期、寻址周期以及维持周期。重置周期用于初始化放电室的状态，以及便利于对放电室的寻址操作。寻址周期用于在放电室之中选择导通/截止放电室。维持周期用于使导通的放电室继续放电，从而把图像显示在PDP上。
在传统的等离子体显示器中，把斜坡波形施加于扫描电极，以在重置周期期间初始化每一放电室的状态。具体地讲，把逐渐上升的上升斜坡波形施加于扫描电极，其后跟随逐渐下降的下降斜坡波形。由于放电室中的壁电荷的控制强依赖于所施加斜坡波形中的斜坡的坡度，所以不能精确控制壁电荷。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种等离子体显示器、以及用于控制等离子体显示器的设备与方法，其实质地克服了因现有技术的限制与缺点所导致的一个或多个问题。具体地讲，本发明提供了一种有助于精确控制放电室中的壁电荷的等离子体显示器。
通过提供如下所述的一种等离子体显示器，可以实现本发明的至少一种上述和其它的特性与优点，所述等离子体显示器包括多个第一电极，与等离子体显示器的放电室相关联；多个第二电极，与等离子体显示器的放电室相关联，与第一电极形成容性负载；第一晶体管，具有与第一电极耦接的第一端子；第一电容器，具有与第一晶体管的第二端子耦接的第一端子、以及与用于提供第一电压的第一电源耦接的第二端子；第二晶体管，耦接在第一电容器的第一端子和用于提供第二电压的第二电源之间；以及第一切换驱动器，与第二晶体管的控制端子耦接，并且被适配以在增加了第一电极的电压时增加第二晶体管处的控制端子电压。
第一切换驱动器可以包括第一二极管，具有耦接于第一电极的阴极；第一电阻器，并联地耦接于第一二极管；第二电容器，具有耦接于第一二极管的阳极的第一端子、以及耦接于第二晶体管的控制端子的第二端子；以及第二二极管，具有耦接于第二电容器的第二端子的阴极、以及耦接于第二电源的阳极。第二二极管可以为Zener(齐纳)二极管。第一晶体管的控制端子可被适配以驱动维持用于导通第一晶体管的第三电压和维持用于截止第一晶体管的第四电压的信号。
等离子体显示器还可以包括放电路径，用于当驱动信号维持第四电压时，释放由第一电容器所积累的至少一部分电荷。放电路径可以包括第二电阻器和串联地耦接于第二电阻器的第三二极管，并且被适配以阻断向第一电容器充电的电流。放电路径还可以包括第二切换驱动器，所述第二切换驱动器被适配以通过输出端子输出驱动信号，并且放电路径可以耦接在第一电容器和第二切换驱动器的输出端子之间。第一电压可以等于第二电压。
通过提供如下所述的一种等离子体显示器的驱动设备，可以实现本发明的至少一种上述的以及其它的特性与优点，所述等离子体显示器具有多个第一电极，与等离子体显示器的放电室相关联；以及多个第二电极，与等离子体显示器的放电室相关联，并与第一电极形成容性负载。在一个实施例中，所述驱动设备包括第一晶体管，具有耦接于第一电极的第一端子、和被适配以接收具有维持第一电压和第二电压的控制信号的驱动信号的控制端子，所述第一晶体管被适配以响应于控制信号的第一电压而导通；第一电容器，具有耦接于第一晶体管的第二端子的第一端子、以及耦接于用于提供第三电压的第一电源的第二端子；放电路径，耦接于第一电容器的第一端子，并且被适配以释放由第一电容器所积累的至少一部分电荷；第二晶体管，耦接在第一电容器的第一端子和用于提供第四电压的第二电源之间；以及第二电容器，耦接在第二晶体管的控制端子和第一晶体管的第一端子之间，并且被适配以在截止了第一晶体管的状态下，响应于第一晶体管的第一端子处的电压变化(variance)，而改变第二晶体管的控制端子电压。
