发光装置及其制造方法

专利名称：发光装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种发光装置及其制造方法。
背景技术：
信息通信产业已成为现今的主流产业，特别是可携带式的各种通信显示产品更是 发展的重点。而由于平面显示器是人与信息之间的沟通界面，因此其发展显得特别重要。 有机发光显示器即是一种有机发光装置，由于其具有自发光、广视角、省电、程序简易、低成 本、操作温度广泛、高应答速度以及全彩化等等的优点，使其具有极大的潜力，因此可望成 为下一代平面显示器的主流。有机电致发光显示器是一种利用有机发光材料的自发光特性来达到显示效果 的显示器，其由设置在基板上的第一电极层、第二电极层以及夹于两电极层之间的有机 发光材料层所组成。当施加直流电压时，空穴从阳极(anode)注入有机发光材料层，而 电子从阴极(cathode)注入有机发光材料层，因为外加电场所造成的电位差，使得空穴 与电子两种载流子(carrier)在有机发光材料层中移动并产生辐射性复合(Radiative Recombination)。部分由电子空穴再结合所放出的能量会将有机发光材料分子激发形成单 一激态分子。当单一激态分子释放能量回到基态时，其中一定比例的能量会以光子的方式 放出而发光，此即为有机电致发光显示器的发光原理。随着有机电致发光显示器的大型化的发展，其所面临的瓶颈为有机电致发光显示 器蒸镀程序中所需的掩模大小有所限制。因此，必须使用分割型掩模来进行蒸镀工艺，也就 是组合多个掩模并使掩模之间的间隙(gap)对应于子像素与子像素之间或者是直接对应 于子像素。然而，在制作分割型掩模时，其边缘处有制作精度控制不易的问题，且在组合分 割型掩模时会有组合精度控制不易的问题。如此一来，导致掩模的制作成本较高且蒸镀程 序的时间较长。

发明内容
本发明提供一种发光装置，具有优选的良率。本发明另提供一种发光装置的制造方法，具有简单的工艺与较低的制作成本。本发明提出一种发光装置，其包括基板以及多个像素行。像素行排列于基板上，像 素行包括第一子像素行、第二子像素行以及第三子像素行，第一子像素行包括多个第一子 像素，第二子像素行包括多个第二子像素，以及第三子像素行包括多个第三子像素。在第 m像素行中，第一子像素包括第一结构层，第一结构层彼此分离且分别对应于第一子像素， 在第(m+n)像素行中，第一子像素包括第一共用结构层，第一共用结构层对应于位于同一 行的多个第一子像素，其中第一结构层与第一共用结构层同为有机功能层或电极层，且m、n 分别为正整数。本发明提出另一种发光装置的制造方法。首先，提供基板，基板包括多个像素区， 像素区包括分别排列成行的多个第一子像素区、多个第二子像素区以及多个第三子像素区。接着，提供掩模于基板上，掩模包括多个次掩模单元以及位于次掩模单元之间的组合间 隙，次掩模单元包括具有多个开口的主体，主体遮蔽第二子像素区与第三子像素区，开口排 列成多行且开口暴露出与其对应的第一子像素区，以及组合间隙暴露出与其对应且位于同 一行的多个第一子像素区，其中组合间隙的宽度至少大于25 μ m。然后，透过掩模，在对应 开口的第一子像素区中形成第一结构层，以及于对应组合间隙的位于同一行的多个第一子 像素区中形成第一共用结构层，其中第一结构层与第一共用结构层同为有机功能层或电极 层。基于上述，在本发明的发光装置中，结构层与共同结构层构成有机功能层或电极 层，其中结构层对应于子像素，以及共用结构层对应于同一行的多个子像素。在本发明的发 光装置的制造方法中，使用包括多个次掩模单元的掩模，且令次掩模单元之间的组合间隙 对应于整行的子像素区。次掩模单元包括多个开口以定义结构层，以及次掩模单元之间的 组合间隙定义出共用结构层。如此一来，使得次掩模单元的制作较容易，以及次掩模单元之 间的组合精度较易控制。因此，可大幅缩减发光装置的工艺时间以及降低掩模的制作成本， 且所制作的发光装置具有优选的良率。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详 细说明如下。


图IA为本发明的实施例的一种发光装置的俯视示意图。图IB为沿图IA的1-1’线、11-11，线、111-111，线以及IV-IV’线的剖面示意图。图2A至图2F为本发明的实施例的一种发光装置的制造方法的俯视示意图。图3A至图3F分别为沿图2A至图2F的1-1，线、11-11，线、III-III，线以及IV-IV， 线的剖面示意图。附图标记说明10:发光装置100:基板IO2:像素区110^110(^,110(^,110(^ :像素行112、114、116 子像素行120:电极层130 绝缘层132:开口140 有机功能层142、144、146、162、164、166 结构层152、154、156、172、174、176 共用结构层160 电极层200 掩模210 次掩模单元211 边缘部分
