一种tft基板的制备方法及tft基板的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种TFT基板的制备方法及TFT基板。该TFT基板包括多个像素单元，每个像素单元包括依次形成在透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、半导体层、源/漏金属层、绝缘介质层和像素电极层，数据线与栅电极、栅线设在同一层，通过绝缘介质层的第一过孔和第二过孔以及像素电极层的第一连接线连接数据线和源电极。该TFT基板的制备方法在原来5次光刻工艺的基础上减少2次光刻，简化TFT制备工艺，降低生产成本提高生产效率，工艺步骤越少，产品的良品率越高，品质越容易控制。
【专利说明】
一种TFT基板的制备方法及TFT基板
技术领域
[0001 ]本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种TFT基板的制备方法及TFT基板。
【背景技术】
[0002]随着智能手机、平板电脑等产品的发展，TFT-LCD液晶显示器得到越来越广泛的应用。随着产业的竞争，高性价比的TFT-LCD屏也不断推入市场，竟而采用更为先进的工艺技术、对工艺的优化简化，降低生产成本成为在竞争激烈的市场中生存的有力保证。
[0003]TFT-1XD行业生产TFT主要为5次光刻技术，而部分厂商采用4次光刻技术。而对于TFT的生产目前采用的5次光刻和4光刻技术仍存在工艺技术复杂等问题。
[0004]在一份公告号为CN 102023432B的发明专利中公开了一种FFS型TFT-LCD阵列基板及其制备方法，其制备方法进行3次光刻即可完成，但是其采用双调掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理，栅线上存在残留的半导体层，容易引起很大的寄存电容，影响结构稳定性，导致产品的不良；在一份公告号为CN 102315130B的发明专利中公开了一种薄膜场效应晶体管及其制备方法，其制备方法进行3次光刻即可完成，但是其使用的高温光刻胶比常规光刻胶成本更高，而且TFT玻璃基板不耐受高温，不利于成本的降低和产品良率的提高。
【发明内容】
[0005]为了解决上述现有技术的不足，本发明提供一种TFT基板的制备方法及其TFT基板。该TFT基板将数据线与栅电极、栅线设在同一层，通过绝缘介质层的第一过孔和第二过孔以及像素电极层的第一连接线连接数据线和源电极，其制备方法在原来5次光刻工艺的基础上减少2次光刻，简化TFT制备工艺，降低生产成本，提高生产效率，工艺步骤越少，产品的良品率越尚，品质越容易控制。
[0006]本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
一种TFT基板的制备方法，包括如下步骤:
S1:在透明基板上依次沉积栅金属层、栅绝缘层、半导体层和源/漏金属层；
52:在所述源/漏金属层上涂覆第一光刻胶，进行掩膜和刻蚀，形成数据线、栅线、栅电极、栅绝缘层、半导体沟道、源电极和漏电极；
53:在S2所述的基板上沉积绝缘介质层；
54:在所述绝缘介质层上涂覆第二光刻胶，进行掩膜和刻蚀，形成分别位于数据线、源电极和漏电极上方的绝缘介质层的第一过孔、第二过孔和第三过孔；
55:在S4所述的基板上沉积像素电极层；
S6:在所述像素电极层上涂覆第三光刻胶，进行掩膜和刻蚀，形成像素电极、数据线和源电极的第一连接线、漏电极和像素电极的第二连接线。
[0007]进一步地，在步骤SI之前，还包括步骤S0:提供一透明基板，清洁所述透明基板，去掉所述透明基板上的污物。
[0008]进一步地，所述步骤S2包括: S21:对所述第一光刻胶进行灰阶掩膜工艺，形成第一光刻胶图案，其中，源电极区域、漏电极区域的第一光刻胶具有第一厚度，栅线区域、数据线区域和半导体沟道区域的第一光刻胶具有第二厚度，其它区域无第一光刻胶覆盖，所述第一厚度比第二厚度大；
