专利名称：显示装置和显示装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及显示装置和显示装置的制造方法，特别涉及对可动快门的位置进行电控制来显示图像的显示装置的结构及其制造方法。
背景技术：
近年来，人们提出了一种对可动快门的位置进行电控制来显示图像的显示器(以下称为可动快门方式的显示器)。可动快门方式的显示器例如在专利文献I (日本特开2008-197668号公报)中已有公开。
以往提出的可动快门方式的显示器的像素中，可动快门配置在一对电极之间，通过施加在一对电极上的电压，对可动快门的位置进行电控制以显示图像。例如,在一对电极中一个电极的电压是GND电压,一对电极中另一个电极的电压是Vdd电压的情况下,可动快门向一对电极中另一个电极一侧移动,在一对电极中一个电极的电压是Vdd电压,一对电极中另一个电极的电压是GND电压的情况下，可动快门向一对电极中一个电极一侧高速移动。这样，例如在可动快门向一对电极中另一个电极一侧移动的情况下，背光源的光透过，像素成为发光状态，在可动快门向一对电极中一个电极一侧移动的情况下，背光源的光不透过，像素成为不发光状态。由此，能够像液晶显示面板、等离子体显示面板一样显示图像。以往提出的可动快门方式的显示器中，因为需要对可动快门输入电信号，所以可动快门包含掺杂有杂质的非晶硅膜(以下称为n+a-Si膜)。在可动快门包含n+a-Si膜的情况下，残余应力强的n+a-Si膜导致可动快门的可动部变形而不再能够驱动，所以可动快门需要对于拉伸应力和压缩应力都为低残余应力的n+a-Si 膜。此外，压缩应力(MPa)为“O”附近的n+a-Si膜，是表面电阻值(Sheet Resistance,表面电阻率)为低电阻的情况与表面电阻值为高电阻的情况同时存在的不稳定的膜。另外，可动快门也起到从基板一侧传递电信号的接触层的作用，但当接触层由表面电阻值为高电阻的n+a-Si膜构成时，为了使可动部动作而需要高电压，所以该接触层优选表面电阻值为低电阻的n+a-Si膜。本发明是为了解决上述现有技术的问题点的而提出的，本发明的目的在于提供一种在可动快门方式的显示器中，能够通过减小残余内部应力，来使用低残余应力的稳定的非晶硅膜形成可动快门的技术。本发明的上述以及其他目的和新的特征，将通过说明书的记载和附图进行说明。
发明内容
本申请公开的发明中，对代表性的例子的概要进行简单说明，如下上述。本发明提供一种显示装置，具有包括第一基板和第二基板的显示面板，上述显示面板具有多个像素，上述各像素具有包含非晶硅的可动快门，和驱动上述可动快门的驱动电路，上述可动快门的上述非晶硅由至少2个非晶硅膜构成，当令上述至少2个非晶硅膜中彼此邻接的2个非晶硅膜为第一非晶硅膜和层叠在上述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜时，上述第一非晶硅膜与上述第二非晶硅膜的特性值不同。此外，本发明的显示装置中，上述可动快门形成在上述第二基板上，上述可动快门的上述非晶硅，由从上述第二基板一侧起的上述第一非晶硅膜和层叠在上述第一非晶硅膜上的上述第二非晶硅膜这2个非晶硅膜构成，上述第一非晶硅膜的折射率比上述第二非晶硅膜的折射率高。
此外，本发明的显示装置中，上述可动快门形成在上述第二基板上，上述可动快门的上述非晶硅，由从上述第二基板一侧起的上述第一非晶硅膜和层叠在上述第一非晶硅膜上的上述第二非晶硅膜这2个非晶硅膜构成，上述第一非晶硅膜的折射率比上述第二非晶硅膜的折射率低。此外，本发明的显示装置中，上述可动快门形成在上述第二基板上，上述可动快门的上述非晶硅，由从上述第二基板一侧起的上述第一非晶硅膜和层叠在上述第一非晶硅膜上层叠的上述第二非晶硅膜这2个非晶硅膜构成，上述第一非晶硅膜的表面电阻值比上述第二非晶娃膜的表面电阻值低。此外，本发明的显示装置中，上述可动快门形成在上述第二基板上，上述可动快门的上述非晶硅，由从上述第二基板一侧起的上述第一非晶硅膜和层叠在上述第一非晶硅膜上层叠的上述第二非晶硅膜这2个非晶硅膜构成，上述第一非晶硅膜的表面电阻值比上述第二非晶硅膜的表面电阻值高。