晶体管基板、有机发光显示面板及有机发光显示装置的制作方法

本申请要求于2016年11月30日提交的韩国专利申请No.10-2016-0162108的权益。

技术领域

本发明涉及一种晶体管基板、包括晶体管基板的有机发光显示面板、以及包括有机发光显示面板的有机发光显示装置。

背景技术：

平板显示(FPD)装置应用于各种电子产品，比如便携式电话、平板个人电脑(PC)、笔记本PC等。FPD装置(下文简称为显示装置)的例子包括液晶显示(LCD)装置、有机发光二极管(OLED)显示装置等。近来，作为一种FPD装置，正广泛使用电泳显示装置(EPD)。

作为一种FPD装置(下文简称为显示装置)，有机发光显示装置具有1ms或更小的快速响应时间和低功耗，因而作为下一代显示装置引起了很多关注。

图1是图解相关技术的有机发光显示面板的剖面的示例图，图2是显示相关技术的有机发光显示面板的驱动晶体管的电流与栅极-源极电压之间的关系的曲线。

如图1中所示，相关技术的有机发光显示面板包括：连接至栅极线和数据线的开关晶体管Tsw；包括阳极31、发光层32和阴极33的有机发光二极管(OLED)30；以及连接至阳极31和开关晶体管Tsw的驱动晶体管Tdr。开关晶体管Tsw的第二电极16连接至数据线，开关晶体管Tsw的第一电极17连接至驱动晶体管Tdr的栅极21，并且开关晶体管Tsw的栅极15连接至栅极线。

为了增加驱动晶体管Tdr的栅极21与阳极31之间的存储电容，在相关技术的有机发光显示面板中，栅极绝缘层14或绝缘层19的厚度设定为较薄。此外，在相关技术中，如图1中所示，使用金属51来增加存储电容。

在此提供附加的描述，在开关晶体管Tsw的第一电极17与连接至阳极31的电容电极41之间产生第一电容Ca，并且在第一电极17与金属51之间产生第二电容Cb。第一电容Ca和第二电容Cb组成存储电容。在图1中，由参考标记41表示的两个电容电极在图中看起来彼此分离，但实质上它们彼此电连接。

为了增强开关晶体管Tsw的特性，可减小栅极绝缘层14的厚度。然而，当栅极绝缘层14的厚度减小时，驱动晶体管Tdr的特性劣化。

例如，为了增强开关晶体管Tsw的特性，当栅极绝缘层14或绝缘层19的厚度设定为较薄时，如图2中所示，驱动晶体管Tdr导通并且因而电流增加的时间段的宽度“△Vgs”明显变窄。

宽度“△Vgs”变窄代表用于再现颜色的灰度级的电压宽度变窄。例如，当对应于宽度“△Vgs”的电压被划分为256个电压时，实现256个颜色。

因此，将栅极绝缘层14的厚度设定为较薄存在限制。

此外，为了增加存储电容，如图1中所示，包括电容电极41和金属51的相关技术的有机发光显示面板额外需要用于形成电容电极41和金属51的掩模。此外，接触孔减小了电容电极41的面积，导致存储电容的大小减小。

技术实现要素：

因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的晶体管基板、包括晶体管基板的有机发光显示面板、以及包括有机发光显示面板的有机发光显示装置。

本发明的一个方面旨在提供一种晶体管基板、包括晶体管基板的有机发光显示面板、以及包括有机发光显示面板的有机发光显示装置，其中开关晶体管的第一电极用作驱动晶体管的栅极。

在下面的描述中将部分列出本发明的附加优点和特征，这些优点和特征的一部分根据下面的解释对于所属领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。

为了实现这些和其他优点并根据本发明的意图，如在此具体化和概括描述的，提供了一种晶体管基板，包括：基板；设置在所述基板上的开关沟道；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述开关沟道上以与构成所述开关沟道的开关有源部交叠；开关栅极，所述开关栅极设置在所述栅极绝缘层上以与所述开关有源部交叠；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述开关沟道、所述栅极绝缘层和所述开关栅极；设置在所述第一绝缘层上的驱动沟道；覆盖所述驱动沟道和所述第一绝缘层的第二绝缘层；第一电极，所述第一电极连接至构成所述开关沟道的第一导体部并且设置在所述第二绝缘层上；和第二电极，所述第二电极连接至构成所述开关沟道的第二导体部并且设置在所述第二绝缘层上。在此，构成所述开关沟道的所述第一导体部设置成与构成所述驱动沟道的驱动有源部交叠。