驱动设备还可以包括第一二极管，耦接在第一晶体管的第一端子和第二电容器之间；第一电阻器，并联地与第一二极管耦接；以及第二二极管，耦接在第二电容器和第二电源之间。第一二极管的阴极可以耦接于第一晶体管的第一端子，并且第二二极管的阳极可以耦接于第二电源。第二二极管可以为Zener二极管。
驱动设备还可以包括切换驱动器，被适配以通过输出端子输出驱动信号；以及放电路径，可以包括耦接在第一电容器的第一端子和切换驱动器的输出端子之间的第三二极管。
通过提供如下所述的一种等离子体显示器的驱动方法，可以实现本发明的至少一种上述的以及其它的特性与优点，所述等离子体显示器包括多个第一电极，与等离子体显示器的放电室相关联；以及多个第二电极，与等离子体显示器的放电室相关联，并与第一电极形成容性负载。所述方法可以包括下列步骤响应于控制信号的第一电平，而导通具有耦接于第一电极的第一端子的第一晶体管；响应于对第一晶体管的导通，而对容性负载放电，从而可对耦接于第一晶体管的第二端子的电容器进行充电，并且在第一电极和第二电极之间产生放电；响应于对该电容器的充电，而截止第一晶体管；响应于在第一电极和第二电极之间的放电，而改变第一电极的电压；响应于第一电极处的电压变化，而改变耦接于该电容器的第二晶体管的控制端子处的电压；以及响应于控制信号的第二电平，而对该电容器进行放电。
所述方法还包括响应于第二晶体管的控制端子处的电压变化而对电容器进行放电的步骤、和施加具有交替的第一和第二电平的控制信号的步骤中的至少一个。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，对于本技术领域的普通技术人员而言，本发明的上述及其它特性以及优点将会变得更加明显，其中图1是根据本发明的一个实施例的等离子体显示器的示意图；图2说明了图1的等离子体显示器中所使用的驱动波形的时序；图3说明了根据本发明的一个实施例的由图2的驱动波形所生成的Y电极处的电压、以及放电电流的时序；
图4是根据本发明的第一示例性实施例的驱动电路的电路图；图5说明了使用图4的驱动电路所生成的驱动波形的时序；图6是根据本发明的第二示例性实施例的驱动电路的电路图；图7说明了使用图6的驱动电路所生成的驱动波形的时序；图8是根据本发明的第三示例性实施例的驱动电路的电路图；以及图9说明了使用图8的驱动电路所生成的驱动波形的时序。
具体实施例方式
以下，将参照附图，更全面地描述本发明，其中，描述了本发明的一些示例性的实施例。然而，本发明可以体现为不同的形式，不应该把本发明视为仅局限于此处所给出的这些实施例。相反，提供这些实施例旨在使这一公开充分与完整，并且能够把本发明的范围全面地传达给本技术领域中的技术人员。在这些图中，为了清楚地加以说明，层与区域的维度加以放大。还应该认识到，当把某层称为在另一层或衬底“之上”时，其可以直接在另一层或衬底上，也可能存在某些中间层。另外，还应认识到，当把某层称为在另一层“之下”时，其可以直接在另一层之下，也可以存在一或多个中间层。而且，还应认识到，当把某层称为在两个层“之间”时，其可以是在这两个层之间唯一的层，也可以存在一或多个中间层。在所有图中，相同的参考标号表示相同的元件。
本发明中所描述的壁电荷指的是在靠近相应的电极所设置的放电室的壁的部分上形成的电荷，并且所述壁电荷在该电极上积累。尽管这样的电荷不实际接触电极，但仍将这些壁电荷描述为“形成”或“积累”在电极上。另外，术语“壁电压”指由壁电荷形成在放电室的壁之间的电势差。