此外，本发明的显示装置中，上述可动快门形成在上述第二基板上，上述可动快门的上述非晶硅，由从上述第二基板一侧起的上述第一非晶硅膜、层叠在上述第一非晶硅膜上的上述第二非晶硅膜和层叠在上述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜这3个非晶硅膜构成，上述第一和第三非晶硅膜的折射率比上述第二非晶硅膜的折射率高。此外，本发明的显示装置中，上述可动快门形成在上述第二基板上，上述可动快门的上述非晶硅，由从上述第二基板一侧起的上述第一非晶硅膜、层叠在上述第一非晶硅膜上的上述第二非晶硅膜和层叠在上述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜这3个非晶硅膜构成，上述第一和第三非晶硅膜的折射率比上述第二非晶硅膜的折射率低。此外，本发明的显示装置中，上述可动快门形成在上述第二基板上，上述可动快门的上述非晶硅，由从上述第二基板一侧起的上述第一非晶硅膜、层叠在上述第一非晶硅膜上的上述第二非晶硅膜和层叠在上述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜这3个非晶硅膜构成，上述第一和第三非晶硅膜的表面电阻值比上述第二非晶硅膜的表面电阻值低。此外，本发明的显示装置中，上述可动快门形成在上述第二基板上，上述可动快门的上述非晶硅，由从上述第二基板一侧起的上述第一非晶硅膜、层叠在上述第一非晶硅膜上的上述第二非晶硅膜和层叠在上述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜这3个非晶硅膜构成，上述第一和第三非晶硅膜的表面电阻值比上述第二非晶硅膜的表面电阻值高。此外，本发明的显示装置中，上述可动快门具有形成在与上述第一基板相对的一侧的面上的金属层。此外，本发明的显示装置中，上述可动快门包括遮蔽部；与上述遮蔽部连接的弹簧部；和与上述弹簧部连接的锚固部，上述锚固部固定在上述第二基板上，支承上述遮蔽部和上述弹簧部。本发明还提供一种显示装置的制造方法，上述显示装置具有包括第一基板和第二基板的显示面板，上述显示面板具有多个像素，上述各像素具有包含非晶硅的可动快门，和驱动上述可动快门的驱动电路，上述显示装置的制造方法包括在上述第一基板上形成规定形状的第一抗蚀剂膜的工序I ;在上述工序I中形成的第一抗蚀剂膜上，形成至少2个非晶硅膜的工序2 ;在上述至少2个非晶硅膜上形成规定形状的第二抗蚀剂膜的工序3 ;以上述第二抗蚀剂膜为掩模，对上述至少2个非晶硅膜进行蚀刻的工序4 ;和除去上述工序I中形成的上述第一抗蚀剂膜的工序5，在上述工序2中形成的上述至少2个非晶硅膜中，当令彼此邻接的2个非晶硅膜为第一非晶硅膜和层叠在上述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜时，上述第一非晶硅膜与上述第二非晶硅膜在不同的成膜生成条件下形成。此外，本发明的显示装置的制造方法中，上述工序2包括在上述工序I中形成的上述第一抗蚀剂膜上形成上述第一非晶硅膜的工序21 ;在与上述工序21不同的成膜生成条件下形成上述第二非晶硅膜的工序22 ;和在与上述工序22不同的成膜生成条件下形成 第三非晶硅膜的工序23。此外，本发明的显示装置的制造方法中，还包括在上述工序2中形成的非晶硅膜上形成金属膜的工序，上述工序3中，在形成于上述非晶硅膜上的上述金属膜上形成第二抗蚀剂膜，上述工序4，是以上述第二抗蚀剂膜为掩模，对上述工序2中形成的上述非晶硅膜和上述金属膜进行蚀刻的工序。
图I是表示作为本发明的前提的显示装置的显示面板的概要结构的图。图2是用于说明作为本发明的前提的显示装置的显示原理的图。图3是用于说明作为本发明的前提的显示装置的一例的截面结构的示意图。图4是用于说明作为本发明的前提的显示装置的其他例子的截面结构的示意图。图5是用于说明图4所示的可动快门的一例的立体图。图6是图5所示的可动快门的俯视图。图7A是用于说明本发明的实施例的可动快门的俯视图。图7B是用于说明本发明的实施例的可动快门的侧视图。图8是用于说明本发明的实施例的可动快门中所包含的非晶硅膜的结构的截面图。图9是用于说明作为本发明的前提的显示装置的可动快门的问题点的图。图10是表示非晶硅膜的膜应力(MPa)与表面电阻值的关系的曲线图。图11是用于说明本发明的实施例的可动快门的制造方法的图。图12是用于说明本发明的实施例的可动快门的制造方法的图。图13是用于说明本发明的实施例的可动快门的制造方法的图。