在本发明的另一个方面中，提供了一种有机发光显示面板，包括：上述晶体管基板；钝化层，所述钝化层覆盖所述第一电极、所述第二电极和所述第二绝缘层；和设置在所述钝化层上的有机发光二极管。

在本发明的又一个方面中，提供了一种有机发光显示装置，包括：上述有机发光显示面板；栅极驱动器，所述栅极驱动器向所述有机发光显示面板中包括的多条栅极线提供栅极脉冲；数据驱动器，所述数据驱动器向所述有机发光显示面板中包括的多条数据线分别提供数据电压；和控制所述栅极驱动器和所述数据驱动器的控制器。

应当理解，本发明前面的大体性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，旨在对要求保护的本发明提供进一步的解释。

附图说明

被包括用来给本发明提供进一步理解并且并入本申请构成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：

图1是图解相关技术的有机发光显示面板的剖面的示例图；

图2是显示相关技术的有机发光显示面板的驱动晶体管的电流与栅极-源极电压之间的关系的曲线；

图3是图解根据本发明实施方式的有机发光显示装置的构造的示例图；

图4是图解根据本发明实施方式的有机发光显示面板中包括的像素的构造的示图；

图5是图解根据本发明实施方式的有机发光显示面板的一个像素的剖面的示例图；以及

图6到11是用于描述根据本发明实施方式的有机发光显示面板的制造方法的示例图。

具体实施方式

现在将详细参考本发明的示例性实施方式进行描述，附图中图解了这些实施方式的一些例子。尽可能地将在整个附图中使用相同的参考标记表示相同或相似的部分。

将通过参照附图描述的下列实施方式阐明本发明的优点和特征以及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实施，不应解释为限于在此列出的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本公开内容全面和完整，并将本发明的范围充分地传递给所属领域技术人员。此外，本发明仅由权利要求书的范围限定。

在本申请中，在给每个图中的要素添加参考标记时，应当注意，尽可能地针对要素使用在其他图中已用来表示相似要素的相似参考标记。

为了描述本发明的实施方式而在附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本发明不限于图示的细节。相似的参考标记通篇表示相似的要素。在下面的描述中，当确定对相关已知功能或构造的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时，将省略该详细描述。在本申请中使用“包括”、“具有”和“包含”进行描述的情况下，可添加其他部分，除非使用了“仅”。

在解释一要素时，尽管没有明确说明，但该要素应解释为包含误差范围。

在描述位置关系时，例如，当两部分之间的位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”时，可在两部分之间设置一个或多个其他部分，除非使用了“正好”或“直接”。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，可包括不连续的情况，除非使用了“正好”或“直接”。

术语“至少一个”应当理解为包括相关所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。例如，“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”的含义是指选自第一项目、第二项目和第三项目中的两个或更多个项目的所有项目的组合以及第一项目、第二项目或第三项目。

将理解到，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种要素，但这些要素不应被这些术语限制。这些术语仅仅是用来彼此区分要素。例如，在不背离本发明的范围的情况下，第一要素可能被称为第二要素，类似地，第二要素可能被称为第一要素。

所属领域技术人员能够充分理解到，本发明各实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合，且可在技术上彼此进行各种互操作和驱动。本发明的实施方式可彼此独立实施，或者以相互依赖的关系共同实施。

下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方式。

图3是图解根据本发明实施方式的有机发光显示装置的构造的示例图，图4是图解根据本发明实施方式的有机发光显示面板中包括的像素的构造的示图。

如图3中所示，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可包括：有机发光显示面板100，有机发光显示面板100中设置有由多条栅极线GL1到GLg和多条数据线DL1到DLd限定的多个像素110以显示图像；栅极驱动器200，栅极驱动器200给有机发光显示面板100中包括的栅极线GL1到GLg按顺序提供栅极脉冲；数据驱动器300，数据驱动器300给有机发光显示面板100中包括的数据线DL1到DLd分别提供数据电压；以及控制栅极驱动器200和数据驱动器300的控制器400。