212 主体214:开口220 组合间隙wl、w2、w3、w4、w5、w6 宽度PpPyP3:子像素PA1、PA2、PA3 子像素区
具体实施例方式图IA为本发明的实施例的一种发光装置的俯视示意图，以及图IB为沿图IA的 1-1’线、11-11’线、III-III’线以及IV-IV’线的剖面示意图，其中为了详细说明，图IA 省略绘示子像素Pp P2> P3的结构层142、144、146与共用结构层152、154、156，完整的子像 素Pi、P2、P3的剖面是绘示于图IB中。请同时参照图IA与图1B，在本实施例中，发光装置 10包括基板100以及多个像素行llO^llO^tDUlOo^UlOo^+D。像素行IlOmUlO0rtriP 110(m+n)、110(m+n+1)排列于基板 100 上，像素行 110m、l 10Ortri)、110(m+n)、l 10(m+n+1)包括第一子像 素行112、第二子像素行114以及第三子像素行116，第一子像素行112包括多个第一子像 素P1,第二子像素行114包括多个第二子像素P2,以及第三子像素行116包括多个第三子像 素P3。在本实施例中，多个第一子像素P1、多个第二子像素P2以及多个第三子像素P3例如 是分别为多个红色子像素、多个绿色子像素以及多个蓝色子像素。首先，必须说明的是，在本发明中，第一结构层与第一共用结构层可以一同作为有 机功能层，或者是第一结构层与第一共用结构层可以一同作为电极层，其中电极层例如是 阴极层或阳极层。换言之，在发光装置中，第一结构层与第一共用结构层可以一同作为阳极 层、有机功能层、阴极层中的至少之一。在本实施例中，以发光装置10包括作为有机功能层 的第一结构层142与第一共用层152，以及包括作为电极层的另一第一结构层162与另一第 一共用结构层172为例。换言之，在本实施例中，第一结构层142与第一共用结构层152是 被定义为有机功能层，以及另一第一结构层162与另一第一共用结构层172是被定义为电 极层。在第m像素行IlOm中，第一子像素P1包括第一结构层142，第一结构层142彼此 分离且分别对应于第一子像素P1，在第(m+n)像素行110(m+n)中，多个第一子像素P1包括第 一共用结构层152，第一共用结构层152对应于位于同一行的多个第一子像素P1，其中第一 结构层142与第一共用结构层152同为有机功能层，且m、n分别为正整数。在本实施例中， 第一结构层142与第一共用结构层152例如是作为有机功能层，其例如是包括空穴注入层、 空穴传输层、有机发光层、电子注入层以及电子传输层。相似地，在第m像素行IlOm中，第一子像素P1包括第一结构层162，第一结构层 162彼此分离且分别对应于第一子像素P1，在第(m+n)像素行110(m+n)中，多个第一子像素P1 包括第一共用结构层172，第一共用结构层172对应于位于同一行的多个第一子像素P1，其 中第一结构层162与第一共用结构层172同为电极层，且m、η分别为正整数。在本实施例 中，第一结构层162与第一共用结构层172例如是作为电极层。电极层可以是阴极层或阳 极层。电极层的材料例如是不透明金属或透明金属，其中不透明金属包括铜、铝、银、金、钛、 钼、钨、铬以及其合金或叠层，透明金属包括金属氧化物层，其例如是铟锡氧化物、铟锌氧化
6物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的金属氧化物、或者是上述至少二 者的堆叠层。特别注意的是，在本实施例中，第一子像素P1同时包括作为有机功能层的第一结 构层142与第一共用结构层152以及作为电极层的另一第一结构层162与另一第一共用结 构层172。然而，在其他实施例中，第一子像素？工可以仅包括作为有机功能层的第一结构层 142与第一共用结构层152或者是作为电极层的第一结构层162与第一共用结构层172，举 例来说，在实施例中，第一子像素P1包括作为有机功能层的第一结构层142与第一共用结 构层152以及具有其他构型的电极层，或者是第一子像素P1包括作为电极层的第一结构层 162与第一共用结构层172以及具有其他构型的有机功能层。在本实施例中，是以第一结构层162与第一共用结构层172作为阴极层为例。因 此，第一子像素P1还包括作为阳极层的另一电极层120。