具体实施例方式以下参照附图详细说明本发明的实施例。
其中，在用于说明实施例的所有附图中，对于具有相同功能的部分标注相同的附图标记，省略其重复说明。此外，以下实施例并不限定本发明的权利要求的解释。以下说明中，当记载元件或层位于其它元件或层之“上”时，不仅包括位于其它元件或层的正上方(紧挨着)，还包括中间存在其它层或其它元件的情况。[作为本发明的前提的显示装置]图I是表示作为本发明的前提的显示装置的显示面板的概要结构的图。图I中，100是显示面板，显示面板100具有扫描线驱动电路104和影像线驱动电路102。对于显示面板100经由挠性基板103从外部输入显示数据、显示控制信号。图I中，101是显示区域，在显示区域101中，配置有从扫描线驱动电路104供给选择扫描信号的多个扫描线(gl、g2、g3、……)，和从影像线驱动电路供给数据电压的多个影像线(dl、d2、d3、......)。与液晶显示面板等同样地，在扫描线(gl、g2、g3、......)与影像线(dl、d2、d3、......)
交叉的位置上配置有像素。其中，扫描线驱动电路104和影像线驱动电路102可以由安装在基板上的半导体芯片中搭载的电路构成，或者，扫描线驱动电路104和影像线驱动电路102也可以由形成在基板上的、半导体层包括多晶硅层的薄膜晶体管构成。图2是用于说明作为本发明的前提的显示装置的显示原理的图。如图2所示，在第一基板200的显示区域101中，形成有多个开口 201，由可动快门202控制各开口的开闭。其中，图2中所有开口为打开的状态，如果可动快门202覆盖对应的开口 201，则成为关闭状态。例如，在可动快门202打开对应的开口 201的状态下，背光源的光透过，像素成为发光状态，在可动快门202覆盖对应的开口 201的状态下，背光源的光不透过，像素成为不发光状态。由此显示图像。图3是用于说明作为本发明的前提的显示装置的一例的截面结构的示意图，图4是用于说明作为本发明的前提的显示装置的其他例子的截面结构的示意图。图3、图4中，111是第一基板(对置基板)，113是第二基板(MEMS基板)。在第一基板111上，除了开口 201外，形成有遮光膜112。此外，如图3所示，在第一基板111 一侧配置有背光源(BL)。在第二基板113上，设置有TFT电路形成部114。在该TFT电路形成部114中，形成有未图示的锁存电路等。其中，TFT电路形成部114的各晶体管由半导体层包括多晶硅层的薄膜晶体管形成。在TFT电路形成部114上，配置有可动快门118。对该可动快门118，经由接触部117供给规定的电压。图3中，在TFT电路形成部114上设置有电极116。对于电极116，经由接触部115供给从未图示的锁存电路输出的2个输出电压中的一个输出电压。图3中，通过在可动快门118与电极116之间施加电场，而使可动快门118向电极116 —侧移动。图4中，在TFT电路形成部114上设置有电极116和电极122。对于电极116，经由接触部115供给从未图不的锁存电路输出的2个输出电压中的一个输出电压，对于电极122，经由接触部121供给从未图示的锁存电路输出的2个输出电压中的另一个输出电压。
图4中，通过对可动快门118与电极116之间施加电场，而使可动快门118向电极116 —侧移动，同样地，通过在可动快门118与电极122之间施加电场，而使可动快门118向电极122 —侧移动。其中，图3、图4中119是密封部件，120是配置在密封部件119与TFT电路形成部114之间的接触部。此外，图3、图4中仅表示了 I个像素的结构。图5是用于说明图4所示的可动快门118的一例的立体图，图6是图5所示的可动快门的俯视图。图5、图6中，211是可动快门的遮蔽部，212是可动快门的开口部，213是第一弹簧,214是第二弹簧，215、216是锚固部。锚固部215是用于将可动快门的遮蔽部211和第一弹簧213固定在第二基板113上的单元，兼用作从TFT电路形成部114对可动快门的遮蔽部211和第一弹簧213供电的部件。