阵列基板与其配向方法
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板与其配向方法，该阵列基板包含基板、像素电路、走线、配向膜以及平坦层。基板包含显示区以及周边区。像素电路设置于显示区。走线设置于周边区，并与像素电路连接。配向膜设置于显示区与周边区。平坦层设置于周边区，借此平坦化周边区。根据本发明的阵列基板，通过设置平坦层，在阵列基板进行配向步骤时，配向工艺不会被走线的间距所影响。
【专利说明】
阵列基板与其配向方法
技术领域
[0001 ] 本发明涉及一种阵列基板。
【背景技术】
[0002]随着科技进步，液晶显示器的使用也越来越普及。在液晶液晶显示器的工作原理中，由于液晶具有旋光性，因此通过对液晶层施加电场，即可控制穿过液晶层的光线的极化方向。此外，液晶的排列方向需由配向膜限定，也即配向膜提供位于边界的液晶初始排列方向。因此，液晶显示器的显示品质与其配向膜具有一定的关系。
[0003]在配向膜的工艺中，通常先形成聚酰亚胺(polyimide，PI)。接着，再利用配向布毛的尖端与聚酰亚胺进行配向，使得聚酰亚胺沿配向方向产生延伸排列的凹槽，其中凹槽提供位于边界的液晶预倾角。进一步而言，配向工艺的品质与液晶显示器的显示品质也有一定关联性。因此，如何能有效提升配向工艺的品质，实属当前重要研发课题之一，也成为当前相关领域研究的方向。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种阵列基板与其配向方法，从而克服现有技术的上述缺陷。
[0005]在配向工艺中，为适应液晶显示器所设计的视角方向，配向布毛进入配向膜的角度可能为45度、90度或135度。因此，当配向布毛与位于周边区的配向膜接触后，配向布毛将会受到位于周边区的走线影响，使得配向布毛尖端发生分叉或改变方向，并造成配向不均进而影响显示品质的问题。
[0006]鉴于此，本发明下列实施方式的阵列基板设置有平坦层，其中平坦层设置于走线上，使得走线之间的间隙被平坦层填平。因此，当通过配向布毛进行配向时，配向布毛将不会受到位于周边区的走线影响，进而改善配向不均的问题。因此，阵列基板的配向工艺品质以及良率能受到提升，并也连带提升后续完成的液晶显不器的显不品质。
[0007]本
【发明内容】
的一个方面在于提供一种阵列基板，包含基板、像素电路、走线、配向膜以及平坦层。基板包含显示区以及周边区。像素电路设置于显示区。走线设置于周边区，并与像素电路连接。配向膜设置于显示区以及周边区。平坦层设置于周边区，借此平坦化周边区。
[0008]在部分实施方式中，平坦层位于配向膜与基板之间。
[0009]在部分实施方式中，配向膜位于平坦层与基板之间。
[0010]在部分实施方式中，平坦层厚度介于0.5微米至5微米之间。
[0011]在部分实施方式中，配向膜厚度介于80纳米至135纳米之间。
[0012]本
【发明内容】
的一个方面在于提供一种阵列基板的配向方法，包含下列步骤。在基板的显示区以及周边区上分别形成互相连接的像素电路以及走线。在显示区以及周边区上形成配向膜。在周边区的配向膜上形成平坦层，借此平坦化周边区。通过配向布毛进行配向膜的配向。
[0013]本
【发明内容】
的一个方面在于提供一种阵列基板的配向方法，包含下列步骤。在基板的显示区以及周边区上分别形成互相连接的像素电路以及走线。在周边区上形成平坦层，借此平坦化周边区。在显示区以及周边区上形成配向膜。通过配向布毛进行配向膜的配向。
[0014]在部分实施方式中，平坦层厚度介于0.5微米至5微米之间，配向膜厚度介于80纳米至135纳米之间。
[0015]在部分实施方式中，通过配向布毛进行配向膜的配向的步骤还包含以下步骤。配向布毛从周边区进入显示区。
[0016]综上所述，本发明的阵列基板设置有平坦层，其中平坦层位于周边区上。具体而言，平坦层设置于配向布毛进入显示区的路径上。因此，当通过配向布毛进行配向膜的配向时，配向布毛不会受到位于周边区的走线影响。更进一步来说，配向布毛不会因走线间的间隙而使得其尖端产生分叉或改变方向，并进而改善配向不均的问题。也因此，借由设置平坦层，阵列基板的配向工艺品质以及良率能受到提升。
【附图说明】
[0017]图1A为根据本发明一个实施方式的阵列基板的俯视示意图。
[0018]图1B为沿图1A的线段BB’的剖面示意图。
[0019]图1C为图1A的阵列基板的侧视示意图。
[0020]图2为根据本发明一个实施方式的阵列基板进行配向的俯视示意图。