详言之，在第m像素行IlOm中，第 一子像素P1包括依序堆叠于基板100上的作为阳极层的电极层120、作为有机功能层的第 一结构层142以及作为阴极层的第一结构层162，其中第一结构层142位于电极层120与第 一结构层162之间。也就是说，第一结构层142、162与第一子像素P1具有一对一的对应关 系。第一结构层142、162例如是在行方向上呈岛状排列。另一方面，在第(m+n)像素行110(m+n)中，第一子像素P1包括依序堆叠于基板100 上的电极层120、第一共用结构层152以及第一共用结构层172。其中，位于同一行的多个 第一子像素P1共同包括作为有机功能层的第一共用结构层152以及作为阴极层的第一共 用结构层172。换言之，在第(m+n)像素行110(m+n)中，第一共用结构层152、172是对应于第 一子像素行112，且第一共用结构层152、172与第一子像素P1具有一对多的对应关系。第 一共用结构层152、172例如是呈条状且在行方向上延伸。第一共用结构层152、172的宽度 wl例如是对应于第一子像素行112的宽度。在本实施例中，第一共用结构层152、172的宽 度wl例如是实质上为120 μ m至125 μ m。在本实施例中，第一共用结构层152、172的配置例如是以η个像素行为周期，也就 是第一共用结构层152、172彼此例如是间隔η个像素行的距离。详言之，第(m_l)像素行、 第(m+n)像素行、第(m+2n+l)像素行、第(m+3n+》像素行...等像素行中配置有对应整行 的第一子像素P1的第一共用结构层152、172。另一方面，第m像素行至第(m+η-Ι)像素行中 的第一子像素P1、第(m+η+Ι)像素行至第(m+2n)像素行、第(m+2n+》像素行至第(m+3n+l) 像素行...等像素行中配置有分别对应于第一子像素P1的第一结构层142、162。在本实施 例中，各第一共用结构层152、172之间的距离(未绘示)例如是实质上为50mm至580mm。在本实施例中，第二子像素P2与第三子像素P3的配置方式例如是与第一子像素P1 的配置方式相似。详言之，在第m像素行IlOm中，第二子像素P2包括第二结构层144、164， 第二结构层144、164彼此分离且分别对应于第二子像素P2，在第(m+n)像素行110(m+n)中， 多个第二子像素P2包括第二共用结构层154、174，第二共用结构层巧4、174对应于位于同 一行的多个第二子像素P2，其中第二结构层144、164与第二共用结构层154、174同为有机 功能层或电极层，电极层例如是阴极层或阳极层。在本实施例中，第二结构层144与第二共 用结构层1 例如是作为有机功能层，第二结构层164与第二共用结构层174例如是作为 阴极层。因此，第二子像素P2还包括作为阳极层的另一电极层120。详言之，在第m像素行 IlOm中，第二子像素P2包括依序堆叠于基板100上的作为阳极层的电极层120、作为有机功能层的第二结构层144以及作为阴极层的第二结构层164。在第(m+n)像素行110(m+n)中， 第二子像素P2包括依序堆叠于基板100上的作为阳极层的电极层120、作为有机功能层的 第二共用结构层154以及作为阴极层的第二共用结构层174。第二共用结构层154、174的 宽度w2例如是实质上为120 μ m至125 μ m。各第二共用结构层154、174彼此例如是间隔η 个像素行的距离，以及各第二共用结构层154、174之间的距离(未绘示)例如是实质上为 50mm 至 580mm。在本实施例中，在第m像素行1 IOm中，第三子像素P3包括第三结构层146、166，第 三结构层146、166彼此分离且分别对应于第三子像素P3，在第(m+n)像素行110(m+n)中，多 个第三子像素P3包括第三共用结构层156、176，第三共用结构层156、176对应于位于同一 行的多个第三子像素P3，其中第三结构层146、166与第三共用结构层156、176同为有机功 能层或电极层，电极层例如是阴极层或阳极层。在本实施例中，第三结构层146与第三共用 结构层156例如是作为有机功能层，第三结构层166与第三共用结构层176例如是作为阴 极层。因此，第三子像素P3还包括作为阳极层的电极层120。详言之，在第m像素行IlOm 中，第三子像素P3包括依序堆叠于基板100上的作为阳极层的电极层120、作为有机功能层 的第三结构层146以及作为阴极层的第三结构层166。在第(m+n)像素行110(m+n)中，第三 子像素P3包括依序堆叠于基板100上的作为阳极层的电极层120、作为有机功能层的第三 共用结构层156以及作为阴极层的第三共用结构层176。第三共用结构层156、176的宽度 w3例如是实质上为120μπι至125μπι。