本发明涉及光学检测领域，尤其涉及一种感光器件、光学检测电路及驱动方法、显示装置。
背景技术：
显示装置的显示画面的均匀性作为评价显示装置优劣的一个重要参数指标；以有机发光二极管(organiclightemittingdiode，简称oled)显示装置为例，其因具有自发光、发光效率高、响应时间短、高清晰度和高对比度等优点，成为当前最具发展潜力的显示装置。
现有的oled显示装置主要分为amoled(activematrixoled)和pmoled(passivematrixoled)两大类，其中，由于amoled制作成本低、工作温度范围大、可用于便携式设备的直流驱动、可用作高清晰度的大尺寸显示装置等优点，越来越被人们所认可，也成为oled显示装置的主流发展趋势。
目前，针对oled补偿方式多为外部电学补偿方式，此种方式只能补偿由于tft(薄膜晶体管)特性变更造成的显示异常，并不能补偿由于发光层(el)材料老化造成的显示异常；基于此，现有技术中逐渐倾向于采用更直接的光学检测对oled的实际亮度进行检测，并依据检测结果进行补偿。
然而，现有技术中采用光学检测时，一般多采用pin光电二极管将oled的实际亮度转化为相应的电信号来完成，并基于检测结果进行补偿；但是在实际的检测过程中，pin光电二极管不可避免的会因受热产生热电流，导致实际接收到的电信号与pin光电二极管在oled发光照射下转化的电信号(光电流)具有偏差，从而导致后续的补偿存在偏差。
技术实现要素：
本发明的实施例提供一种感光器件、光学检测电路及驱动方法、显示装置，能够解决现有技术中的感光器件因热电流导致的光电流检测结果不准确的弊端。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例一方面提供一种感光器件，包括相对设置第一电极和第二电极，以及位于所述第一电极和所述第二电极之间、且与所述第一电极和所述第二电极接触的光电半导体器件；其中，所述光电半导体器件划分为光接收区和温度感测区；所述第一电极包括：位于所述光接收区的第一子电极，以及位于所述温度感测区的第二子电极；所述第二电极包括：位于所述光接收区的第三子电极，以及位于所述温度感测区的第四子电极；所述第一电极和所述第二电极中至少一个电极中的两个子电极不连接；位于所述光接收区的所述光电半导体器件，与所述第一子电极和所述第三子电极构成光接收部；位于所述温度感测区的所述光电半导体器件，与所述第二子电极和所述第四子电极构成温度感测部；其中，所述第一子电极和所述第三子电极中，至少一个子电极为透明电极；所述第二子电极和所述第四子电极均为不透明电极。
进一步的，在所述第一子电极为不透明电极的情况下，所述第一子电极与所述第二子电极同层同材料；在所述第三子电极为不透明电极的情况下，所述第三子电极与所述第四子电极同层同材料。
进一步的，在所述第一子电极为不透明电极的情况下，所述第一子电极与所述第二子电极为一体结构；在所述第三子电极为不透明电极的情况下，所述第三子电极与所述第四子电极为一体结构。
本发明实施例另一方面还提供一种光学检测电路，包括前述的感光器件；所述光学检测电路还包括第一开关模块、侦测模块；所述侦测模块与所述第一开关模块连接，所述第一开关模块通过所述感光器件的第一电极中独立设置的第一子电极和第二子电极分别与光接收部和温度感测部连接；所述第一开关模块，用于在开启或关闭的状态下，控制所述感光器件与所述侦测模块之间的通断；所述侦测模块，用于在所述第一开关模块开启的状态下，控制所述光接收部和所述温度感测部处于反偏状态；所述侦测模块，还用于在所述第一开关模块开启的状态下，对所述光接收部的第一子电极的第一电位和所述温度感测部的第二子电极的第二电位进行存储，并通过侦测电压端读取用于表征所述第一电位和所述第二电位之差的第一电信号参数。
进一步的，所述侦测模块包括储能模块和第二开关模块；所述第二开关模块，用于在所述第一开关模块开启的状态下，控制所述光接收部和所述温度感测部处于反偏状态；所述储能模块，用于在所述第一开关模块开启的状态下，对所述第一电位和所述第二电位进行存储；所述第二开关模块，还用于在开启的状态下，将所述储能模块上存储的所述第一电位和所述第二电位调整至所述第一电信号参数，并通过所述侦测电压端进行读取。
