显示装置、显示装置的驱动方法以及电子设备与流程

本发明涉及显示装置、显示装置的驱动方法和电子设备。

背景技术：
有机EL显示装置的驱动系统大致可分为无源矩阵系统和有源矩阵系统的。在无源矩阵系统中，包括有机EL元件的像素电路被连接到每一条按线顺序（line-sequentially）扫描的扫描线和信号线的交叉部分，有机EL元件的驱动电流流过选择的扫描线和选择的信号线。在这种无源矩阵系统中，由于配置复杂装置不是必须的，因此装置的制造工艺比有源矩阵系统更简单。如在例如日本未经审查的专利申请公开第2006-215274号中描述的，在有源矩阵系统中，被设置具有有机EL元件、采样晶体管、驱动晶体管、存储电容等的像素电路被设置在扫描线和信号线的交叉部分。在按线顺序扫描的扫描线和信号线的交叉部分，信号线的信号电位被保持在存储电容中，有机EL元件的驱动电流具有与存储电容所保持的信号电位对应的大小。在有源矩阵系统中，由于在扫描线未被选择的时刻提供驱动电流，因此与无源矩阵系统相比，帧周期较长，并可以增大显示装置的尺寸。

技术实现要素：
根据本说明书所描述的一个实施例，一种显示装置包括像素电路和通过扫描线提供控制信号给像素电路的扫描线驱动电路。扫描线驱动电路生成在参考电位和控制电位之间转换的控制信号，控制电位依赖于温度条件改变。根据另一个实施例，提供了一种显示装置，包括：多个像素电路；以及通过扫描线提供控制信号给该多个像素电路的扫描线驱动电路，其中该扫描线驱动电路包括：提供控制电位的电压供应电路；以及通过在参考电位和控制电位之间切换生成控制信号的输出缓冲器，当工作温度增加时，电压供应电路增加控制电位和参考电位之间的差异。根据另一个实施例，提供了一种显示装置的驱动方法，该显示装置包括：多个像素电路；以及通过扫描线提供控制信号给该多个像素电路的扫描线驱动电路，其中该扫描线驱动电路包括：提供控制电位的电压供应电路；以及通过在参考电位和控制电位之间切换生成控制信号的输出缓冲器，该方法包括：当通过在参考电位和控制电位之间切换生成控制信号时，当工作温度上升时增加控制电位和参考电位之间的差异。根据本说明书所描述的至少一个实施例，由于控制电位和参考电位之间的差异随着工作温度的上升而增加，因此可以抑制由工作温度上升而引起的控制信号的钝化（blunting）。因此，可以抑制输入到像素电路中的控制信号的瞬态响应时间根据显示装置的工作温度的变化。附图说明图1是示出根据本发明的一个实施例的显示装置的整体结构的框图。图2是示出本发明的一个实施例中的像素电路的结构的电路图。图3是示出根据本发明的一个实施例的显示装置的驱动模式的时序图。图4是示出本发明的一个实施例中的像素阵列的显示区域的图。图5是示出本发明的一个实施例中迁移率修正操作使用的控制信号的波形图。图6是示出本发明的一个实施例中的光扫描仪的结构的框图。图7是示出本发明的一个实施例中的输出缓冲器的结构的电路图。图8是示出相关技术领域的一个实例中的门脉冲的波形与温度相关性的波形图。图9是示出本发明的一个实施例中的门脉冲的波形与温度相关性的波形图。图10是示出相同温度下的门脉冲的波形图。图11是示出本发明的一个实施例中的串扰率和温度之间的关系的曲线图。图12是示出作为根据本发明的一个实施例的电子设备的实例的电子书阅读器的透视图。图13是示出作为根据本发明的一个实施例的电子设备的实例的个人计算机的透视图。图14是示出作为根据本发明的一个实施例的电子设备的实例的电视机的透视图。图15是示出作为根据本发明的一个实施例的电子设备的实例的数字静态照相机的透视图。图16是示出作为根据本发明的一个实施例的电子设备的实例的数字静态照相机的平面图。图17是示出作为根据本发明的一个实施例的电子设备的实例的数字摄像机的透视图。图18是示出作为根据本发明的一个实施例的电子设备的实例的移动电话终端的透视图。图19是示出作为根据本发明的一个实施例的电子设备的实例的上述移动电话终端的透视图。具体实施方式在如在以上的背景中介绍的系统中，多条扫描线中的每一条连接输出脉冲信号的光扫描仪，光扫描仪将用于控制有机EL元件发光的控制信号以脉冲信号的形式提供给多条扫描线中的每一条。通常地，在光扫描仪的输出电路中，由于控制信号的波形通过输出缓冲器（如，反相器电路）整形，因此控制信号的波形响应于显示器工作温度的变化而产生变形。其结果是，控制信号在瞬态响应时间发生变化，因此有机EL元件的发光状态发生变化。人们希望提供一种可以抑制输入像素电路的控制信号在瞬态响应时间根据显示装置的工作温度的变化的显示装置、一种驱动该显示装置的方法以及一种电子设备。在下文中，将对根据本发明的一个实施例的显示装置被实施在有机EL显示装置中的实施例进行说明。首先，将参照图1对被包括在有机EL显示装置中的整体电路的结构进行说明。如图1所示，显示装置10包括像素阵列20、用作扫描线驱动电路的光扫描仪30、扫描仪驱动（drivescanner）40和用作信号线驱动电路的信号扫描仪50。像素阵列20可以形成在与光扫描仪30、扫描仪驱动40和信号扫描仪50中至少一个相同的基板上，也可以形成在与光扫描仪30、扫描仪驱动40和信号扫描仪50不同的基板。像素阵列20包括多条在行方向上延伸的扫描线WSL1至WSLn、被分别设置为平行于多条扫描线WSL1至WSLn的多条电压供应线DSL1至DSLn以及在列方向上延伸的信号线HSL1至HSLm。