首先，有机发光显示面板100可包括提供栅极脉冲的栅极线GL1到GLg、提供数据电压的数据线DL1到DLd、以及由栅极线GL1到GLg和数据线DL1到DLd限定的像素110。每个像素110可包括至少一个薄膜晶体管(下文简称为晶体管)。

如图4中所示，有机发光显示面板100中包括的每个像素110可包括发光的有机发光二极管OLED和驱动有机发光二极管OLED的像素驱动器PDC。用于给像素驱动器PDC提供驱动信号的多条信号线DL、EL、GL、PLA、PLB、SL和SPL可设置在每个像素110中。

可通过数据线DL提供数据电压Vdata，可通过栅极线GL提供栅极脉冲GP，可通过电源线PLA提供第一驱动电力EVDD，可通过驱动电力线PLB提供第二驱动电力EVSS，可通过感测线SL提供基准电压Vref，可通过感测脉冲线SPL提供用于导通/截止感测晶体管Tsw2的感测脉冲SP，并且可通过发光线EL提供用于驱动发光晶体管Tsw3的发光控制信号EM。

例如，如图4中所示，像素驱动器PDC可包括开关晶体管Tsw1，开关晶体管Tsw1连接至栅极线GL和数据线DL；驱动晶体管Tdr，驱动晶体管Tdr根据通过开关晶体管Tsw1传输的数据电压Vdata控制从有机发光二极管OLED输出的电流的电平；感测晶体管Tsw2，感测晶体管Tsw2感测驱动晶体管Tdr的特性；以及发光晶体管Tsw3，发光晶体管Tsw3控制有机发光二极管OLED的发光时序。

存储电容Cst可设置在驱动晶体管Tdr的栅极与有机发光二极管OLED的阳极之间。存储电容Cst可称为第一电容。

第二电容C2可设置在有机发光二极管OLED与发光晶体管Tsw3的端子之中的被提供第一驱动电力的端子之间。

开关晶体管Tsw1可被通过栅极线GL提供的栅极脉冲导通并且可将通过数据线DL提供的数据电压Vdata传输至驱动晶体管Tdr的栅极。

感测晶体管Tsw2可连接至感测线SL以及驱动晶体管Tdr与有机发光二极管OLED之间的第一节点n1并且可被感测脉冲SP导通/截止。在感测时段中，感测晶体管Tsw2可感测驱动晶体管Tdr的特性。

连接至驱动晶体管Tdr的栅极的第二节点n2可连接至开关晶体管Tsw1。存储电容Cst可设置在第二节点n2与第一节点n1之间。随着存储电容Cst增加，驱动晶体管Tdr的驱动特性增强。

发光晶体管Tsw3可基于发光控制信号EM将第一驱动电力EVDD传输至驱动晶体管Tdr或者可切断第一驱动电力EVDD。当发光晶体管Tsw3导通时，电流可提供至驱动晶体管Tdr，因而可从有机发光二极管OLED发光。

除了图4中所示的结构以外，像素驱动器PDC还可以以各种结构配置。

像素驱动器PDC中包括的每个晶体管可以是氧化物薄膜晶体管(TFT)。

晶体管可设置在位于设置有像素的显示区域外部的非显示区域中。例如，当栅极驱动器200内置到有机发光显示面板100的非显示区域中时，构成栅极驱动器200的每个晶体管也可以是氧化物TFT。

因此，可通过同一工艺形成有机发光显示面板中包括的所有晶体管。

随后，控制器400可基于从外部系统提供的时序信号(例如，垂直同步信号、水平同步信号、时钟等)输出用于控制栅极驱动器200的栅极控制信号GCS和用于控制数据驱动器300的数据控制信号DCS。控制器400可采样从外部系统接收的输入视频数据并且可重新排列采样的视频数据，以将通过重新排列获得的数字图像数据Data提供至数据驱动器300。

随后，数据驱动器300可将从控制器400输入的图像数据Data转换为模拟数据电压Vdata并且可在给一条栅极线GL提供栅极脉冲GP的每一个水平周期将一个水平行的数据电压Vdata传输至数据线DL1到DLd。

