电光学装置的控制装置、电光学装置以及电子设备的制作方法

专利名称：电光学装置的控制装置、电光学装置以及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及电光学装置的控制装置、电光学装置以及电子设备。
背景技术：
作为显示图像的显示装置，存在使用微囊(microcapsule)的电泳方式的显示装置。在该显示装置中，有源矩阵(active matrix)方式的装置在向行方向延伸的多个行电极和向列方向延伸的多个列电极之间的每一个交点上设置有驱动微囊的驱动电路。向行电极和列电极施加电压后，在设置在驱动电路中的电极、和夹持微囊而与该电极对置的电极之间产生电位差。在夹持微囊而对置的电极间产生电位差后，微囊内的白粒子和黑粒子按照由该电位差生成的电场而移动。光学反射特性通过各微囊内的白粒子和黑粒子的分布的改变而发生变化，从而显示图像。但是，在电泳方式的显示装置中，存在如下装置，S卩，在采用有源矩阵方式来变更显示时，跨多个帧来进行图像的重写。但是，在跨多个帧来进行图像的重写时，整个画面会开始重写，由于在直到写入结束为止的期间不进行新的写入，因此在进行图像的追加和删除时，一旦图像写入结束后才开始下一次写入，会花费时间，在操作性方面存在问题。因此，为了解决这样的问题，提出有通过以部分区域为单位来进行流水线 (pipeline)处理，从而来进行写入的方式(参照专利文献I)。根据专利文献I中公开的方式，在画面上相互不重合的2个部分区域中错开定时来写入图像的情况下，即使先开始写入的部分区域的写入没有完成，也能够开始从后面开始写入的部分区域的写入，与未采用这种方式的情况相比，显示速度得到提高。专利文献专利文献I JP特开2009-251615号公报在专利文献I中所公开的装置中，针对显示的图像，将图像数据写入对每个像素的数据进行存储的存储器中，读出写入的数据来显示图像。在显示装置变更图像时，虽然按照每个像素来访问存储器并变更图像，但是在显示装置中，随着像素数目变多，对存储器的访问次数随之变多，访问存储器时消耗的电力也变大。

发明内容
本发明鉴于上述问题而提出，其目的之一在于，在显示图像时，减少对存储器的访问次数，抑制消耗电力。为了达成上述目的，本发明的电光学装置的控制装置具备包括多个像素的显示部，通过多次施加电压的写入动作来进行用于使上述像素的显示状态从第一显示状态变化为第二显示状态的写入，上述显示部具有多个区域，上述电光学装置的控制装置具备写入区域判断部，其从按每个上述区域来存储表示是否需要对上述区域内的像素进行上述写入动作的访问标记的存储部中取得上述访问标记，并基于上述访问标记来判断是否对包含在与取得的上述访问标记对应的区域中的像素进行上述写入动作；写入状态判断部，其针对包含在上述写入区域判断部中判断为进行写入动作的区域中的像素，对写入存储器中的图像数据、和表示通过进行中的上述写入动作而显示在该显示部中的预定的图像的预定图像数据进行比较，在需要新的上述写入动作的情况下，对上述像素判断前一次的写入动作是否是进行中；写入控制部，其在上述写入状态判断部中判断为针对上述像素的上述写入动作不是进行中的情况下，对上述像素开始新的上述写入动作，在上述写入状态判断部中对上述像素判断为上述写入动作是进行中的情况下，继续进行中的上述写入动作，在进行中的上述写入动作结束后，开始新的上述写入动作；以及标记状态变更部，其在针对包含在上述区域中的所有像素的上述写入动作结束的情况下，将与该区域对应的访问标记变更为不需要上述写入动作的状态。 根据本发明，在显示图像时，减少了对存储器的访问次数，并抑制了消耗电力。另外，在上述控制装置中也可以是，以多行多列来设置上述多个像素，上述像素的I行是I个上述区域。根据该构成，在针对I行像素的写入动作是不需要的情况下，由于在存储器中不进行I行像素的访问，因此减少了对存储器的访问次数，并抑制了消耗电力。此外，在上述控制装置中也可以是，以行多列来设置上述多个像素，上述像素的多行是I个上述区域。根据该构成，在针对多行的像素的写入动作是不需要的情况下，由于在存储器中不进行多行的访问，因此减少了对存储器的访问次数，抑制了消耗电力。此外，在上述控制装置中也可以是，以多行多列来设置上述多个像素，相邻的2行以上且2列以上的像素的块是I个上述区域。根据该构成，在针对多行多列的像素的写入动作是不需要的情况下，由于在存储器中不进行多行多列的访问，因此减少了对存储器的访问次数，抑制了消耗电力。此外，在上述控制装置中也可以是，在向上述存储器写入了图像数据的情况下，将按上述多个区域的每一个区域而设置的各访问标记设为需要写入动作的状态。根据该构成，在向存储器写入了图像数据的情况下，由于将访问标记重写为需要写入动作的状态，因此即使没有从外部装置接收到向存储器写入图像数据的通知，也能够开始图像的写入。为了达成上述目的，本发明的电光学装置具备包括多个像素的显示部，通过多次施加电压的写入动作来进行用于使上述像素的显示状态从第一显示状态变化为第二显示状态的写入，上述显示部具有多个区域，上述电光装置具备写入区域判断部，其从按每个上述区域来存储表示是否需要对上述区域内的像素进行上述写入动作的访问标记的存储部中取得上述访问标记，并基于上述访问标记来判断是否对包含在与取得的上述访问标记对应的区域中的像素进行上述写入动作；写入状态判断部，其针对包含在上述写入区域判断部中判断为进行写入动作的区域中的像素，对写入存储器中的图像数据、和表示通过进行中的上述写入动作而显示在该显示部中的预定的图像的预定图像数据进行比较，在需要新的上述写入动作的情况下，对上述像素判断前一次的写入动作是否是进行中；写入控制部，其在上述写入状态判断部中判断为针对上述像素的上述写入动作不是进行中的情况下，对上述像素开始新的上述写入动作，在上述写入状态判断部对上述像素判断为上述写入动作是进行中的情况下，继续进行中的上述写入动作，在进行中的上述写入动作结束后，开始新的上述写入动作；以及标记状态变更部，其在针对包含在上述区域中的所有像素的上述写入动作结束的情况下，将与该区域对应的访问标记变更为不需要上述写入动作的状态。根据本发明，在显示图像时，减少了对存储器的访问次数，抑制了消耗电力。另外，本发明的概念不仅仅是电光学装置，也可以是作为具有该电光学装置的电子设备。


