专利名称：影像显示系统的制作方法
技术领域：
本发明有关于一种具有像素驱动电路阵列的影像显示系统，特别是有关 于具有多个电容共用电极的像素驱动电路阵列的影像显示系统。
背景技术：
有机发光二极管(organic light-emitting diodes， OLEDs)显示器是采用有 机化合物作为发光材料而能够发出光线的平面显示器，有机发光二极管显示 器具有体积小、重量轻、可视范围广、高对比以及高反应速度等优点。近年来显示器的解析度要求越来越高，在固定面板尺寸下，面板必须容-纳更多的像素，因此像素驱动电路必须被缩小以符合解析度越来越高的需 求，所以如何缩小像素驱动电路的尺寸也就成为一重要课题。发明内容有鉴于此，本发明提供一种像素驱动电路阵列，像素驱动电路阵列包括 第一像素驱动电路和第二像素驱动电路，第一像素驱动电路包括第一电容、 第一晶体管、第二晶体管和第一电致发光元件，第二像素驱动电路包括第二 电容、第三晶体管、第四晶体管和第二电致发光元件，第一电容包括第一电 极、绝缘层和共同电极，第二电容包括第二电极、绝缘层和共同电极，其中 第 一电极和第二电极为在同 一平面，绝缘层于第 一电极和共同电极之间以及 于第二电极和共同电极之间。
图1显示根据本发明一实施例的两像素驱动电路；图2显示两电容在一基板上的剖面图；图3显示根据本发明一实施例的两电容在一基板的剖面图；图4显示像素驱动电路布局图的多晶硅层；图5显示像素驱动电路布局图的第一金属层；图6显示像素驱动电路布局图的第二金属层；图7显示根据本发明一实施例像素驱动电路布局图的多晶硅层；图8显示根据本发明 一 实施例像素驱动电路布局图的第 一金属层;图9显示根据本发明 一 实施例像素驱动电路布局图的第二金属层;图10显示根据本发明的另 一实施例的影像显示系统；图11显示像素驱动电路总布局图；以及图12显示根据本发明一实施例像素驱动电路总布局图。主要元件符号说明10、 20-像素驱动电路100 --像素驱动电路阵列210、220、310、 320'-电容211、221、311、 321、502、 504、 802、804~上电极213、223、323、 402、404、 702、 704--下电招_230、330 ~-绝缘层250、350 ~-基板406、416、410、 414、706、 716、 710--源极区域408、420、412、 418、708、 712、 718、720~漏极区域506、508、510、 512、806、 808、 810、812 ~漏极514、516、814、 816--电性接触区域602、604、606、 608、610、 612、 614、 616、 618、 620、 902、卯8、 910、 912、 914、 916、 918~金属区域 1400~显示面^反 1500-电源供应器 1600-电子装置 Cl、 C2-电容 dl、 d2 —最小间距 DATA—Y、 DATA—Y+l ~数据信号 DATA—Y—L、 DATA_Y+1—L 数据线 0LED1 、 OLED2 ~电致发光元件 PVdd、 Vdd 电压PVdd—L~电压线SCAN—X-扫描信号SCAN—X—L 扫描线TFT1、 TFT2、 TFT3、 TFT4 晶体管具体实施方式
为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举 出优选实施例，并配合附图，作详细说明如下图1显示根据本发明一实施例的2T1C(两个薄膜晶体管一个电容)像素 驱动电路10和20，像素驱动电路10和20可以是像素驱动电路阵列100的 一部分，像素驱动电路10具有晶体管TFT1与TFT2、电致发光元件OLED1 与电容Cl, #^素驱动电路20具有晶体管TFT3与TFT4、电致发光元件 OLED2与电容C2。当扫描信号SCAN—X导通晶体管TFT1和TFT3时，数 据信号DATA—Y和DATA—Y+l分别会被载入晶体管TFT2和TFT4的槺极， 并储存于电容C1和C2内，因此晶体管TFT2和TFT4根据数据信号DATA—Y 和DATA—Y+l被导通，电流从电压PVdd通过晶体管TFT2和TFT4以及电 致发光元件0LED1和OLED2至电压Vdd，当电致发光元件OLED1和 OLED2有电流通过时则会发亮，反之亦然。图2显示两电容在一基板上的剖面图，电容210和220分别对应于图1 的电容C1和C2，电容210是由上电极211、绝缘层230和下电极213所组 成，电容220是由上电极221、绝缘层230和下电极223所组成，两电容210 和220在基板250上，基板250可以是玻璃基板，基于不同电路布局规则 (Layout Rule)的限制， 一般而言上电极要比下电极小，因此上电极211必须 比下电极2B小，上电极221必须比下电极223小，从图2得知，电容210 的上电极211和下电极213根据电路布局规则允许有一最小间距dl,电容 220的上电极221和下电极223根据电路布局规则也允许有 一最小间距d 1 ， 两下电极根据电路布局规则则允许有一最小间距d2，因此电容210的上电极 211和电容220的上电4及221的最小间距为2xdl+d2。