图1是根据本发明的一个实施例的等离子体显示器的示意图。如图1中所示，等离子体显示器可以包括等离子体显示器面板(PDP)100、控制器200、地址(A)电极驱动器300、维持(X)电极驱动器400、以及扫描(Y)电极驱动器500。
PDP100可以包括沿列方向延伸的多个地址电极(以下将其称为“A电极”)A1～Am、沿行方向延伸的多个维持电极(以下将其称为“X电极”)X1～Xn、以及沿行方向延伸的多个扫描电极(以下将其称为“Y电极”)Y1～Yn。X电极X1～Xn相应于相应的Y电极Y1～Yn，X与Y电极一起助于使得在维持周期期间显示图像的操作。描绘放电空间(即，A电极与Y和X电极交叉的空间)的子像素区限定了放电室110。
在操作过程中，控制器200接收图像信号，并且输出A电极驱动控制信号、X电极驱动控制信号以及Y电极驱动控制信号。另外，控制器200还把单个帧划分成多个子场，每个子场具有相应的亮度权重，并且驱动子场。每个子场依次包括重置周期、寻址周期以及维持周期。
Y电极驱动器500从控制器200接收Y电极驱动控制信号，并且把扫描脉冲依次施加于Y电极Y1～Yn。A电极驱动器300从控制器200接收A电极驱动控制信号，并且每次当把扫描脉冲施加于Y电极时，有选择地把用于选择点火放电室(on-cell)的寻址脉冲施加于A电极A1～Am。因此，把接收寻址脉冲的A电极和接收扫描脉冲的Y电极所形成的放电室选择为点火放电室。X电极驱动器400和Y电极驱动器接收X电极驱动控制信号和Y电极驱动控制信号，并且把维持脉冲施加于X电极X1～Xn和Y电极Y1～Yn，从而执行点火放电室的显示操作。
现在，参照图2和3描述在每一子场期间施加于A电极A1～Am、X电极X1～Xn以及Y电极Y1～Yn的驱动波形，参照2～9详细论述使用A、X以及Y电极所形成的放电室。
图2说明了图1的等离子体显示器中所使用的驱动波形的时序，图3说明了根据本发明的一个实施例的由图2的驱动波形所生成的Y电极处的电压、以及放电电流的时序。
参照图2，每个子场包括重置周期Pr、寻址周期Pa以及维持周期Ps。重置周期Pr包括上升周期Pr1和下降周期Pr2。
当在重置周期Pr的上升周期Pr1期间把地电势(0V)施加于X电极和A电极时，Y电极处的电压逐渐从电压Vs增加到电压Vset。在Y电极和A电极之间、以及在X电极和Y电极之间生成弱重置放电，从而导致分别在Y电极上形成负电荷，在A电极和X电极上形成正电荷。
如图2和3中所示，重复了这样的过程其中，在周期Tf期间，把Y电极的电压降低预先确定的电压，并且通过限制施加于Y电极的电压而浮置(float)Y电极，同时在重置周期Pr的下降周期Pr2中，把电压Ve施加于X电极。
当在这样的过程期间，X电极电压Vx和Y电极电压Vy之间的差变得大于放电点火(firing)电压时，在X电极和Y电极之间出现放电，并且放电电流Id开始流入放电空间。
在X电极和Y电极之间已开始放电之后，浮置Y电极。Y电极电压Vy随壁电荷的量而变化，因为无电荷从电源提供至Y电极。通过X电极和Y电极之间的放电而减少形成在X电极和Y电极上的壁电荷的量，因此，放电空间中的电压迅速降低。当X电极和Y电极之间的电压变得小于放电点火电压时，放电迅速结束。另外，如图3中所示，浮置的Y电极的电压增高，因为当放电空间中的电压降低时，把X电极维持在电压Ve上。因此，当壁电荷仅稍微有所消除时放电可以结束，因为放电空间中的电压随壁电荷中的变化而变化。
随后，当降低Y电极电压Vy以引发放电时，Y电极被浮置，而且放电空间中放电迅速结束，同时，形成在Y和X电极上的壁电荷稍微消除。重复这一操作，可逐步消除形成在Y和X电极上的壁电荷，从而随着它们达到了所希望的状态，提供对壁电荷的控制。