图I是表示显示装置1000和电光学装置I的硬件构成的图。图2是表示显示区域100的剖面的图。图3是表示像素110的等效电路的图。 图4是表示由控制器5实现的功能的构成的框图。图5是表示控制器5进行的处理的流程的流程图。图6是表示控制器5进行的处理的流程的流程图。图7是用于说明电光学装置I的动作的图。图8是用于说明电光学装置I的动作的图。图9是用于说明电光学装置I的动作的图。图10是用于说明电光学装置I的动作的图。图11是用于说明电光学装置I的动作的图。图12是用于说明电光学装置I的动作的图。图13是用于说明电光学装置I的动作的图。图14是用于说明电光学装置I的动作的图。图15是用于说明电光学装置I的动作的图。图16是用于说明电光学装置I的动作的图。图17是用于说明电光学装置I的动作的图。图18是用于说明电光学装置I的动作的图。图19是用于说明电光学装置I的动作的图。图20是用于说明电光学装置I的动作的图。图21是用于说明电光学装置I的动作的图。图22是用于说明电光学装置I的动作的图。图23是电子书阅读器2000的外观图。图24是表示变形例所涉及的标记存储区域6C的图。图25是表示变形例中控制器5进行的处理的流程的流程图。图26是表示变形例所涉及的标记存储区域6C的图。图27是表示变形例中控制器5进行的处理的流程的流程图。符号说明I电光学装置2控制部3 VRAM
4 RAM5控制器6写入数据存储区域6a白写入数据存储区域6b黑写入数据存储区域6c标记存储区域7预定图像数据存储区域9A 9F 按钮 10 显示部100显示区域101 第一基板IOla 基板IOlb 粘接层IOlc 电路层IOld像素电极102 电泳层102a 微囊102b 粘合剂103 第二基板103a 薄膜103b公共电极层110 像素IlOa TFTIlOb显示元件IlOc辅助电容112扫描线114数据线2000电子书阅读器2001 框架Ai j、Bi j、Ci j、Di j、Ei、Ek、Exy 存储区域
具体实施例方式实施方式图I是表示本发明的一实施方式的显示装置1000和电光学装置I的硬件构成的框图。显示装置1000是显示图像的装置，具备电泳方式的电光学装置I、控制部2、VRAM (Video RAM) 3以及作为存储部的一例的RAM(Random Access Memory)4。此外，电光学装置I具备显示部10和控制器5。控制部2 是具备 CPU (Central Processing Unit)、ROM (Read Only Memory)、RAM等的微型计算机，控制显示装置1000的各个部分。此外，控制部2对VRAM3进行访问，将表示显示在显示区域100中的图像的图像数据写入VRAM3中。控制器5将用于使图像显示在显示部10的显示区域100中的各种信号提供给显示部10的扫描线驱动电路130和数据线驱动电路140。控制器5相当于电光学装置I的控制装置。另外，能够将对控制部2和控制器5进行组合后得到的部分定义为电光学装置I的控制装置。或者也能够将控制部2、控制器5、VRAM3以及RAM4整体定义为电光学装置I的控制装置。VRAM3是存储通过控制部2写入的图像数据的存储器。VRAM3按后述的在以m行Xn列排列的每个像素110而具有存储区域。图像数据包括表示各像素110的灰度的数据，表示I个像素110的灰度的数据存储在与该像素对应的I个存储区域中。写入VRAM3中的图像数据通过控制器5被读出。RAM4是存储为了使图像显示在显示区域100中而使用的各种数据的存储器，设置有写入数据存储区域6和预定图像数据存储区域7。、
在显示区域100中，在图中沿着行(X)方向设置有多个扫描线112，沿着列(Y)方、向且按照与各扫描线112相互保持电绝缘的方式设置有多个数据线114。并且，与各扫描线112和各数据线114的交叉相对应地，分别设置像素110。简单来说，设扫描线112的行数为“m”，设数据线114的列数为“n”时，像素110按照纵m行X横n列的方式而排列为矩阵状，从而构成显示区域100。图2是表示显示区域100的剖面的图。如图2所示,显示区域100粗略来分由第一基板101、电泳层102、以及第二基板103构成。第一基板101是在具有绝缘性以及挠性的基板IOla上形成电路层的基板。基板IOla在本实施方式中由聚碳酸酯(polycarbonate)形成。另外，作为基板101a，不限定为聚碳酸酯，能够使用具有轻量性、挠性、弹性以及绝缘性的树脂材料。此外，基板IOla也可以由不具有挠性的玻璃形成。在基板IOla的表面设置粘接层101b，在粘接层IOlb的表面层叠电路层101c。电路层IOlc具有排列在行方向上的多个扫描线112和排列在列方向上的多个数据线114。此外，电路层IOlc与每一个扫描线112和数据线114的交叉相对应地具有像素电极IOld0电泳层102由粘合剂(binder) 102b、和通过粘合剂102b进行固定的多个微囊102a构成，形成在像素电极IOld上。另外，在微囊102a和像素电极IOld之间可以设置由粘接剂形成的粘接层。