像素阵列20具有设置在多条扫描线WSL1至WSLn和多条信号线HSL1至HSLm彼此相交的每个位置上的像素电路21。光扫描仪30按从扫描线WSL1到扫描线WSLn的顺序输出门脉冲给多条扫描线WSL1至WSLn中的每一条。光扫描仪30根据用作控制信号的门脉冲输出对施加到像素电路21上的电位在写入电位VDDWS和参考电位VSSWS之间进行切换，其中写入电位VDDWS是高于参考电位VSSWS的控制电位。扫描仪驱动40根据光扫描仪30的门脉冲输出按从电压供应线DSL1到电压供应线DSLn的顺序对施加给多条电压供应线DSL1至DSLn中的每一条的电位进行切换。扫描仪驱动40对施加到像素电路21上的电位在驱动电位Vccp和初始化电位Vini之间进行切换，其中驱动电位Vccp是高电位，初始化电位Vini是低电位。信号扫描仪50通过使用来自外部的视频信号以基于逐行的（line-by-line）顺序为所有的像素电路21产生用作显示信号的信号电位。信号扫描仪50根据光扫描仪30的门脉冲输出将多条信号线HSL1至HSLm中每一条的电位同时全部从偏移电位Vofs切换到信号电位Vsig。接下来，将参照图2对像素电路21的结构进行说明。并且，在多个像素电路21的每一个中，虽然连接到像素电路21的扫描线、电压供应线和信号线彼此不相同，但其它的结构是相同的。因此，在下文中，主要对连接到扫描线WSL1、电压供应线DSL1和信号线HSL1的像素电路21进行说明，省略对剩下的像素电路21的描述。如图2所示，像素电路21包括有机EL元件22、采样晶体管Trs、驱动晶体管Trd和存储电容21C。用作采样晶体管Trs的控制端的栅极连接到扫描线WSL1，用作采样晶体管Trs的电流端的源极连接到信号线HSL1，用作采样晶体管Trs的电流端的漏极连接到用作驱动晶体管Trd的控制端的栅极N1。用作驱动晶体管Trd的电流端的源极N2连接到有机EL元件22的阳极，用作驱动晶体管Trd的电流端的漏极连接到电压供应线DSL1。驱动晶体管Trd的栅极N1和源极N2之间连接存储电容21C。有机EL元件22的阴极连接到地线SSL。并且，地线SSL是所有像素电路21共用的。采样晶体管Trs根据施加到扫描线WSL1的写入电位VDDWS进入导通状态。在采样晶体管Trs进入导通状态且偏移电位Vofs被施加到信号线HSL1上的状态下，电压供应线DSL1的电位从低电位的初始化电位Vini切换到高电位的驱动电位Vccp。通过电压供应线DSL1电位的这种切换，存储电容21C可以保持等于驱动晶体管Trd的阈值电压Vth的电压。在存储电容21C保持等于阈值电压Vth的电压的状态下，采样晶体管Trs进入导通状态，信号线HSL1的电位从偏移电位Vofs切换到信号电位Vsig。通过信号线HSL1电位的这种切换，对信号电位Vsig进行采样，并由存储电容21C保持。驱动晶体管Trd在采样晶体管Trs处于非导通状态下从处于驱动电位Vccp的电压供应线DSL1接收电流供给，从而使得根据由存储电容21C所保持的电位的漏极电流Ids流过有机EL元件22。接下来，将参照图3对显示装置10的工作进行说明，主要着力点放在像素电路21的写入操作。并且，在多个像素电路21的每一个中，在连接到像素电路21的扫描线、电压供应线和信号线中，电位的施加过程都是相同的。因此，主要对连接到扫描线WSL1、电压供应线DSL1和信号线HSL1的像素电路21进行说明，省略对剩下的像素电路21的描述。在图3中，扫描线WSL1的电位变化、电压供应线DSL1的电位变化、信号线HSL1的电位的变化、驱动晶体管Trd的栅极N1的电位变化以及驱动晶体管Trd的源极N2的电位变化被显示在一个共同的时间轴上。首先，在时刻t1，开始为阈值修正操作作准备。在时刻t1，在参考电位VSSWS被施加到扫描线WSL1上的状态下，电压供应线DSL1的电位从驱动电位Vccp切换到初始化电位Vini。因此，驱动晶体管Trd的源极N2的电位被初始化为初始化电位Vini。并且，初始化电位Vini是比施加到信号线HSL1上的偏移电位Vofs足够低的电位。具体而言，对初始化电位Vini进行设置以使得驱动晶体管Trd的栅极N1与源极N2之间的电位变得大于驱动晶体管Trd的阈值电压Vth。在时刻t2，扫描线WSL1的电位从参考电位VSSWS切换到写入电位VDDWS。因此，驱动晶体管Trd的栅极N1的电位被初始化为偏移电位Vofs。驱动晶体管Trd的栅极N1的电位和驱动晶体管Trd的源极N2的电位被初始化，由此完成对阈值电压修正操作的准备。接着，在时刻t3，开始阈值修正操作。在时刻t3，电压供应线DSL1的电位从初始化电位Vini切换到驱动电位Vccp。因此，驱动晶体管Trd的源极N2的电位开始转换（transition），以使得驱动晶体管Trd的栅极N1和源极N2之间的电位变成阈值电压Vth。在从时刻t3到时刻t4的一段时间内，等于阈值电压Vth的电压被写入连接在驱动晶体管Trd的栅极N1与源极N2之间的存储电容21C之中。然后，在时刻t4，当驱动晶体管Trd的栅极N1与源极N2之间的电压变成阈值电压Vth时，扫描线WSL1的电位从写入电位VDDWS切换到参考电位VSSWS。