此处，通过第一弹簧213使可动快门的遮蔽部211和可动快门的开口部212配置成 悬浮在空中的状态。此外,第一弹簧213对应于电极116和电极122。锚固部216是用于将第二弹簧214固定在第二基板113上的单元，兼用作从TFT电路形成部114对第二弹簧214供电的部件。通过在第一弹簧213与第二弹簧214之间施加电场，使第一弹簧213向第二弹簧214 一侧移动，由此可动快门的遮蔽部211和可动快门的开口部212移动。图5、图6所示的可动快门中，通过利用可动快门的遮蔽部211覆盖形成在第一基板111上的开口 201,使像素成为非点亮状态。作为本发明的前提的可动快门方式的显示器中，需要对可动快门输入电信号，所以可动快门包含掺杂有杂质的非晶硅膜(以下称为n+a-Si膜)。[实施例]图7是用于说明本发明的实施例的可动快门的图，该图(a)是俯视图，图(b)是侧视图。本申请实施例的可动快门118与图5所示的可动快门118的不同之处在于，设置了锚固部222和连接部220、221。本实施例中，通过从TFT电路形成部114对锚固部215、222中的某一个供电，能够对可动快门118供电。 本实施例中，可动快门虽然也包含掺杂了杂质的n+a-Si膜，但本实施例中，可动快门中所包含的n+a-Si膜特征在于，由至少2个非晶硅膜层叠构成，令彼此邻接的2个非晶娃膜为第一非晶娃膜A和层叠在第一非晶娃膜A上的第二非晶娃膜B,第一非晶娃膜A与第二非晶硅膜B的特性值不同。例如，如图8 (a)所示，本实施例中，可动快门包括由表面电阻值为低电阻的n+a-Si膜10和表面电阻值为高电阻的n+a-Si膜11这2个n+a-Si膜层叠而成的结构。此夕卜，图8中13是构成反射膜的金属膜。由于表面电阻值为低电阻的n+a-Si膜是致密的、压缩应力强的膜，所以在例如可动快门由表面电阻值为低电阻的n+a-Si膜构成的情况下，最坏的情况下如图9所示，存在可动快门变形，可动快门的移动部与TFT电路形成部114接触，导致快门不再能够驱动的可倉泛。此外，如图10所示，压缩应力(MPa)为“O”附近的n+a_Si膜，是表面电阻值为低电阻的情况和表面电阻值为高电阻的情况同时存在而不稳定的膜。对此，本实施例中，如图8 (a)所不,将表面电阻值为低电阻的n+a-Si膜10和表面电阻值为高电阻的n+a-Si膜11层叠构成可动快门。如图10所示，表面电阻值为低电阻的n+a-Si膜10是压缩应力强的膜，表面电阻值为高电阻的n+a-Si膜11是拉伸应力强的膜。因此，通过控制n+a-Si膜10的膜厚和n+a-Si膜11的膜厚，能够使n+a-Si膜整体的膜应力(MPa)成为“O”附近的值。进而，n+a-Si膜整体的表面电阻值由表面电阻值为低电阻的n+a-Si膜10决定，所以本实施例中，能够分别独立地控制n+a-Si膜整体的表面电阻值和膜应力(MPa)，所以能够扩大成膜条件的窗口。
其中，图10是表示n+a-Si膜的膜应力(MPa)与表面电阻值(Ω/ □)的关系的曲线图。特别是，通过使表面电阻值为低电阻的n+a-Si膜10为下层，能够使锚固部(215、222)的与TFT电路形成部114接触的一侧的表面电阻值为低电阻，所以能够降低为了使可动快门动作而对锚固部(215、222)输入的电压。另外，上述说明中，表面电阻值不足IOM(Ω / □)则为低电阻，IOM ( Ω/ □)以上则为高电阻。另外，由于表面电阻值为低电阻的n+a-Si膜10是致密的膜，而表面电阻值为高电阻的n+a-Si膜11是不那么致密的膜，所以n+a-Si膜10与n+a-Si膜11的折射率不同。即，表面电阻值为低电阻的n+a-Si膜10是致密的膜，所以其折射率比表面电阻值为高电阻的n+a-Si膜11的折射率高。图11至图13是用于说明本实施例的可动快门的制造工序的图。以下用图11至图13说明本实施例的可动快门的制造方法。首先，在第二基板113上形成TFT电路形成部114 (图11 (a))。接着，在TFT电路形成部114上使用光刻技术形成锚固部抗蚀剂膜31和可动快门用抗蚀剂膜32 (图11 (b))。接着，在锚固部抗蚀剂膜31和可动快门用抗蚀剂膜32上，利用CVD法形成第一n+a-Si膜33 (图11 (C))。该工序中，形成表面电阻值为低电阻、压缩应力强的n+a-Si膜。接着，在第一 n+a-Si膜33上，改变生成条件，利用CVD法形成第二 n+a-Si膜34(图11 (d))。该工序中，形成表面电阻值为高电阻、拉伸应力强的n+a-Si膜。此处,第一 n+a-Si膜33和第二 η+a-Si膜34通过改变成膜生成条件而在同一处理室内连续进行成膜。例如，第一 n+a-Si膜33和第二 n+a-Si膜34按照以下表I所示的成膜生成条件生成。[表 I]
