专利名称：影像显示系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种发光二极管显示器(LED display)技术领域的影像显示 系统，特别是涉及一种具有可抑制启使电压(threshold voltage)偏移，同 时可防止开口率下降的自发光显示装置的影像显示系统，以及一种具有该 自发光显示装置的影像显示系统制造方法。
背景技术：
近年来，随着电子产品发展技术的进步及其日益广泛的应用，像是移动 电话、个人数位助理(PDA)及笔记型电脑的问市，使得与传统显示器相比具 有较小体积及电力消耗特性的平面显示器(flat panel display, FPD)的需 求与日俱增，成为目前作重要的电子应用产品之一。在平面显示器当中，由 于有机电激发光装置(organic electroluminescent/1 ight-emitting， 0ELD/0LED)具有自发光、高亮度、广视角、高应答速度以及制程容易等特 性，使得0LED无疑的将成为下一世代平面显示器的最佳选择。
平面显示技术的主要趋势之一在于开发出具有高发光效率及长使用寿 命的0LED,因而发展出使用薄膜晶体管作为驱动元件的主动矩阵式有机电 激发光装置(active matrix 0LED)。
主动矩阵式有机电激发光装置(AM0LED)通常使用多晶硅或非晶硅做为 薄膜晶体管的主动层(active layer)。然而，在操作期间，主动层中的电子 容易陷入于栅极介电层中而造成启使电压(threshold vol tage， Vth;即阈 值电压，以下均称为启使电压)的偏移。由于0LED的亮度(luminance)取决 于注入电;;克(inject current, Id)的大小，且启^吏电压增力口会造成注入电;^ 的下降而使0LED受到影响。
由此可见，上述现有的影像显示系统在结构与使用上，显然仍存在有 不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂 商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展 完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业 者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型结构的影像显示系统，实属当 前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
有鉴于上述现有的影像显示系统存在的缺陷，本发明人基于从事此类 产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极 加以研究创新，以期创设一种新型结构的影像显示系统，能够改进一般现
4有的影像显示系统，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反 复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的影像显示系统存在的缺陷，而提供一种 新型结构的影像显示系统，所要解决的技术问题是使其藉由在像素(画素) 结构中额外增加一驱动薄膜晶体管并藉由施加一偏压，以回复陷入于4册极 介电层中的电子，进而防止启使电压的偏移，非常适于实用。
本发明的另一目的在于，提供一种新型结构的影像显示系统，所要解 决的技术问题是使其藉由将额外增加的驱动薄膜晶体管叠置于原驱动薄膜
晶体管上，可以增加像素(画素)的开口率(aperture ratio),从而更加适于 实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本发明提出的一种影像显示系统，其包括一自发光显示装置，包括 一阵列 基板，其具有一像素(即画素，以下均称为像素)区； 一发光二极管，设置于 该阵列基板的该像素区； 一第一驱动薄膜晶体管，电性连接至该发光二极 管，且包括叠置于该阵列基板的该像素区上的一第一栅极及一主动层；以及 一第二驱动薄膜晶体管，电性连接至该发光二极管，且包括该主动层及叠置 于该主动层上的一第二栅极；其中在同一画面周期下，该第一栅极耦接至 一第一电压，而该第二栅极耦接至不同于该第一电压的一第二电压。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的影像显示系统，其中所述的自发光显示装置更包括 一第 一储存 电容，包括叠置于该阵列基板的该像素区上的一第一电极及一第二电极，且 该第一电极电性连接至该第一栅极；以及一第二储存电容，包括该第二电 极及叠置于该第二电极上的一第三电极，且该第三电极电性连接至该第二 栅极。
