1.一种硅基微显示器，其特征在于，硅基驱动电路(100)与显示器件(801)集成于同一块半导体硅芯片上，所述显示器件(801)位于半导体硅芯片的表面，所述硅基驱动电路(100)包括：
(1)像素电路阵列(101)，由M×N个像素单元构成，M为水平行数，N为垂直列数，M、N都为大于1或等于1的整数；每个像素单元均可产生显示器件(801)所需要的电压与电流以驱动显示器件(801)发光；像素单元以数字开关方式工作，正常工作时仅有“开”和“关”两种状态；采用数字脉宽调制方式控制显示器件(801)的亮度与灰度；
(2)行驱动电路(102)，用于产生行选通信号组(301)和行偏置信号组(304)；
(3)列驱动电路(103)，用于产生列数据信号组(302)供像素电路阵列(101)像素使用；
(4)差分接口(104)，用于将外部输入的差分信号组(601)转换为微显示器内部的数字信号组(602)；所述差分信号组(601)为X对差分信号，X为大于或等于1的整数；每对差分信号均包含两个引脚，通过两个引脚上的电压差值来表示数据；所述数字信号组(602)为一组Y位的并行数字信号，Y为大于或等于11的整数，每个信号均以逻辑电平来表示数据。
2.根据权利要求1所述的硅基微显示器，其特征在于，所述像素电路阵列(101)的表面为一个电极阵列；每一个像素电路都对应一个或多个电极(810)；所述电极(810)的表面的材料为Al、Cu、Ag、Au、Pt、Cr、W、Mo、Mn、Ti、TiN、Sn、ITO、ZnO或这些材料之间的复合物；非电极的区域为硅或氧化硅填充物。
3.根据权利要求2所述的像素电路阵列(101)，其特征在于，所述电极(810)作为显示器件的阳极或阴极；所述电极(810)排布形式为矩阵排布或错位排布；矩阵排布时，水平和垂直方向的电极完全对齐；错位排布时，水平或者垂直方向上的电极不完全对齐，形成锯齿状或蜂窝状排布。
4.根据权利要求1所述的硅基微显示器，其特征在于，所述显示器件(801)位于像素电路阵列(101)的垂直表面上，通过封装器件(802)与外界隔离，每一个像素单元均对应一个或多个显示器件单元；所述显示器件(801)为液晶器件、有机发光显示器件、发光二极管器件中的一种或多种，当显示器件(801)为有机发光器件时，显示器件上方还具有共阴层或共阳层(803)；所述封装器件(802)为多层有机物薄膜、高分子薄膜、无机物薄膜、玻璃中的一种；所述显示器件(801)上配置有滤色器件(804)，用于过滤单色显示器件发出的光，形成彩色显示器。
5.根据权利要求1所述的硅基微显示器，其特征在于，所述行驱动电路(102)包含触发器(201)、译码器(202)和行驱动器(203)；所述触发器(201)用于锁存行地址信号(401)，当行触发信号(402)有效时保存行地址信号；所述译码器(202)是一个N输入、2N输出(N为整数)的译码器，对行地址信号进行译码；所述行驱动器(203)用以增强行选通信号组(301)或行偏置信号组(303)的驱动能力，当行使能信号(403)有效时，将译码器(202)的译码结果作为行选通信号组(301)输出，当行消隐信号(404)有效时，将译码器(202)的译码结果作为行偏置信号组(303)输出。
6.根据权利要求1所述的硅基微显示器，其特征在于，所述列驱动电路(103)包含并行移位器(211)、锁存器(212)和列驱动器(213)；所述并行移位器(211)为一组并行工作的锁存器或触发器，将像素数据(501)的信号在列移位时钟(502)的有效边沿进行并行移位；所述锁存器(211)用于锁存列像素数据，当列锁存信号(503)有效时，将并行移位器(211)的结果锁存输出，当列清零信号(504)有效时，锁存器(212)的输出清零；所述列驱动器(213)用于增强锁存器的输出信号，用以驱动像素驱动电路(110)的数据信号。
7.根据权利要求1所述的硅基微显示器，其特征在于，所述行信号(400)包括行地址信号(401)、行触发信号(402)、行使能信号(403)和行消隐信号(404)；所述列信号(500)包括像素数据(501)、列移位时钟(502)、列锁存信号(503)和列清零信号(504)、列驱动有效信号(505)；所述像素数据(501)和行地址信号(401)复用；所述行信号(400)和列信号(500)中的部分信号或所有信号都从控制信号(610)引入，而不通过差分接口(104)和接口转换模块(105)。
8.根据权利要求1所述的硅基微显示器，其特征在于，还包括接口转换模块(105)和引脚(600)；所述接口转换模块(105)，将数字信号组(602)转换为行信号(400)和列信号(500)；所述引脚(600)露出于驱动电路表面，用于和外部电路相连接；引脚(600)排布位置为硅芯片的单边、双边、三边或四周；引脚排布方式为单排或多排；引脚排布间距相同或不同。