图3显示根据本发明一实施例的两电容在一基板的剖面图，电容310和 320分别对应于图1的电容C1和C2，电容310是由上电极311、绝缘层330 和下电才及323所组成，电容320是由上电极321、绝缘层330和下电极323所组成，两电容310和320在基板350上，从图3得知，电容310和电容320 共用下电极323 (共同电极)，因此上电极311和321的最小间距为d2,因 此图3的两电容310和320的间距比图2的两电容210和220的间距少一间 隔长度2xdl。将图3对照图1，下电极323耦接电压PVdd,其中电压PVdd 为--固定电压，上电极311耦接晶体管TFT1以接收数据信号0八丁八_丫，上 电极321耦接晶体管TFT3以接收数据信号DATA一Y+1。另外，也可三个电 容共用一下电极。当像素驱动电路10和20的电容C1和C2的电容值固定时，也就是电 容的上电极和下电极彼此重叠的面积固定时，图3的两电容310和320的面 积合比图2的两电容210和220的面积合d、，因此采用本发明的布局方法可 以有以下的优点(l)缩小像素驱动电路，(2)可达到高解析度面板，("增加 向下发光(bottom emission)的开口率，(4)固定面积的面板可以容纳更多像素。 再者，本发明所节省的空间可以给电致发光元件0LED1和OLED2使用以 增加亮度。图4显示像素驱动电路布局图的多晶硅层(Poly-Silayer),也就是基板上 的第一层，并请对照图1，电容C1的下电极402和电容C2的下电极404是 分离的，区域406和408分别是晶体管TFT1的源极区域和漏极区域，区域 416和420分别是晶体管TFT2的源极区域和漏极区域，区域410和412分 别是晶体管TFT3的源极区域和漏极区域，区域414和418分别是晶体管 TFT4的源极区域和漏极区域。图5显示像素驱动电路布局图的第一金属层(MetaJayer),也就是基板 上的第二层，电容C1的上电极502和电容C2的上电极504是分离的，区 域506和508分别是晶体管TFT1和TFT3的栅极区域，区域510和512分 别是晶体管TFT2和TFT4的栅极区域，从图5得知，晶体管TFT2的栅极 和电容C1的上电极502电性耦接，晶体管TFT4的栅极和电容C2的上电极 504电性耦接，区域514为晶体管TFT1和电容Cl的电性接触区域，区域 516为晶体管TFT3和电容C2的电性接触区域，扫描线SCAN一X一L同时电 性耦接晶体管TFT1的栅极区域506和晶体管TFT3的栅极区域508。图6显示像素驱动电路布局图的第二金属层(Metal一2 layer),也就是基板 上的第三层，数据线DATA一Y一L通过金属区域614电性耦接晶体管TFT1 的源极区域406，数据线DATA—Y+1—L'通过金属区域616电性耦接晶体管TFT3的源极区域410，电压线PVdd一L分别通过金属区域618和620电性耦 接晶体管TFT2的源极区域416和晶体管TFT4的源极区域414，金属区域 602和604分别电性耦接漏极区域408和412，金属区域606和608分别电 性耦接区域514和516，因此晶体管TFT1的漏极电性耦接至电容C1的上电 极502,晶体管TFT3的漏极电.性耦接至电容C2的上电极504。金属区域610 和612电性耦接晶体管TFT2和TFT4的漏极区域418和420。
图7显示根据本发明一实施例像素驱动电路布局图的多晶硅层(Poly-Si layer)(第一层)，也就是基板上的第一层，电容Cl的下电极702和电容C2 的下电才及704是连接在一起，因此下电极702和704为电容Cl和C2的共 同电极，区域706和708分别是晶体管TFT1的源极区域和漏极区域，区域 716和718分别是晶体管TFT2的源极区域和漏极区域，区域710和712分 别是晶体管TFT3的源极区域和漏极区域，区域716和720分别是晶体管 TFT4的源极区域和漏极区域。
图8显示根据本发明一实施例像素驱动电路布局图的第一金属层 (Metal—1 layer),也就是基板上的第二层，电容Cl的上电极802和电容C2 的上电板804是分离的，区域806和808分别是晶体管TFT1和TFT3的栅 极区域，区域810和812分别是晶体管TFT2和TFT4的4册极区域，从图8 得知，晶体管TFT2的栅极区域810和电容Cl的上电才及802电性耦接，晶 体管TFT4的栅极区域812和电容C2的上电极804电性耦接，区域814为 晶体管TFT1和电容Cl的电性接触区域，区域816为晶体管TFT3和电容 C2的电性接触区域，扫描线SCAN一X—L同时电性耦接晶体管TFT1的栅极 区域806和晶体管TFT3的栅极区域808。