并且，对地线SSL的电位进行设置，以使得在此期间的漏极电流Ids流向存储电容21C，而不流向有机EL元件22，也就是说，以使得有机EL元件22的工作区（operatingarea）处于截止状态。因此，在从时刻t3到时刻t4的阈值电压修正时段T1中，驱动晶体管Trd的栅极N1和源极N2之间保持等于阈值电压Vth的电压，从而完成阈值修正操作。接着，在时刻t5，开始迁移率修正操作。在时刻t5，信号线HSL1的电位从偏移电位Vofs切换到信号电位Vsig。在时刻t6，扫描线WSL1的电位从参考电位VSSWS切换到写入电位VDDWS，因此，采样晶体管Trs进入导通状态。因此，Trd驱动用晶体管Trd的栅极N1的电位变成信号电位Vsig，并且驱动晶体管Trd的栅极N1和源极N2之间的电压变成阈值电压Vth加上信号电位Vsig与偏移电位之差的电压。即，存储电容21C保持阈值电压Vth加上信号电位Vsig与偏移电位之差的电压。此时，由于驱动晶体管Trd进入导通状态，而有机EL元件22的工作区仍处于截止状态，驱动晶体管Trd的漏极电流流向有机EL元件22的寄生电容22C，从而开始对寄生电容22C充电。因此，有机EL元件22的阳极的电位，即驱动晶体管Trd的源极N2的电位开始上升。驱动晶体管Trd的栅极N1和源极N2之间的电压降低与驱动晶体管Trd的源极N2的电位上升量对应的迁移率修正电压Vmc。因此，由于驱动晶体管Trd的迁移率越大，驱动晶体管Trd的栅极N1和源极N2之间的电压的迁移率修正电压Vmc的绝对值就变得越大（为一个负反馈），因此可以消除每个驱动晶体管Trd的迁移率的变化。并且，由于信号电位Vsig和偏移电位Vofs之间的差异越大，驱动晶体管Trd的漏极电流就越大，并且由于迁移率修正电压Vmc的绝对值也变大，迁移率修正电压Vmc的绝对值变为根据发光亮度的大小。因此，迁移率修正操作在从时刻t6到时刻t7的迁移率修正时段T2中完成。接着，在时刻t7，开始发光操作。在时刻t7，扫描线的电位从写入电位VDDWS切换到参考电位VSSWS，因此，驱动晶体管Trd的栅极N1从信号线HSL1分离。根据这一点，驱动晶体管Trd的漏极电流Ids开始流向有机EL元件22。有机EL元件22的阳极的电位，即驱动晶体管Trd的源极N2的电位根据漏极电流Ids上升。如果驱动晶体管Trd的源极N2的电位上升，驱动晶体管Trd的栅极N1的电位由于存储电容21C的自举操作也上升。此时，驱动晶体管Trd的栅极N1的电位上升的量等于驱动晶体管Trd的源极N2的电位上升的量。因此，在从时刻t7开始的发光时段T3期间，驱动晶体管Trd的栅极N1和源极N2之间的电压从开始发光操作的时间开始被保持恒定。因此，有机EL元件22以根据存储电容21C保持的电压的亮度发光。然后，在阈值电压Vth的变化和迁移率的变化被修正的状态下产生驱动有机EL元件22的驱动电流。由于此原因，有机EL元件22的亮度不会受到驱动晶体管Trd的阈值电压Vth或迁移率的变化的影响。下面，对从光扫描仪30输出到从扫描线WSL1到WSLn中每一条的门脉冲的波形进行说明。首先，参照图4和图5对由相关技术中的光扫描仪输出的迁移率修正时段T2中的门脉冲的波形进行说明。并且，图4是示出在对门脉冲的波形进行说明的过程中使用的像素区域的图。在图4中，用白色示出显示装置10上显示为白色的区域，用黑色示出显示装置10上显示为黑色的区域。如图4所示，在像素阵列20的左端部分，一个在其中有机EL元件22不发光的窗口区域被设置为分隔端部分（partitionendportion）Ewi。类似地，在像素阵列20的左端部分，一个显示为白色的区域被设置为白色端部分Ewh（whiteendportion）。该分隔端部分Ewi与该白色端部分Ewh彼此相邻。并且，在像素阵列20的中心部分，一个在其中有机EL元件22不发光的窗口区域被设置为分隔中心部分Cwi。在像素阵列20的中心部分，一个显示为白色的区域被设置为白色中心部分（Cwh。该分隔中心部分Cwi与该白色中心部分Cwh彼此相邻。如图5所示，在像素阵列20的中心部分处的门脉冲波形Ctr（由点划线所包围的区域）中，电压上升时间较长，并且波形较之在像素阵列20的左端部分处的门脉冲的波形Etr（由点划线所包围的区域）变得更为迟滞（dull）。具体地，白色中心部分Cwh处的门脉冲的波形，与白色端部分Ewh处的门脉冲的波形相比，电压上升时间较长，波形变得更为迟滞。类似地，分隔中心部分Cwi处的门脉冲的波形，较之分隔端部分Ewi处的门脉冲的波形，电压上升时间较长，波形变得更为迟滞。并且，窗口区域中门脉冲的波形比白色区域处门脉冲的波形的电压上升时间更长，波形变得更加迟滞。具体地，分隔中心部分Cwi处门脉冲的波形较之白色中心部分Cwh处门脉冲的波形，电压上升时间较长，波形变得更为迟滞。类似地，分隔端部分Ewi处门脉冲的波形较之白色端部Ewh处门脉冲的波形，电压上升时间更长，波形变得更为迟滞。瞬态响应时间中的这种差异是由例如下列事实造成的：门脉冲的传输路径的长度彼此是不同的。此外，瞬态响应时间中的这种差异是由例如下列事实造成的：采样晶体管Trs的栅极和源极之间的负载能力在有机EL元件22的发光时间和有机EL元件22的非发光时间之间是不同的。