S22:通过刻蚀工艺，去掉没有被第一光刻胶覆盖的所述其它区域的源/漏金属层、半导体层和栅绝缘层，形成数据线、栅线、栅电极和栅绝缘层；
S23:对所述第一光刻胶进行灰化工艺，去掉第二厚度的第一光刻胶，暴露出栅线区域、数据线区域以及半导体沟道区域的源/漏金属层；
524:通过刻蚀工艺，刻蚀暴露出的源/漏金属层及其下方半导体层，形成半导体沟道、源电极和漏电极；
525:对所述第一光刻胶进行脱膜，剥离剩余的第一光刻胶。
[0009]进一步地，所述S4包括:
S41:对所述第二光刻胶进行灰阶掩膜工艺，形成第二光刻胶图案，其中，源电极区域、漏电极区域、栅线区域的第二光刻胶具有第三厚度，数据线区域无第二光刻胶覆盖，其它区域的第二光刻胶具有第四厚度，所述第四厚度大于第三厚度；
S42:通过刻蚀工艺，去掉没有被第二光刻胶覆盖的数据线区域的绝缘介质层，暴露出数据线区域的栅绝缘层和半导体层；
S43:对所述第二光刻胶进行灰化工艺，去掉第三厚度的光刻胶，暴露出源电极区域、漏电极区域和栅线区域的绝缘介质层；
S44:通过刻蚀工艺，去掉数据线区域的栅绝缘层和半导体层、源/漏电极区域上的绝缘介质层、栅线区域上的半导体层和绝缘介质层、数据线区域上的栅绝缘层和半导体层，形成分别位于数据线、源电极和漏电极上方的绝缘介质层的第一过孔、第二过孔和第三过孔；S45:对所述第二光刻胶进行脱膜，剥离剩余的第二光刻胶。
[0010]进一步地，所述S6包括:
S61:对所述第三光刻胶进行灰阶掩膜工艺，形成第三光刻胶图案，其中，所述半导体沟道区域和栅线区域无第三光刻胶覆盖；
S62:通过刻蚀工艺，去掉无第三光刻胶覆盖的半导体沟道区域和栅线区域的像素电极层，形成像素电极、数据线和源电极的第一连接线、漏电极和像素电极的第二连接线；
S63:对所述第三光刻胶进行脱膜，剥离剩余的第三光刻胶。
[0011]进一步地，步骤S21中利用灰阶掩膜板进行掩膜时，数据线区域、栅线区域和半导体沟道区域对应掩膜板的部分透光部位，源电极区域和漏电极区域对应掩膜板的不透光部位，其他区域对应掩膜板的完全透光部位。
[0012]进一步地，步骤S41中利用灰阶掩膜板进行掩膜时，数据线区域对应掩膜板的完全透光部位，源电极区域、漏电极区域和栅线区域对应掩膜板的部分透光部位，其他区域对应掩膜板的不透光部位。
[0013]—种TFT基板，包括多个像素单元，每个像素单元包括依次形成在透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、半导体层、源/漏金属层、绝缘介质层和像素电极层，其中:
所述栅金属层包括栅电极、横向的栅线和竖向的数据线，所述栅电极和栅线连接，所述数据线和栅电极、栅线断开；
所述栅绝缘层位于所述栅电极和栅线上，用于将栅线/栅电极与源电极/漏电极绝缘； 所述半导体层位于所述栅电极的栅绝缘层上，其上形成有半导体沟道；
所述源/漏金属层包括源电极和漏电极，分别位于所述半导体层的半导体沟道两侧上方；
所述绝缘介质层用于将半导体层、栅电极与像素电极层绝缘，其数据线处设有第一过孔、源电极处设有第二过孔、漏电极处设有第三过孔；
所述像素电极层包括像素电极和第一连接线、第二连接线。
[0014]进一步地，所述源电极通过绝缘介质层上的第一过孔、第二过孔以及像素电极层上的第一连接线与数据线连接，所述漏电极通过绝缘介质层上的第三过孔以及像素电极层上的第二连接线与像素电极连接。
[0015]本发明具有如下有益效果:
1.该TFT基板将数据线与栅电极、栅线设在同一层，通过绝缘介质层的第一过孔和第二过孔以及像素电极层的第一连接线连接数据线和源电极，其制备方法在原来5次光刻工艺的基础上减少2次光刻，简化TFT的制备工艺，降低生产成本，提高生产效率，工艺步骤越少，广品的良品率越尚，品质越容易控制；