前述的影像显示系统，其更包括 一自发光显示面板，包括该自发光显 示装置；以及一控制器，耦接至该自发光显示装置，用以控制该自发光显示 装置而使该自发光显示装置根据输入来提供影像。
前述的影像显示系统，其中该系统包括一电子装置，其包括该自发光显 示面板。
前述的影像显示系统，其中所述电子装置包括笔记型电脑、手机、数 位相机、个人数位助理、桌上型电脑、电视机、车上型显示器、或可携式 数位影碟播放器。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本 发明提出的一种影像显示系统，其包括一自发光显示装置，包括 一阵列基板，其具有一像素区； 一发光二极管，设置于该阵列基板的该像素区； 一第 一驱动薄膜晶体管，电性连接至该发光二极管，且包括叠置于该阵列基板 的该像素区上的一第一栅极及一主动层； 一第二驱动薄膜晶体管，电性连接 至该发光二极管，且包括该主动层及叠置于该主动层上的一第二栅极； 一第 一储存电容，包括叠置于该阵列基板的该像素区上的一第一电极及一第二 电极，且该第一电极电性连接至该第一栅极；以及一第二储存电容，包括该 第二电极及叠置于该第二电极上的一第三电极，且该第三电极电性连接至 该第二栅极。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的影像显示系统，其中在同一画面周期下，该第一栅极耦接至一第 一电压，而该第二栅极耦接至一第二电压，且该第一电压与该第二电压具 有相同的大小及相反的极性。
前述的影像显示系统，其更包括 一自发光显示面板，包括该自发光显 示装置；以及一控制器，耦接至该自发光显示装置，用以控制该自发光显 示装置而使该自发光显示装置根据输入来提供影像。前述的影像显示系统，其中该系统包括一电子装置，其包括该自发光显 示面板。
前述的影像显示系统，其中所述电子装置包括笔记型电脑、手机、数 位相机、个人数位助理、桌上型电脑、电视机、车上型显示器、或可携式 数位影碟播放器。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案 可知，本发明的主要技术内容如下
为达到上述目的，本发明实施例提供一种影像显示系统，其包括一自发 光显示装置。此自发光显示装置，包括 一阵列基板、 一发光二极管、 一第 一驱动薄膜晶体管、以及一第二驱动薄膜晶体管。该阵列基板具有一像素 区，发光二极管设置于阵列基板的像素区。该第 一驱动薄膜晶体管电性连接 至发光二极管，且包括叠置于阵列基板的像素区上的 一第 一栅极及一主动 层。该第二驱动薄膜晶体管电性连接至发光二极管，且包括该主动层及叠 置于主动层上的一第二栅极。其中，在同一画面周期下，第一栅极耦接至 一第一电压，而第二栅极耦接至不同于第一电压的一第二电压。
另外，为达到上述目的，本发明实施例还提供一种影像显示系统，其包 括一自发光显示装置。此自发光显示装置，包括 一阵列基板、 一发光二 极管、 一第一驱动薄膜晶体管、 一第二驱动薄膜晶体管、 一第一储存电容 以及一第二储存电容。该阵列基板具有一像素区，发光二极管设置于阵列 基板的像素区。该第一驱动薄膜晶体管电性连接至发光二极管，且包括叠 置于阵列基板的像素区上的一 第 一栅极及一主动层。该第二驱动薄膜晶体管电性连接至发光二极管，且包括该主动层及叠置于主动层上的一第二栅 极。该第一储存电容包括叠置于阵列基板的像素区上的一第一电极及一第 二电极，且第一电极电性连接至第一栅极。该第二储存电容包括第二电极 及叠置于第二电极上的一第三电极，且第三电极电性连接至第二栅极。借由上述技术方案，本发明影像显示系统至少具有下列的优点及有益效果1、 本发明的影像显示系统，由于发光二极管是由第一及第二驱动薄膜 晶体管轮流驱动，且利用未进行驱动的薄膜晶体管将电子送回主动层中，而 可避免启使电压发生偏移。因此，本发明藉由在像素(画素)结构中额外增 加一驱动薄膜晶体管并藉由施加一偏压，以回复陷入于栅极介电层中的电 子，进而能够有效的防止启使电压的偏移，非常适于实用。