在这里，当瞬态响应时间太短时，靠近光扫描仪的像素电路21和远离光扫描仪的像素电路21之间的瞬态响应时间之差会变大。因此，在扫描线的延伸方向上彼此相邻的像素电路21中会产生各个图像相互混合的串扰现象。例如，当门脉冲的电压上升时间太短时，白色中心部分Cwh处门脉冲的迟滞程度变得较之在其他区域中更加严重。此时，如果有机EL元件22中的寄生电容22C被设置为电容值C0，那么如上所述的迁移率修正电压Vmc通过如下表达式确定：Vmc=Ids*C0/T2。然后，由于在白色中心部分Cwh处，迁移率修正时段T2变得较之在其他区域中更长，因此迁移率修正电压Vmc的绝对值变得比需要的更大。结果导致在白色中心部分Cwh处的图像被较为阴暗地显示，从而导致分隔中心部分Cwi处的图像和白色中心部分Cwh处的图像相互混合。另一方面，当瞬态响应的时间太长时，对像素电路21的写入在扫描线选择时间内不够，因此，有机EL元件22不以根据信号电位Vsig的亮度发光。例如，当门脉冲中的电压上升时间太长时，在上述迁移率修正时段T2内未能完成将信号电位Vsig写入存储电容21C。因此导致在白色中心部分Cwh处的图像被黑暗显示，或在迁移率修正时段T2内写入存储电容21C的电压（即有机EL元件22的亮度）变得不同于最初想要的程度（extent）。这样，光扫描仪输出的门脉冲具有一个最佳的瞬态响应时间是必要的。另一方面，在光扫描仪的输出电路中，门脉冲的波形通常通过输出缓冲器（如反相器电路）整形。然而，随着显示装置10的工作温度的上升，这种门脉冲的波形趋向于变得迟滞。其结果是导致例如，即使瞬态响应时间在显示装置10的工作温度是低温时是最佳的，但当显示装置10的工作温度是高温时，瞬态响应时间最终也会变得太长。或者，即使瞬态响应时间在显示装置10的工作温度是高温度时是最佳的，但当显示装置10的工作温度是低温时，瞬态响应时间最终也会变得太短。因此，为了抑制由显示装置10的工作温度引起的瞬态响应时间的变化，在上述的光扫描仪30中，输出缓冲器的电压供应电路具有温度修正功能。下面，将参照图6对具有温度修正功能的光扫描仪30的整体结构进行说明。如图6所示，光扫描仪30包括移位寄存器31、逻辑电路32和输出缓冲器33。移位寄存器31使用时钟CLK根据移位开始脉冲STVR的输入开始移位操作。移位开始脉冲STVR在单个场周期内输入一次。逻辑电路32通过使用移位寄存器31的输出脉冲产生门脉冲的波形。例如，第一级逻辑电路321通过使用第一级移位寄存器SR1的输出脉冲产生门脉冲的波形，第n级逻辑电路32n通过使用第n级移位寄存器SRn的输出脉冲产生门脉冲的波形。输出缓冲器33将由逻辑电路32产生的门脉冲转换成像素电路21中的工作控制电平，因而对波形进行整形。例如，第一级输出缓冲器331将由第一级逻辑电路321产生的门脉冲转换成像素电路21中的工作控制电平，并将波形整形后的门脉冲输出到扫描线WSL1。第n级输出缓冲器33n将由第n级逻辑电路32n产生的门脉冲转换成像素电路21中的工作控制电平，并将波形整形后的门脉冲输出给扫描线WSLn。下面，将参照图7对输出缓冲器33的结构的进行说明。并且，在多个输出缓冲器331至33n的每一个中，虽然连接到输出缓冲器的逻辑电路32和扫描线彼此不同，但其他的结构是相同的。因此，在下文中，主要对连接到第一级逻辑电路321和扫描线WSL1的输出缓存器331的结构进行说明，省略对剩下的输出缓冲器的描述。如图7所示，输出缓冲器331包括连接到逻辑电路321的输出端的第一反相器电路INV1和第二反相器电路INV2。第一反相器电路INV1具有通过连接PMOS晶体管和NMOS晶体管的漏极提供的输出端。第一反相器电路INV1中PMOS晶体管的源极连接到电压供应电位VDDWS0。第一反相器电路INV1中NMOS晶体管的源极连接到参考电位VSSWS。第一反相器电路INV1也可以是简单的仅由PMOS晶体管或NMOS晶体管构成的门电路。第二反相器电路INV连接到第一反相器电路INV1的输出端。第二反相器电路INV2是输出缓冲器331中的最后一级反相器电路，并具有通过连接PMOS晶体管和NMOS晶体管的漏极提供的输出端。第二反相器电路INV2的输出端连接到扫描线WSL1。第二反相器电路INV2中PMOS晶体管的源极通过控制电位线VDL连接到电压供应电路35。第二反相器电路INV2中NMOS晶体管的源极连接到参考电位VSSWS。第二反相器电路INV2也可以是简单的仅由PMOS晶体管或NMOS晶体管构成的门电路。并且，输出缓冲器331也可以具有省略第一反相器电路INV1并将逻辑电路321的输出端连接到第二反相器电路INV2的输入端的结构，还可以被配置具有三级或更多级的反相器电路。简言之，输出缓冲器331可以具有将最后一级反相器电路连接到电压供应电路35的结构。电压供应电路35包括电阻元件R1和与电阻元件R1串联、并包括寄生电阻R2的用于温度修正的晶体管Trc。电阻元件R1连接到第一电压供应36，第一电压供应36提供作为比写入电位VDDWS高的第一电位的电压供应电位VDDWS0。电压供应电路35和输出缓冲器331分别包括被形成在同一基板上、并具有层叠在共同基础层上的半导体层的晶体管。