作为粘合剂102b，只要是与微囊102a的亲和性良好且与电极的密接性优异、并且具有绝缘性的物质就不做特别限制。在微囊102a内，容纳分散剂和电泳粒子。作为构成微囊102a的材料，优选使用阿拉伯树胶/白明胶类的化合物和聚胺脂(urethane)类的化合物等具有柔软性的物质。作为分散剂，可使用水、酒精类溶剂(甲醇、乙醇、异丙醇、丁醇、辛醇、甲基溶纤剂等)、酯类(醋酸乙酯、醋酸丁酯等)、酮类(丙酮、丁酮、甲基异丁酮等)、脂肪族碳氢化合物(戊烷、己烷、辛烷等)、脂环型碳氢化合物(环己烷、甲基环戊二烯等)、芳香族碳氢化合物(苯、甲苯、具有长链烷基的苯类(二甲苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、癸基苯、十一烷基苯、十二烷基苯、十三烷基苯、十四烷基苯等))、卤化碳氢化合物(二氯甲烷、三氯甲烷、四氯化碳、1，2_ 二氯乙烷等)、羧酸盐等任意一种，此外，分散剂也可以是其它的油类。此夕卜，可以单独或混合这些物质在分散剂中使用，并且也可以配合表面活性剂等作为分散媒。
电泳粒子是具有在分散媒中由于电场而移动的性质的粒子(高分子或者胶体)。在本实施方式中，在微囊102a内容纳白的电泳粒子和黑的电泳粒子。黑的电泳粒子例如是由苯胺黑(aniline black)和碳黑等黑色颜料构成的粒子,在本实施方式中，带正电。白的电泳粒子例如是由二氧化钛和氧化铝等白色颜料构成的粒子，在本实施方式中，带负电。第二基板103由薄膜103a、形成在薄膜103a的下表面的透明的公共电极层103b (第二电极)构成。薄膜103a承担电泳层102的密封和保护的作用，例如是聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)的薄膜。薄膜103a透明且具有绝缘性。公共电极层103b例如由铟锡氧化物膜(IT0膜)等透明导电膜构成。图3是用于说明像素110的等效电路的图。再有，在本实施方式中，为了区别各扫
描线112，有时从上起依次将图I所示的扫描线称为第1、2、3.....(m-1)、m行。此外，同样
地，为了区别各数据线114，有时从左起依次将图I所示的数据线114称为第1、2、3..... (n-1)、n 列。在图3中，示出对应于第i行的扫描线112和第j列的数据线114的交叉处的像素110的等效电路。对应于其它的数据线114和扫描线112的交叉处的像素110构成也与图示构成相同，因此，这里代表性地说明对应于第i行的数据线112和第j列的扫描线114的交差处的像素110的等效电路，省略其它像素110的等效电路的说明。如图3所示,各像素110具有n沟道型的薄膜晶体管(thin film transistor:以下简略称为“TFT”) 110a、显示元件110b、辅助电容110c。在像素110中，TFTllOa的栅电极与第i行的扫描线112连接，另一方面，其源电极与第j列的数据线114连接，其漏电极分别与显示元件IlOb的一端即像素电极IOld和辅助电容IlOc的一端连接。辅助电容IlOc构成为通过形成在电路层IOlc中的一对电极夹持电介质层。辅助电容IlOc的另一端的电极跨各像素被施加公共的电压。像素电极IOld与公共电极层103b相对置，在像素电极IOld和公共电极层103b之间夹着电泳层102。由此，显示元件IlOb在等效电路中看时，通过像素电极IOld和公共电极层103b，成为夹持电泳层102的电容。并且，显示元件IlOb保持(存储)两电极间的电压，并且，按照通过该保持的电压而生成的电场方向来进行显示。另夕卜，在本实施方式中，通过省略图示的外部电路，各像素110的辅助电容IlOc的另一端的电极和公共电极层103b的电压施加公共的电压Vcom。返回图1，扫描线驱动电路130与显示区域100的各扫描线112连接。扫描线驱动
电路130根据控制器5的控制，按照第1、2、......、m行这样的顺序来选择扫描线112，对
选择出的扫描线112提供高(High)电平的信号，对未选择的其他扫描线112提供低(Low)电平的信号。数据线驱动电路140与显示区域的各数据线114连接，按照与选择出的扫描线112连接的像素110的I行的显示内容来分别向各列的数据线114提供数据信号。在从扫描线驱动电路130选择第I行的扫描线112开始直到第m行的扫描线112的选择结束为止的期间(以下，简单称为“帧期间”或“帧”)，各扫描线112各选择一次，每I帧对各像素110各提供一次I数据信号。扫描线112成为高电平后，使在该扫描线112上栅极所连接的TFTllOa成为导通状态，像素电极IOld与数据线114连接。在扫描线112为高电平时向数据线114提供数据信号后，该数据信号经由成为导通状态的TFTllOa被施加在像素电极IOld上。扫描线112成为低电平后，TFTllOa成为断开状态，通过数据信号而施加在像素电极IOld上的电压被积蓄在辅助电容IlOc中，电泳粒子按照像素电极IOld的电位以及公共电极层103b的电位之间的电位差(电压)进行移动。例如，在相对公共电极层103b的电位Vcom，像素电极IOld的电位是+15V的情况下，带负电的白的电泳粒子向像素电极IOld侧移动，带正电的黑的电泳粒子向公共电极层103b侧移动，像素110成为黑的显示。此外，在相对公共电极层103b的电位Vcom，像素电极IOld的电位是-15V的情况下，带正电的黑的电泳粒子向像素电极IOld侧移动，带负电的白的电泳粒子向公共电极层103b侧移动，像素110成为白的显示。