斜坡电压电路的制作方法

专利名称：斜坡电压电路的制作方法
斜坡电压电路
背景技术：
数字图像显示装置是公知的，并且基于诸如阴极射线管、液晶和
例如有机发光二极管(0LED)的固态发光器的各种技术。在一般0LED 显示装置中，像素包括红、绿、蓝色的0LED。在加色系统中组合来自 这三个OLED的每一个的照明，可以实现具有许多种颜色的全色显示器。 使用被掺杂以发射电磁波谱期望部分内的能量的有机材料，0LED 可用于直接产生颜色。然而，已知的红和蓝发光材料不是特别功率高 效的。实际上，已知宽带宽(呈现白色的)材料与窄带宽材料相比具 有足够高的功率效率，通过将滤色器置于宽带宽的发光材料上方来产 生同等功率高效的0LED显示器。因此，本领域中已知的是，使用发白 光的OLED阵列并将滤色器置于这些OLED上方以在每个像素中获得红、 绿和蓝发光元件，来组建显示器，从而制作OLED显示器。然而，提高 的OLED显示器功率效率仍是追求的品质。


参考附图进行详细描述。在图中，参考数字最左边的位表示首次 出现该参考数字的图。在不同图中使用相同参考数字表示相似或相同 的项目。
图1为说明可以结合在显示装置内的像素布置的图示。图中仅示 例性示出16个像素。显示装置中可结合任意数目的像素。
图2说明图1所示像素之一的更大视图。图2示出像素也可以接 收斜坡电压，该斜坡电压可用于调节像素的亮度水平。
图3说明示例性斜坡电压发生电路。该示例性斜坡电压发生电路 可以结合图1和2所示的实施例使用。
图4为用于描述图3所示发生电路的操作的信号图。
图5说明一流程图，该流程图包括使得能够产生斜坡电压的多个
图6为可用于支持和利用斜坡电压发生电路的通用计算系统的框 图。斜坡电压发生电路的示例性实施例示于图3。
具体实施方式
概述
一个实施方式提供了一种可以与显示装置结合使用的斜坡电压发 生电路。该显示装置可包括多个像素，该多个像素可产生变化的亮度 水平。该斜坡电压发生电路可接收脉冲控制信号。该脉冲控制信号切
换(toggle)两个开关。当开关切换到第一状态时，产生斜坡电压。 该斜坡电压可以具有快速的前沿上升时间。当开关切换到第二状态时， 该斜坡电压具有通过电容器放电规定的斜坡下降信号部分。在一个实 施方式中，放电电容器电流通过与运算跨导放大器(0TA)相关联的N 沟道金属氧化物半导体(薩OS)晶体管获得。该放电电容器可以与像 素驱动器电路相关联。在另一实施方式中，该两个开关中的至少一个 为P沟道金属氧化物半导体(PM0S)晶体管。该PM0S晶体管也可以称 为PM0S开关。 示例性布置
图1为说明可以结合在显示装置(未示出)内的像素布置100的 图示。像素布置100包括多个像素102。每个像素102可包括照明装置 104。每个照明装置104可以是有机发光二极管(0LED)、发光二极管 (LED)或者其他合适的光照明装置。像素布置100还包括驱动器电路 106和108。驱动器电路106通过列导体110耦合到像素102。驱动器 电路108通过行导体112耦合到像素102。
图2说明图1所示像素102之一的更大视图。如所示，像素102 还可以接收斜坡电压。斜坡电压至少部分影响像素102的亮度水平。 像素102的亮度水平可以与斜坡电压信号的频率直接相关。频率更高 的斜坡电压信号通常增大像素102的亮度水平，而低频率的斜坡电压 信号会减小像素102的亮度水平。
像素通常是方形的，如图1所示，不过可以是任意形状，例如矩 形、圆形、椭圓形、六角形、多边形或者任何其他形状。如果结合该 像素布置的显示器为彩色显示器，则像素102也可以是组织成组的子 像素，每组对应于一个像素。 一组内的子像素应包括多个(例如，3个) 子像素，每个子像素占据指定用于相应像素的区域的一部分。例如， 如果每个像素为方形，则子像素一般与像素一样高，但是宽度仅为方形的宽度的一小部分(例如，1/3),子像素可以具有相同的尺寸或形 状，或者子像素可以具有不同的尺寸和形状。在下述讨论中，提到的 像素可以表示像素或者子像素。再者，这些像素可以是产生彩色光或 者白色光的像素。