最后，栅极驱动器200可响应于从控制器400输入的栅极控制信号GCS给有机发光显示面板100的栅极线GL1到GLg按顺序提供栅极脉冲。因此，被提供栅极脉冲的每个像素110中包括的晶体管可导通，每个像素110可显示图像。栅极驱动器200可独立于有机发光显示面板100设置并且栅极驱动器200可以以各种方式电连接至有机发光显示面板100，但不限于此。在其他实施方式中，栅极驱动器200可设置为内置到有机发光显示面板100中的面板内栅极(GIP)型。

上文中，数据驱动器300、栅极驱动器200和控制器400的每一个被描述为独立设置。然而，数据驱动器300和栅极驱动器200中的至少一个可与控制器400配置为一体。

图5是图解根据本发明实施方式的有机发光显示面板100的一个像素的剖面的示例图。

如图5中所示，根据本发明实施方式的有机发光显示面板100可包括基板(基础基板)101、开关沟道119、驱动沟道129、栅极绝缘层103、开关栅极114、第一绝缘层104、阻挡层126、第二绝缘层105、第一电极141、第二电极142、第三电极143、第四电极144、钝化层106和有机发光二极管OLED。在下述的根据本发明实施方式的有机发光显示面板100中，除钝化层106和有机发光二极管OLED之外，可提供根据本发明实施方式的晶体管基板。就是说，根据本发明实施方式的晶体管基板可包括图5中所示的元件之中的基板101、开关沟道119、驱动沟道129、栅极绝缘层103、开关栅极114、第一绝缘层104、阻挡层126、第二绝缘层105、第一电极141、第二电极142、第三电极143和第四电极144。因此，不单独描述根据本发明实施方式的晶体管基板。

基板101可以是玻璃基板、塑料基板等。

在设置开关沟道119之前，可在基板101上设置缓冲层102。缓冲层102可由有机材料、无机材料等形成。

开关沟道119可设置在基板101或缓冲层102上。开关沟道119可包括由氧化物半导体形成的开关有源部113、以及分别设置在开关有源部113的两端中的第一导体部111和第二导体部112。

构成开关沟道119的第一导体部111可设置成与构成驱动沟道129的驱动有源部123交叠。因此，构成开关沟道119的第一导体部111可执行驱动晶体管Tdr的栅极的功能(即，驱动栅极的功能)。因此，根据本发明的实施方式，减少了接触孔的数量。

栅极绝缘层103可设置在开关沟道119上以与构成开关沟道119的开关有源部113交叠。栅极绝缘层103可由有机材料或无机材料形成。

开关栅极114可设置在栅极绝缘层103上以与开关有源部113交叠。

开关沟道119、栅极绝缘层103和开关栅极114可被第一绝缘层104覆盖。

栅极绝缘层103的厚度和第一绝缘层104的厚度可设为不同。特别是，构成驱动晶体管Tdr的第一绝缘层104的厚度可设为大于构成开关晶体管Tsw1的栅极绝缘层103的厚度。因此，通过减小构成开关晶体管Tsw1的栅极绝缘层103的厚度，增强了开关晶体管Tsw1的特性，并且通过增加构成驱动晶体管Tdr的第一绝缘层104的厚度，增强了驱动晶体管Tdr的电流Ids与栅极-源极电压Vgs之间的特性。

驱动沟道129可设置在第一绝缘层104上。驱动沟道129可包括由氧化物半导体形成的驱动有源部123、以及分别设置在驱动有源部123的两端中的第三导体部121和第四导体部122。驱动有源部123可由氧化物半导体形成。

构成开关沟道119的第一导体部111可设置成与构成驱动沟道129的第三导体部121交叠。第三导体部121可连接至构成有机发光二极管OLED的阳极131。

因此，可在构成开关沟道119的第一导体部111与构成驱动沟道129的第三导体部121之间设置存储电容。

设置在构成开关沟道119的第一导体部111与构成驱动沟道129的第三导体部121之间的存储电容可称为第二存储电容Cst2。

第二绝缘层105可覆盖驱动沟道129和第一绝缘层104。第二绝缘层105可由有机材料或无机材料形成。

阻挡层126可设置在驱动沟道129上，以与构成驱动沟道129的驱动有源部123交叠。可使用阻挡层126形成驱动有源部123。

例如，当通过使用等离子体执行在构成驱动沟道129的第三导体部121和第四导体部122中形成载流子的工艺时，阻挡层126可阻挡等离子体。因此，在驱动沟道129中，未被阻挡层126覆盖的两端可成为导电的，因而可形成第三导体部121和第四导体部122。