项目单位第一 n+a-Si膜第二 n+a-Si膜
SiH4ml/min4050
权利要求
1.一种显示装置，其特征在于 具有包括第一基板和第二基板的显示面板， 所述显示面板具有多个像素， 所述各像素具有包含非晶硅的可动快门，和驱动所述可动快门的驱动电路， 所述可动快门的所述非晶硅由至少2个非晶硅膜构成，当令所述至少2个非晶硅膜中彼此邻接的2个非晶硅膜为第一非晶硅膜和层叠在所述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜时，所述第一非晶硅膜与所述第二非晶硅膜的特性值不同。
2.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于 所述可动快门形成在所述第二基板上， 所述可动快门的所述非晶硅，由从所述第二基板一侧起的所述第一非晶硅膜和层叠在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜这2个非晶硅膜构成， 所述第一非晶硅膜的折射率比所述第二非晶硅膜的折射率高。
3.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于 所述可动快门形成在所述第二基板上， 所述可动快门的所述非晶硅，由从所述第二基板一侧起的所述第一非晶硅膜和层叠在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜这2个非晶硅膜构成， 所述第一非晶硅膜的折射率比所述第二非晶硅膜的折射率低。
4.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于 所述可动快门形成在所述第二基板上， 所述可动快门的所述非晶硅，由从所述第二基板一侧起的所述第一非晶硅膜和层叠在所述第一非晶硅膜上层叠的所述第二非晶硅膜这2个非晶硅膜构成， 所述第一非晶硅膜的表面电阻值比所述第二非晶硅膜的表面电阻值低。
5.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于 所述可动快门形成在所述第二基板上， 所述可动快门的所述非晶硅，由从所述第二基板一侧起的所述第一非晶硅膜和层叠在所述第一非晶硅膜上层叠的所述第二非晶硅膜这2个非晶硅膜构成， 所述第一非晶硅膜的表面电阻值比所述第二非晶硅膜的表面电阻值高。
6.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于 所述可动快门形成在所述第二基板上， 所述可动快门的所述非晶硅，由从所述第二基板一侧起的所述第一非晶硅膜、层叠在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜和层叠在所述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜这3个非晶硅膜构成， 所述第一和第三非晶硅膜的折射率比所述第二非晶硅膜的折射率高。
7.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于 所述可动快门形成在所述第二基板上， 所述可动快门的所述非晶硅，由从所述第二基板一侧起的所述第一非晶硅膜、层叠在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜和层叠在所述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜这3个非晶硅膜构成， 所述第一和第三非晶硅膜的折射率比所述第二非晶硅膜的折射率低。