再次参照图2，在用于选择导通放电室的寻址周期Pa中，分别把扫描电压Vscl和寻址电压Va施加于导通放电室的Y电极和A电极。以高于扫描电压Vscl的电压Vsch来偏置未选择的Y电极，并且把地电势(0V)施加于被截止的放电室的A电极。在维持周期Ps中，把电压Vs和地电压0V依次施加于Y电极和X电极，从而可以对导通放电室维持放电。
在这一实施例中，如以上所描述的，可以通过小量的壁电荷结束放电，从而允许对壁电荷进行控制。基于施加斜坡电压的传统重置方法缓慢地降低了Y电极电压，以防止强放电，并且提供对壁电荷的控制。这样的重置方法通过使用斜坡电压的坡度，并且把斜坡的坡度限制在某一可接受的坡度值，以控制壁电荷，从而使用斜坡电压来控制放电的强度。然而，对坡度值的限制可能导致重置周期Pr的持续时间的增加。由于本发明通过浮置Y电极而有助于放电的迅速结束，所以可以迅速地降低Y电极电压。因此，根据本发明的等离子体显示器中的重置周期可短于其中使用斜坡电压限定重置周期的等离子体显示器中的重置周期。
尽管已参照本发明的实施例描述了重置周期Pr的下降周期Pr2，但当使用斜坡电压控制壁电荷时，也可以使用以上所描述的放电结束机制。另外，尽管已参照本发明的实施例描述了用于降低Y电极电压的波形，但所论述的放电结束机制也可适用于用于增加Y电极电压Vy的波形。例如，可以通过在把电压Vy增加预先确定的电压之后，重复浮置电极的操作，而逐渐增加Y电极电压Vy。
以下，将参照图4和5描述用于生成类似于或等同于图3中所示波形的波形的示例性驱动电路。例如，可以把这样的驱动电路提供在Y电极驱动器500中，用于生成图2中所示的Y电极波形。
图4是根据本发明的第一示例性实施例的驱动电路的电路图，图5是使用图4的驱动电路所生成的驱动波形的时序图。图4中所示的平板电容器Cp代表Y和X电极之间的容性负载。假设把地电势施加于平板电容器Cp的第二端子(即X电极)，并且假设以预先确定量的电荷向平板电容器Cp充电。
如图4中所示，根据本发明的第一示例性实施例的驱动电路包括晶体管M1、电容器Cp和Cd、电阻器R1、可选电阻器R2和R3、二极管D1以及切换驱动器510。在图4中，把晶体管M1描述为n沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，但也可以取代n沟道MOSFET，而使用适合于执行类似以下所描述的那些功能的功能的其它切换器。
把作为晶体管M1的两个主端子之一的漏极耦接于平板电容器Cp的第一端子(即Y电极)，并且把作为晶体管M1的另一主端子的源极耦接于电容器Cd的第一端子。把电容器Cd的第二端子和切换驱动器510的负极端子耦接于用于提供电压Vnf的电源。把切换驱动器510的正极端子耦接于晶体管M1的栅极，其为晶体管M1的控制端子，并且把切换驱动器510的负极端子耦接于电源Vnf。切换驱动器510响应于控制信号IN1，而提供驱动晶体管M1的驱动信号。当控制信号IN1处于高电平时，该驱动信号的电压比电压Vnf高电压Vcc的值，而当控制信号IN1处于低电平时，该驱动信号的电压等于电压Vnf。
在一个实施例中，把电阻器R2耦接在切换驱动器510的正极端子和晶体管M1的栅极之间。把二极管D1和电阻器R1耦接在电容器Cd的第一端子和切换驱动器510的正极端子之间，共同形成电容器Cd的放电路径。
现在，参照图5描述图4的驱动电路的操作。在图5中，波形I(描绘为实线)相应于在Y电极和X电极之间产生放电时的情况，波形II(描绘为虚线)相应于在Y电极和X电极之间不产生放电时的情况。