2.采用灰阶掩膜板对光刻胶进行掩膜和刻蚀，操作性更强，不会在栅线上残留半导体层，其影响结构稳定性，广品的良品率尚;
3.光刻胶为常规的光刻胶，生产成本低，光刻胶在正常温度下即可进行刻蚀和剥离，不会对TFT玻璃基板造成损坏，其产品的良品率更高。
【附图说明】
[0016]图1为本发明提供的TFT基板的示意图；
图2为图1所示的TFT基板的A-A剖面图；
图3为图1所示的TFT基板的B-B剖面图；
图4为在透明基板上形成栅金属层、栅绝缘层、半导体层、源/漏金属层后的剖面图；
图5a-5b为图4的结构上涂覆第一光刻胶后，对第一光刻胶进行灰阶掩膜工艺后的剖面图；
图6a_6b为对图5a_5b的结构进行刻蚀工艺后的剖面图；
图7a_7b为对图6a_6b中的第一光刻胶进行灰化工艺后的剖面图；
图8a_8b为对图6a_6b的结构进行刻蚀工艺后的剖面图；
图9a_9b为对图8a_8b中的第一光刻胶脱膜剥离后的剖面图；
图1Oa-1Ob为对图9a_9b的结构形成绝缘介质层后的剖面图；
图1la-1lb为对图1Oa-1Ob的结构涂覆第二光刻胶后，对第二光刻胶进行灰阶掩膜工艺后的剖面图；
图12a-12b为对图1 la-1 Ib的结构进行刻蚀工艺后的剖面图；
图13a-13b为对图12a-12b中的第二光刻胶进行灰化工艺后的剖面图；
图14a-14b为对图13a-13b的结构进行刻蚀工艺后的剖面图；
图15a-15b为对图14a-14b中的第二光刻胶脱膜剥离后的剖面图；
图16a-16b为对图15a-15b的结构形成像素电容层后的剖面图；
图17a-17b为对图16a-16b的结构涂覆第三光学胶后，对第三光学胶进行灰阶掩膜工艺后的剖面图；
图18a-18b为对图17a-17b的结构进行刻蚀工艺后的剖面图；
图19a-19b为对图18a-18b中的第三光刻胶脱膜剥离后的剖面图。
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
[0018]实施例1
如图4-1%所示，一种TFT基板的制备方法，包括如下步骤:
S1:在透明基板I上依次沉积栅金属层2、栅绝缘层3、半导体层5和源/漏金属层5。
[0019]本步骤中的栅金属层2和源/漏金属层5的材质优选但不限定为Al、Cu、Mo或Cr等，栅绝缘层3的材质优选但不限定为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等，半导体层5的材质优选但不限定为单晶硅、多晶硅或非晶硅等。
[0020]S2:在所述源/漏金属层5上涂覆第一光刻胶8，进行掩膜和刻蚀，形成数据线22、栅线23、栅电极21、栅绝缘层3、半导体沟道41、源电极52和漏电极51。
[0021 ]其中，所述步骤S2包括:
S21:对所述第一光刻胶8进行灰阶掩膜工艺，形成第一光刻胶8图案，其中，源电极52区域、漏电极51区域的第一光刻胶8具有第一厚度，栅线23区域、数据线22区域和半导体沟道41区域的第一光刻胶8具有第二厚度，其它区域无第一光刻胶8覆盖，所述第一厚度比第二厚度大；
S22:通过刻蚀工艺，去掉没有被第一光刻胶8覆盖的所述其它区域的源/漏金属层5、半导体层5和栅绝缘层3，形成数据线22、栅线23、栅电极21和栅绝缘层3;
523:对所述第一光刻胶8进行灰化工艺，去掉第二厚度的第一光刻胶8，暴露出栅线23区域、数据线22区域以及半导体沟道41区域的源/漏金属层5;
524:通过刻蚀工艺，刻蚀暴露出的源/漏金属层5及其下方半导体层5，形成半导体沟道41、源电极52和漏电极51;
525:对所述第一光刻胶8进行脱膜，剥离剩余的第一光刻胶8。
[0022]S3:在S2所述的基板上沉积绝缘介质层6。
[0023 ]本步骤中的介质绝缘层优选但不限定为氮化娃、氧化娃或氮氧化娃等。