图3说明示例性斜坡电压发生电路300。该示例性斜坡电压发生 电路可以结合图1和2所示的实施例使用。然而，发生电路300可以 结合许多其他照明驱动电路、显示装置和其他相关技术来使用。
发生电路300可包括电流源302、电容器304和开关306。电流源 302、电容器304和开关306的组合可以称为斜坡发生电路布置307。 电流源302耦合到运算跨导放大器(OTA) 308的第一输入。此外，电 流源302耦合到电容器304的一个端子以及开关306的一个端子。开 关306的另一端子与电压Vdd接口。 OTA 308的第二输入耦合到笫二开 关310。第二开关310也与Vdd接口。当采样信号Q闭合开关306和310 时，OTA 308输出斜坡电压。与OTA 308相关联的N沟道金属氧化物半 导体(NMOS)晶体管可以作为与像素驱动器电路相关联的电容器312 的源。该NMOS晶体管可以具有亳米对微米的宽度与长度比。结合图4 描述发生电路300的另外操作方面。在一个实施方式中，开关310为 大的P沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。该大的PMOS开关可具 有毫米对微米的宽度与长度比。其他的宽度与长度比(例如，微米对 纳米的宽度与长度比)也是可能的。此外，在一个实施方式中，OTA308 为低功耗运算放大器。
图4为可用于描述图3所示发生电路300的操作的信号图。当采 样信号Q为高时，开关306和310均处于断开状态。此时，发生电路 300不提供斜坡电压，或者发生电路300提供斜坡电压的斜坡下降部 分。当采样信号Q转变为低电平时，开关306切换到闭合状态。此夕卜， 采样信号Q的到低电平的该转变使开关310闭合。当开关306和310 处于闭合状态时，斜坡电压产生。当开关306和310处于闭合状态时 所产生的斜坡电压可以位于或者靠近最高预定斜坡电压水平。该最高 斜坡电压水平由Vdd决定。
当采样信号Q转变回到高状态时，开关306和310切换到断开状 态。该切换可以使电容器304放电。该放电是由图4所示的斜坡电压 的线性减小来表示。斜坡电压的斜坡下降部分也可以还具有非线性属性。通常同时，由OTA 308的NM0S晶体管作为电容器312的源。该大 的NPM0S开关可具有毫米对微米的宽度与长度比例。也可以具有其他 的宽度与长度比(例如，微米对纳米的宽度与长度比)。
采样信号Q可以是脉沖的、频率可变的时钟信号。频率更高的采 样信号Q可以产生频率更高的斜坡电压信号。频率更高的斜坡电压信 号可以增大与发生电路300接口的像素的亮度，而频率更低的斜坡电 压信号可以减小像素的亮度。与发生电路300接口的控制单元(未示 出)可以控制采样信号Q的主要频率，从而有效地改变耦合到电路300 的像素的照明水平。
使用大的开关310可以迅速拉起该斜坡电压。然而，发生电路300 的功耗仍然低。通过使用与OTA 308相关联的低功耗NMOS器件，进一 步实现低功耗。
过程
下述讨论描述使用前述实施方式可以实现的过程。在一个实施方 式中，所说明和描述的过程可以用于产生斜坡电压信号。该斜坡电压 信号可以由示例性斜坡电压发生电路300产生，且该斜坡电压信号可 以供给到结合多个像素的显示装置。
该过程示为逻辑流程图中的区块的集合，这些区块代表可以在硬 件、软件、或其组合中实施的一系列操作。在软件的情况中，这些区 块代表在由一个或多个处理器执行时，执行所述操作的计算机可执行 指令。 一般而言，计算机可执行指令包括执行特定功能或者实施特定 抽象数据类型的例程(routine )、程序、对象、组件、数据结构等。 所描述的操作的顺序并非旨在构成限制，且任意数目的所描述的区块 可以按照任意顺序和/或并行地组合以实施该过程。