进一步的，所述第一开关模块包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的栅极与第一控制信号端连接，所述第一晶体管的第一极与所述光接收部的第一子电极连接，所述第一晶体管的第二极与第一节点连接；所述第二晶体管的栅极与所述第一控制信号端连接，所述第二晶体管的第一极与所述温度感测部的第二子电极连接，所述第二晶体管的第二极与第二节点连接；所述光接收部的第三子电极以及所述温度感测部的第四子电极均与所述第一电压端连接；和/或，所述储能模块包括存储电容，所述存储电容的一极与所述第一节点连接，另一极与所述第二节点连接；和/或，所述第二开关模块包括第三晶体管和第四晶体管；所述第三晶体管的栅极与第二控制信号端连接，所述第三晶体管的第一极与所述第一节点连接，所述第三晶体管的第二极与所述侦测电压端连接；所述第四晶体管的栅极与所述第二控制信号端连接，所述第四晶体管的第一极与所述第二节点连接，所述第四晶体管的第二极与第二电压端连接。
进一步的，一个所述感光器件和与其连接的一个所述第一开关模块形成一个感光组件；所述光学检测电路中一个所述侦测模块连接多个所述感光组件。
本发明实施例再一方面还提供一种前述的光学检测电路的控制方法，所述控制方法包括：向第一开关模块输入第一控制信号，并向侦测模块输入第二控制信号，控制感光器件中的光接收部和温度感测部处于反偏状态；向所述第一开关模块输入第一控制信号，向所述侦测模块输入第二控制信号，读取第一电信号参数。
进一步的，所述向所述第一开关模块输入第一控制信号，向所述侦测模块输入第二控制信号，读取第一电信号参数包括：向所述第一开关模块输入第一控制信号，将光接收部的第一子电极的第一电位和温度感测部的第二子电极的第二电位进行存储；向所述侦测模块输入第二控制信号，读取所述第一电信号参数。
本发明实施例又一方面还提供一种显示装置，包括前述的的光学检测电路；所述显示装置包括呈矩阵排列的多个亚像素，所述光学检测电路中感光器件与单个亚像素对应设置，用于感测所述亚像素的亮度。
进一步的，所述光学检测电路中，同一所述侦测模块连接有多个感光组件，该多个感光组件与位于同列的亚像素一一对应设置。
本发明实施例提供一种感光器件、光学检测电路及驱动方法，该感光器件包括相对设置第一电极和第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间、且与第一电极和第二电极接触的光电半导体器件；其中，光电半导体器件划分为光接收区和温度感测区；第一电极包括：位于光接收区的第一子电极，以及位于温度感测区的第二子电极；第二电极包括：位于光接收区的第三子电极，以及位于温度感测区的第四子电极；第一电极和第二电极中至少一个电极中的两个子电极不连接；位于光接收区的光电半导体器件，与第一子电极和第三子电极构成光接收部；位于温度感测区的光电半导体器件，与第二子电极和第四子电极构成温度感测部；其中，第一子电极和第三子电极中，至少一个子电极为透明电极；第二子电极和第四子电极均为不透明电极。
综上所述，本发明中的感光器件在实际的应用时，光接收部中的光电半导体器件通过透明电极接收到入射光线的情况下，在进行光电转化的同时，也进行热电转化；而温度感测部中光电半导体器件因无法接受到入射光线(两个电极均为不透明电极)，仅能进行热电转化；并且由于光接收部中的和温度感测部中的光电半导体器件为一整体结构，因此，两者产生的热电信号基本相同，基于此，在采用本发明中的感光器件进行实际的检测时，可以将从光接收部检测到的电信号参数(光电信号+热电信号)中减去从温度感测部检测到的电信号参数(热电信号)，即可消除或者降低现有技术中，因热电信号造成的光电流检测结果不准确的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种感光器件的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种感光器件的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种包括感光器件的光学检测电路的示意图；
图4a为发明实施例提供的一种包括感光器件的光学检测电路的具体结构示意图；
图4b为发明实施例提供的一种包括感光器件的光学检测电路的时序控制图；
图5为发明实施例提供的另一种包括感光器件的光学检测电路的具体结构示意图；
图6为发明实施例提供的一种光学检测电路的控制方法；
图7发明实施例提供的另一种光学检测电路的控制方法；
图8为发明实施例提供的另一种包括感光器件的显示装置的结构示意图。
附图标记：
001-感光器件；002-第一开关模块；003-侦测模块；031-储能模块；032-第二开关模块；01-光电半导体器件；10-第一电极；11-第一子电极；12-第二子电极；13-第三子电极；14-第四子电极；20-第二电极；100-光接收部；200-温度感测部；s1-光接收区；s2-温度感测区。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种感光器件，如图1或图2所示，该感光器件001，包括相对设置第一电极10和第二电极20，以及位于第一电极10和第二电极20之间、且与第一电极10和第二电极20接触的光电半导体器件01。