[0024]S4:在所述绝缘介质层6上涂覆第二光刻胶9，进行掩膜和刻蚀，形成分别位于数据线22、源电极52和漏电极51上方的绝缘介质层6的第一过孔61、第二过孔62和第三过孔63。
[0025]其中，所述S4包括:
S41:对所述第二光刻胶9进行灰阶掩膜工艺，形成第二光刻胶9图案，其中，源电极52区域、漏电极51区域、栅线23区域的第二光刻胶9具有第三厚度，数据线22区域无第二光刻胶9覆盖，其它区域的第二光刻胶9具有第四厚度，所述第四厚度大于第三厚度；
S42:通过刻蚀工艺，去掉没有被第二光刻胶9覆盖的数据线22区域的绝缘介质层6，暴露出数据线22区域的栅绝缘层3和半导体层5;
S43:对所述第二光刻胶9进行灰化工艺，去掉第三厚度的光刻胶，暴露出源电极52区域、漏电极51区域和栅线23区域的绝缘介质层6;
S44:通过刻蚀工艺，去掉数据线22区域的栅绝缘层3和半导体层5、源/漏电极51区域上的绝缘介质层6、栅线23区域上的半导体层5和绝缘介质层6、数据线22区域上的栅绝缘层3和半导体层5，形成分别位于数据线22、源电极52和漏电极51上方的绝缘介质层6的第一过孔61、第二过孔62和第三过孔63 ；
S45:对所述第二光刻胶9进行脱膜，剥离剩余的第二光刻胶9。
[0026]S5:在S4所述的基板上沉积像素电极层7。
[0027]本步骤中的像素电极层7的材质优选但不限定为ΙΤ0。
[0028]S6:在所述像素电极层7上涂覆第三光刻胶10，进行掩膜和刻蚀，形成像素电极73、数据线22和源电极52的第一连接线71、漏电极51和像素电极73的第二连接线72。
[0029]其中，所述S6包括:
S61:对所述第三光刻胶10进行灰阶掩膜工艺，形成第三光刻胶10图案，其中，所述半导体沟道41区域和栅线23区域无第三光刻胶10覆盖；
S62:通过刻蚀工艺，去掉无第三光刻胶10覆盖的半导体沟道41区域和栅线23区域的像素电极层7，形成像素电极73、数据线22和源电极52的第一连接线71、漏电极51和像素电极73的第二连接线72;
S63:对所述第三光刻胶10进行脱膜，剥离剩余的第三光刻胶10。
[0030]该制备方法通过将数据线22与栅电极21、栅线23设在同一层，通过绝缘介质层6的第一过孔61和第二过孔62以及像素电极层3的第一连接线71连接数据线22和源电极52，在原来5次光刻工艺的基础上减少2次光刻，简化TFT的制备工艺，降低生产成本，提高生产效率，工艺步骤越少，产品的良品率越高，品质越容易控制;采用灰阶掩膜板对光刻胶进行掩膜和刻蚀，操作性更强，不会在栅线上残留半导体层，其影响结构稳定性，产品的良品率高；光刻胶为常规的光刻胶，生产成本低，光刻胶在正常温度下即可进行刻蚀和剥离，不会对TFT玻璃基板造成损坏，其产品的良品率更高。
[0031]优选地，在步骤SI之前，还包括步骤S0:提供一透明基板1，清洁所述透明基板1，去掉所述透明基板I上的污物。
[0032]本步骤中的透明基板I优选但不限定为玻璃基板。
[0033]优选地，步骤S21中利用灰阶掩膜板进行掩膜时，数据线22区域、栅线23区域和半导体沟道41区域对应掩膜板的部分透光部位，源电极52区域和漏电极51区域对应掩膜板的不透光部位，其他区域对应掩膜板的完全透光部位。
[0034]优选地，步骤S41中利用灰阶掩膜板进行掩膜时，数据线22区域对应掩膜板的完全透光部位，源电极52区域、漏电极51区域和栅线23区域对应掩膜板的部分透光部位，其他区域对应掩膜板的不透光部位。
[0035]实施例2
如图1-3所示，一种TFT基板，包括多个像素单元，每个像素单元包括依次形成在透明基板I上的栅金属层2、栅绝缘层3、半导体层5、源/漏金属层5、绝缘介质层6和像素电极层7，其中:
所述栅金属层2包括栅电极21、横向的栅线23和竖向的数据线22，所述栅电极21和栅线23连接，所述数据线22和栅电极21、栅线23断开；
