专利名称：Ddc接口隔离保护电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种视频信号接口电路，尤其涉及一种DDC接口隔离保护电路。
背景技术：
DDC接口是现今主流视频接口，比如DVI、VGA等接口必须包含的一个子接口。也就是说，前述视频接口，除了包含一个传输视频信号的主通道以外，还需要包含一个子通道， 用来传输DDC信号，它们被封装在同一根线缆、同一个插头中。通过DDC接口，信号源，比如显卡，可以和信号接收设备，比如显示器，做双向的数据交互，通过这种交互，信号源可以获知接收设备的详细配置信息，从而输出适合接收设备显示需求的视频信号。对于现有视频信号接收设备来说，DDC接口的一般使用方法是在每个输入接口的DDC接口上，连接一个基于8位I2C总线的串行非易失性可擦写存储体，比如MC02。在这个存储体中，按照VESA国际标准所规定的格式，存储了接收设备的详细信息，主要包括能接收的视频信号格式、显示器型号等信息，这种格式化的信息被称之为E-EDID信息。可以看出，现今广泛使用的，基于简单连接的DDC实现，有诸多问题由于DDC接口上只是简单的连接了一个存储体，E-EDID信息只能在视频接收设备出厂时，由外部设备写入，接收设备无法自己更新其内容，无法升级。24C02这种基于E2技术的串行非易失性可擦写存储体，在外界干扰下很容易丢失数据，基于前述原因，接收设备无法恢复E-EDID信息， 一旦丢失，只能返厂维修，维修成本太高。视频接口连线直接连接到存储体，外界干扰，以及视频源于视频接收设备的信号压差，都有可能对存储体造成冲击，导致数据丢失。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种DDC接口隔离保护电路，从而在原有功能的基础上，增加视频信号接收设备本地控制核心对E-EDID信息存储体的访问功能，同时增加了保护电路，确保各部分电路之间，在电气特性上不会有冲突，数据读写操作上也不会有冲突， 防止丢失数据，便于维修。为了达到上述目的，本实用新型有如下技术方案本实用新型的一种DDC接口隔离保护电路，在视频信号输入接口上的DDC接口与视频信号接收设备E-EDID信息存储体的I2C接口之间的每条信号线上，连接有双向隔离器，该双向隔离器连接有上拉电阻，所述视频信号接收设备E-EDID信息存储体连接有上拉电阻；在视频信号接收设备E-EDID信息存储体的I2C接口与视频信号接收设备本地控制核心的I2C接口之间的每条信号线上，连接有双向隔离器，所述视频信号接收设备本地控制核心连接有下拉电阻和场效应管；上述双向隔离器都受视频信号接收设备本地控制核心的控制，其中，视频信号输入接口所连接的信号源和视频信号接收设备的本地控制核心，都能够作为主动设备，去访问视频信号接收设备的E-EDID信息存储体。其中，所述双向隔离器由两个NMOS场效应管反向连接构成；两个NMOS场效应管的栅极连接在一起。[0009]其中，所述视频信号输入接口所连接的信号源，与视频信号接收设备的本地控制核心这两个主动设备，在同一时间，只能有一个访问到E-EDID信息存储体；访问权的切换由视频信号接收设备的本地控制核心来控制。本实用新型的优点在于本实用新型在原有功能的基础上，增加视频信号接收设备本地控制核心对E-EDID 信息存储体的访问功能，同时增加了保护电路，确保各部分电路之间，在电气特性上不会有冲突，数据读写操作上也不会有冲突，防止丢失数据，便于维修。
图1为本实用新型的电路原理图。图中1.PC机，2.显卡，3.视频信号线，4.显示器，5.视频输入接口，6.板载控制核心，Ul. E-EDID信息存储体，R1、R2、R3.上拉电阻，R4.下拉电阻，Ql、Q2、Q3、Q4、Q5、Q6、 Q7、Q8、Q9. NMOS 场效应管。
具体实施方式
以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。参见图1，一般情况下，视频传输都有一个视频源，一个接收器，本实用新型的一种 DDC接口隔离保护电路中，我们以标准PC机1中的显卡2作为视频信号源，显示器4作为信号接收器来说明本隔离电路的功能，和运作方式。视频输入接口 5上的DDC接口，包含信号线DDC_SCL和DDC_SDA，分别通过一个双向隔离器与E-EDID信息存储体Ul的I2C接口，包括管脚SCL、SDA连接。信号线DDC_SCL 与SCL之间的隔离器由NMOS场效应管Ql、Q2反向连接构成，信号线DDC_SDA与SDA之间的隔离器由NMOS场效应管Q5、Q6构成。4个NMOS场效应管Ql、Q2、Q5、Q6的栅极连接在一起，由上拉电阻R3拉高到+5V，使这4个NMOS场效应管Ql、Q2、Q5、Q6默认为开启，也就是说，常态下，信号线DDC_SCL与SCL，以及信号线DDC_SDA与SDA之间是连通的。