此外，在本实施方式中，在使各像素110的显示状态从白(低浓度)向黑(高浓度)或从黑向白变化的时候，不是仅在I帧向像素110提供数据信号而使显示状态变化，而是通过跨多帧来向像素110提供数据信号的写入动作来使显示状态变化。这是由于，在使显示状态从白向黑变化时，即使仅在I帧对电泳粒子给予电位差，黑的电泳粒子也不能完全地都移动到显示侧，显示状态不会成为完全黑。这种情况对于使显示状态从黑向白变化的情况下的白的电泳粒子的也同样。由此，例如，在使像素Iio的显示状态从白向黑变化的情况下，跨多帧向像素110提供用于使像素110显示为黑的数据信号，在使像素110的显示状态从黑向白变化的情况下，跨多帧向像素110提供用于使像素110显示为白的数据信号。此外，在本实施方式，能够在I帧内将像素110的像素电极IOld作为相对公共电极层103b电位变高的正极，能够在同I帧内将其它像素110的像素电极IOld作为相对公共电极层103b电位变低的负极。也就是说，成为I帧内可相对公共电极层103b选择正极和负极两极的驱动(以下称为两极驱动)。更详细地，在I帧内，以将灰度变更为高浓度侧的像素110的像素电极IOld作为正极，以将灰度变更为低浓度侧的像素110的像素电极 IOld作为负极。再有，在黑的电泳粒子带负电、白的电泳粒子带正电的情况下，以将灰度变更为高浓度侧的像素110的像素电极IOld作为负极，以将灰度变更为低浓度侧的像素110的像素电极IOId作为正极即可。接着，说明控制器5的构成。图4是表示在控制器5中实现的功能的框图。在控制器5中，实现重写判断部501、写入状态判断部502、写入控制部503、数据更新部504、预定图像更新部505、写入区域判断部506、以及标记状态变更部507。另外，这些各模块可以由硬件实现，也可以在控制器5中设置CPU，通过在该CPU中执行程序来实现各模块。重写判断部501是对存储在VRAM3中的图像数据、和存储在预定图像数据存储区域7中的图像数据进行比较，并判断两者是否不同的模块。写入状态判断部502是参照存储在写入数据存储区域6中的数据，来判断用于使像素从黑向白或从白向黑变化的重写动作(写入动作)是否是在进行中的模块。另外，在写入数据存储区域6中设置如下区域白写入数据存储区域6A和黑写入数据存储区域6B，在该白写入数据存储区域6A中存储表示针对各像素从黑向白变更显示状态的动作是否是进行中的数据(第一写入数据)，在该黑写入数据存储区域6B中存储表示针对各像素从白向黑变更显示状态的动作是否是进行中的数据(第二写入数据)。此外，在写入数据存储区域6中，针对m行Xn列的像素110的各行设置标记存储区域6C。在标记存储区域6C中，对应m行Xn列的像素110的各行来设置存储区域。在该各存储区域中，存储访问标记，该访问标记表示是否存在需要在像素电极IOld和公共电极层103b之间产生电位差的像素110 (表示是否需要写入动作)。
写入控制部503是控制扫描线驱动电路130和数据线驱动电路140以便对像素电极IOld提供数据信号的模块。数据更新部504是在白写入数据存储区域6A和黑写入数据存储区域6B中写入数据的模块。预定图像更新部505是将存储在VRAM3中的图像数据覆写在存储于预定图像数据存储区域7中的图像数据之上的模块。写入区域判断部506是从RAM4(存储部)中获取访问标记，并判断是否对包含在对应于访问标记的行(区域)中的像素进行重写动作的模块。标记状态变更部507是在针对对应于访问标记的行(区域)的所有像素的重写动作结束了的情况下，将对应于该区域的访问标记变更为0的模块。接着，使用图5 图22说明显示装置1000的动作。再有，在图7 图22中，图像A表示在显示区域100中显示的图像。此外，像素Pij表示一个像素110。在此，下标的i表示按行列配置的像素110的行编号，j表示列编号，下面，确定像素110来进行说明的时候，例如将第I行第I列的像素110称为像素PU。再有，在图像A中，虽然针对各像素110为了能容易理解灰度，而用0到7的数字表示从黑到白的8阶段的灰度，但实际中并不显示此数字。此外，在显示区域100中，虽然在m行n列中存在像素110，但为了防止附图繁琐，而在图7 图22中图示出以像素110的排列作为4行4列，对4行4列的像素Pll P44进行图示。此外，在图7 图22中图示出在VRAM3中对应于像素Pll P44的存储区域Aij的内容、在预定图像数据存储区域7中对应于像素Pll P44的存储区域Bij的内容、在白写入数据存储区域6A中对应于像素Pll P44的存储区域Cij的内容、在黑写入数据存储区域6B中对应于像素Pll P44的存储区域Dij的内容、以及在标记存储区域6C中对应于从第I行到第4行的存储区域Ei的内容。另外，各存储区域的下标i表示按行列配置的存储区域的行编号，j表示列编号。例如，在确定存储区域来进行说明的时候，例如将第I行第I列的存储区域Aij称为存储区域Al I。在VRAM3的存储区域All A44中，存储显示在显示区域100中的图像的各像素的灰度，在预定图像数据存储区域7的存储区域Bll B44中，针对显示在显示区域100中的预定的图像来存储各像素的灰度。在白写入数据存储区域6A的存储区域Cll C44中，将使像素Pll P44成为白为止所需的电压的施加次数作为第一写入数据进行存储，在黑写入数据存储区域6B的存储区域Dll D44中，将使像素Pll P44成为黑为止所需的电压的施加次数作为第二写入数据进行存储。另外，第一写入数据及第二写入数据只要不是0就表示对像素的重写工作是进行中，如果是0就表示对像素的重写工作结束了。此外，在标记存储区域6C的存储区域El E4中存储访问标记，该访问标记表示在像素110的各行中是否存在需要在像素电极IOld和公共电极层103b之间产生电位差的像素110。