2、 再者，本发明的影像显示系统，由于第二驱动薄膜晶体管及第二储存电容是分别叠置于第 一驱动薄膜晶体管及第 一储存电容上，故像素区的 开口率不会因增加驱动薄膜晶体管及储存电容的数量而下降。因此，本发明藉由将额外增加的驱动薄膜晶体管叠置于原驱动薄膜晶体管上，可以增加 像素(画素)的开口率(aperture ratio)，从而更加适于实用。综上所述，本发明是有关于一种影像显示系统，其包括一自发光显示 装置。此自发光显示装置，包括 一阵列基板、 一发光二极管、第一及第 二驱动薄膜晶体管。阵列基板具有一像素区，发光二极管设置于阵列基板 的像素区。第一及第二驱动薄膜晶体管电性连接至发光二极管。第一驱动 薄膜晶体管包括叠置于阵列基板的像素区上的一第一栅极及一主动层。第 二驱动薄膜晶体管包括该主动层及叠置于主动层上的一第二栅极。在同一 画面周期(frame)下，第一栅极耦接至一第一电压，而第二栅极耦接至不同 于第一电压的一第二电压。本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论 在产品的结构或功能上皆有较大改进，在技术上有显著的进步，并产生了 好用及实用的效果，且较现有的影像显示系统具有增进的突出功效，从而更 加适于实用，诚为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的 技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和 其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附 图，详细"i兌明如下。
图1A至图1G是绘示根据本发明实施例的具有自发光显示装置的影像 显示系统及其制造方法的结构剖面示意图。图2是绘示图1G中自发光显示装置的等效电路图。7图3A、图3B及图3B-1是绘示图1G中自发光显示装置的驱动薄膜晶体 管操作示意图。图4是绘示根据本发明另一实施例的影像显示系统的方块示意图。100:阵列基板(下基板)102:缓冲层104、114:导电层104a、 114a:栅极104b、 108b、 114b:电才及106、 112:绝缘层107:半导体层108:主动层108a:源极/漏极区108c:轻掺杂漏极区110光阻图案层111重离子布才直115轻离子布植116内层介电层118平坦层119介层洞120源才及/漏杉U导电层)300自发光显示装置400自发光显示面板500控制器600电子装置Cl:第一储存电容C2:第二储存电容D:发光二极管DT1:第一驱动薄膜晶体管DT2第二驱动薄膜晶体管g:电子P:像素区VI、V2:电压Vdd、 Vss:电压源具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功 效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的影像显示系统其具体 实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合参考图 式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式
的说明，当;了解，'然而所附图式仅是提:参考与说明之用，并:用来对本发明加以 限制。以下配合实施例说明本发明的影像显示系统及其制造方法。请参阅图1G及图2所示，其中图1G为本发明的一影像显示系统的实施例，是绘示根 据本发明实施例的具有自发光显示装置的影像显示系统及其制造方法的结 构剖面示意图；图2是图1G中自发光显示装置的等效电路图，是绘示出图1G 结构的电性连接关系图(或等效电路图)。此影像显示系统包括 一自发光 显示装置300，例如一有激电机发光装置(0LED)。本发明较佳实施例的一影 像显示系统，包括一下基板(以下称作阵列基板)100以及一相对设置的上基 板(图中未示)。该阵列基板100与上基板，可以为透明基板，例如玻璃、石英、或是其他透明材料。通常阵列基板100包括复数由扫描线及数据(资料) 线所定义而成的复数像素区。此处，为了简化图式，仅绘示出其中一像素 区P。再者，上述的阵列基板100的像素区P上设置有一发光二极管D(未绘 示于图1G)、第一及第二驱动薄膜晶体管DT1及DT2、以及第一及第二储存 电容C1及C2;其中该第一驱动薄膜晶体管DT1,可以为N型或P型。在本实施例中，是以 N型薄膜晶体管(NTFT)作为范例进行说明。