如图5中所示，当控制信号IN1处于高电平时(即，在时间间隔Ton期间)，晶体管M1的栅极电压变得比晶体管M1的源极电压高电压Vcc的值，因此，晶体管M1导通。随后，把积累在平板电容器Cp中的电荷移至电容器Cd，从而降低了Y电极电压Vy。当对电容器Cd充电时，电容器Cd的第一端子的电压增加，而且晶体管M1的源极电压增加。在这一期间，把晶体管M1的栅极电压维持在与导通晶体管M1时的电平相同的电平上，但电容器Cd的第一端子处的电压增加。因此，与晶体管M1的栅极电压相比，晶体管M1的源极电压增加。当晶体管M1的源极电压增至预先确定的电压时，晶体管M1的栅极和源极之间的电压变得低于晶体管M1的阈值电压Vt，并且截止了晶体管M1。
当截止了晶体管M1时，施加于平板电容器Cp的Y电极的电压得以稳定，并且平板电容器Cp的Y电极被浮置。可以使用公式1来定义当截止晶体管M1时电容器Cd中所充电的电荷量ΔQiΔQi＝Cd(Vcc-Vt)(1)其中，Cd为电容器Cd的电容量。
当控制信号IN1处于低电平时(即，在时间间隔TOFF期间)，切换驱动器510的正极端子处的电压变得低于电容器Cd的第一端子电压，并且通过包括电容器Cd、二极管D1、电阻器R1以及切换驱动器510的放电路径对电容器Cd进行放电。由于把电容器Cd从对电容器Cd进行充电时的状态放电至电压(Vcc-Vt)，所以可以使用公式2定义由放电而导致的跨越电容器Cd的电压降的量ΔVdΔVd=(Vcc-Vt)e-1R1Cdt---(2)]]>其中，R1为电阻器R1的电阻值。
另外，在控制信号IN1的时间间隔TOFF期间从电容器Cd放电的电荷量ΔQd，可以使用公式3加以定义ΔQd=Cd(Vcc-Vt)-Cd(Vcc-Vt)e-1R1CdTOFF=Cd(Vcc-Vt)(1-e-1R1CdTOFF)---(3)]]>
因此，可以使用公式4定义电容器Cd中余留的电荷量QdQd＝ΔQi-ΔQd(4)当控制信号IN1达到高电平时，晶体管M1导通，随后，电荷从平板电容器Cp移至电容器Cd。如以上所描述的，当把电荷ΔQi从平板电容器Cp移至电容器Cd时，晶体管M1截止。参照图5，当在下降周期I的较早阶段期间Y电极和X电极之间不存在放电时，浮置的Y电极的电压保持不变。如参照周期II和III在图5中所描述的，当Y电极和X电极之间产生放电时，浮置的Y电极的电压增加。
如以上所描述的，当响应于控制信号IN1的高电平而导通晶体管M1时，Y电极电压Vy降低预先确定的值，跨越电容器Cd的电压增加另一预先确定的值，从而晶体管M1截止。当控制信号IN1达到低电平时，电容器Cd开始放电，而晶体管M1保持截止状态。当控制信号IN1在高和低电平之间交替时，重复Y电极电压的降低和Y电极的浮置的循环。
尽管已把电容器Cd的放电路径描述为耦接于切换驱动器510的正极端子，然而也可以使用不同的路径形成放电路径。例如，可以把切换器(未示出)耦接在电容器Cd的第一端子和电源Vnf之间，并且被导通以形成放电路径。此外，如图4中所示，可以把电阻器R3耦接在平板电容器CP和晶体管M1之间，以限制从平板电容器CP所放电的电流。而且，也可以取代电阻器R3，使用适合于限制从平板电容器CP(例如，电感器)所放电的电流的其它元件(未示出)。
通过在重置周期III的最后阶段，通过在先前的放电周期中所形成的引火(priming)粒子，而可以产生强放电。当产生强放电时，浮置的Y电极的电压变化增加，同时Y电极电压Vy的降低速率为低。当Y电极和X电极之间产生放电时Y电极电压Vy的降低速率实质不同于当Y电极和X电极之间不存在放电时的这样的速率。因此，考虑到强放电，应该延伸重置周期Pr的持续时间。