图5说明流程图500，该流程图包括使得能够产生斜坡电压，同 时维持低功耗特性的多个操作。在区块502，采样信号从第一状态转变 到第二状态以切换两个开关。在一个实施方式中，该采样信号从高状 态切换到低状态以将两个开关切换到闭合状态。在区块504，在两个开 关处于笫二状态时，斜坡电压产生。该斜坡电压的前沿通过为两个开 关之一的大的PMOS晶体管而迅速拉高。
在区块506，采样信号从第二状态转变到第一状态以切换两个开 关。在一个实施方式中，该采样信号从低状态切换到高状态以将两个开关切换到断开状态。在区块508,电容器放电以产生斜坡电压的斜坡 下降部分。动作502 ~ 508可以重复以产生多个斜坡电压信号。 用于支持和利用斜坡电压的计算系统
斜坡电压信号的产生可以至少部分地在与静止或者移动计算系统 相关联的软件执行和/或电路中实施，该静止或者移动计算系统使用图 3所示类型的斜坡电压发生电路300。例如，斜坡电压发生电路300可 以结合在显示装置内(例如，输出装置)并用于产生斜坡电压信号以 实现属于该显示装置的像素的照明。
参考图6，示例性操作环境600包括诸如计算装置610的计算装 置。在一基础配置中，计算装置610可包括静止计算装置或者移动计 算装置。计算装置610通常包括至少一个处理单元620和系统存储器 630。取决于计算装置的确切配置和类型，系统存储器630可以是易失 性(例如RAM)、非易失性(例如ROM、闪速存储器等)、或者二者的一 些组合。系统存储器630通常包括操作系统632和一个或多个应用程 序634,且可包括程序数据636。
计算装置610还可具有另外特征或功能。例如，计算装置610例 如还可包括另外的数据存储装置(可移动和/或不可移动的)，例如磁 盘、光盘、磁带、可互换的非易失性存储器装置等。这些另外的存储 器在图6中用可移动存储器640和不可移动存储器650表示。计算机
和非易失;生、可移动和不4^动介质，;述信i、例如是^算机可读指
令、数据结构、程序模块或其他数据。系统存储器630、可移动存储器 640和不可移动存储器650都是计算机存储介质的例子。计算机存储介 质包括但不限于RAM、 ROM、 EEPROM、闪速存储器或者其他存储器技术、 CD-ROM、数字通用盘(DVD)或者其他光学存储器、磁带盒、磁带、磁 盘存储器或者其他磁性存储装置、非易失性存储卡、或者可用于存储 期望信息且可以由计算装置610存取的任何其他介质。任何这些计算 机存储介质可以是装置610的一部分。计算装置610还具有输入装置 660,例如键盘、鼠标、笔、语音输入装置、触摸输入装置等，该键盘 可以根据此处披露的键盘扫描的实施例来操作。还可以包括输出装置 670，例如显示装置、扬声器、打印机等。
计算装置610还包含使得该装置可以与其他计算装置690例如通过网络或者无线网络来通信的通信连接680。通信连接680为通信介质 的例子。通信介质通常在调制数据信号(例如载波)或其他传输机制 中包含计算机可读取指令、数据结构、程序模块或者其他数据，并包 括任何信息传递介质。术语"调制数据信号"可包括这样的信号，该 信号的特征之一或多个被设置或改变以将信息编码到该信号内。示例 性而非限制性地，通信介质可包括例如有线网络或直接连线连接的有 线介质，以及例如声学、射频、红外线和其他无线介质的无线介质。 这里使用的术语"计算机可读介质，，包括存储介质以及通信介质。 结论
尽管已经使用针对特定结构和/或方法动作的语言描述了主题，应 理解，所附权利要求中界定的主题不一定限于所述的特定特征或动作。 相反，这些特定特征和动作被披露作为实施该权利要求的示例性形式。
权利要求
1. 一种装置，包括可使用共同控制信号切换的第一开关和第二开关；以及耦合到所述第一开关和第二开关的运算放大器，当所述第一开关和第二开关处于闭合状态时，所述运算放大器输出斜坡电压。