E-EDID信息存储体(Ul)的管脚SCL、SDA由上拉电阻R1、R2拉高到+5V，让E-EDID 信息存储体Ul的I2C接口信号在常态下保持高电平，也就是空闲电平。在隔离器开/关的短暂过程中，这两个上拉电阻，能确保E-EDID信息存储体Ul上不会出现异常状态。E-EDID信息存储体Ul的管脚SCL、SDA，分别通过一个双向隔离器与板载控制核心 6 (视频信号接收设备本地控制核心)的I2C接口，包含信号线MCU_SCL和MCU_SDA连接在一起。其中，管脚SCL与MCU_SCL之间的隔离器由NMOS场效应管Q3、Q4反向连接构成，管脚SDA与MCU_SDA之间的隔离器由NMOS场效应管Q7、Q8构成。4个NMOS场效应管Q3、Q4、 Q7、Q8的栅极连接在一起，由下拉电阻R4下拉到地电平，使这4个NMOS场效应管Q3、Q4、 Q7、Q8默认为关闭，也就是说，常态下，管脚SCL与MCU_SCL，以及管脚SDA与MCU_SDA之间是断开的。板载控制核心6的信号线DDC_CTRL连接到4个NMOS场效应管Q3、Q4、Q7、Q8的栅极。常态下，信号线DDC_CTRL不输出电压，或输出低电压，使4个NMOS场效应管Q3、Q4、 Q7、Q8保持关闭。信号线DDC_CTRL同时连接NMOS场效应管Q9的栅极，NMOS场效应管Q9 的源极接地，漏极接4个NMOS场效应管Ql、Q2、Q5、Q6的栅极。常态下，由于信号线DDC_CTRL不输出电压，或输出低电压，NMOS场效应管Q9保持关闭状态，对4个NMOS场效应管 Q1、Q2、Q5、Q6的栅极电压无影响。当板载控制核心6需要访问E-EDID信息存储体Ul的时候，要先将信号线DDC_ CTRL拉高，这样就可以使4个NMOS场效应管Q3、Q4、Q7、Q8开启，分别连通管脚SCL与MCU_ SCL,以及SDA与MCU_SDA。同时，NMOS场效应管Q9导通，将4个NMOS场效应管Q1、Q2、Q5、 Q6的栅极拉低到地电平，使这4个NMOS场效应管Ql、Q2、Q5、Q6关闭，断开信号线DDC_SCL 与SCL，以及DDC_SDA与SDA。板载控制核心6对E-EDID信息存储体Ul的访问结束后，板载控制核心6要拉低信号线DDC_CTRL，使连通状态恢复常态。如上所述，便可较为充分的实现本实用新型。以上所述仅为本实用新型的较为合理的实施实例，本实用新型的保护范围包括但并不局限于此，本领域的技术人员任何基于本实用新型技术方案上非实质性变性变更均包括在本实用新型包括范围之内。
权利要求1.一种DDC接口隔离保护电路，其特征在于在视频信号输入接口上的DDC接口与视频信号接收设备E-EDID信息存储体的I2C接口之间的每条信号线上，连接有双向隔离器， 该双向隔离器连接有上拉电阻，所述视频信号接收设备E-EDID信息存储体连接有上拉电阻；在视频信号接收设备E-EDID信息存储体的I2C接口与视频信号接收设备本地控制核心的I2C接口之间的每条信号线上，连接有双向隔离器，所述视频信号接收设备本地控制核心连接有下拉电阻和场效应管；上述双向隔离器都受视频信号接收设备本地控制核心的控制，其中，视频信号输入接口所连接的信号源和视频信号接收设备的本地控制核心，都能够作为主动设备，去访问视频信号接收设备的E-EDID信息存储体。
2.根据权利要求1所述的一种DDC接口隔离保护电路，其特征在于所述双向隔离器由两个NMOS场效应管反向连接构成；两个NMOS场效应管的栅极连接在一起。
3.根据权利要求1所述的一种DDC接口隔离保护电路，其特征在于所述视频信号输入接口所连接的信号源，与视频信号接收设备的本地控制核心这两个主动设备，在同一时间，只能有一个访问到E-EDID信息存储体；访问权的切换由视频信号接收设备的本地控制核心来控制。
专利摘要本实用新型涉及一种视频信号接口电路，本实用新型公开了一种DDC接口隔离保护电路，在视频信号输入接口上的DDC接口与视频信号接收设备E-EDID信息存储体的I2C接口之间的每条信号线上，连接有双向隔离器，该双向隔离器连接有上拉电阻，所述视频信号接收设备E-EDID信息存储体连接有上拉电阻；在视频信号接收设备E-EDID信息存储体的I2C接口与视频信号接收设备本地控制核心的I2C接口之间的每条信号线上，连接有双向隔离器，所述视频信号接收设备本地控制核心连接有下拉电阻和场效应管。本实用新型增加了保护电路，确保各部分电路之间，在电气特性上、数据读写操作上不会有冲突，防止丢失数据，便于维修。
文档编号G09G5/00GK202075971SQ20112011370
公开日2011年12月14日 申请日期2011年4月18日 优先权日2011年4月18日
发明者陆远 申请人:北京彩讯科技股份有限公司