电阻元件R1和温度修正晶体管Trc之间的连接节点N12通过控制电位线VDL连接到第二反相器电路INV2中的PMOS晶体管的源极。温度修正晶体管Trc是二极管接法NMOS晶体管，其漏极连接至电阻元件R1，源极和漏极连接到第二电压供应37。第二电压供应37提供作为比写入电位VDDWS低的第二电位的参考电位VSSWS给温度修正晶体管Trc。在电压供应电路35中，温度修正晶体管Trc和电串联连接到温度修正晶体管Trc的电阻元件R1构成电阻分压电路。电阻分压电路包括温度修正晶体管Trc的导通电阻和寄生电阻R2的串联电路，电阻元件R1和温度修正晶体管Trc之间连接节点N12的电位在对电压供应电位VDDWS0和参考电位VSSWS之间的电位差进行电阻分压。也就是说，连接节点N12的电位由温度修正晶体管Trc的导通电阻和寄生电阻R2的合成电阻值与电阻元件R1的电阻值之间的电阻分压比确定。如果显示装置10的工作温度上升，那么温度修正晶体管Trc的导通电阻上升，从而导致温度修正晶体管Trc中的压降变大。因此，电阻元件R1和温度修正晶体管Trc之间的连接节点N12的电位上升，从而导致提供给第二反相器电路INV2的写入电位VDDWS也上升。如上所述，随着显示装置10的工作温度的上升，门脉冲的波形趋向于变得更为迟滞。然而，门脉冲波形的钝化（blunting）通过写入电位VDDWS的上升抑制。例如，电阻元件R1的电阻值设为Ry（Ω），温度修正晶体管Trc的导通电阻和寄生电阻R2的合成电阻值设为Rx（Ω）。并且，在显示装置10的工作温度为25℃时的合成电阻值设为Rx（Ω），在显示装置10的工作温度为75℃时的合成电阻值设为1.2*Rx（Ω）。此外，温度修正晶体管Trc的导通电阻约等于寄生电阻R2。在此情形中，当显示装置10的工作温度为25℃时，写入电位VDDWS可用下列表达式（1）表示，当显示装置10的工作温度为75℃时，写入电位VDDWS可用下列表达式（2）表示。VDDWS=Rx/（Rx+Ry）*VDDWS0...（1）VDDWS=1.2*Rx/（1.2*Rx+Ry）*VDDWS0...（2）在电压供应电位VDDWS0设为12（V）、Rx设为1（Ω）、Ry设为0.005（Ω），以及工作温度为25℃的情况下，基于上述表达式（1）可得到写入电位VDDWS为11.43（V）。在电压供应电位VDDWS0设为12（V）、Rx设为1（Ω）、Ry设为0.005（Ω），以及工作温度为75℃的情况下，基于上述表达式（2）可得到写入电位VDDWS为11.52（V）。这样，在显示装置10的工作温度从25℃上升至75℃的情况下，电压供应电路35的输出电压主动变化，从而使得写入电位VDDWS较之工作温度为25℃的情形上升约0.1（V）。在显示装置10的工作温度从25℃上升至75℃的情况下，门脉冲的波形通常趋向于变得更为迟滞。然而，写电位VDDWS上升约0.1（V），借此可以抑制门脉冲的波形的钝化。实例下面，将参照图8至11结合相关技术的实例中的门脉冲的温度相关性对由光扫描仪30输出的门脉冲的温度相关性进行说明。并且，第二反相器电路INV2的PMOS晶体管的源极直接连接到电压供应电位VDDWS0的结构相当于相关技术的实例中的光扫描仪，相关技术的实例中的门脉冲通过这种光扫描仪获得。图8是示出关技术的实例中在各温度下的门脉冲的波形图，图9是示出在各温度下由光扫描仪30输出的门脉冲的波形图（用作举例）。图10是示出当显示装置的工作温度为-10℃时相关技术的实例中的门脉冲的波形图，以及当显示装置的工作温度同样为-10℃时本发明的实例中的门脉冲的波形图。图11示出了有关本发明的实例和相关技术的实例中的每一个的像素阵列20的中心部分的串扰率。并且，对上述电阻分压电路中的Rx和Ry进行设置以使得当显示装置10的工作温度为60℃时，本发明的实例中的门脉冲的波形和相关技术的实例中的门脉冲的波形彼此接近。如图8所示，在相关技术的实例中的门脉冲中，随着显示装置的工作温度从-10℃上升至60℃，电压上升时间变长。此时，虽然作为门脉冲的幅度的峰值电压通常维持在测量温度的范围内，但随着工作温度上升，脉冲宽度逐渐变宽。如图9所示，在本发明的实例中的门脉冲中，随着显示装置的工作温度从-10℃上升至60℃，电压上升时间会稍微变长。然而，与相关技术的实例相比，当工作温度从-10℃变化到25℃时可辨识的电压上升时间的增加以及当工作温度从25℃变化到60℃时可辨识的电压上升时间的增加的任何增加都被充分地抑制。在本发明的实例中的门脉冲中，与在相关技术的实例中的门脉冲类似，随着工作温度的升高，脉冲宽度会稍微变长。然而，与相关技术的实例相比，当工作温度从-10℃变化到25℃时可辨识的脉冲宽度的增加以及当工作温度从25℃变化到60℃时可辨识的脉冲宽度的增加的任何增加都被充分地抑制。并且，随着显示装置的工作温度从-10℃上升至60℃，通过修正上述写入电位VDDWS，本发明的实例中的作为门脉冲的幅度的峰值电压逐渐增加。如图10所示，在显示装置10的工作温度为-10℃的情形中，本发明的实例中的门脉冲与相关技术的实例中的门脉冲相比，电压上升时间较长。另一方面，如上所述，对本发明的实例中的门脉冲进行设置以使得当显示装置10的工作温度为60℃时，门脉冲的波形接近相关技术的实例中的门脉冲的波形。