此处需要说明的是，对于光电半导体器件01而言，利用其自身的光电效应和热电效应，能够将光信号和热信号转化为电信号(光电流和热电流)，一般的，现有技术中常见的光电半导体器件，可以是pn结，即由p型半导体层和n型半导体层组成；也可以是如图1或图2中示出的pin结，即由依次层叠设置的p型半导体层、i型本征半导体层和n型半导体层组成，其中，对于层叠的顺序不做限定，可以从上到下是p-i-n(图1)，也可以是从上到下n-i-p；当然还可以是其他的光电半导体器件，本发明对此不作具体限定；本发明中，优选的采用pin结的光电半导体器件，以下实施例均是以此为例对本发明做进一步的说明。
在此基础上，为了清楚的对本发明中感光器件001进行说明，参考图1、图2，将光电半导体器件01(pin)划分为光接收区s1和温度感测区s2；当然，应当理解到，此处仅是人为的对光电半导体器件01进行区域的划分，对于光电半导体器件01(pin)而言，其为一整体结构，并不是两个分离的独立结构。
具体的，参考图1、图2，第一电极10包括：位于光接收区s1的第一子电极11，以及位于温度感测区s2的第二子电极12。
第二电极20包括：位于光接收区s1的第三子电极13，以及位于温度感测区s2的第四子电极14。
其中，位于光接收区s1的光电半导体器件01(pin)，与第一子电极11和第三子电极13构成光接收部100；位于温度感测区s2的光电半导体器件01(pin)，与第二子电极12和第四子电极14构成温度感测部200。
具体的，对于光接收部100而言，为了保证外部的光线能够入射至光电半导体器件01(pin)，以将光信号转化为电信号并进行检测，实际中，需要将光接收部100中的第一子电极11和第三子电极13中的至少一个子电极设置为透明电极；例如，可以是如图1所示的，第一子电极11为透明电极，第三子电极13为不透明电极；也可以是第一子电极11为不透明电极，第三子电极13为不透明电极；还可以是第一子电极11和第三子电极13均为透明电极；当然实际中，一般仅设置一个透明电极。
当然，此处应当理解到，在通过光接收部100将光信号转化为电信号时，必然伴随着将热转化的电信号。
对于温度感测部200而言，本发明中，为了保证温度感测部200不接受入射光线(也即，不能进行光信号的转化)，而仅将热转化为电信号，因此，实际中，将温度感测部200中的第二子电极12和第四子电极14均设置为不透明电极。
在此基础上，还应当理解到，为了保证能够分别对光接收部100和温度感测部200中产生的电信号进行单独读取，在实际的设计中，参考图1、图2，应保证第一电极10和第二电极20中至少一个电极中的两个子电极不连接；例如，可以是如图1所示的，第一电极10中的两个子电极(11,12)，以及第二电极20中的两个子电极(13,14)均为独立设置、不连接的电极；也可以如图2所示，第一电极10中的两个子电极(11,12)为独立设置、不连接的电极，第二电极20为一个整体的电极，等等，本发明对此不作具体限定，只要保证第一电极10和第二电极20中的一个电极中具有两个独立设置的不连接电极，以进行信号的读取即可。
另外，还应当理解到，对于光接收部100和温度感测部200而言，由于其内部的光电半导体器件01(pin)为同一结构，所以在实际的检测中，两者产生的热电信号的大小基本一致，当实际的制作中，也尽可能保证光接收部100和温度感测部200所在的区域面积大小尽可能的相近，以降低误差。
综上所述，本发明中的感光器件在实际的应用时，光接收部中的光电半导体器件通过透明电极接收到入射光线的情况下，在进行光电转化的同时，也进行热电转化；而温度感测部中光电半导体器件因无法接受到入射光线(两个电极均为不透明电极)，仅能进行热电转化；并且由于光接收部中的和温度感测部中的光电半导体器件为一整体结构，因此，两者产生的热电信号基本相同，基于此，在采用本发明中的感光器件进行实际的检测时，可以将从光接收部检测到的电信号参数(光电信号+热电信号)中减去从温度感测部检测到的电信号参数(热电信号)，即可消除或者降低现有技术中，因热电信号造成的光电流检测结果不准确的问题。
