显示基板及其制作方法和驱动方法以及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示基板、一种显示装置、一种显示基板驱动方法和一种显示基板制作方法。
【背景技术】
[0002]在现有OLED(有机发光二极管)显示技术中，无论底发射(如图1所示)还是顶发射(如图2所示)，显示单元都需要使用GATE (栅极)?PDL (像素界定层)+EL (发光层)等多层，才能达成发光效果。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是，提供一种采用有机发光晶体管进行发光的显示基板，以减少显示基板中结构的层数，提高发光率。
[0004]为此目的，本发明提出了一种显示基板，包括:
[0005]基底；
[0006]设置在所述基底之上的栅极层；
[0007]设置在所述栅极层之上的栅绝缘层；
[0008]设置在所述栅绝缘层之上的像素界定层；
[0009]设置在所述栅绝缘层之上，所述像素界定层界定区域中的发光层，
[0010]其中，所述发光层包括电子激发层、光激发层和空穴激发层；
[0011]设置在所述空穴激发层之上的源漏层。
[0012]优选地，所述栅极层包括:
[0013]设置在所述发光层之下的透明导电层；
[0014]与所述透明导电层电连接的金属导线。
[0015]优选地，在所述透明导电层上的第一电压大于第一预设值时，所述发光层导通，使所述源漏层中的源极和漏极导通。
[0016]优选地，在所述透明导电层上的第一电压大于第一预设值，且所述源极和漏极上的第二电压大于第二预设值时，
[0017]所述第一电压激发所述电子激发层产生电子，所述第二电压激发所述空穴激发层产生空穴，
[0018]其中，所述电子通过所述光激发层进入所述空穴激发层填补所述空穴，激发所述光激发层产生光子。
[0019]优选地，所述源漏层的材料包括反光金属。
[0020]优选地，所述源漏层覆盖所述发光层的面积与所述发光层的面积之比大于预设值。
[0021]优选地，所述栅绝缘层包括材料为氮化硅的第一绝缘层和/或材料为氧化硅的第二绝缘层。
[0022]本发明还提出了一种显示装置，其特征在于，包括上述任一项所述的显示基板。
[0023]本发明还提出了一种显示基板驱动方法，用于驱动上述任一项所述的显示基板，包括:
[0024]向所述栅极层通以第一电压，使所述发光层导通，激发所述电子激发层产生电子;
[0025]向所述源漏层通以第二电压，以激发所述空穴激发层产生空穴，
[0026]其中，所述电子激发层产生的电子，通过所述光激发层进入所述空穴激发层填补所述空穴，激发所述光激发层产生光子。
[0027]优选地，还包括:
[0028]根据接收到的第一开关指令调节所述第一电压和/或第二电压的电压值，以控制所述发光层导通或截止，和/或
[0029]根据接收到的第二开关指令调节所述第一电压和/或第二电压的电压值，以控制通过所述光激发层的电子数量。
[0030]本发明还提出了一种显示基板制作方法，包括:
[0031]在基底上形成栅极层；
[0032]在所述栅极层之上形成栅绝缘层；
[0033]在所述栅绝缘层之上形成像素界定层；
[0034]在所述栅绝缘层之上，所述像素界定层界定区域中形成发光层，
[0035]其中，所述发光层包括电子激发层、光激发层和空穴激发层；
[0036]在所述空穴激发层之上形成源漏层。
[0037]优选地，所述在基底上形成栅极层包括:
[0038]形成透明导电层，其中，所述发光层形成于所述透明导电层之上；
[0039]形成与所述透明导电层电连接的金属导线。
[0040]优选地，所述在所述空穴激发层之上形成源漏层包括:
[0041]根据所述发光层的面积形成所述源漏层，以使所述源漏层覆盖所述发光层的面积与所述发光层的面积之比大于预设值。
[0042]优选地，所述在所述空穴激发层之上形成源漏层包括:
[0043]通过纳米压印在所述空穴激发层之上形成源漏层。
[0044]优选地，所述在所述栅极层之上形成栅绝缘层包括:
[0045]形成材料为氮化硅的第一绝缘层；
[0046]和/或形成材料为氧化硅的第二绝缘层。
[0047]根据上述技术方案，发光层一方面可以作为二极管，在透明导电层中通以电压时导通，以导通源极和漏极，另一反面还可以在透明导电层以及源极和漏极分别通以电压时实现发光。由于发光仅需栅极层、发光层和源漏层三层结构即可实现，相对于现有技术中的OLED发光结构，层结构更加简单，对出射光的遮挡更少，发光率更高。
【附图说明】
[0048]通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中:
[0049]图1示出了现有技术中底发射结构OLED的结构示意图；