该第一驱动薄膜晶体管DT1,其 包括一栅极104a、 一绝缘层(作为栅极介电层)106、 一具有源极/漏极区 108a及轻掺杂漏极(lightly doped drain, LDD)区108c的主动层108、以 及电性连接至源极/漏极区108a的源极/漏极(漏极即为汲极，本文均称为漏 极)120。栅极104a及主动层108依序叠置于阵列基板100的像素区P上。该第二驱动薄膜晶体管DT2，可以为N型或P型。在本实施例中，是以 N型薄膜晶体管(NTFT)作为范例进行说明。该第二驱动薄膜晶体管DT2，其 包括一栅极114a、 一绝缘层(作为栅极介电层)112、主动层108、以及源 极/漏极120。栅极114a叠置于主动层108上，且大体对准于栅极104a。在 本实施例中，第一及第二驱动薄膜晶体管DT1及DT2共用主动层108及源 极/漏极120。该第一储存电容C1，包括二电极104b及108b以及位于其间的一绝缘 层(作为电容介电层)106。 二电极104b及108b依序叠置于阵列基板100的 像素区P上。该第二储存电容C2，包括二电极108b及114b以及位于其间的一绝缘 层(作为电容介电层)112。电极114b叠置于电极108b上，且大体对准于电 极104b。在本实施例中，第一及第二储存电容Cl及C2共用电极108b。再 者，电极108b延伸自主动层108。亦即，电极108b与主动层108由同一材料 层定义而成，例如， 一多晶硅或非晶硅层。请参阅图2所示，上述的第一及第二驱动薄膜晶体管DT1及DT2的输 入端电性连接至第一及第二储存电容C1及C2的电极(即，电极108b),且耦 接至一电压源Vdd。再者，第一及第二驱动薄膜晶体管DT1及DT2的输出端 电性连接至发光二极管D,而该发光二极管D耦接至低于电压源Vdd电位的 一电压源Vss。第一驱动薄膜晶体管DT1的控制端(即，栅极104a)电性连接 至第一储存电容C1的另一电极(即，电极104b)，而第二驱动薄膜晶体管DT2 的控制端(即，栅极114a)电性连接至第二储存电容C2的另一电极(即，电极 114b)。在本实施例中，当自发光显示装置300进行操作时，在同一画面周期 (frame)下，第一驱动薄膜晶体管DT1的栅极104a耦接至一电压VI，而第二驱动薄膜晶体管DT2的栅极114a耦接至一电压V2，其中电压VI与电压 V2可具有相同的大小及相反的极性。请参阅图3A、图3B及图3B-1所示，是绘示图1G中自发光显示装置 300的驱动薄膜晶体管DT1及DT2的操作示意图。如图3A所示，在一画面 周期下，第一驱动薄膜晶体管DT1的栅极104a耦接至一电压Vl，其极性为 负，而第二驱动薄膜晶体管DT2的栅极114a是耦接至一电压V2，其极性为 正。因此，电场E方向为由上而下，如图中箭头所示，且由第二驱动薄膜 晶体管DT2驱动发光二极管D。如此一来，位于主动层108的电子e会陷入 于第二驱动薄膜晶体管DT2的栅极介电层112中，导致第二驱动薄膜晶体 管DT2容易在下一次驱动时启使电压发生偏移。因此，在下一个画面周期 时，将电压VI的极性转为正，而电压V2的极性转为负，使电场E方向为由下 而上，如图中箭头所示，且由第一驱动薄膜晶体管DT1驱动发光二极管D。如 此一来，陷入于栅极介电层112中的电子e会回到主动层108，防止第二驱 动薄膜晶体管DT2在下一次驱动时启使电压发生偏移，如图3B所示。虽然位于主动层108的电子e会在此画面周期下陷入于第一驱动薄膜 晶体管DT1的栅极介电层106中(如图3B-1所示)，导致第一驱动薄膜晶体 管DT1容易在下一次驱动时启使电压发生偏移，但是可藉由在下一画面周 期下将电压VI的极性转为负，而电压V2的极性转为正，使电场E方向为由 上而下(即，由第二驱动薄膜晶体管DT2驱动发光二极管D)。如此一来，陷入 于栅极介电层106中的电子e会回到主动层108,防止第一驱动薄膜晶体管 DT1在下一次驱动时启使电压发生偏移。在其他的实施例中，电压V1与电 压V2亦可具有相同的极性及不同的大小，并可藉由相似的方法来避免启使 电压发生偏移。请参阅图1A至图1G所示，是绘示出根据本发明实施例的具有自发光显 示装置的影像显示系统及其制造方法的结构剖面示意图。如图1A所示，提 供一阵列基板IOO，例如透明玻璃或是石英，其具有一像素区P。在阵列基 板100上依序形成一緩冲层102及一导电层104。该緩沖层102可为一单层 结构，例如为一氧化硅层或是一氮化硅层。其亦可为多层结构，例如由一氧 化硅层与一氮化硅层所构成。