需要说明的是，本发明中，不透明电极一般多采用金属材质制成，透明电极可以采用透明半导体氧化物，例如，铟锡氧化物(indiumtinoxide，ito)、铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)、铟锌氧化物(indiumzincoxide，izo)等，也可以采用金属材质制成的薄透明层或者半透明层。
在此基础上，如上所述，光接收部100中的第一子电极11和第三子电极13而言，至少一个子电极为透明电极；温度感测部200中的第二子电极12和第四子电极14均设置为不透明电极，且第一子电极11和第二子电极12构成感光器件001的第一电极10，第三子电极13和第四子电极14构成感光器件001的第二电极20；基于此，为了简化工艺，降低制作成本，本发明优选的：
在光接收部100中的第一子电极11为不透明电极的情况下，该第一子电极11与温度感测部200中第二子电极12同层同材料；或者，在光接收部100中的第三子电极13为不透明电极的情况下，该第三子电极13与温度感测部200中第四子电极14同层同材料。
更进一步的，在光接收部100中的第一子电极11与温度感测部200中第二子电极12同层同材料的基础上，本发明优选的，如图2所示，第一子电极11与第二子电极12为一体结构；或者，在光接收部100中的第三子电极13与温度感测部200中第四子电极14同层同材料，本发明优选的，第三子电极13与第四子电极14为一体结构；这样一来，将两个子电极制作为一体结构，能够降低感光器件的电极的电阻，降低加载的电信号因电阻产生的衰减。
当然，此处应当理解到，对于第一子电极11与第二子电极12为一体结构的情况下，为了保证光接收部100和温度感测部200上正常的读取检测信号，此时，第三子电极13与第四子电极14必然为独立设置(不发生电连接)的两个子电极；对于第三子电极13与第四子电极14为一体结构的情况下，同理，第一子电极11与第二子电极12必然为独立设置(不发生电连接)的两个子电极。
本发明实施例还提供一种光学检测电路，如图3所示，该光学检测电路包括前述的感光器件001，还包括第一开关模块002、侦测模块003。
具体的，参考图3，侦测模块003与第一开关模块002连接，第一开关模块001通过感光器件001的第一电极10中独立设置的第一子电极11和第二子电极12(可参考图2)分别与感光器件001中的光接收部100和温度感测部200连接。
其中，第一开关模块002，用于在开启或关闭的状态下，控制感光器件001(中的光接收部100和温度感测部200)与侦测模块003之间的通断。
侦测模块003，用于在第一开关模块002开启的状态下，控制光接收部100和温度感测部200处于反偏状态。
该侦测模块003，还用于在第一开关模块002开启的状态下，对光接收部100的第一子电极11的第一电位v1和温度感测部200的第二子电极12的第二电位v2进行存储，并通过侦测电压端sense读取用于表征第一电位v1和第二电位v2之差的第一电信号参数y。
由于该光学检测电路包括前述的感光器件，具有与前述实施例提供的感光器件相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对感光器件的结构和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。
此处需要说明的是，对于前述的感光器件001的实施例而言，通过设置第一电极10和第二电极20中至少一个电极中的两个子电极不连接，以保证对光接收部100和温度感测部200中产生的电信号进行单独读取，但是对于本发明中的光学检测电路而言，此处限定了第一电极10中具有独立设置的第一子电极11和第二子电极12；应当理解到，本发明中对于感光器件001中的第一电极和第二电极并未做实际的具体限定，对于光学检测电路而言，可以将感光器件001中的电极(第一电极或第二电极)中具有两个子电极的电极视为第一电极，当然，另一个则为第二电极。
此处还需要说明的是，以pin结构的光电半导体器件01为例，实际中，对于产生的电信号进行单独读取的一端，一般优选的设置为该pin结构的阴极端(可参考图5)；也即上述第一电极作为感光器件的阴极，通过实际的控制使得感光器件处于反偏状态时，需要设置第二电极(阳极)的电压小于第一电极的电压，以便进行光学检测；以下实施例均是以此为例，对本发明做进一步的说明。
在此基础上，本发明优选的，如图3所示，侦测模块003包括储能模块031和第二开关模块032。
具体的，第二开关模块031，用于在第一开关模块002开启的状态下，控制光接收部100和温度感测部200处于反偏状态。
储能模块031，用于在第一开关模块002开启的状态下，对第一电位v1(光接收部100的第一子电极11的第一电位v1)和第二电位v2(温度感测部200的第二子电极12的第二电位v2)进行存储。