2. 如权利要求l所述的装置，其中当所述第一开关和第二开关处于 闭合状态时，从所述运算放大器输出的所述斜坡电压处于大致最高水平。
3. 如权利要求l所述的装置，其中当所述第一开关和第二开关从闭 合状态切换到断开状态时，所述斜坡电压斜坡下降。
4. 如权利要求l所述的装置，其中所述共同控制信号为脉冲时钟信号。
5. 如权利要求l所述的装置，其中所述第一开关耦合到电容器，当 所述第一开关处于闭合状态时所述电容器被充电，当所述第一开关处于 断开状态时所述电容器放电。
6. 如权利要求5所述的装置，其中所述运算放大器包括N沟道金属 氧化物半导体(丽OS)晶体管，当至少所述第一开关处于断开状态时， 通过所述NM0S晶体管获得来自与驱动器电路相关联的电容器的电流。
7. 如权利要求l所述的装置，其中所述笫二开关是具有毫米对微米 的宽度与长度比的P沟道金属氧化物半导体(PM0S)晶体管。
8. 如权利要求l所述的装置，其中所述运算放大器包括具有毫米对 微米的宽度与长度比的N沟道金属氧化物半导体(NM0S )晶体管。
9. 一种方法，包括转变采样信号以将两个开关从第一状态切换到第二状态； 当所述两个开关处于所述第二状态时产生斜坡电压，当所述两个开关处于所述第二状态时，所产生的斜坡电压具有几乎最高水平；转变所述采样信号以将所述两个开关从所述第二状态切换到所述第一状态；以及在所述两个开关处于所述第一状态的时间的至少一部分，产生所述 斜坡信号的斜坡下降部分。
10. 如权利要求9所述的方法，还包括对电容器放电以产生所述斜 坡信号的斜坡下降部分。
11. 如权利要求9所述的方法，其中所述两个开关中的至少一个为P沟道金属氧化物半导体(PM0S)晶体管。
12. 如权利要求11所述的方法，其中所述PM0S晶体管具有毫米对微米的宽度与长度比。
13. 如权利要求9所述的方法，其中产生所述斜坡信号的斜坡下降部分包括通过运算放大器对电容器放电。
14. 如权利要求9所述的方法，还包括使用P沟道金属氧化物半导 体(PM0S)晶体管拉起所述斜坡电压的前沿，所述PM0S晶体管实施成所 述两个开关之一。
15. —种包括斜坡电压发生电路的系统，所述电路包括 P沟道金属氧化物半导体(PM0S)晶体管，以接收采样信号；以及 耦合到所述PMOS晶体管的斜坡发生电路装置，所述斜坡发生电路装置产生斜坡电压，当所述PM0S晶体管处于导通状态时，所述斜坡电压的 前沿被所述PMOS晶体管拉起。
16. 如权利要求15所述的斜坡电压发生电路，其中所述斜坡发生电路包括开关以接收所述采样信号。
17. 如权利要求16所述的斜坡电压发生电路，其中所述开关耦合到 电容器，当所述开关处于闭合状态时所述电容器被充电，当所述开关处 于断开状态时所述电容器放电。
18. 如权利要求17所述的斜坡电压发生电路，还包括至少耦合到所 述PM0S晶体管和所述电容器的运算放大器。
19. 如权利要求15所述的斜坡电压发生电路，还包括耦合到所述 PM0S晶体管和所述斜坡发生电路装置的运算放大器。
全文摘要
本发明涉及斜坡电压电路。本发明的实施例提供了斜坡电压产生电路，该电路可用于显示装置。该显示装置包含可以产生变化的亮度水平的多个像素。该斜坡电压发生电路可接收脉冲控制信号。该脉冲控制信号切换两个开关。当所述开关切换在第一状态中时，产生斜坡电压。该斜坡电压可具有快速的前沿上升时间。当所述开关切换在第二状态中时，斜坡电压具有通过电容器放电来指示的倾斜的向下信号部分。放电电容器可以与像素驱动电路相关联。这种产生电路的功耗保持低。
文档编号G09G3/32GK101414811SQ200810161938
公开日2009年4月22日 申请日期2008年9月27日 优先权日2007年9月27日
发明者J·L·塞巴洛斯 申请人:英飞凌科技股份公司