为此，阻挡层126可由用于阻挡等离子体的各种材料中的至少一种形成。例如，阻挡层126可由不透明金属形成，或者可由用于阻挡等离子体的有机材料或无机材料形成。

阻挡层126可被第二绝缘层105覆盖。

然而，可省略阻挡层126。

例如，通过代替阻挡层126使用单独的掩模，可形成第三导体部121和第四导体部122。

此外，在形成第三导体部121和第四导体部122之后，可去除阻挡层126。

第一电极141可设置在第二绝缘层105上。第一电极141可连接至构成开关沟道119的第一导体部111。

第一电极141可由各种金属中的至少一种形成。

第一电极141可设置成与构成驱动沟道129的第三导体部121交叠。构成驱动沟道129的第三导体部121可连接至构成有机发光二极管OLED的阳极131。

因此，可通过第一电极141和构成驱动沟道129的第三导体部121提供存储电容。

通过第一电极141和构成驱动沟道129的第三导体部121提供的存储电容可称为第一存储电容Cst1。

可通过第一存储电容Cst1和第二存储电容Cst2提供存储电容Cst。

在此提供附加的描述，设置在第二节点n2与第一节点n1之间的存储电容Cst可由第一存储电容Cst1和第二存储电容Cst2中的至少一个提供。在本发明的实施方式中，可通过第一存储电容Cst1和第二存储电容Cst2中的至少一个提供驱动晶体管Tdr的驱动所需的存储电容Cst。

第二电极142可设置在第二绝缘层105上。第二电极142可连接至构成开关沟道119的第二导体部112。

第三电极143可设置在第二绝缘层105上。第三电极143可连接至构成驱动沟道129的第三导体部121。

第三电极143可连接至阳极131。

第四电极144可设置在第二绝缘层105上。第四电极144可连接至构成驱动沟道129的第四导体部122。

钝化层106可覆盖第一电极141、第二电极142、第三电极143、第四电极144和第二绝缘层105。钝化层106可由有机层或包括有机材料的至少一个层形成。钝化层106可将第一电极141、第二电极142、第三电极143、第四电极144和第二绝缘层105的每一个的上端平坦化。

有机发光二极管OLED可设置在钝化层106上。有机发光二极管OLED可包括阳极131、发光层132和阴极133。

构成有机发光二极管OLED的阳极131可通过第三电极143连接至构成驱动沟道129的第三导体部121。在图5中，连接至第三电极143的辅助电极Y可与构成驱动沟道129的第三导体部121分离。然而，辅助电极Y可实质上连接至构成驱动沟道129的第三导体部121。因此，辅助电极Y和构成驱动沟道129的第三导体部121可设置为一体。

有机发光二极管OLED可被堤部107围绕。可通过堤部107划分每个像素。

图6到11是用于描述根据本发明实施方式的有机发光显示面板的制造方法的示例图。在图6到11中，(a)图解了有机发光显示面板的一个像素的平面，(b)图解了有机发光显示面板的一个像素的剖面。在下面的描述中，省略或将简要描述与上面参照图3到5描述的细节相同或相似的细节。

首先，如图6中所示，可通过使用第一掩模在基板101或缓冲层102上形成包括氧化物半导体的开关沟道119。在图6的(a)中，除了开关沟道119和驱动沟道129以外，还图解了应用于一个像素中包括的其他晶体管的沟道。在下面描述的图7到11中，图解了应用于其他晶体管的元件。在下面的描述中，将主要描述形成存储电容Cst的工艺。在图6的(a)中，通过下述的工艺，可在称为C_st的区域中形成存储电容Cst，并且可在称为C_2的区域中形成第二电容C2。此外，通过下述的工艺，可在称为T_1的区域中形成开关晶体管Tsw1，可在称为T_2的区域中形成感测晶体管Tsw2，可在称为T_3的区域中形成发光晶体管Tsw3，并且可在称为T_4的区域中形成驱动晶体管Tdr。