所述栅绝缘层3位于所述栅电极21和栅线23上，用于将栅线23/栅电极21与源电极52/漏电极51绝缘； 所述半导体层5位于所述栅电极21的栅绝缘层3上，其上形成有半导体沟道41;
所述源/漏金属层5包括源电极52和漏电极51，分别位于所述半导体层5的半导体沟道41两侧上方；
所述绝缘介质层6用于将半导体层5、栅电极21与像素电极层7绝缘，其数据线22处设有第一过孔61、源电极52处设有第二过孔62、漏电极51处设有第三过孔63;
所述像素电极层7包括像素电极73和第一连接线71、第二连接线72。
[0036]该TFT基板将数据线22与栅电极21、栅线23设在同一层，通过绝缘介质层6的第一过孔61和第二过孔62以及像素电极层7的第一连接线31连接数据线22和源电极52，其制备方法在原来5次光刻工艺的基础上减少2次光刻，简化TFT的制备工艺，降低生产成本，提高生产效率，工艺步骤越少，产品的良品率越高，品质越容易控制;采用灰阶掩膜板对光刻胶进行掩膜和刻蚀，操作性更强，不会在栅线上残留半导体层，其影响结构稳定性，产品的良品率高;光刻胶为常规的光刻胶，生产成本低，光刻胶在正常温度下即可进行刻蚀和剥离，不会对TFT玻璃基板造成损坏，其产品的良品率更高。
[0037]其中，所述源电极52通过绝缘介质层6上的第一过孔61、第二过孔62以及像素电极层7上的第一连接线71与数据线22连接，所述漏电极51通过绝缘介质层6上的第三过孔63以及像素电极层7上的第二连接线72与像素电极73连接。
[0038]栅金属层2和源/漏金属层5的材质优选但不限定为Al、Cu、Mo或Cr等，栅绝缘层3的材质优选但不限定为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等，半导体层5的材质优选但不限定为单晶硅、多晶硅或非晶硅等，介质绝缘层优选但不限定为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等，像素电极层7的材质优选但不限定为ΙΤ0。
[0039]以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种TFT基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: S1:在透明基板上依次沉积栅金属层、栅绝缘层、半导体层和源/漏金属层； 52:在所述源/漏金属层上涂覆第一光刻胶，进行掩膜和刻蚀，形成数据线、栅线、栅电极、栅绝缘层、半导体沟道、源电极和漏电极； 53:在S2所述的基板上沉积绝缘介质层； 54:在所述绝缘介质层上涂覆第二光刻胶，进行掩膜和刻蚀，形成分别位于数据线、源电极和漏电极上方的绝缘介质层的第一过孔、第二过孔和第三过孔； 55:在S4所述的基板上沉积像素电极层； S6:在所述像素电极层上涂覆第三光刻胶，进行掩膜和刻蚀，形成像素电极、数据线和源电极的第一连接线、漏电极和像素电极的第二连接线。2.根据权利要求1所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，在步骤SI之前，还包括步骤SO:提供一透明基板，清洁所述透明基板，去掉所述透明基板上的污物。3.根据权利要求1所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括: S21:对所述第一光刻胶进行灰阶掩膜工艺，形成第一光刻胶图案，其中，源电极区域、漏电极区域的第一光刻胶具有第一厚度，栅线区域、数据线区域和半导体沟道区域的第一光刻胶具有第二厚度，其它区域无第一光刻胶覆盖，所述第一厚度比第二厚度大； S22:通过刻蚀工艺，去掉没有被第一光刻胶覆盖的所述其它区域的源/漏金属层、半导体层和栅绝缘层，形成数据线、栅线、栅电极和栅绝缘层； S23:对所述第一光刻胶进行灰化工艺，去掉第二厚度的第一光刻胶，暴露出栅线区域、数据线区域以及半导体沟道区域的源/漏金属层； S24:通过刻蚀工艺，刻蚀暴露出的源/漏金属层及其下方半导体层，形成半导体沟道、源电极和漏电极； S25:对所述第一光刻胶进行脱膜，剥离剩余的第一光刻胶。