各第三共用结构层156、176彼此例如是间隔η个 像素行的距离，以及各第三共用结构层156、176之间的距离(未绘示)是实质上为50mm至 580mmo在本实施例中，第一共用结构层152、172、第二共用结构层154、174、第三共用 结构层156、176例如是位于同一像素行110(m+n)中且彼此相连而具有实质上为360μπι至 375 μ m的总宽度。在本实施例中，结构层142、144、146与共用结构层152、巧4、156例如是 构成有机功能层140，以及结构层162、164、166与共用结构层172、174、176例如是构成电极 层 160。在本实施例中，发光装置10例如是还包括绝缘层130。绝缘层130具有会暴露出 每一子像素Pi、P2> P3中的电极层120的多个开口 132，以及结构层142、144、146与共用结 构层152、巧4、156例如是配置于开口 132中。特别注意的是，虽然在图IB的附图中是以结 构层142、144、146以及共用结构层152、154、156皆形成于绝缘层130的开口 132中为例， 然而结构层142、144、146以及共用结构层152、巧4、156在实务上可能会配置于绝缘层130 的开口 132中且覆盖部分绝缘层130。另一方面，本发明的发光装置10不限制必须具有绝 缘层130。换言之，在其他实施例中，也可以省略绝缘层130的配置。此外，虽然在本实施例 中是以结构层162、164、166与共用结构层172、174、176 —同作为阴极层以及结构层142、 144,146与共用结构层152、1M、156—同作为有机功能层为例，但在本发明中，结构层与共 用结构层可以一同作为阳极层、有机功能层、阴极层中的至少一个、至少两个以及三个。举 例来说，在另一实施例中，结构层与共用结构层亦可以一同作为阳极层，而阴极层与有机功 能层具有所属领域普通技术人员所周知的一般结构。换言之，除了由结构层与共用结构层 所形成的膜层以外，其他膜层可以是具有所属领域普通技术人员所周知的一般结构。在本实施例中，发光装置包括由结构层与共同结构层所构成的有机功能层或电极层，其中结构层对应于子像素，以及共用结构层对应于同一行的多个子像素，且共用结构层 例如是周期性配置。举例来说，在本实施例中，共用结构层配置于第(m-1)像素行、第(m+n) 像素行、第(m+2n+l)像素行、第(m+3n+2)像素行...等像素行中且对应于整行的子像素， 结构层则配置于这些像素行以外的各个子像素中。接下来将介绍图IA与图IB所示的发光装置10的制造方法。图2A至图2F为本 发明的实施例的一种发光装置的制造方法的俯视示意图，以及图3A至图3F分别为沿图2A 至图2F的1-1’线、11-11’线、III-III’线以及IV-IV’线的剖面示意图。请同时参照图 2A与图3A，首先，提供基板100，基板100包括多个像素区102，像素区102包括分别排列成 行的多个第一子像素区PA1、多个第二子像素区PA2以及多个第三子像素区PA3。在本实施 例中，多个第一子像素区PA1、多个第二子像素区PA2以及多个第三子像素区PA3例如是预定 形成多个红色子像素、多个绿色子像素以及多个蓝色子像素的区域。基板100的材料可为 玻璃、石英、有机聚合物、塑胶、可挠性塑胶或是不透光/反射材料等等。在本实施例中，基板100上已形成有多个电极层120，且每一电极层120对应于一 个子像素区PApPA2JA3t5电极层120可以是阴极层或阳极层，电极层120例如是透明电极 层，其例如是金属氧化物层，其例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、 铟锗锌氧化物、或其它合适的金属氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层；或者是具有高透 光度的薄金属层或薄金属叠层。在实施例中，电极层120也可以是不透光的电极层。此外， 在本实施例中，电极层120上例如是已形成绝缘层130。绝缘层130具有会暴露出每一子像 素区PAp PA2、PA3中的电极层120的多个开口 132。然而，特别注意的是，本发明不限制必 须形成绝缘层130。换言之，在其他实施例中，也可以省略绝缘层130的制作。请同时参照图2B与图;3B，接着，提供掩模200于基板100上，掩模200包括多个次 掩模单元210以及位于次掩模单元210之间的组合间隙220。次掩模单元210包括具有多 个开口 214的主体212，开口 214排列成多行且每一开口 214暴露出与其对应的第一子像 素区PA1，主体212遮蔽第二子像素区PA2与第三子像素区PA3。