[0021]图3A为根据本发明另一个实施方式的阵列基板的剖面示意图。
[0022]图3B为图3A的阵列基板的侧视示意图。
[0023]图4为图1A?IC的阵列基板的配向方法流程图。
[0024]图5为图3A?3B的阵列基板的配向方法流程图。
【具体实施方式】
[0025]图1A为根据本发明一个实施方式的阵列基板100的俯视示意图。图1B为沿图1A的线段BB’的剖面示意图。阵列基板100包含基板110、像素电路120、走线122、端子124、配向膜130与平坦层140。基板110包含显示区112以及周边区114。像素电路120设置于显示区112。走线122设置于周边区114，并连接像素电路120与端子124。配向膜130设置于显示区112与周边区114。平坦层140设置于周边区114，借此平坦化周边区114。
[0026]在周边区114内，配向膜130覆盖基板110与走线122。平坦层140覆盖配向膜130，使得阵列基板100对应周边区114的表面为平坦表面142。
[0027]具体而言，由于位于周边区114的走线122之间具有间隙，因此基板110与走线122之间会存在有段差，此段差将形成具有起伏的表面113。通过平坦层140与配向膜130的配置，基板110与走线122之间的段差会被此配置所填补。
[0028]请再看到图1B以及图1C，其中图1C为图1A的阵列基板100的侧视示意图。在本实施方式中，配向膜130位于平坦层140与基板110之间。此外，配向膜130从周边区114延伸至显示区112，并覆盖像素电路120，其中周边区114与显示区112的配向膜130为同一层配向膜130。在本实施方式中，平坦层140仅覆盖位于周边区114的配向膜130，因此当进行后续配向工艺时，位于显示区112的配向膜130仍然能够被配向布毛摩擦配向。
[0029]图2为对本发明一个实施方式的阵列基板100进行配向的俯视示意图。当要利用配向布毛150对阵列基板100进行配向时，配向布毛150将沿箭头方向进入周边区114，接着再进入显示区112，并对显示区112内的配向膜130进行配向。
[0030]在配向时，配向布毛150会先接触周边区114。当配向布毛150接触周边区114时，由于平坦层140的存在，配向布毛150所接触的将会是平坦表面142，因此配向布毛150的尖端将不会因为接触到段差而有分叉或改变方向的情况发生。也因此，配向布毛150对配向膜130所进行的配向工艺也将不会有显著的不均匀现象产生。
[0031]也就是说，通过平坦层140与配向膜130的配置，配向布毛150对配向膜130所进行的配向将会更均匀，使得利用此阵列基板100所制造的液晶显示器的显示品质能够获得提升。
[0032]回到图1B，在本实施方式中，走线122的厚度为0.6微米，也即走线122与基板110之间的段差深度为0.6微米。此外，在本实施方式中，配向膜130的厚度介于80纳米至135纳米之间，而平坦层140的厚度介于0.5微米至5微米之间。
[0033]在本实施方式中，平坦层140与配向膜130的总体厚度为1.5微米，因此能填补深度为0.6微米的段差。然而，应了解到，以上所举的走线122的厚度，以及走线122与基板110之间的段差深度仅为示例，并非用于限制本发明。本发明所属本领域技术人员，可按实际需要，弹性选择平坦层140与配向膜130的厚度，只要能填补走线122与基板110之间的段差即可。
[0034]如图1C所示，由于平坦层140仅覆盖位于周边区114的配向膜130，因此显示区112与周边区114之间会有段差。然而，相较于走线122与基板110之间的段差，显示区112与周边区114之间的段差为单一段差，且此单一段差横跨整个阵列基板100，因此并不会有均匀性的问题。
[0035]请再回到图1A。本实施方式的平坦层140可不必覆盖端子124，以利端子124与外部电路电性连接。此外，完成配向后的配向膜130上可设置有框胶区116，此框胶区116可用来设置框胶以进行后续的贴合工艺。
[0036]图3A为根据本发明另一个实施方式的阵列基板100的剖面示意图，其剖面位置与图1B相同。图3B为图3A的阵列基板100的侧视示意图。本实施方式与前一个实施方式的差异在于:本实施方式的平坦层140位于配向膜130与基板110之间。