图9显示根据本发明一实施例像素驱动电路布局图的第二金属层 (Metal一2 layer),也就是基板上的第三层，数据线DATA—Y_L通过金属区域 914电性耦接晶体管TFT1的源极区域706,数据线DATA_Y+1—L通过金属 区域916电性耦接晶体管TFT3的源极区域710,电压线PVdd—L通过金属 区域918电性耦接晶体管TFT2的源极区域716和晶体管TFT4的源极区域 716,像素驱动电路10的电容310和像素驱动电路20的电容320共同使用 一走线(电压线PVdd一L)耦接至下电极702和704,金属区域902和904分别 电性耦接漏极区域708和712,金属区域906和908分别电性耦接区域814 和816,因此晶体管TFT1的漏极电性耦接至电容C1的上电极802,晶体管TFT3的漏极电性耦接至电容C2的上电极804。金属区域910和912电性耦 接晶体管TFT2和TFT4的漏极区域718和720。
根据本发明的电路布局方法，第 一像素驱动电路和第二像素驱动电路的 电路布局为左右对称，像素驱动电路的多电容可以共同使用 一 电极以缩小电 容的布局面积，因而有以下四点优点，第一优点为增加显示器的解析度，第 二优点为增加像素驱动电路的开口率(Aperture Ratio)，第三优点为在相同布 局面积下可以得到更大的电容值，第四优点为可以沿用原有工艺。
图10显示根据本发明的另一实施例的影像显示系统，在本实施例中， 影像显示系统可包括显示面板1400或电子装置1600，如图IO所示显示面板 1400包括上述图1的像章驱动电路阵列100，显示面板1400可以是电子装 置的一部分(例如电子装置1600), —般电子装置1600包括显示面板1400 和电源供应器1500,或者，电源供应器1500耦接至显示面板1400以提供电 能至显示面板1400,电子装置可以是手机、数字相机、个人数字助理、笔 记型电脑、桌上型电脑、电视、或可携式DVD》欠影机。
图11显示像素驱动电路总布局图，也就是图4的多晶硅层、图5的第 一金属层和图6的第二金属层三层叠在一起。
图12显示根据本发明一实施例像素驱动电路总布局图。也就是图7的 多晶硅层、图8的第一金属层和图9的第二金属层三层叠在一起。
本发明虽以优选实施例披露如上，然其并非用以限定本发明的范围，任 何本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许的 更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。
8
权利要求
1. 一种影像显示系统，包括像素驱动电路阵列，包含多个像素驱动电路，其中每一像素驱动电路至 少包括第一电容，包括第一电极和共同电极；以及 第二电容，包括第二电极和上述共同电极， 其中上述共同电极沿水平方向连续延伸。
2. 如权利要求1的影像显示系统，其中上述第一电容位于第一区域，上 述第二电容位于第二区域，上述共同电极同时位于上述第一区域和上述第二 区域。
3. 如权利要求1的影像显示系统，其中上述第一电极和上述第二电极位 于第一平面，上述共同电极位于第二平面。
4. 如权利要求1的影像显示系统，其中上述第一电容和上述第二电容共 用上述共同电极以减少上述第一电容和上述第二电容之间的间隔长度。
5. 如权利要求1的影像显示系统，还包括第一像素驱动电路和第二像素 驱动电3各。
6. 如权利要求5的影像显示系统，其中上述第一像素驱动电路具有上述 第一电容、第一晶体管、第二晶体管和第一电致发光元件，上述第二像素驱 动电路具有上述第二电容、第三晶体管、第四晶体管和第二电致发光元件。
7. 如权利要求6的影像显示系统，其中上述第一像素驱动电路的上述第 一电容和上迷第二像素驱动电路的第二电容共同使用上述共同电极。
8. 如权利要求7的影像显示系统，其中上述第一像素驱动电路的上述第 一电容和上述第二像素驱动电路的上述第二电容共同使用走线。
9. 如权利要求8的影像显示系统，其中上述走线耦接上述共同电极。
10. 如权利要求6的影像显示系统，其中上述第一像素驱动电路和上述第 二像素驱动电路的电路布局左右对称。
全文摘要
本发明公开了一种影像显示系统，该影像显示系统包括像素驱动电路阵列，其包含第一电容和第二电容，第一电容包括第一电极、绝缘层和共同电极，第二电容包括第二电极、绝缘层和共同电极，其中第一电容和第二电容共同使用一共同电极，并且第一电极和第二电极为在同一平面。
文档编号G09G3/32GK101312011SQ20071010723
公开日2008年11月26日 申请日期2007年5月24日 优先权日2007年5月24日
发明者曾章和, 詹川逸 申请人:统宝光电股份有限公司