组合间隙220暴露出与其 对应且位于同一行的多个第一子像素区PA1,其中组合间隙220的宽度w4至少大于25 μ m。 在本实施例中，每一次掩模单元210例如是位于η个像素区102上，次掩模单元210的开口 214暴露出该η个像素区102中的每一第一子像素区PA1，次掩模单元210之间的组合间隙 220例如是暴露出位于第(m+n)个像素区102、第(m+2n+l)个像素区102...等像素区102 中的多个第一子像素区PA115换言之，每一组合间隙220暴露出一行的多个第一子像素区 PA10在本实施例中，次掩模单元210例如是位于η个像素区102上且次掩模单元210的宽 度w5例如是实质上为50_至580mm，以及开口 212的宽度w6实质上为120 μ m至125 μ m。 特别注意的是，组合间隙220的宽度w4至少为进行蒸镀法、溅镀法等工艺时足以形成线宽 的最小宽度，因此其至少大于25 μ m。在本实施例中，组合间隙220的宽度w4例如是实质上 为 120μπι至 125 μ m。请同时参照图2C与图3C，然后，透过掩模200，在对应开口 214的第一子像素区PA1 中形成第一结构层142，以及于对应组合间隙220的位于同一行的多个第一子像素区PA1中 形成第一共用结构层152，其中第一结构层142与第一共用结构层152同为有机功能层或电 极层。其中，有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子注入层以及电子传 输层。在本实施例中，以每一次掩模单元210位于η个像素区102上为例，第一结构层142形成于该η个像素区102中的每一第一子像素区PA1中，第一结构层142与第一子像素区 PA1为一对一的对应关系。第一共用结构层152则形成于由组合间隙220所暴露的一行第 一子像素区PA1中，该行第一子像素区PA1例如是位于第(m+n)个像素区102、第(m+2n+l) 个像素区102、、、等像素区102中，以及第一共用结构层152与多个第一子像素区PA1为一 对多的配置方式。在本实施例中，第一结构层142例如是在行方向上呈岛状排列以分别位 于一个第一子像素区PA1中，以及第一共用结构层152例如是呈条状且在行方向上延伸以 位于多个第一子像素区PA1中。第一共用结构层152的宽度wl例如是对应于组合间隙220 的宽度w4且例如是实质上为120μπι至125μπι。在本实施例中，第一结构层142与第一共 用结构层152例如是有机功能层，以及第一结构层142与第一共用结构层152的形成方法 例如是蒸镀法或溅镀法。举例来说，在本实施例中，例如是使用第一颜色蒸镀材料(诸如红 色蒸镀材料)来蒸镀第一结构层142与第一共用结构层152，以形成红色发光层。请同时参照图2D与图3D，在本实施例中，在形成第一结构层142与第一共用结构 层152后，移动掩模200，使掩模200的主体212遮蔽第一子像素区PA1与第三子像素区PA3, 开口 214暴露出与其对应的第二子像素区PA2,以及组合间隙220暴露出与其对应且位于同 一行的多个第二子像素区ΡΑ2。而后，透过掩模200，在对应开口 214的第二子像素区PA2中 形成第二结构层144，以及于对应组合间隙220的位于同一行的多个第二子像素区PA2中形 成第二共用结构层154，其中第二结构层144与第二共用结构层IM同为有机功能层或电极 层。其中，有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子注入层以及电子传输 层。电极层包括阴极层或阳极层。在本实施例中，以每一次掩模单元210位于η个像素区102上为例，第二结构层 144形成于该η个像素区102中的每一第二子像素区PA2中，第二结构层144与第二子像素 区PA2为一对一的对应关系。第二共用结构层IM则形成于由组合间隙220所暴露的一行 第二子像素区PA2中，该行第二子像素区PA2例如是位于第(m+n)个像素区102、第(m+2n+l) 个像素区102、、、等像素区102中，以及第二共用结构层154与多个第二子像素区PA2为一 对多的配置方式。在本实施例中，第二结构层144例如是在行方向上呈岛状排列以分别位 于一个第二子像素区PA2中，以及第二共用结构层巧4例如是呈条状且在行方向上延伸以 位于多个第二子像素区PA2中。第二共用结构层154的宽度w2例如是对应于组合间隙220 的宽度w4且例如是实质上为120μπι至125μπι。在本实施例中，第二结构层144与第二共 用结构层1 例如是同为有机功能层，以及第二结构层144与第二共用结构层154的形成 方法例如是蒸镀法或溅镀法。