一种高均匀性低漏电的硅基微显示像素电路的制作方法

文档序号:16988652发布日期:2019-03-02 00:47阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
一种高均匀性低漏电的硅基微显示像素电路。本发明包括一种新型的像素电路,包括驱动管N1、开关管P1、开关管P2、开关管N2、存储电容C1。本发明在现有2T1C像素电路基础上,提出一种改进型4T1C像素电路。该电路只是在现有像素电路基础上增加了连接成二极管形式的晶体管N2和连接成二极管形式的晶体管P2。在不同的工艺偏差下,驱动管N1阈值电压变化时,晶体管N2阻值跟随变化,最终减弱了由于阈值电压漂移带来的VO的变化量。增加了OLED发光的均匀性。行选控制信号SEL为高电平时,VG点电压通过P1不断漏电,增加的晶体管P2在VG和VG1之间有一个寄生的反向二极管,会使VG点的漏电减小,VG电压相对图1传统像素结构中驱动管栅极电压更稳定。

技术研发人员:秦昌兵;张白雪;陈啟宏;杨建兵;陈建军
受保护的技术使用者:中国电子科技集团公司第五十五研究所
技术研发日:2018.11.13
技术公布日:2019.03.01
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