例如，在第I行的像素110中，在存在为了变更像素110的显示状态而需要在像素电极IOld和公共电极层103b之间产生电位差的某像素110的情况下，存储在存储区域El中的访问标记的内容为1，在不存在需要产生电位差的像素110的情况下，存储在存储区域EI中的访问标记的内容为0。图5、6是表示控制器5进行的处理的流程的流程图。控制器5如图5所示，监视从控制部2向VRAM3写入图像数据，在向VRAM3写入了图像数据的情况下(在步骤SAl中为“是”)，针对存储区域Ei的整个区域将访问标记的内容设为I (步骤SA2)。此外，控制器5与图5的处理分开，执行图6所示的处理。首先，控制器5对在Ioopl、的重复处理中增加的变量i的值进行初始化，将其设为I (步骤SBl)。另外，Ioopl的重复处理重复与扫描线112的数目(m条)相同数目的次数。接着，控制器5判断存储在由变量i确定的存储区域Ei中的访问标记是否为I。这里，在存储区域Ei的访问标记为0的情况下(步骤SB2为“否”)，不进行loop2的重复处理，将变量i加上I后再次进行步骤SB2的处理。另一方面，控制器5在存储区域Ei的访问标记为I的情况下(步骤SB2为“是”)，将存储区域Ei的访问标记设为0(步骤SB3)。接着，控制器5对在loop2的重复处理中增加的变量j的值进行初始化，将其设为I (步骤SB4)，判断存储区域Cij的第一写入数据和存储区域Dij的第二写入数据两者是否为0(步骤SB5)。另外，loop2的重复处理重复与数据线114的条数(n条)相同数目的次数。控制器5在存储区域Cij的第一写入数据和存储区域Dij的第二写入数据两者为0的情况下(步骤SB5为“是”)，转移至步骤SB6，在第一写入数据和第二写入数据中的一者为0以外的情况下(步骤SB5为“否”)，转移至步骤 SBlO0控制器5在步骤SB5中判断为“否”时，将存储区域Ei的访问标记设为1(步骤SB10)。此外，控制器5从存储在存储区域Cij中的第一写入数据和存储在存储区域Dij中的第二写入数据之中值为0以外的数据中减去I (步骤SB11)。另外，对于值为0的第一写入数据或第二写入数据不减去I。此外，控制器5在步骤SB5中判断为“是”时，对存储在存储区域Aij中的数据和存储在存储区域Bij中的数据进行比较。这里，控制器5在两者不同的情况下(步骤SB6为“否”)，将像素Pij确定为新变更了显示状态的像素，并对确定的像素Pij涉及的数据进行更新。具体来说，控制器5将使像素Pij的灰度变更为存储区域Aij的灰度为止所需的对像素施加的电压的施加次数写入到写入数据存储区域6中(步骤SB7)。此外，控制器5将存储在存储区域Aij中的内容覆写在存储区域Bij的内容之上(步骤SB8)，并将存储区域Ei的访问标记设为I (步骤SB9)。控制器5在步骤SB12中判断变量j的值是否为n(数据线114的数目)。这里，在变量j的值不足n的情况下，将处理流程返回至步骤SB4，并在变量j上加上I。控制器5在步骤SB12中变量j的值为n的情况下，结束loop2的处理，在步骤SB13中判断变量i的值是否为m(扫描线112的数目)。控制器5在变量i的值不足m的情况下，将处理流程返回至步骤SBl，并在变量i上加上I。控制器5在变量i的值为m的情况下，结束Ioopl的处理，对扫描线驱动电路130和数据线驱动电路140进行控制，向所有的像素110提供数据信号(步骤SB14)。控制器5在步骤SB14的处理结束后将处理流程返回至步骤SBl。接着，参照图7 图22说明从在VRAM3中写入图像数据开始直到将图像数据的图像显示在显示区域100中为止的显示区域100中的显示的变化、VRAM3的内容的变化、预定图像数据存储区域7的内容的变化、写入数据存储区域6的内容的变化。在显示区域100的显示、VRAM3、写入数据存储区域6及预定图像数据存储区域7的状态成为图7的状态时，控制部2在将图像数据写入VRAM3中后，根据图像数据，VRAM3的状态成为图8所示的状态，通过图5所示的处理，标记存储区域6C的状态成为图8的状态。这里，在图6的处理中，通过步骤SBl的处理而变量i为I时，则由于存储区域El的访问标记为1，所以在步骤SB2中判断为“是”，在步骤SB3中将存储区域El的访问标记设为O。接着，在图8的状态下而变量i和变量j为I时，则在步骤SB5中判断为“是”，在步骤SB6中判断为“否”。存储区域Bll的内容表示黑，存储区域All的内容表示白，所以将像素Pll从黑变更为白，从而在步骤SB7中将7写入存储区域Cll中，在步骤SB8中将存储区域Al I的内容写入存储区域Bll中，在步骤SB9中存储区域El的访问标记成为1，成为图9所示的状态。接着，如果变量j成为2，则在步骤SB5中判断为“是”，在步骤SB6中判断为“否”。这样，进行步骤SB7至步骤SB9的处理，成为图10所示的状态。之后，如果推进图6所示的处理，变量i为3且变量j为3，则在步骤SB5中判断为“是”，在步骤SB6中判断为“否”。存储区域B33的内容表示白，存储区域All的内容表示黑，所以将像素Pll从白变更为黑，在步骤SB7中将7写入存储区域Dll中，在步骤SB8中将存储区域All的内容写入存储区域Bll中，在步骤SB9中存储区域E3的访问标记成为I。 此外，如果变量i和变量j成为4，则如图11所示，预定图像数据存储区域7的内容成为与VRAM3的内容相同。此外，在白写入数据存储区域6A中，成为将7写入存储区域CU、C12、C2UC22中的状态，在黑写入数据存储区域6B中，成为将7写入存储区域D33、D34、D43、D44中的状态。此外，存储区域El E4的访问标记成为I。