因此，在本发明的实例的门脉冲中，对脉冲进行修正以使得在相关技术的实例中的低温下的门脉冲的波形接近高温下的门脉冲的波形。如图11所示，在从-10℃至60℃的整个测量范围内，本发明的实例中的串扰率低于对比实例中的串扰率。对串扰率的这种抑制在低温工作范围内可以被明显辨识。这是因为对此实例中的门脉冲进行了如上所述的修正。也就是说，这是因为对本实例中的门脉冲进行了修正以使得在相关技术的实例中的低温下的门脉冲的波形接近高温下的门脉冲的波形。并且，随着工作温度的降低，本发明的实例中的串扰率和对比实例中的串扰率都会增加。这是因为靠近光扫描仪的像素电路21和远离光扫描仪的像素电路21之间的瞬态响应时间的差异会因为在较低的工作温度下的瞬态响应时间较短而变大。根据上述光扫描仪30对门脉冲进行的修正，降低这种串扰率的温度相关性也是可能的。如上所述，根据上述实施例，可以获得下列效果。由于写入电位VDDWS和参考电位VSSWS之间的差异会随着显示装置10的工作温度的上升而变大，因此可以抑制由工作温度上升而引起的门脉冲钝化。因此，可以抑制由工作温度上升而引起的输入到像素电路21中的写入电位VDDWS的瞬态响应时间的变化。由于写入电位VDDWS和参考电位VSSWS之间的差异会随着显示装置10的工作温度的下降而变小，因此可以抑制由工作温度下降而引起的门脉冲变陡。因此，可以抑制由工作温度下降而引起的输入到像素电路21中的写入电位VDDWS的瞬态响应时间的变化。对写入电位VDDWS的修正通过二极管接法的温度修正晶体管Trc实现。在这里，在其中布置有多个像素电路21的像素阵列20中，采样晶体管Trs或驱动晶体管Trd通常在同一过程中形成。然后，在采样晶体管Trs或驱动晶体管Trd形成的过程中，还可以一起形成温度修正晶体管Trc。因此，与除了晶体管以外还使用其他元件用于温度修正的情形相比，可以降低制造显示装置10的工作负载（load）。温度修正晶体管Trc的导通电阻被设置为大于电阻元件R1的电阻值。例如，如在本实例中所述，Rx被设置为1（Ω），Ry被设置为0.005（Ω）。作为晶体管设计规则，MOS晶体管的导通电阻通常较小。在此方面，如果是温度修正晶体管Trc的导通电阻大于电阻元件R1的结构，那么可以抑制温度修正晶体管Trc的设计规则中的降低，也因此可以抑制微型化温度修正晶体管Trc的期望。因此，在形成采样晶体管Trs或驱动晶体管Trd的同一过程中形成温度修正晶体管Trc也变得可能。电压供应电路35仅与作为最后一级反相器电路的第二反相器电路INV2连接。因此，最少化新添加的元件（如温度修正晶体管Trc或电阻元件R1）的数量也是可能的。上述门脉冲确定阈值电压修正时段T1的结束时间。此外，上述门脉冲确定迁移率修正时段T2的开始时间和迁移率修正时段T2的结束时间。即，写入电位VDDWS的修正结果在单个扫描周期内施加两次或更多次。因此，对瞬态响应时间的变化的抑制效果变得更加明显。换言之，由于瞬态响应时间根据工作温度变化而变化的程度存在差异，因此在单个扫描周期内必须进行多次电流控制的目标会导致出现严重的问题。因此，对此目标，使用电压供应电路35对电位进行温度修正表现出更加明显的效果。此外，上述实施例还可以被修改和实施如下。为有机EL元件22提供驱动电流的电路不限于使用采样晶体管Trs和驱动晶体管Trd的电路，也可以是电流镜像电路。如果采用这种结构，即使在晶体管不用作恒流源的情况下，也可以修正晶体管特性或有机EL元件特性的变化。采样晶体管Trs和驱动晶体管Trd中的每一个都不限于N沟道晶体管，采样晶体管Trs和驱动晶体管Trd中的至少一个也可以是P沟道晶体管。除了光扫描仪30，还可以将电压供应电路35提供给扫描仪驱动40，并且电压供应电路35还可以提供给信号扫描仪50。此外，光扫描仪30也可以同时形成在像素阵列20的左端和右端，并且扫描仪驱动40也可以同时形成在像素阵列20的左端和右端。显示装置10的驱动系统不限于有源矩阵系统，也可以是子场系统，其中单个帧被划分成多个子场，子场响应于视频信号被导通或关断。温度修正晶体管Trc不限于NMOS晶体管，也可以是PMOS晶体管，还可以具有组合使用NMOS晶体管和PMOS晶体管的结构。此外，除了温度修正晶体管Trc之外，电阻值根据温度上升而上升的元件以及所谓的相对于温度具有正相关的元件也可以是电阻值相对于温度上升而上升的热敏电阻。另外，相对于温度具有正相关的元件的数量不限于一个，也可以是两个或多个，在两个或多个元件的情形中，元件可以相对于电阻元件R1串联连接，也可以相对于电阻元件R1并联连接。此外，构成电压供应电路的元件不限于相对于温度具有正相关的元件，也可以是相对于温度具有负相关的元件。简言之，电压供应电路以可以具有下述结构：随着工作温度的上升，加大控制电位和参考电位之间的差异。电阻分压电路也可以对高于参考电位VSSWS且低于电压供应电位VDDWS0的电位与电压供应电位VDDWS0之间的电位差进行电阻分压，并通过该电位差的电阻分压比确定连接节点N12的电位。或者，电阻分压电路也可以对低于参考电位VSSWS电压供应的电位与电压供应电位VDDWS0之间的电位差进行电阻分压，并通过该电位差的电阻分压比确定连接节点N12的电位。简言之，电阻分压电路也可以对高于控制电位的第一电位与低于控制电位的第二电位之间的电位差进行电阻分压，并通过该电位差的电阻分压比确定连接节点N12的电位。