第二开关模块，还用于在开启的状态下，将储能模块031上存储的第一电位v1和第二电位v2调整至第一电信号参数y(用于表征第一电位v1和第二电位v2之差的信号参数)，并通过侦测电压端sense进行读取。
此处需要说明的是，本发明中对于上述用于表征第一电位v1和第二电位v2之差的第一电信号参数y的具体形式不作限定，该第一电信号参数y可以是v1-v2；也可以是v2-v1；还可以是v1-v2或者v2-v1与一常量的“和”或“差”，本发明对此不作具体限定，实际中可以根据各模块的具体结构而定，只要保证根据实际的电路能够得出第一电位v1和第二电位v2之差即可。
具体的，作为一种优选的电路设计，以下提供一种关于上述各模块的具体设置结构；其中，以下描述中，“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
示意的，图4a中二极管d1代表光接收部100，二极管d2代表温度感测部200；
其中，第一开关模块002包括第一晶体管t1和第二晶体管t2。
第一晶体管t1的栅极与第一控制信号端g1连接，第一晶体管t1的第一极与光接收部100的第一子电极11(图4a中d1的阴极)连接，第一晶体管t1的第二极与第一节点a连接；第二晶体管t2的栅极与第一控制信号端g1连接，第二晶体管t2的第一极与温度感测部200的第二子电极12(图4a中d2的阴极)连接，第二晶体管t2的第二极与第二节点b连接。
光接收部100的第三子电极13(图4a中d1的阳极)以及温度感测部200的第四子电极14均与第一电压端vss连接。
和/或，储能模块031包括存储电容cst，存储电容cst的一极与第一节点a连接，另一极与第二节点b连接。
和/或，第二开关模块032包括第三晶体管t3和第四晶体管t4。
其中，第三晶体管t3的栅极与第二控制信号端g2连接，第三晶体管t3的第一极与第一节点a连接，第三晶体管t3的第二极与侦测电压端sense连接。第四晶体管t4的栅极与第二控制信号端g2连接，第四晶体管t4的第一极与第二节点b连接，第四晶体管t4的第二极与第二电压端vdd连接。
需要说明的是，对于本发明中的光学检测电路，可以如图4a所示，该光学检测电路中，一个侦测模块003通过一个第一开关模块002与一个感光器件001连接。
还可以如图5所示，一个侦测模块003连接分别通过不同的第一开关模块002与不同的感光器件001连接；也即，如果将一个第一开关模块002和与其连接的一个感光器件001定义为一个感光组件t时，该光学检测电路中一个侦测模块003连接多个感光组件t。
当然，本发明中的光学检测电路还可以包括多个侦测模块003，并且对于单个侦测模块003而言，可以如图4a所示，一个侦测模块003通过一个第一开关模块002与一个感光器件001连接；也可以如图5所示，一个侦测模块003连接多个感光组件t；本发明对此不作限定，实际中可以根据需要选择设置即可。
本发明实施例还提供一种前述的光学检测电路的控制方法，如图6所示，该控制方法包括：
步骤s101、向第一开关模块输入第一控制信号，并向侦测模块输入第二控制信号，控制感光器件中的光接收部和温度感测部处于反偏状态。
步骤s102、向第一开关模块输入第一控制信号，向侦测模块输入第二控制信号，读取第一电信号参数。
进一步的，对于步骤s102而言，如图7所示，可以包括：
步骤s1021、向第一开关模块输入第一控制信号，将光接收部的第一子电极的第一电位和温度感测部的第二子电极的第二电位进行存储。
步骤s1022、向侦测模块输入第二控制信号，读取第一电信号参数。
示意的，以下结合图4a中晶体管的通断和图4b控制时序信号，对控制该光学检测电路的上述步骤s101、步骤s1021、步骤s1022做进一步的说明。
需要说明的是，以下关于图4a中的晶体管通、断过程均是以所有晶体管为n型晶体管为例进行的说明，但本发明并不限制于此，图4a中的所有晶体管也可以为p型晶体管，当然，此时需要对图4b中各个控制信号进行翻转。以下实施例均是以各晶体管为n型晶体管，也即各晶体管在高电平控制下开启。
具体的，对于上述步骤s101中：向第一开关模块输入第一控制信号，并向侦测模块输入第二控制信号，控制感光器件中的光接收部和温度感测部处于反偏状态而言，参考图4a和图4b中的“充电阶段”，其具体控制过程可以如下：