9.根据权利要求1所述的硅基微显示器，其特征在于，所述差分接口(104)输出的数字信号组(602)接入接口转换模块(105)；所述接口转换模块(105)输出的行信号(400)接入行驱动电路(102)、输出的列信号(500)接入列驱动电路(103)；所述行驱动电路(102)、列驱动电路(103)的输出信号均连接至像素单元阵列(101)；所述接口转换模块(105)通过N，N≥1组M，M≥1位串行移位的方式将数据信号(692)转换为行信号(400)和列信号(500)；所述行信号(400)和列信号(500)在所述同步信号(693)有效时通过锁存器组(110)输出。
10.根据权利要求1所述的硅基微显示器，其特征在于，所述差分信号组(601)包含时钟差分对(610和611)、同步差分对(612和613)和数据差分对；所述差分接口(104)将时钟差分对转化为时钟信号(690)、将同步差分对转化为同步信号(691)、将数据差分对转化为数据信号(692)；所述数据差分对的数量可以扩展；所述同步信号(691)通过时钟信号(690)、分频器(111)和计数器(112)产生；分频器采用触发器、锁存器或锁相环实现。
11.根据权利要求1所述的硅基微显示器，其特征在于，所述像素电路阵列(101)中的像素电路单元由存储器单元(111)和驱动单元(112)组成；所述存储器单元(111)用于保存像素的开关状态，其输入为行选通信号(311)和列数据信号(312)；所述行选通信号(311)为行选通信号组(301)中的一个信号，用于选通该行有效；所述列数据信号(312)为列数据信号组(302)中的一个信号，用于表示该列的数据信号。
12.根据权利要求11所述的硅基微显示器，其特征在于，所述存储器单元(111)为静态存储器单元或动态存储器单元，所述静态存储器单元由4-10个晶体管构成，所述动态存储器单元由1-2个电容和1-3个晶体管构成；所述晶体管为金属-氧化物半导体场效应晶体管；所述电容为多晶-绝缘体-多晶电容、金属-绝缘体-金属电容、金属-氧化物-金属电容、深沟道电容。
13.根据权利要求11所述的硅基微显示器，其特征在于，所述驱动单元(112)用于驱动像素发光，由至少一个晶体管构成；存储器单元(111)的输出连接至驱动单元，驱动电路的输出接至电极(810)；当驱动电路由一个驱动管T1构成时，驱动管T1的源极S接至电源、漏极D接至电极810；所述驱动单元(112)还具有一个放电电路，由至少一个晶体管构成；当行偏置信号(314)有效时，放电管将通过电极(810)将显示器件(801)中的残余电荷释放；所述偏置信号(314)为行偏置信号组(301)中的一个信号，用于对该像素行进行放电；所述晶体管为金属-氧化物半导体场效应晶体管。
14.根据权利要求1所述的硅基微显示器，其特征在于，还包括控制模块(110)、和电源管理模块(111)；所述控制模块(110)用于完成整个硅基驱动电路(100)的时序控制和寄存器参数配置；所述控制模块(110)通过控制信号(610)连接到微显示器外部；所述控制信号(610)采用IIC或SPI或UART通信协议；所述电源管理模块(111)将电源信号(611)转换成正电源输入(710)和负电源输入(711)；电源管理模块(111)还将电源信号(611)转换负电源通过负电源输出引脚(712)输出；所述正电源输入(710)接入到硅基驱动电路中供晶体管使用，电压取值大于0V；所述负电源输入电压(711)接到电极(810)上供显示器件使用，范围小于或等于0V；所述驱动电路电源(711)为单路或多路电源，供硅基驱动电路使用。
15.根据权利要求1所述的硅基微显示器，其特征在于，还可包括内建测试模块(112)和校正模块(113)；所述内建测试模块(112)用于完成驱动电路和硅基微显示器的功能测试和性能测试，包括像素阵列、行驱动电路、列驱动电路功能测试、像素电压、像素电流、发光亮度的性能测试；测试结果通过测试信号(612)连接至外部；所述校正模块(113)用于对像素数据进行伽玛校正和非线性校正。
16.根据权利要求1所述的硅基微显示器，其特征在于，像素电路阵列(101)可根据上半屏和下半屏、左半屏和右半屏和左上、左下、右上、右下四个子屏三种划分；所述上半屏和下半屏的列驱动电路分开，其工作方式等同于整屏的工作方式；所述左半屏和右半屏的工作方式等同于上半屏和下半屏的工作方式；所述每一个子屏的工作方式等同于上半屏和下半屏的工作方式。