输出缓冲器33包括的反相器电路的数目也可以是一个，还可以是三个或更多。总之，它只需要具有下列结构：最后一级反相器电路补充性地输出作为控制电位和写入电位的参考电位。控制信号也可以在低于参考电位VSSWS的电位与参考电位VSSWS之间切换。此时，例如，第一反相器电路INV1中PMOS晶体管的源极和第二反相器电路INV2中PMOS晶体管的源极连接到参考电位VSSWS。并且，第一反相器电路INV1中NMOS晶体管的源极连接到电压供应电位VDDWS0。并且，第二反相器电路INV2中NMOS晶体管的源极连接到电阻分压电路的连接节点N12。然后，在电阻分压电路中，电阻元件R1连接到参考电位VSSWS，温度修正晶体管Trc的源极连接到提供低于参考电位VSSWS的第二电位的第二电压供应37。并且，在上述结构中，电阻元件R1也可以连接到提供低于参考电位VSSWS并高于控制电位的第一电位的第一电压供应36，然后温度修正晶体管Trc的源极也可以连接到提供低于控制电位的第二电位的第二电压供应37。上述门脉冲也可以具有仅确定阈值电压修正时段T1的结束时间的配置。例如，迁移率修正时段T2的开始时间或迁移率修正时段T2的结束时间也可以基于除由输出缓冲器33产生的门脉冲之外的信号确定。上述门脉冲也可以具有仅确定迁移率修正时段T2的开始时间或迁移率修正时段T2的结束时间的配置。例如，阈值电压修正时段T1的结束时间也可以基于除由输出缓冲器33产生的门脉冲之外的信号确定。电压供应电路35提供的电位也可以用于除将信号电位写入存储电容之外的其他用途，也可用于例如从多条扫描线中选择一条扫描线的脉冲信号。总之，电压供应电路提供的电位也可以具有被用于提供给多条扫描线中的每一条的控制信号的配置，控制信号的控制目标也可以是除写入操作之外的任何一个。显示装置10不限于有机EL显示装置，也可以是液晶显示装置、LED显示装置或等离子显示装置。总之，如果根据本发明的实施例的显示装置具有电压供应电路被设置在输入控制信号到像素中的扫描仪内的配置是可以接受的。电子设备下面将对一种被提供具有上述显示装置10的电子设备进行说明。此外，显示装置10可以应用于各种用途，并没有特别的限制。因此，下面将对例如一种将显示装置10应用于具有显示部分的电子设备的配置进行说明。但是，该配置仅是一个例子，可以进行适当的改变。如图12所示，电子书阅读器100的外壳101中安装有包括上述显示装置10的显示部分102以及用于操作显示部分102的显示模式的操作按钮103。如图13所示，键盘112和操作部分113安装在个人计算机110的下部外壳111内，包括上述显示装置10的显示部分115安装在个人计算机110的上部外壳114内。如图14所示，安装在电视机120的支撑底座121上的外壳122内安装有包括上述显示装置10的显示部分123。如图15所示，数字静态相机130的外壳131的一个面侧上，形成有捕捉成像目标的透镜132和用于允许图像被捕捉到数字静态相机130中的成像按钮133。此外，如图16所示，在外壳131的另一面侧上安装有包括上述显示装置10的显示部分134和操作按钮135。如图17所示，透镜142和操作按钮143安装在数字摄像机140的外壳141内。另外，显示部分145的外壳通过连接部分144连接到外壳141，包括上述显示装置10的显示部分146安装在显示部分145的外壳内。如图18所示，操作按钮152安装在移动电话单元150的下部外壳151内，上部外壳154通过连接部分153连接到下部外壳151。包括上述显示装置10的显示部分155安装在上部外壳154内。此外，如图19所示，包括上述显示装置10的背面侧显示部分156安装在与上部外壳154内显示部分155相对的面上。此外，根据本发明的实施例的显示装置、显示驱动方法和电子设备可以按如下方式配置。（1）一种显示装置，包括：多个像素电路；以及扫描线驱动电路，通过扫描线提供控制信号给该多个像素电路，其中扫描线驱动电路包括提供控制电位的电压供应电路和通过在参考电位和控制电位之间切换产生控制信号的输出缓冲器，电压供应电路随着工作温度上升而增加控制电位和参考电位之间的差异。（2）如上述（1）的显示装置，其中电压供应电路包括提供高于控制电位的第一电位的第一电压供应、提供低于控制电位的第二电位的第二电压供应以及连接在第一电压供应和第二电压供应之间的电阻分压电路，电阻分压电路包括二极管接法的晶体管和电阻元件。（3）如上述（2）的显示装置，其中控制电位高于参考电位，第二电位等于参考电位。（4）如上述（2）的显示装置，其中控制电位高于参考电位，第二电位等于参考电位。（5）如上述（2）-（4）中任一项的显示装置，其中电压供应电路具有位于晶体管和电阻元件之间的输出端。（6）如上述（2）-（5）中任一项的显示装置，其中在电压供应电路中，晶体管的导通电阻大于电阻元件的电阻值，电压供应电路通过电阻元件和晶体管的电阻分压产生控制电位。（7）根据上述（1）-（6）中任一项的显示装置，其中工作温度高时的控制信号的幅度低于工作温度低时的幅度。（8）如上述（1）-（7）中任一项的显示装置，其中输出缓冲器包括多个反相器电路，该多个反相器电路中连接到扫描线的反相器电路与电压供应电路连接。