在本实施例中，例如是使用第二颜色蒸镀材料(诸如绿色蒸 镀材料)来蒸镀第二结构层144与第二共用结构层154，以形成绿色发光层。请同时参照图2Ε与图3Ε，在本实施例中，在形成第二结构层144与第二共用结构 层巧4后，移动掩模200，使掩模200的主体212遮蔽第一子像素区PA1与第二子像素区PA2, 开口 214暴露出与其对应的第三子像素区PA3,以及组合间隙220暴露出与其对应且位于同 一行的多个第三子像素区ΡΑ3。而后，透过掩模200，在对应开口 214的第三子像素区PA3中 形成第三结构层146，以及于对应组合间隙220的位于同一行的多个第三子像素区PA3中形 成第三共用结构层156，其中第三结构层146与第三共用结构层156同为有机功能层或电极 层。其中，有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子注入层以及电子传输 层。
在本实施例中，以每一次掩模单元210位于η个像素区102上为例，第三结构层 146形成于该η个像素区102中的每一第三子像素区PA3中，第三结构层146与第三子像素 区PA3为一对一的对应关系。第三共用结构层156则形成于由组合间隙220所暴露的一行 第三子像素区PA3中，该行第三子像素区PA3例如是位于第(m+n)个像素区102、第(m+2n+l) 个像素区102、、、等像素区102中，以及第三共用结构层156与多个第三子像素区PA3为一 对多的配置方式。在本实施例中，第三结构层146例如是在行方向上呈岛状排列以分别位 于一个第三子像素区PA3中，以及第三共用结构层156例如是呈条状且在行方向上延伸以 位于多个第三子像素区PA3中。第三共用结构层156的宽度w3例如是对应于组合间隙220 的宽度w4且例如是实质上为120μπι至125μπι。在本实施例中，第三结构层146与第三共 用结构层156例如是同为有机功能层，以及第三结构层146与第三共用结构层156的形成 方法例如是蒸镀法或溅镀法。在本实施例中，例如是使用第三颜色蒸镀材料(诸如蓝色蒸 镀材料)来蒸镀第三结构层146与第三共用结构层156，以形成蓝色发光层。请同时参照图2F与图3F，在本实施例中，结构层142、144、146与共用结构层152、 154、156例如是构成有机功能层140。其中，第一共用结构层152、第二共用结构层154、第 三共用结构层156例如是彼此相连而具有实质上为360 μ m至375 μ m的总宽度。特别一提 的是，在本实施例中，是以有机功能层140为有机发光层为例，然而在其他实施例中，有机 功能层140可以是包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子注入层以及电子传输层 等膜层的多层结构。换言之，掩模200可以用来形成发光装置的多种膜层。而后，在结构层142、144、146与共用结构层152、154、156上形成电极层160。在 本实施例中，例如是使用掩模200来形成电极层160，其形成方法可以参照结构层142、144、 146与共用结构层152、154、156的形成方法，在此不赘述。在本实施例中，电极层160例如 是包括分别形成于结构层142、144、146与共用结构层152、154、156上的结构层162、164、 166与共用结构层172、174、176。换言之，结构层162、164、166例如是在行方向上呈岛状排 列以分别位于一个子像素区PAi、PA2、PA3中，以及共用结构层172、174、176例如是呈条状且 在行方向上延伸以位于多个子像素区PAp PA2、PA3中。共用结构层172、174、176的宽度例 如是实质上为120μπι至125μπι，以及共用结构层172、174、176例如具有实质上为360 μ m 至375 μ m的总宽度。特别一提的是，在发光装置10中，电极层120为阳极层与阴极层中之一，以及电极 层160为阳极层与阴极层中另一个。在本实施例中，电极层120例如是阳极层，以及电极层 160例如是阴极层。再者，在本实施例中是以掩模200来形成发光装置10的有机功能层140 与电极层160为例，但在其他实施例中，掩模200可以用来形成电极层120、有机功能层140 以及电极层160中的至少一个、至少两个或三个。换言之，掩模200可以用来形成发光装置 中的阳极层、有机功能层以及阴极层中的至少一个、至少两个或三个。施例中，以图2B为例，由于次掩模单元210之间的组合间隙220是对应于一个子 像素区PA1的宽度，因此次掩模单元210的组合精度例如是控制在一个子像素区PA1的宽 度+/-0.04mm的范围内即可。