导电层104可为一金属层，例如铝(A1)、银 (Ag)、钼(Mo)、铝钕(AlNd)合金、或是其组合所构成。导电层104可藉由 现有习知的沉积纟支术所形成，例如溅镀法。请参阅图1B所示，对导电层104实施微影及蚀刻制程，以在像素区P中 定义出用于驱动薄膜晶体管的栅极104a及用于储存电容的一电极l(Mb。之 后，在緩沖层102上依序形成一绝缘层106及一半导体层107，并覆盖栅极 104a及电极104b。覆盖栅极104a的绝缘层106作为栅极介电层，而覆盖电 极104b的绝缘层106作为电容介电层。绝缘层106可为一单层结构，例如10为一氧化硅层或是一氮化硅层。其亦可为多层结构，例如由一氧化硅层与
一氮化硅层所构成。半导体层107可为多晶硅层或非晶硅层。
请参阅图1C所示，可在栅极104a上方的半导体层107上形成一光阻 图案层110,接着利用光阻图案层110作为布植罩幕，以对半导体层107实 施重离子布值111，而在栅极104a上方的绝缘层106上形成具有源极/漏 极区108a的主动层108，并且在电极104b上方的绝缘层106上形成电极 108b，其中电极104b、电极108b及绝缘层106是构成一第一储存电容Cl。
请参阅图1D所示，在去除光阻图案层IIO之后，在主动层108及延伸 自主动层108的电极108b上方依序形成一绝缘层112及一导电层114。绝 缘层112可为一单层结构，例如为一氧化硅层或是一氮化硅层。其亦可为 多层结构，例如由一氧化硅层与一氮化硅层所构成。导电层114可为一金 属层，例如铝(A1)、银(Ag)、钼(Mo)、铝钕(AlNd)合金、或是其组合所构 成，并可以藉由现有习知沉积技术所形成，例如溅镀法。覆盖主动层108的 绝缘层112作为栅极介电层，而覆盖电极108b的绝缘层112作为电容介电 层。
请参阅图IE所示，对导电层114实施微影及蚀刻制程，以在主动层108 上方的绝缘层112上形成栅极114a，并且在电极108b上方的绝缘层112上 形成电极114b，其中，栅极114a大体对准栅极104a,而电极114b大体对 准电极104b。电极108b、电极114b及绝缘层112是构成一第二储存电容 C2。接着，利用栅极114a作为布植罩幕，以对主动层108实施轻离子布值 115,而在其中形成轻掺杂漏极(lightly doped drain, LDD)区lOSc，其相邻 于源极/漏极区108a。
请参阅图IF所示，在绝缘层112上依序形成一内层介电(interlayer dielectric, ILD)层116及一平坦层(或保护层)118，并覆盖4册极114a及电 极114b。之后，依序蚀刻平坦层118、 ILD层116、及绝缘层112,以在其中 介层洞119而露出源极/漏极区108a。
请参阅图1G所示，在介层洞119填入导电层120，以电性连接至源极/ 漏极区108a。导电层120可为一金属层，例如铝(A1)、银(Ag)、钼(Mo)、铝 钕(AlNd)合金、或是其组合所构成，用以作为薄膜晶体管的源极/漏极。在 本实施例中，栅极104a、绝缘层106、主动层108、以及源极/漏极120是构 成一第一驱动薄膜晶体管DT1,而栅极114a、绝缘层112、主动层108、以 及源极/漏极120是构成第二驱动薄膜晶体管DT2。
根据上述本实施例，由于发光二极管D由第一及第二驱动薄膜晶体管 DT1及DT2轮流驱动，且利用未进行驱动的薄膜晶体管将电子e送回主动层 108中，因此可避免启使电压发生偏移。再者，由于第二驱动薄膜晶体管DT2 及第二储存电容C2分别叠置于第一驱动薄膜晶体管DT1及第 一储存电容Cl上，因此像素区P的开口率不会因增加驱动薄膜晶体管及储存电容的数量而 下降。
请参阅图4所示，是绘示根据本发明另一实施例的影像显示系统的方 块示意图，是绘示出本发明另一实施例的影像显示系统，其中该系统可实 施成一自发光显示装置或是一电子装置，例如笔记型电脑、手机、数位相 机、个人数位助理(PDA)、桌上型电脑、电视机、车上型显示器、或可携式 数位影碟(DVD)播放器。在其他实施例中，上述的自发光显示装置可以并入 一显示面板中，其可为一自发光显示面板。如图4所示，自发光显示面板 400包括一绘示于图1G的自发光显示装置300。在其他实施例中，自发光 显示面板可并入于电子装置中。如图4所示，电子装置600包括具有自 发光显示装置300的自发光显示面板400以及一控制器500耦接至自发光 显示装置300,其中控制器500是用以控制自发光显示装置300而根据输入 来提供影像。