4.根据权利要求1所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述S4包括: S41:对所述第二光刻胶进行灰阶掩膜工艺，形成第二光刻胶图案，其中，源电极区域、漏电极区域、栅线区域的第二光刻胶具有第三厚度，数据线区域无第二光刻胶覆盖，其它区域的第二光刻胶具有第四厚度，所述第四厚度大于第三厚度； S42:通过刻蚀工艺，去掉没有被第二光刻胶覆盖的数据线区域的绝缘介质层，暴露出数据线区域的栅绝缘层和半导体层； S43:对所述第二光刻胶进行灰化工艺，去掉第三厚度的光刻胶，暴露出源电极区域、漏电极区域和栅线区域的绝缘介质层； S44:通过刻蚀工艺，去掉数据线区域的栅绝缘层和半导体层、源/漏电极区域上的绝缘介质层、栅线区域上的半导体层和绝缘介质层、数据线区域上的栅绝缘层和半导体层，形成分别位于数据线、源电极和漏电极上方的绝缘介质层的第一过孔、第二过孔和第三过孔； S45:对所述第二光刻胶进行脱膜，剥离剩余的第二光刻胶。5.根据权利要求1所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述S6包括: S61:对所述第三光刻胶进行灰阶掩膜工艺，形成第三光刻胶图案，其中，所述半导体沟道区域和栅线区域无第三光刻胶覆盖； S62:通过刻蚀工艺，去掉无第三光刻胶覆盖的半导体沟道区域和栅线区域的像素电极层，形成像素电极、数据线和源电极的第一连接线、漏电极和像素电极的第二连接线； S63:对所述第三光刻胶进行脱膜，剥离剩余的第三光刻胶。6.根据权利要求3所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，步骤S21中利用灰阶掩膜板进行掩膜时，数据线区域、栅线区域和半导体沟道区域对应掩膜板的部分透光部位，源电极区域和漏电极区域对应掩膜板的不透光部位，其他区域对应掩膜板的完全透光部位。7.根据权利要求4所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，步骤S41中利用灰阶掩膜板进行掩膜时，数据线区域对应掩膜板的完全透光部位，源电极区域、漏电极区域和栅线区域对应掩膜板的部分透光部位，其他区域对应掩膜板的不透光部位。8.一种TFT基板，包括多个像素单元，其特征在于，每个像素单元包括依次形成在透明基板上的栅金属层、栅绝缘层、半导体层、源/漏金属层、绝缘介质层和像素电极层，其中: 所述栅金属层包括栅电极、横向的栅线和竖向的数据线，所述栅电极和栅线连接，所述数据线和栅电极、栅线断开； 所述栅绝缘层位于所述栅电极和栅线上，用于将栅线/栅电极与源电极/漏电极绝缘； 所述半导体层位于所述栅电极的栅绝缘层上，其上形成有半导体沟道； 所述源/漏金属层包括源电极和漏电极，分别位于所述半导体层的半导体沟道两侧上方； 所述绝缘介质层用于将半导体层、栅电极与像素电极层绝缘，其数据线处设有第一过孔、源电极处设有第二过孔、漏电极处设有第三过孔； 所述像素电极层包括像素电极和第一连接线、第二连接线。9.根据权利要求8所述的TFT基板，其特征在于，所述源电极通过绝缘介质层上的第一过孔、第二过孔以及像素电极层上的第一连接线与数据线连接，所述漏电极通过绝缘介质层上的第三过孔以及像素电极层上的第二连接线与像素电极连接。
【文档编号】H01L27/12GK106057736SQ201610620519
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年8月2日
【发明人】黄茜, 于春琦, 李林, 谭晓彬, 胡家坚, 丁文涛
【申请人】信利半导体有限公司