换言之，掩模单元210的组合精度较易控制。再者，本实施例 中，由于掩模200的边缘部分211至少遮蔽两个子像素区域PA2、PA3,因此次掩模单元210 的边缘部分211的宽度(即次掩模单元210的边缘与最靠近边缘的开口 214之间的距离) 实质上至少大于两个子像素区域PA2、PA3W宽度，诸如至少大于或等于0. 1mm。举例来说，以一个子像素区域的宽度约为120μπι至125μπι为例，次掩模单元210的边缘部分211的 宽度至少大于240 μ m至250 μ m,但不加以限定，端视设计者需求。因此，在次掩模单元210 的网板制作中，边缘部分211的制作精度例如是控制成小于或等于两个子像素区域PA2、PA3 的宽度+/-0. 006 0. Olmm的范围内即可。换言之，次掩模单元210的边缘部分211的制 作精度较易控制。此外，由于次掩模单元210的边缘部分211不会过细，因此掩模200的张 网稳定性优选，而不会发生变形或断裂等问题。再者，由于次掩模单元210之间的组合间隙 220只要能对应于一行的多个子像素区PA1即可，因此可在掩模200中选择适当的位置来分 割成多个次掩模单元210以制作出对称的次掩模单元210，如此一来可以大幅降低掩模200 的制作成本。因此，本发明的发光装置的制造方法能大幅缩减发光装置的工艺时间以及降 低掩模的制作成本，且所制作的发光装置具有优选的良率。综上所述，在本发明的发光装置中，结构层与共同结构层构成有机功能层或电极 层，其中结构层对应于子像素，以及共用结构层对应于同一行的多个子像素，且共用结构层 例如是周期性配置。在本发明的发光装置的制造方法中，使用包括多个次掩模单元的掩模， 且令次掩模单元之间的组合间隙对应于整行的子像素区。次掩模单元包括多个开口以定义 结构层，以及次掩模单元之间的组合间隙定义出共用结构层。如此一来，使得次掩模单元的 制作较容易，以及次掩模单元之间的组合精度较易控制。因此，可大幅缩减发光装置的工艺 时间以及降低掩模的制作成本，且所制作的发光装置具有优选的良率。虽然本发明已以实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域 中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的 保护范围当视权利要求所界定为准。
权利要求
1.一种发光装置，包括基板；以及多个像素行，排列于该基板上，各像素行包括第一子像素行、第二子像素行以及第三子 像素行，各第一子像素行包括多个第一子像素，各第二子像素行包括多个第二子像素，以及 各第三子像素行包括多个第三子像素，在第m像素行中，各第一子像素包括第一结构层，该多个第一结构层彼此分离且分别 对应于第一子像素，在第(m+n)像素行中，该多个第一子像素包括第一共用结构层，该第一 共用结构层对应于位于同一行的多个第一子像素，其中该第一结构层与该第一共用结构层 同为有机功能层或电极层，且m、η分别为正整数。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一共用结构层的宽度为120μ m至125 μ m。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中第m像素行的该第一子像素行与第(m+n)像素 行的该第一子像素行之间的距离为50mm至580mm。
4.如权利要求1所述的发光装置，其中该多个第一结构层在行方向上呈岛状排列。
5.如权利要求1所述的发光装置，其中该第一共用结构层呈条状且在行方向上延伸。
6.如权利要求1所述的发光装置，其中该电极层包括阴极层。
7.如权利要求1所述的发光装置，其中该电极层包括阳极层。
8.如权利要求1所述的发光装置，其中该有机功能层包括空穴注入层、空穴传输层、有 机发光层、电子注入层以及电子传输层。
9.如权利要求1所述的发光装置，其中该多个第一子像素、该多个第二子像素以及该 多个第三子像素包括多个红色子像素、多个绿色子像素以及多个蓝色子像素。
10.如权利要求1所述的发光装置，在第m像素行中，各第二子像素包括第二结构层，该 多个第二结构层彼此分离且分别对应于第二子像素，在第(m+n)像素行中，该多个第二子 像素包括第二共用结构层，该第二共用结构层对应于位于同一行的多个第二子像素，其中 该第二结构层与该第二共用结构层同为有机功能层或电极层。
11.如权利要求10所述的发光装置，其中该第二共用结构层的宽度为120μπι至 125 μ m。