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式 上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利 用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但 凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所 作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
1权利要求
1、一种影像显示系统，其特征在于其包括一自发光显示装置，包括一阵列基板，其具有一像素区；一发光二极管，设置于该阵列基板的该像素区；一第一驱动薄膜晶体管，电性连接至该发光二极管，且包括叠置于该阵列基板的该像素区上的一第一栅极及一主动层；以及一第二驱动薄膜晶体管，电性连接至该发光二极管，且包括该主动层及叠置于该主动层上的一第二栅极；其中在同一画面周期下，该第一栅极耦接至一第一电压，而该第二栅极耦接至不同于该第一电压的一第二电压。
2、 根据权利要求1所述的影像显示系统，其特征在于其中所述的自发光显示装置更包括一第一储存电容，包括叠置于该阵列基板的该像素区上的一第一电极及一第二电极，且该第一电极电性连接至该第一栅极；以及一第二储存电容，包括该第二电极及叠置于该第二电极上的一第三电极，且该第三电极电性连接至该第二栅极。
3、 根据权利要求1所述的影像显示系统，其特征在于其更包括一自发光显示面板，包括该自发光显示装置；以及一控制器，耦接至该自发光显示装置，用以控制该自发光显示装置而使该自发光显示装置根据输入来提供影像。
4、 根据权利要求3所述的影像显示系统，其特征在于其中该系统包括一电子装置，其包括该自发光显示面板。
5、 根据权利要求4所述的影像显示系统，其特征在于其中所述的电子装置包括笔记型电脑、手机、数位相机、个人数位助理、桌上型电脑、电视机、车上型显示器、或可携式数位影碟播放器。
6、 一种影像显示系统，其特征在于其包括一自发光显示装置，包括一阵列基板，其具有一像素区；一发光二极管，设置于该阵列基板的该像素区；一第一驱动薄膜晶体管，电性连接至该发光二极管，且包括叠置于该阵列基板的该像素区上的一第一栅极及一主动层；一第二驱动薄膜晶体管，电性连接至该发光二极管，且包括该主动层及叠置于该主动层上的一第二栅极；一第一储存电容，包括叠置于该阵列基板的该像素区上的一第一电极及一第二电极，且该第一电极电性连接至该第一栅极；以及一第二储存电容，包括该第二电极及叠置于该第二电极上的一第三电极，且该第三电极电性连接至该第二栅极。
7、 根据权利要求6所述的影像显示系统，其特征在于其中在同一画面周期下，该第一栅极耦接至一第一电压，而该第二栅极耦接至一第二电压，且该第一电压与该第二电压具有相同的大小及相反的极性。
8、 根据权利要求6所述的影像显示系统，其特征在于其更包括一自发光显示面板，包括该自发光显示装置；以及一控制器，耦接至该自发光显示装置，用以控制该自发光显示装置而使该自发光显示装置根据输入来提供影像。
9、 根据权利要求8所述的影像显示系统，其特征在于其中该系统包括一电子装置，其包括该自发光显示面板。
10、 根据权利要求9所述的影像显示系统，其特征在于其中所述的电子装置包括笔记型电脑、手机、数位相机、个人数位助理、桌上型电脑、电视机、车上型显示器、或可携式数位影碟播放器。
全文摘要
本发明是有关一种影像显示系统，包括一自发光显示装置。此自发光显示装置包括一阵列基板、一发光二极管、第一及第二驱动薄膜晶体管；阵列基板具有一像素区，发光二极管设于阵列基板像素区。第一及第二驱动薄膜晶体管电性连接至发光二极管。第一驱动薄膜晶体管包括叠置于阵列基板像素区上的一第一栅极及一主动层。第二驱动薄膜晶体管包括该主动层及叠置于主动层上的一第二栅极。在同一画面周期下，第一栅极耦接至一第一电压，第二栅极耦接至不同于第一电压的一第二电压。本发明藉由额外增加驱动薄膜晶体管并藉由施加一偏压以回复陷入栅极介电层中电子，能防止启使电压偏移，另可增加像素开口率。
文档编号H01L27/32GK101521218SQ200810006329
公开日2009年9月2日 申请日期2008年2月26日 优先权日2008年2月26日
发明者刘侑宗, 李淂裕 申请人:统宝光电股份有限公司