向第一开关模块002中第一控制信号端g1输入高电平的第一控制信号，并且向侦测模块003的第二开关模块002中的第二控制信号端g2输入高电平的第二控制信号，在第一控制信号和第二控制信号的高电平控制下，第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4导通，此时，向侦测电压端sense输入一与第二电压端vdd相同的电压，且该电压大于第一电压端vss的电压，从而控制感光器件中的光接收部(d1)和温度感测部(d2)处于反偏状态。
接下来，参考图4b中的积分阶段，第一控制信号和第二控制信号转至低电平电位，第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4截止，处于反偏状态下的光接收部(d1)和温度感测部(d2)，在光线入射至光接收部(d1)时，开始积分。
接下来，对于上述步骤s102(包括步骤s1021和步骤s1022)中向第一开关模块输入第一控制信号，向侦测模块输入第二控制信号，读取第一电信号参数，其具体控制过程可以如下：
参考图4b中存储阶段，第一控制信号端g1输入的第一控制信号转至高电平，第一晶体管t1和第二晶体管t2导通，此时，将光接收部(d1)的第一子电极的第一电位v1(光电信号和热电信号)，以及温度感测部(d2)的第二子电极的第二电位v2(热电信号)对存储至存储电容cst，且存储电容cst的两个极板的电压分别为第一电位v1和第二电位v2，存储电压差为v2-v1。
然后，参考图4b中读取阶段，第一开关模块002中第一控制信号端g1转至低电平，第一晶体管t1和第二晶体管t2截止，第二控制信号端g2输入第二控制信号转至高电平，第三晶体管t3、第四晶体管t4导通，此时进入调整阶段(图4b)，存储电容cst中与第二节点b连接的极板上的电压(v2)在第二电压端vdd的作用下，发生跳变，且使得存储电容cst中与第一节点a连接的极板上的电压v1调整至vdd-(v2-v1)，并通过侦测电压端sense进行读取该信号参数。
此处应当理解到，对于上述vdd-(v2-v1)而言，vdd为第二电压端上施加的固定电压，为已知参数，也即该信号参数可以直接作为用于表征第一电位v1和第二电位v2之差的信号参数，即第一电信号参数y，并直接进行读取该第一电信号参数即可(可以理解到，该第一电信号参数中消除了热电信号，从而消除或者降低现有技术中，因热电信号造成的光电流检测结果不准确的问题)。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括前述任一种光学检测电路；并且该显示装置包括呈矩阵排列的多个亚像素，光学检测电路中感光器件与单个亚像素对应设置，用于感测亚像素的亮度，以对亚像素的实际亮度进行检测，从而能够根据实际亮度的检测结果，对各亚像素进行补偿。
由于该显示装置包括前述的感光器件，具有与前述实施例提供的感光器件相同的结构和有益效果。由于前述实施例已经对感光器件的结构和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。
此处需要说明的是，在本发明实施例中，显示装置具体至少可以包括液晶显示面板和有机发光二极管显示面板，例如该显示面板可以应用至显示器、电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件中。
当然，实际中，优选的，如图8所示，针对本发明中的光学检测电路(图8仅示出了该电路中的感光器件001)而言，一般多应用至有机发光二极管显示面板；而对于该有机发光二极管显示面板的类型，本发明不作具体限定，可以是顶发射，可以是底发射；只要保证该有机发光二极管显示面板中的有机发光器件(oled)发出的光线，能够入射至光学检测电路中的感光器件内的光接收部即可。
另外，对于包括呈矩阵排列的多个亚像素的显示装置而言，为了简化光学检测电路以及整个光学检测过程，优选的，参考图5中，一个侦测模块003连接的多个感光组件t(一个第一开关模块002和与其连接的一个感光器件001构成)，并且该多个感光组件t与位于同列的亚像素一一对应设置；也即位于同列的亚像素对应的多个感光组件t通过一个侦测模块003进行控制，不同列的亚像素对应的不同的侦测模块003。
此处需要说明的是，现有的显示装置一般是通过逐行扫描的方式进行显示的，对于本发明中包括前述的光学检测电路的显示装置而言，需要同时考虑显示和光学检测两个方面，因此，为了避免显示和光学检测之间的干扰，实际中优选的，显示驱动和光学检测驱动分时段进行。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：rom、ram、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。