12.如权利要求1所述的发光装置，在第m像素行中，各第三子像素包括第三结构层，该 多个第三结构层彼此分离且分别对应于第三子像素，在第(m+n)像素行中，该多个第三子 像素包括第三共用结构层，该第三共用结构层对应于位于同一行的多个第三子像素，其中 该第三结构层与该第三共用结构层同为有机功能层或电极层。
13.如权利要求12所述的发光装置，其中该第三共用结构层的宽度为120μπι至 125 μ m。
14.一种发光装置的制造方法，包括提供基板，该基板包括多个像素区，各像素区包括分别排列成行的多个第一子像素区、 多个第二子像素区以及多个第三子像素区；提供掩模于该基板上，该掩模包括多个次掩模单元以及位于该多个次掩模单元之间的 组合间隙，各次掩模单元包括具有多个开口的主体，该主体遮蔽该多个第二子像素区与该 多个第三子像素区，该多个开口排列成多行且各开口暴露出与其对应的第一子像素区，以 及各组合间隙暴露出与其对应且位于同一行的多个第一子像素区，其中各组合间隙的宽度至少大于25 μ m;以及透过该掩模，在对应各开口的第一子像素区中形成第一结构层，以及于对应各组合间 隙的位于同一行的多个第一子像素区中形成第一共用结构层，其中该第一结构层与该第一 共用结构层同为有机功能层或电极层。
15.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中各次掩模单元的宽度为50mm至 580mmο
16.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中各组合间隙的宽度为120μπι至 125 μ m。
17.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中各开口的宽度为120μπι至 125 μ m。
18.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中该第一结构层与该第一共用结构 层的形成方法包括蒸镀法与溅镀法。
19.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中该有机功能层包括空穴注入层、 空穴传输层、有机发光层、电子注入层以及电子传输层。
20.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中该电极层包括阴极层。
21.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，其中该电极层包括阳极层。
22.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，在形成该第一结构层与该第一共用结 构层后，还包括移动该掩模，使该掩模的该主体遮蔽该多个第一子像素区与该多个第三子像素区，各 开口暴露出与其对应的第二子像素区，以及各组合间隙暴露出与其对应且位于同一行的多 个第二子像素区；以及透过该掩模，在对应各开口的第二子像素区中形成第二结构层，以及于对应各组合间 隙的位于同一行的多个第二子像素区中形成第二共用结构层，其中该第二结构层与该第二 共用结构层同为有机功能层或电极层。
23.如权利要求14所述的发光装置的制造方法，在形成该第一结构层与该第一共用结 构层后，还包括移动该掩模，使该掩模的该主体遮蔽该多个第一子像素区与该多个第二子像素区，各 开口暴露出与其对应的第三子像素区，以及各组合间隙暴露出与其对应且位于同一行的多 个第三子像素区；以及透过该掩模，在对应各开口的第三子像素区中形成第三结构层，以及于对应各组合间 隙的位于同一行的多个第三子像素区中形成第三共用结构层，其中该第三结构层与该第三 共用结构层同为有机功能层或电极层。
全文摘要
本发明公开一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括基板以及多个像素行。像素行排列于基板上，像素行包括第一子像素行、第二子像素行以及第三子像素行，第一子像素行包括多个第一子像素，第二子像素行包括多个第二子像素，以及第三子像素行包括多个第三子像素。在第m像素行中，第一子像素包括第一结构层，第一结构层彼此分离且分别对应于第一子像素，在第(m+n)像素行中，第一子像素包括第一共用结构层，第一共用结构层对应于位于同一行的多个第一子像素，其中第一结构层与第一共用结构层同为有机功能层或电极层，且m、n分别为正整数。
文档编号G09F9/33GK102110707SQ20101055609
公开日2011年6月29日 申请日期2010年11月23日 优先权日2010年11月23日
发明者吴文豪, 江元铭 申请人:友达光电股份有限公司