以下，参照图6～9，描述在重置周期的最后阶段期间产生强放电时迅速降低Y电极电压Vy的示例性实施例。
图6说明了根据本发明的第二示例性实施例的驱动电路的电路图，图7说明了使用图6的驱动电路所生成的驱动波形的时序。
如图6中所示，与第一示例性实施例相比，根据第二示例性实施例的驱动电路还包括晶体管Q1、可选电阻器R4以及切换驱动器520。在图6中，把晶体管Q1描述为npn双极结式晶体管(BJT)，但也可以取代npn BJT，而使用适合于执行类似以下所描述功能的功能的其它切换器。
具体地讲，把作为晶体管Q1的两个主端子之一的晶体管Q1的集电极耦接于电阻器R1和二极管D1的公共点，把作为晶体管Q1的另一主端子的晶体管Q1的发射极耦接于电容器Cd的第二端子，从而耦接于电源Vnf。或者，也可以把晶体管Q1的集电极耦接于电容器Cd的第一端子。把切换驱动器520的正极端子耦接于晶体管Q1的基极，其为晶体管Q1的控制端子，把切换驱动器520的负极端子耦接于电源Vnr。切换驱动器520响应于控制信号IN2，而提供用于驱动晶体管Q1的区动信号。分别是当控制信号IN2处于高电平时，这一驱动信号导通晶体管Q1，当控制信号IN2处于低电平时，这一驱动信号截止晶体管Q1。可以把电阻器R4耦接在切换驱动器520的正极端子和晶体管Q1的基极之间。
参照图7描述图6的驱动电路的操作。以下描述了图7的区域III中的波形，而图7的区域I和II中的波形类似于图5的波形。
如图7中所示，在重置周期III的最后阶段期间，当强放电改变了浮置的Y电极的电压Vy时，控制信号IN2交替达到高和低电平。具体地讲，当控制信号IN1达到低电平时，控制信号IN2达到高电平。
当控制信号IN2处于高电平以及控制信号IN1处于低电平时，通过由晶体管Q1和二极管D1所形成的放电路径，释放积累在电容器Cd中的电荷。与第一示例性实施例相比，由于从电容器Cd释放了电荷，所以余留在电容器Cd中的电荷量少于可使用公式3而限定的量。
与其中已从电容器Cd释放了电荷的区域II相比，当控制信号IN2处于低电平以及控制信号IN1处于高电平时，晶体管Q1截止，而且晶体管M1导通，从而电荷从平板电容器CP流向电容器Cd。因此，与区域II相比，降低了Y电极电压Vy。
如以上所描述的，由于当通过强放电而增加了浮置的Y电极的电压Vy时降低了Y电极电压Vy，所以在区域III中Y电极电压Vy的下降速率不能为低。
在图6的驱动电路中，向切换驱动器520提供控制信号IN2，以驱动晶体管Q1。以下参照图8和9描述不使用控制信号IN2控制晶体管Q1的示例性实施例。
图8描述了说明根据本发明的第三示例性实施例的驱动电路的电路图，图9描述了说明图8的驱动电路的驱动波形的时序图。
如图8中所示，与以上所论述的第一示例性实施例相比，根据第三示例性实施例的驱动电路还包括切换驱动器530，而且切换驱动器530可不由控制信号加以驱动。
具体地讲，切换驱动器530包括二极管D2和D3、电阻器R5以及电容器C1。把二极管D2的阴极耦接于平板电容器CP的第一端子(即Y电极)，并且把二极管D2的阳极耦接于电容器C1的第一端子。把电阻器R4并联地与二极管D2耦接，并且把电容器C1的第二端子耦接于晶体管Q1的基极。把其阴极耦接于电容器C1的第一端子的二极管D3的阳极耦接于电源Vnf。
假设在控制信号IN1首次达到高电平时的状态之前，电容器C1的第一端子处的电压V1变得等于平板电容器CP的Y电极电压Vy，而且电容器C1的第二端子处的电压V2等于电压Vnf。