[0050]图2示出了现有技术中顶发射结构OLED的结构示意图；
[0051]图3示出了根据本发明一个实施例的显示基板的结构示意图；
[0052]图4示出了图3中的显示基板沿AA’的截面示意图；
[0053]图5示出了图3中的显示基板沿BB’的截面示意图；
[0054]图6示出了根据本发明一个实施例的显示基板制作方法的示意流程图。
[0055]附图标号说明:
[0056]1-基底；21_透明导电层；22_金属导线；3_栅绝缘层；4_像素界定层；5_发光层；51-电子激发层；52_光激发层；53_空穴激发层；61_源极；62_漏极。
【具体实施方式】
[0057]为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0058]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0059]如图3至图5所示，根据本发明一个实施例的显示基板，包括:
[0060]基底I ;
[0061]设置在基底I之上的栅极层；
[0062]设置在栅极层之上的栅绝缘层3 ;
[0063]设置在栅绝缘层3之上的像素界定层4 ;
[0064]设置在栅绝缘层3之上，像素界定层4界定区域中的发光层5，
[0065]其中，发光层5包括电子激发层51、光激发层52和空穴激发层53 ;
[0066]设置在空穴激发层53之上的源漏层。
[0067]本实施例中，发光层一方面可以在栅极层和源漏层的驱动下发光，另一方面还可以作为二极管，当在栅极层中通以一定的电压时，发光层导通，从而导通源漏层中的源极和漏极，进而使得可以通过信号线向源漏层中通以一定的电压来控制发光层的发光亮度。
[0068]由于发光仅需栅极层、发光层和源漏层三层结构即可实现，与现有技术中的OLED发光结构相比，本实施例中的发光层处于栅极层和源漏层之间，即相当于有源层的位置，而且一方面起到了有源层的作用，另一方面还起到了有机发光层的作用，可以以较少的层结构实现发光，并且由于层结构较少，对出射光的遮挡更少，实现了发光率的提高，具体可以比OLED发光结构提高30%的发光率。
[0069]其中，像素界定层的材料可以为聚酰亚胺，一方面具有良好的遮光效果，另一方面具有良好的绝缘性，并且可以避免发光材料散失。
[0070]如图5所示，优选地，栅极层包括:
[0071]设置在发光层5之下的透明导电层21 ;
[0072]与透明导电层21电连接的金属导线22。
[0073]优选地，在透明导电层21上的第一电压大于第一预设值时，发光层5导通，使源漏层中的源极61和漏极62导通，源漏层中还包含与源极61和漏极62分别电连接的数据线。
[0074]与现有技术中的OLED发光结构相比，金属导线22可以起到相当于栅线(即扫描线)的作用，而透明导电层一方面可以起到栅极的作用，通过通以电压来使发光层导通，进而导通源漏层中的源极61和漏极62;同时还起到阴极的作用，即为驱动发光层提供负电压，激发发光层5中的电子激发层51产生电子。相应地，源漏层除了起到控制发光层发光的作用，还可以起到阳极的作用，即为驱动发光层发光提供正电压，激发发光层5中的空穴激发层53产生空穴。
[0075]从而本实施例中显示基板相对于现有技术中的OLED发光结构可以省去阴极、发光层和阳极的层结构，并且能够保证对于发光层的正常驱动和控制，以较少的层结构实现了发光和对发光的控制。
[0076]优选地，在透明导电层21上的第一电压大于第一预设值，且源极61和漏极62上的第二电压大于第二预设值时，需要说明的是，本实施例中所指的“大于”是对绝对值而言的，也即，若第一电压为负电压，第一预设值为-10V，那么第一电压大于第一预设值是指第一电压的绝对值大于10V，同理，当第二电压为负电压时亦然，
[0077]第一电压激发电子激发层51产生电子，第二电压激发空穴激发层53产生空穴，
[0078]其中，电子通过光激发层52进入空穴激发层53填补空穴，激发光激发层52产生光子，
[0079]一般情况下，第一电压可以为负电压，使得电极激发层51中的电子向远离透明导电层21的方向运动，第二电压可以为正电压，使得空穴激发层53中的电子进入源漏层，以产生空穴，电子在第一电压和第二电压产生电场的驱动下向空穴激发层53运动，进而填补空穴激发层53中的部分空穴，在电子经过光激发层52时，会激发光激发层52产生光子，其中，光子的运动方向可以朝向透明导电层21，从而实现底发射。
[0080]优选地，源漏层的材料包括反光金属(例如可以是银或者铝)，在底发射基础上，将源漏层的材料设置为反光金属，可以使得光激发层52中射向源漏层的绝大部分光子被反射从透明导电层21射出，从而提高底发射结构的发光率。
[0081]优选地，源漏层覆盖发光层的面积与发光层5的面积之比大于预设值。如