[0037]更具体地说，在周边区114内，平坦层140覆盖基板110与走线122。配向膜130覆盖平坦层140。由于平坦层140能够平坦化周边区114，因此当配向膜130覆盖于平坦层140上时，配向膜130所在的位置是由平坦层140所提供的平坦表面142。因此，配向膜130的表面132也将是平坦的表面，而不会有过大的段差。
[0038]同样地，当对配向膜130进行配向工艺时，由于配向布毛在周边区114内所接触到的将会是平坦表面。因此，配向布毛的尖端将不会因为接触到段差而有分叉或改变方向的情况产生。也因此，配向布毛对配向膜130所进行的配向工艺也不会有显著的不均匀现象产生。
[0039]图4为图1A?IC的阵列基板100的配向方法流程图。图1A?IC的阵列基板100的配向方法包含以下步骤。步骤P10，分别在基板110的显示区112以及周边区114上形成互相连接的像素电路120以及走线122。步骤P20，在显示区112以及周边区114上形成配向膜130。步骤P30，在周边区114的配向膜130上形成平坦层140，借此平坦化周边区114。步骤P40，通过配向布毛进行配向膜130的配向。
[0040]图5为图3A?3B的阵列基板100的配向方法流程图。图3A?3B的阵列基板100的配向方法包含以下步骤。步骤S10，分别在基板110的显示区112以及周边区114上形成互相连接的像素电路120以及走线122。步骤S20，在周边区114上形成平坦层140，借此平坦化周边区114。步骤S30，在显示区112以及周边区114上形成配向膜130。步骤S40，通过配向布毛进行配向膜130的配向。
[0041]综上所述，本发明上述实施方式的阵列基板设置有位于周边区的平坦层。因此，当通过配向布毛进行阵列基板的配向时，配向布毛将不会受到位于周边区的走线影响，使得配向布毛尖端有分叉或改变方向的情况发生。
[0042]虽然本发明已以多种实施方式公开如上，然其并非用于限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可作各种不同的选择和修改，因此本发明的保护范围由权利要求书及其等同形式所限定。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包含: 基板，其包含显示区以及周边区； 像素电路，其设置于所述显示区； 多条走线，其设置于所述周边区，并与所述像素电路连接； 配向膜，其设置于所述显示区与所述周边区；以及 平坦层，其设置于所述周边区，借此平坦化所述周边区。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层位于所述配向膜与所述基板之间。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述配向膜位于所述平坦层与所述基板之间。4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦层厚度介于0.5微米至5微米之间。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述配向膜厚度介于80纳米至135纳米之间。6.一种阵列基板的配向方法，其特征在于，所述配向方法包含下列步骤: 在基板的显示区以及周边区上分别形成互相连接的像素电路以及多条走线； 在所述显示区与以及周边区上形成配向膜；以及 在所述周边区的所述配向膜上形成平坦层，借此平坦化所述周边区； 通过配向布毛进行所述配向膜的配向。7.如权利要求6所述的阵列基板的配向方法，其特征在于，所述平坦层厚度介于0.5微米至5微米之间，所述配向膜厚度介于80纳米至135纳米之间。8.如权利要求6所述的阵列基板的配向方法，其特征在于，通过所述配向布毛进行所述配向膜的配向的步骤，还包含下列步骤: 所述配向布毛从所述周边区进入所述显示区。9.一种阵列基板的配向方法，其特征在于，所述配向方法包含下列步骤: 在基板的显示区以及周边区上分别形成互相连接的像素电路以及多条走线； 在所述周边区上形成平坦层，借此平坦化所述周边区； 在所述显示区以及所述周边区上形成配向膜；以及 通过配向布毛进行所述配向膜的配向。10.如权利要求9所述的阵列基板的配向方法，其特征在于，所述平坦层厚度介于0.5微米至5微米之间，所述配向膜厚度介于80纳米至135纳米之间。
【文档编号】G02F1/1337GK106033162SQ201510112982
【公开日】2016年10月19日
【申请日】2015年3月16日
【发明人】郑博文, 张敏宏
【申请人】中华映管股份有限公司