（9）如上述（1）-（8）中任一项的显示装置，其中电压供应电路和输出缓冲器形成在相同的基板上。（10）如上述（1）-（9）中任一项的显示装置，还包括：信号线驱动电路，通过信号线提供显示信号给多个像素电路，其中像素电路包括采样晶体管、驱动晶体管、发光元件和存储电容，采样晶体管连接到信号线和存储电容，并允许根据控制信号导通，从而将显示信号的信号电位写入存储电容，驱动晶体管连接在电压供应线和发光元件之间，并根据写入到存储电容中的电位为发光元件提供驱动电流。（11）一种显示装置，包括：多个像素电路；以及扫描线驱动电路，通过扫描线提供控制信号给该多个像素电路，其中扫描线驱动电路包括输出控制信号的输出缓冲器、提供控制电位给控制电位线的电压供应电路以及提供参考电位的参考电位线，输出缓冲器连接到控制电位线和参考电位线，电压供应电路包括提供高于控制电位的第一电位的第一电压供应、提供低于控制电位的第二电位的第二电压供应以及连接在第一电压供应和第二电压供应之间的电阻分压电路，电阻分压电路包括二极管接法的晶体管和电阻元件。（12）一种显示装置，其中包括：多个像素电路；以及扫描线驱动电路，通过扫描线提供控制信号给该多个像素电路，扫描线驱动电路生成在参考电位和控制电位之间转换的控制信号，控制电位依赖于温度条件改变。（13）如（12）所述的显示装置，其中改变控制电位来减少随着温度条件的变化会发生的控制信号从参考电位转换到控制电位的差异。（14）如（13）所述的显示装置，其中减少转换的差异包括减少控制信号随着它在参考电位和控制电位之间转换时的电压上升时间的差异。（15）如（13）所述的显示装置，其中控制电位随着工作温度的上升而增加以减少随着工作温度的上升会发生的控制信号从参考电位转换到控制电位的差异。（16）如（12）所述的显示装置，其中扫描线驱动电路包括提供控制电位的电压供应电路以及通过在参考电位和控制电位之间切换来产生控制信号的输出缓冲器。（17）如（16）所述的显示装置，其中电压供应电路包括至少一个连接在第一电位和第二电位之间的具有依赖于温度的电阻值的电路元件,并且控制电位是第一电位和电阻值的函数。（18）如（17）所述的显示装置，其中第一电位从第一电压供应线提供，第二电位从第二电压供应线提供，依赖于温度的电阻值由具有连接到第二电压供应线的栅极和第一电流端的二极管接法的晶体管提供，固定电阻元件连接在一个节点和第一电压供应线之间，控制电位从该节点提供，该节点位于二极管接法的晶体管的第二电流端和固定电阻元件之间。（19）如（12）所述的显示装置，其中各个像素电路包括：驱动晶体管；采样晶体管；以及存储电容，其中驱动晶体管被配置为根据通过采样晶体管施加到存储电容的图像信号电压提供电流给发光元件，控制信号被提供给采样晶体管的控制端，并且改变控制电位来减少随着温度条件的变化会发生的控制信号从参考电位转换到控制电位的差异。（20）如（19）所述的显示装置，进一步包括对驱动晶体管的特性进行修正，其中减少控制信号的转换的差异提供在一定温度范围内的对驱动晶体管的特性的一致修正（consistentcorrection）。（21）如（12）所述的显示装置，其中控制电位是写入电位。（22）如（19）所述的显示装置，其中改变控制电位来减少随着温度条件的变化会发生的控制信号从参考电位转换到控制电位的差异。（23）如（22）所述的显示装置，其中减少转换的差异包括减少控制信号随着它在参考电位和控制电位之间转换时的电压上升时间的差异。（24）如（22）所述的显示装置，其中控制电位随着工作温度的上升而增加以减少随着工作温度的上升会发生的控制信号从参考电位转换到控制电位的差异。（25）如（19）所述的显示装置，其中扫描线驱动电路包括提供控制电位的电压供应电路以及通过在参考电位和控制电位之间切换来产生控制信号的输出缓冲器。（26）如（25）所述的显示装置，其中电压供应电路包括至少一个连接在第一电位和第二电位之间的具有依赖于温度的电阻值的电路元件,并且控制电位是第一电位和电阻值的函数。（27）一种电子设备，包括（12）中的显示装置。（28）一种显示装置，包括：多个像素电路；以及扫描线驱动电路，通过扫描线提供控制信号给多个像素电路，其中扫描线驱动电路包括：输出缓冲器，输出控制信号；电压供应电路，提供控制电位给控制电位线；以及参考电位线，提供参考电位，输出缓冲器连接在控制电位线和参考电位线之间，并且电压供应电路包括：电阻分压电路，连接在第一电压供应线和第二电压供应线之间，第一电压供应线提供高于控制电位的第一电位，第二电压供应线提供低于控制电位的第二电位，电阻分压电路包括二极管接法的晶体管和电阻元件。（29）一种显示装置的驱动方法，该显示装置包括多个像素电路以及扫描线驱动电路，该方法包括：通过扫描线驱动电路、经由扫描线并通过生成在参考电位和控制电位之间转换的控制信号为多个像素电路提供控制信号，控制电位依赖于温度条件改变。本申请包含与2012年5月2日向日本专利局提交的日本优先权专利申请特开2012-105250号所公开的主题有关的主题，该优先权专利申请的全部内容通过引用被包括于此。本领域技术人员应当理解的是，随着设计要求和其他因素的不同，可以出现各种修改、组合、子组合和变更，只要它们仍落在所附权利要求或其等同物的范围内。