通过具有高电平的控制信号IN1来导通晶体管M1，Y电极电压Vy降低，从而正向偏置了二极管D2和D3。然后，把电容器C1的端子处的电压降低平板电容器CP的电压变化的值，如图9中所示。
在截止了晶体管M1时的状态下，把Y电极电压Vy增加预先确定的电压，二极管D2和D3变为反向偏置(reverse biased)。于是，由于经过电阻器R5从平板电容器CP流向电容器C1的电流，跨越电容器C1的电压V1和V2增加。
当平板电容器CP的电压变化变得大于预先确定的电压时，如参照区域III所论述的情况中，电容器C1的第二端子电压V2的变化可变得大于晶体管Q1的阈值电压。随后，晶体管Q1导通，从而可以对电容器Cd进一步放电。因此，由于切换驱动器530可以执行与图6和7中所示的切换驱动器520相同的功能，所以可以不提供控制信号IN2。
在其中控制信号IN1不向切换驱动器510提供输入的期间，可以改变Y电极电压Vy。如图8中所示，当改变Y电极电压Vy时，为了保护晶体管Q1的基极电压，二极管D3可以为Zener二极管。
尽管在以上所论述的示例性实施例中仅描述了Y电极的波形，但这些示例性实施例也可适用于用于驱动A电极和X电极的波形。
本发明的实施例提供了一种驱动电路，用于在使施加于放电室的电极的电压下降之后重复浮置放电室的电极。此外，在所论述的本发明的实施例中，使用浮置操作，可以精确地控制形成在等离子体显示器的放电室中的壁电荷。
此处，已经公开了本发明的示例性实施例，尽管使用了一些特定的术语，但仅仅是一般性地和描述性地，并非限制性地使用和解释这些术语。因此，本技术领域中的技术人员将会意识到，在不背离权利要求中所阐述的本发明的精神与范围的情况下，可以在形式与细节上对本发明进行多方面的修改。
权利要求
1.一种等离子体显示器，包括多个第一电极，与等离子体显示器的放电室相关联；多个第二电极，与等离子体显示器的放电室相关联，并与第一电极形成容性负载；第一晶体管，具有耦接于第一电极的第一端子；第一电容器，具有耦接于第一晶体管的第二端子的第一端子、以及耦接于提供第一电压的第一电源的第二端子；第二晶体管，耦接在第一电容器的第一端子和提供第二电压的第二电源之间；以及第一切换驱动器，耦接于第二晶体管的控制端子，并且被适配以在增加第一电极处的电压时增加第二晶体管的控制端子电压。
2.根据权利要求1所述的等离子体显示器，其中，所述第一切换驱动器包括第一二极管，具有耦接于第一电极的阴极；第一电阻器，并联地与第一二极管耦接；第二电容器，具有耦接于第一二极管的阳极的第一端子、以及耦接于第二晶体管的控制端子的第二端子；以及第二二极管，具有耦接于第二电容器的第二端子的阴极、以及耦接于第二电源的阳极。
3.根据权利要求2所述的等离子体显示器，其中，所述第二二极管为齐纳二极管。
4.根据权利要求1所述的等离子体显示器，其中，所述第一晶体管的控制端子适配于维持用于导通第一晶体管的第三电压、和维持用于截止第一晶体管的第四电压的驱动信号。
5.根据权利要求4所述的等离子体显示器，还包括放电路径，用于在驱动信号维持第四电压的周期期间，释放由第一电容器所积累的至少部分电荷。
6.根据权利要求5所述的等离子体显示器，其中，所述放电路径包括第二电阻器；以及第三二极管，串联地耦接于第二电阻器，并且被适配以阻断向第一电容器充电的电流。
7.根据权利要求6所述的等离子体显示器，还包括第二切换驱动器，被适配以通过输出端子输出驱动信号，其中，所述放电路径耦接在第一电容器和第二切换驱动器的输出端子之间。