Loopl的重复处理结束后，进行步骤SB14的处理。控制器5参照白写入数据存储区域6A、黑写入数据存储区域6B来控制数据线驱动电路140。若控制器5控制扫描线驱动电路130和数据线驱动电路140，则例如由于存储区域Cll的内容为0以外，所以在选择了第I行的扫描线112时对第I列的数据线114施加电压，以便像素电极IOld的电位相对于公共电极层103b的电位Vcom成为-15V。此外，在像素P12、P21、P22中，也由于存储区域C12、C21、C22的内容为0以外，所以在选择了扫描线112时，对数据线114施加电压，以便像素电极IOld的电位相对于公共电极层103b的电位Vcom成为-15V。此外，由于存储区域D33的内容为0以外，所以在选择了第3行的扫描线112时，对第3列数据线114施加电压，以便像素电极IOld的电位相对于公共电极层103b的电位Vcom成为+15V。此外，在像素P34、P43、P44中，也由于存储区域D34、D43、D44的内容为0以外，所以在选择了扫描线112时，对数据线114施加电压，以便像素电极IOld的电位相对于公共电极层103b的电位Vcom成为+15V。再有，关于其它的像素，由于在白写入数据存储区域6A中对应的存储区域的内容为0，且在黑写入数据存储区域6B中对应的存储区域的内容为0，所以在选择扫描线112时对数据线114施加电压，以便使像素电极IOld的电位和公共电极层103b的电位Vcom之差为0V。像这样在数据线114上施加电压后，在像素中白粒子和黑粒子会移动，显示区域100的显示成为图12所示出的状态。控制器5在步骤SB14的处理结束后使处理的流程返回至步骤SB1。在图12的状态下，在步骤SB2中，如果变量i为I，则在步骤SB2中判断为“是”，在步骤SB3中将存储区域El的访问标记设为O。接着，如果在图12的状态下变量i和变量j为1，则由于存储区域Cll不为0，所以在步骤SB5中判断为“否”，在步骤SBlO中，将存储区域El的访问标记设为I。接着，在步骤SBll中，从写入到存储区域Cll中的值中减去1，存储区域Cll的内容成为6。接着，如果变量j成为2，则在步骤SB5中判断为“否”，从写入到存储区域C12中的值中减去1，存储区域C12的内容成为6。之后，选择到像素P44时，如图13所示，存储区域C11、C12、C21、C22的内容成为6，存储区域D33、D34、D43、D44的内容成为6。图14是表示从图13所示的状态开始刚刚进行了第2次步骤SB14的处理之后的状态的图。这里，如图15所示，考虑重写VRAM3的内容的情况。控制部2将图像数据写入VRAM3中后,通过图5所示的处理,标记存储区域6C的所有访问标记成为I。接着,在图15的状态下，如果变量i成为2，变量j成为I，则在步骤SB5中判断为“否”，在步骤SBll中从写入存储区域C21中的值中减去1，存储区域C21的内容成为4。另一方面，如果变量i为2，变量j为3，则在步骤SB5中判断为“是”，在步骤SB6中判断为“否”。由于存储区域B23的内容表 示白，存储区域A23的内容表示黑，所以将像素P23从白变更为黑，在步骤SB7中将7写入存储区域D23中，在步骤SB8中将存储区域A23的内容写入存储区域B23中。这样，即使将VRAM3的内容从白重写为黑，对于正在进行重写为白的像素P21也推进向白的重写，对于没有进行重写的像素P23，将第二写入数据存储在黑写入数据存储区域6B中。此外，在图15的状态下，如果变量i为4，变量j为3，则在步骤SB5中判断为“否”，在步骤SBll中从写入存储区域D43中的值中减去1，存储区域D43的内容成为4。这样，即使将VRAM3的内容从黑重写为白，对于正在进行重写为黑的像素P43，也推进向黑的重写。之后，Ioopl的处理结束后，VRAM3和各存储区域的状态成为图16所示的状态。此夕卜，从图16所示的状态开始进行了步骤SB14的处理后，显示区域100的状态成为图17所示的状态，针对在VRAM3中与重写了内容的部分对应的像素，对于正在进行重写的像素推进进行中的重写，对于没有进行重写的像素新开始像素重写。进一步地，推进处理后，针对先开始重写的像素，第一写入数据和第二写入数据的值成为0，各存储区域和显示区域100的显示成为图18所示的状态。之后，将处理流程返回至步骤SB1，在变量i为I时，在步骤SB3中将存储区域El的访问标记设为O。此外，在变量i为I时，进行loop2的处理后，存储区域Cll C14和存储区域Dll D14为0，存储区域All A14和存储区域Bll B14为相同的值，所以在步骤SB5和步骤SB6中判断为“是”，存储区域El仍旧为O。此外，如果变量i为成2，变量j成为1，则在步骤SB5中判断为“是”，在步骤SB6中判断为“否”。由此，在步骤SB7中将7写入存储区域D21中，在步骤SB8中将存储区域A21的内容写入存储区域B21中，在步骤SB9中将存储区域E2的访问标记设为I。此外，如果变量i成为4，变量j成为1，则在步骤SB5中判断为“是”，在步骤SB6中判断为“否”。由此，在步骤SB7中将7写入存储区域C41中，在步骤SB8中将存储区域A41的内容写入存储区域B41中，在步骤SB9中将存储区域E4的访问标记设为I。之后，若在Ioopl的处理结束之前进行处理，则各存储区域的内容成为图19所示的状态，进行步骤SB14的处理后，成为图20所示的状态。接着，将处理流程返回至步骤SB1，在步骤SB2中如果变量i为1，则由于存储区域El的访问标记为0，则在步骤SB2中判断为“否”。如果在步骤SB2中判断为“否”，则不进行loop2的处理，仅将变量i的值增加I。