随后，通过用于形成栅极绝缘层103的栅极绝缘材料覆盖开关沟道119。

随后，如图7中所示，可通过使用第二掩模在栅极绝缘材料的上端上形成开关栅极114。

随后，如图7中所示，在干蚀刻工艺中，通过使用开关栅极114作为掩模，可蚀刻栅极绝缘材料，因而可形成栅极绝缘层103。

随后，可在基板101上喷射等离子体。在这种情形中，在开关沟道119中，在未被开关栅极114和栅极绝缘层103覆盖的区域中载流子可增加，因而未被开关栅极114和栅极绝缘层103覆盖的区域可变为导体。

因此，如图7中所示，可形成开关有源部113、第一导体部111和第二导体部112。

随后，可通过第一绝缘层104覆盖开关沟道119、栅极绝缘层103和开关栅极114。

随后，如图8中所示，可通过使用第三掩模在第一绝缘层104上设置驱动沟道129。

随后，可通过使用第四掩模在驱动沟道129上设置阻挡层126，以与构成驱动沟道129的驱动有源部123交叠。

随后，可在基板101上喷射等离子体。在这种情形中，在驱动沟道129中，在未被阻挡层126覆盖的区域中载流子可增加，因而未被阻挡层126覆盖的区域可变为导体。

因此，如图9中所示，可形成构成驱动沟道129的驱动有源部123以及第三导体部121和第四导体部122。

在这种情形中，当不形成阻挡层126时，可通过使用第四掩模形成构成驱动沟道129的驱动有源部123以及第三导体部121和第四导体部122。

随后，可通过第二绝缘层105覆盖驱动沟道129和第一绝缘层104。

随后，如图10中所示，可通过使用第五掩模形成多个接触孔。多个接触孔可包括：第一接触孔h1，第一接触孔h1暴露构成开关沟道119的第一导体部111；第二接触孔h2，第二接触孔h2暴露构成开关沟道119的第二导体部112；第三接触孔h3，第三接触孔h3暴露构成驱动沟道129的第三导体部121；和第四接触孔h4，第四接触孔h4暴露构成驱动沟道129的第四导体部122。

随后，如图11中所示，可通过使用第六掩模形成第一电极141、第二电极142、第三电极143和第四电极144。

因此，可形成开关晶体管Tsw1和驱动晶体管Tdr。

此外，可在构成驱动沟道129的第三导体部121与第一电极141之间形成第一存储电容Cst1，并且可在构成开关沟道119的第一导体部111与构成驱动沟道129的第三导体部121之间形成第二存储电容Cst2。

随后，可通过钝化层106覆盖第一电极141、第二电极142、第三电极143、第四电极144和第二绝缘层105。

最后，可在钝化层106上形成有机发光二极管OLED。阳极131可通过穿过钝化层106的接触孔连接至构成驱动沟道129的第三导体部121。

如上所述，根据本发明的实施方式，即使在不减小栅极绝缘层的厚度的情况下仍确保了期望的存储电容。因此，增强了驱动晶体管的电流Ids与栅极-源极电压Vgs之间的特性。

此外，根据本发明的实施方式，因为开关晶体管的第一电极用作驱动晶体管的栅极，所以确保了大尺度的存储电容。

此外，根据本发明的实施方式，因为开关晶体管的第一电极用作驱动晶体管的栅极，所以接触孔的数量减少，由此使得存储电容最大化。

此外，根据本发明的实施方式，因为开关晶体管配置为顶栅型并且驱动晶体管配置为底栅型，所以可调整驱动晶体管的有源部与栅极之间的厚度，因而驱动晶体管的驱动电压和驱动范围增加。

此外，根据本发明的实施方式，因为构成开关沟道的第一导体部能够执行驱动晶体管的栅极的功能(即，驱动栅极的功能)，所以减少了接触孔的数量。

此外，根据本发明的实施方式，构成开关晶体管的栅极绝缘层的厚度和构成驱动晶体管的栅极绝缘层的厚度可设为不同。特别是，构成驱动晶体管的栅极绝缘层的厚度可设为大于构成开关晶体管的栅极绝缘层的厚度。因此，通过减小构成开关晶体管的栅极绝缘层的厚度，增强了开关晶体管的特性，并且通过增加构成驱动晶体管的栅极绝缘层的厚度，增强了驱动晶体管的电流Ids与栅极-源极电压Vgs之间的特性。

在不背离本发明的精神或范围的情况下，能够在本发明中进行各种修改和变化，这对于所属领域技术人员来说将是显而易见的。因而，本发明旨在覆盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。