8.根据权利要求1所述的等离子体显示器，其中，所述第一电压等于第二电压。
9.一种等离子体显示器的驱动设备，所述等离子体显示器包括与等离子体显示器的放电室相关联的多个第一电极、以及与等离子体显示器的放电室相关联的多个第二电极，所述多个第二电极与第一电极形成容性负载，所述驱动设备包括第一晶体管，具有耦接于第一电极的第一端子、和被适配以接收驱动信号的控制端子，所述驱动信号具有维持第一电压和第二电压的控制信号，所述第一晶体管被适配以响应于控制信号的第一电压而被导通；第一电容器，具有耦接于第一晶体管的第二端子的第一端子、以及耦接于提供第三电压的第一电源的第二端子；放电路径，耦接于第一电容器的第一端子，并且被适配以释放由第一电容器所积累的至少部分电荷；第二晶体管，耦接在第一电容器的第一端子和提供第四电压的第二电源之间；以及第二电容器，耦接在第二晶体管的控制端子和第一晶体管的第一端子之间，并且被适配以在第一晶体管截止的状态下，响应于第一晶体管的第一端子处的电压变化，而改变第二晶体管的控制端子电压。
10.根据权利要求9所述的驱动设备，还包括第一二极管，耦接在第一晶体管的第一端子和第二电容器之间；第一电阻器，并联地与第一二极管耦接；以及第二二极管，耦接在第二电容器和第二电源之间。
11.根据权利要求10所述的驱动设备，其中，所述第一二极管的阴极耦接于第一晶体管的第一端子，并且第二二极管的阳极耦接于第二电源。
12.根据权利要求11所述的驱动设备，其中，所述第二二极管为齐纳二极管。
13.根据权利要求9所述的驱动设备，还包括切换驱动器，被适配以通过输出端子输出驱动信号，其中，所述放电路径包括耦接在第一电容器的第一端子和切换驱动器的输出端子之间的第三二极管。
14.一种等离子体显示器的驱动方法，所述等离子体显示器包括与等离子体显示器的放电室相关联的多个第一电极、以及与等离子体显示器的放电室相关联的多个第二电极，所述多个第二电极与第一电极形成容性负载，所述驱动方法包括响应于控制信号的第一电平，而导通具有耦接于第一电极的第一端子的第一晶体管；响应于对第一晶体管的导通，而对容性负载放电，从而可对耦接于第一晶体管的第二端子的电容器进行充电，并且在第一电极和第二电极之间产生放电；响应于对所述电容器的充电，而截止第一晶体管；响应于在第一电极和第二电极之间形成的放电，而改变第一电极处的电压；响应于第一电极处的电压变化，而改变耦接于所述电容器的第二晶体管的控制端子处的电压；以及响应于控制信号的第二电平而对所述电容器进行放电。
15.根据权利要求14所述的驱动方法，还包括响应于第二晶体管的控制端子处的电压变化，而对所述电容器进行放电。
16.根据权利要求14所述的驱动方法，还包括施加具有交替的第一和第二电平的控制信号。
全文摘要
在一种等离子体显示器的驱动电路中，第一晶体管的漏极耦接于扫描电极，切换驱动器耦接在第一晶体管的栅极和源极之间。切换驱动器导通第一晶体管，以降低扫描电极的电压，并且对耦接于第一晶体管的源极的电容器进行充电。当跨越该电容器的电压增加预先确定的电压时，第一晶体管截止，并且扫描电极被浮置。重复这一操作，可以逐渐降低扫描电极的电压。当通过降低扫描电极的电压而在等离子体显示器的放电室中产生放电时，浮置的扫描电极的电压增加。当浮置的扫描电极的电压变化增加时，切换驱动器还对电容器进行放电。
文档编号G09G3/298GK1811877SQ200610003
公开日2006年8月2日 申请日期2006年1月9日 优先权日2005年1月25日
发明者梁振豪, 金镇成, 郑成俊 申请人:三星Sdi株式会社