这里，如果不进行loop2的处理，则对于与第I行的像素110对应的各存储区域，不进行用于进行步骤SB5和步骤SB6的判断的从控制器5向VRAM3和RAM4的访问。例如，在像素的列为数百列的显示区域的情况下，与不进行步骤SB2的处理的情况相比，由于不进行数百次的访问，所以抑制了消费电力。之后，推进处理后，存储区域的内容成为图21的状态，这里，进行步骤SB14的处理后，显示区域100的状态成为图21所示的状态，像素P23、P24、P31、P32的重写结束。此外，进一步地，推进处理后，像素P21、P22、P43、P44的重写被推进，最终成为图22所示的状态。根据本实施方式，即使先开始重写的区域和新进行重写的区域重叠，在新开始重写时，对于不是正在进行重写的部分，由于立即开始重写，所以用户感觉显示速度快。此外，根据本实施方式，对于在图像的重写中没有变更显示的行，在VRAM3和RAM4中，由于不对存储了该行的显示所涉及的数据的存储区域进行访问，因此能够抑制消费电力。电子设备 接着，说明应用了上述实施方式所涉及的电光学装置I的电子设备的例子。图23是表示使用了该电光学装置I的电子书阅读器的外观的图。电子书阅读器2000包括板状的框架2001、按钮9A 9F、上述实施方式涉及的电光学装置I、控制部2、VRAM3以及RAM4。在电子书阅读器2000中，露出显示区域100。在电子书阅读器2000中，将电子书籍的内容显示在显示区域100中，通过操作按钮9A 9F，翻开电子书籍的页。另外，此外，作为能够应用上述实施方式涉及的电光学装置I的电子设备，列举钟表、电子报纸、电子笔记本、电子计算器、便携式电话等。变形例以上虽然说明了本发明的实施方式的，但本发明不限于上述实施方式，以其它的各种各样的方式也可以实施。例如，将上述实施方式按如下这样变形，也可以实施本发明。再有，上述的实施方式及以下的变形例，也可以进行各种组合。在本发明中，也可以在步骤SB14中控制数据线驱动电路140时也参照标记存储区域6C，在访问标记为0的情况下，不访问白写入数据存储区域6A和黑写入数据存储区域6B。例如，在存储区域El的访问标记为0的情况下，由于表示在第I行的像素中在像素电极IOld和公共电极层103b之间没有产生电位差，所以不访问白写入数据存储区域6A和黑写入数据存储区域6B，在选择第I行的扫描线112时对各数据线114提供数据信号，以便与公共电极层103b的电位Vcom之间的电位差成为0V。根据该构成，在控制数据线驱动电路140时也能够减少对RAM4的访问而抑制消耗电力。在本发明中，在控制部2向VRAM3写入图像数据时，向控制器5通知显示状态变更的区域，控制器5也可以对与该通知的区域有关系的像素的行对应的存储区域Ei将访问标记的内容设为I。在上述实施方式中，在标记存储区域6C中，与m行Xn列的像素110的各行对应地来设置存储区域，但是标记存储区域6C的构成不限定为该构成。例如，如图24所示，也可以在标记存储区域6C中设置存储区域Ek，对于第I行和第2行设置I个存储区域，对于第3行和第4行设置I个存储区域，这样按像素110的每多行来设置存储区域Ek。在图24所示的标记存储区域6C中，存储区域El与第I行和第2行的像素对应，存储区域E2与第3行和第4行的像素对应。在该构成中，从图6所示的处理中删除步骤SB2、步骤SB3、步骤SB9、以及步骤SBlO的处理。此外，为了更新标记存储区域6C的内容，在执行步骤SB14处理之前，执行图25所示的处理，来进行标记存储区域6C的各存储区域的数据的更新，在步骤SB14中，如上述变形例那样，在控制扫描线驱动电路130和数据线驱动电路140时，也参照标记存储区域6C，在访问标记为0的情况下，不访问白写入数据存储区域6A和黑写入数据存储区域6B。在图25的处理中，通过loop3的处理来增加变量k。并且，在与存储区域Ek对应的存储区域Cij和存储区域Dij全都不为0的情况下(步骤SC2为“否”)，将存储区域Ek的访问标记设为O。例如，在k= I的情况下，在存储区域Cll C14、存储区域C21 C24、存储区域Dll D14以及存储区域D21 D14的值中任一个都为0以外的情况下，将存储区域El的访问标记设为I。此外，如果在步骤SC2中判断为“是”，则在与存储区域Ek对应的存储区域Cij和存储区域Dij的内容一致的情况下(在步骤SC4中为“是”)，将存储区域Ek的访问标记设为O。例如，在k= I的情况下，在存储区域All A14的每一个的内容与存储区域Bll B14的每一个的内容一致、且存储区域A21 A24的每一个的内容与存储区域B21 B24的每一个的内容一致的情况下，将存储区域El的访问标记设为O。另一方面，在步骤SC4中判断为“否”的情况下，将存储区域El的访问标记设为I。另外，也可 以构成为在标记存储区域6C中，不是按像素110的每2行来设置一个存储区域，而按每3行或每4行这样，不限定每2行，而按每多行来设置存储区域。在该构成中，在步骤SB14中控制数据线驱动电路140时，由于能够减少对RAM4的访问，因此能够抑制消耗电力。此外，在标记存储区域6C中，可以不是按像素110的每一行来设置一个存储区域，而是如图26所示，对于行方向上2行和列方向上2列共计4个像素110来设置I个存储区域Exy。在图26所示的标记存储区域6C中，例如，存储区域Ell与像素P11、P12、P21、P22对应，存储区域E12与像素P13、P14、P23、P24对应。在该构成中，从图6所示的处理中删除步骤SB2、步骤SB3、步骤SB9、以及步骤SBlO的处理。此外，为了更新标记存储区域6C的内容，在执行步骤SB14处理之前，执行图27所示的处理，来进行标记存储区域6C的各存储区域的数据的更新。