8.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于 所述可动快门形成在所述第二基板上， 所述可动快门的所述非晶硅，由从所述第二基板一侧起的所述第一非晶硅膜、层叠在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜和层叠在所述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜这3个非晶硅膜构成， 所述第一和第三非晶硅膜的表面电阻值比所述第二非晶硅膜的表面电阻值低。
9.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于 所述可动快门形成在所述第二基板上， 所述可动快门的所述非晶硅，由从所述第二基板一侧起的所述第一非晶硅膜、层叠在所述第一非晶硅膜上的所述第二非晶硅膜和层叠在所述第二非晶硅膜上的第三非晶硅膜这3个非晶硅膜构成， 所述第一和第三非晶硅膜的表面电阻值比所述第二非晶硅膜的表面电阻值高。
10.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于 所述可动快门具有形成在与所述第一基板相对的一侧的面上的金属层。
11.如权利要求I所述的显示装置，其特征在于 所述可动快门包括 遮蔽部； 与所述遮蔽部连接的弹簧部；和 与所述弹簧部连接的锚固部， 所述锚固部固定在所述第二基板上，支承所述遮蔽部和所述弹簧部。
12.—种显示装置的制造方法，其特征在于 所述显示装置中， 具有包括第一基板和第二基板的显示面板， 所述显示面板具有多个像素， 所述各像素具有包含非晶硅的可动快门，和驱动所述可动快门的驱动电路， 所述显示装置的制造方法包括 在所述第一基板上形成规定形状的第一抗蚀剂膜的工序I ; 在所述工序I中形成的第一抗蚀剂膜上，形成至少2个非晶硅膜的工序2 ； 在所述至少2个非晶硅膜上形成规定形状的第二抗蚀剂膜的工序3 ； 以所述第二抗蚀剂膜为掩模，对所述至少2个非晶硅膜进行蚀刻的工序4 ;和 除去所述工序I中形成的所述第一抗蚀剂膜的工序5， 在所述工序2中形成的所述至少2个非晶硅膜中，当令彼此邻接的2个非晶硅膜为第一非晶硅膜和层叠在所述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜时，所述第一非晶硅膜与所述第二非晶硅膜在不同的成膜生成条件下形成。
13.如权利要求12所述的显示装置的制造方法，其特征在于 所述工序2包括 在所述工序I中形成的所述第一抗蚀剂膜上形成所述第一非晶硅膜的工序21 ； 在与所述工序21不同的成膜生成条件下形成所述第二非晶硅膜的工序22 ;和 在与所述工序22不同的成膜生成条件下形成第三非晶硅膜的工序23。
14.如权利要求12所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括 在所述工序2中形成的非晶硅膜上形成金属膜的工序， 所述工序3中，在形成于所述非晶硅膜上的所述金属膜上形成第二抗蚀剂膜， 所述工序4，是以所述第二抗蚀剂膜为掩模，对所述工序2中形成的所述非晶硅膜和所述金属膜进行蚀刻的工序。
全文摘要
本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法。在可动快门方式的显示器中，使用低残留应力的稳定的非晶硅膜形成可动快门。显示装置中，具有包括第一基板和第二基板的显示面板，上述显示面板具有多个像素，上述各像素具有包含非晶硅的可动快门，和驱动上述可动快门的驱动电路，上述可动快门的上述非晶硅由至少2个非晶硅膜构成，当令上述至少2个非晶硅膜中彼此邻接的2个非晶硅膜为第一非晶硅膜和层叠在上述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜时，上述第一非晶硅膜与上述第二非晶硅膜的特性值不同。
文档编号G09G3/34GK102809812SQ20121017844
公开日2012年12月5日 申请日期2012年6月1日 优先权日2011年6月2日
发明者新田秀和, 大仓理, 海东拓生, 松本克巳 申请人:株式会社日立显示器