在图27的处理中，通过loop5和loop6的处理来增加变量X和变量y。并且，在与存储区域Exy对应的存储区域Cij和存储区域Dij全都不为0的情况下(步骤SD3为“否”)，将存储区域Exy的访问标记设为I。例如，在X = I且y = I的情况下，在存储区域C11、C12、C21、C22和存储区域D11、D12、D21、D22的值中任一个都为0以外的情况下，将存储区域Ell的访问标记设为I。此外，在步骤SD3中判断为“是”的情况下，则在与存储区域Exy对应的存储区域Cij和存储区域Dij的内容一致的情况下(在步骤SD5中为“是”)，将存储区域Exy的访问标记设为O。例如,在X = I且y = I的情况下,在存储区域All和存储区域B11、存储区域A12和存储区域B12、存储区域A21和存储区域B21、存储区域A22和存储区域B22—致的情况下，将存储区域Ell的访问标记设为O。另外，在步骤SD5中判断为“否”的情况下，将存储区域Exy的访问标记设为I。在该构成中，在步骤SB14中控制数据线驱动电路140时，由于能够减少对RAM4的访问，因此能够抑制消耗电力。在上述实施方式中，以作为电光学装置具有电泳层102的装置为例进行了说明，但是并不是限定于此的主旨。电光学装置只要是通过多次施加电压的写入动作来进行用于使像素的显示状态从第一显示状 态变为第二显示状态的写入就可以是任意的装置，例如，也可以是使用了电子粉流体的电光学装置。
权利要求
1.一种电光学装置的控制装置，其特征在于，具备包括多个像素的显示部，通过多次施加电压的写入动作来进行用于使上述像素的显示状态从第一显示状态变化为第二显示状态的写入， 上述显示部具有多个区域， 上述电光学装置的控制装置具备 写入区域判断部，其从按每个上述区域来存储了表示是否需要对上述区域内的像素进行上述写入动作的访问标记的存储部中取得上述访问标记，并基于上述访问标记来判断是否对包含在与取得的上述访问标记对应的区域中的像素进行上述写入动作； 写入状态判断部，其针对包含在上述写入区域判断部判断为进行写入动作的区域中的像素，对写入存储器中的图像数据、和表示通过进行中的上述写入动作而显示在该显示部中的预定的图像的预定图像数据进行比较，在需要新的上述写入动作的情况下，对上述像素判断前一次的写入动作是否是进行中； 写入控制部，其在上述写入状态判断部判断为针对上述像素的上述写入动作不是进行中的情况下，对上述像素开始新的上述写入动作，在上述写入状态判断部中对上述像素判断为上述写入动作是进行中的情况下，继续进行中的上述写入动作，在进行中的上述写入动作结束后，开始新的上述写入动作；以及 标记状态变更部，其在针对包含在上述区域中的所有像素的上述写入动作结束的情况下，将与该区域对应的访问标记变更为不需要上述写入动作的状态。
2.根据权利要求I所述的电光学装置的控制装置，其特征在于， 以多行多列来设置上述多个像素，上述像素的I行是I个上述区域。
3.根据权利要求I所述的电光学装置的控制装置，其特征在于， 以多行多列来设置上述多个像素，上述像素的多行是I个上述区域。
4.根据权利要求I所述的电光学装置的控制装置，其特征在于， 以多行多列来设置上述多个像素，相邻的2行以上且2列以上的像素的块是I个上述区域。
5.根据权利要求I 4中任一项所述的电光学装置的控制装置，其特征在于， 在向上述存储器写入了图像数据的情况下，将按上述多个区域的每一个区域而设置的各访问标记设为需要写入动作的状态。
6.一种电光学装置，其特征在于，具备包括多个像素的显示部，通过多次施加电压的写入动作来进行用于使上述像素的显示状态从第一显示状态变化为第二显示状态的写入， 上述显示部具有多个区域， 上述电光装置具备 写入区域判断部，其从按每个上述区域来存储了表示是否需要对上述区域内的像素进行上述写入动作的访问标记的存储部中取得上述访问标记，并基于上述访问标记来判断是否对包含在与取得的上述访问标记对应的区域中的像素进行上述写入动作； 写入状态判断部，其针对包含在上述写入区域判断部判断为进行写入动作的区域中的像素，对写入存储器中的图像数据、和表示通过进行中的上述写入动作而显示在该显示部中的预定的图像的预定图像数据进行比较，在需要新的上述写入动作的情况下，对上述像素判断前一次的写入动作是否是进行中；写入控制部，其在上述写入状态判断部判断为针对上述像素的上述写入动作不是进行中的情况下，对上述像素开始新的上述写入动作，在上述写入状态判断部对上述像素判断为上述写入动作是进行中的情况下，继续进行中的上述写入动作，在进行中的上述写入动作结束后，开始新的上述写入动作；以及 标记状态变更部，其在针对包含在上述区域中的所有像素的上述写入动作结束的情况下，将与该区域对应的访问标记变更为不需要上述写入动作的状态。
7.—种电子设备,其特征在于， 具有权利要求6所述的电光学装置。
全文摘要
本发明提供一种电光学装置的控制装置、电光学装置以及电子设备。在显示部的多个区域的每一个区域中设置表示是否需要对该区域内的像素进行写入动作的访问标记。针对各区域基于访问标记来判断该动作是否需要，在该动作为需要的情况下，对写入存储器中的图像数据和预定图像数据进行比较。其结果，在新的写入动作为需要的情况下，针对各像素，在前一次的写入动作结束后，开始新的写入动作。在针对包含在区域中的所有像素的写入动作结束的情况下，将与该区域对应的访问标记变更为不需要写入动作的状态。
文档编号G09G3/34GK102737587SQ20121009290
公开日2012年10月17日 申请日期2012年3月31日 优先权日2011年4月7日
发明者山田裕介 申请人:精工爱普生株式会社