像素电路、驱动方法、显示面板及显示装置与流程

1.本公开涉及显示技术领域，特别涉及像素电路、驱动方法、显示面板及显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)显示器是当今平板显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器(liquid crystal display，lcd)相比，oled显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。oled显示装置中具有发光器件和像素电路，一般oled显示装置中采用像素电路来驱动发光器件发光。用于控制发光器件发光的像素电路是oled显示装置的核心技术内容。


技术实现要素：

3.本公开实施例提供的像素电路，包括：
4.发光器件；
5.驱动晶体管，与所述发光器件耦接，被配置为根据数据电压信号产生驱动所述发光器件发光的驱动电流；
6.第一控制电路，被配置为响应于第一扫描信号端的信号，稳定所述驱动晶体管的栅极的电压，并根据第一节点的信号调整所述驱动晶体管栅极的电压；
7.第二控制电路，被配置为响应于第二扫描信号端的信号，将所述驱动晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极导通；以及响应于第三扫描信号端的信号，将所述第一节点与所述驱动晶体管的第二极导通；
8.初始化电路，被配置为响应于第四扫描信号端的信号，将初始化信号端的信号提供给所述发光器件；以及响应于第五扫描信号端的信号，将所述初始化信号端的信号提供给所述第一节点；
9.数据写入电路，被配置为响应于第六扫描信号端的信号，将数据信号端的数据电压信号提供给所述第一节点；
10.发光控制电路，被配置为响应于发光控制信号端的信号，将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极导通，使所述驱动晶体管产生的驱动电流提供给所述发光器件，驱动所述发光器件发光。
11.在一些可能的实施方式中，所述第一控制电路包括第一子电路、第二子电路以及第三子电路；
12.所述第一子电路被配置为响应于所述第一扫描信号端的信号，将所述驱动晶体管的栅极与所述第三子电路导通；
13.所述第二子电路被配置为保持所述第一节点与所述驱动晶体管的栅极之间的电压差稳定；
14.所述第三子电路被配置为在通过所述第一子电路与所述驱动晶体管的栅极导通时，保持所述第一电源端与所述驱动晶体管的栅极之间的电压差稳定。
15.在一些可能的实施方式中，所述第一子电路包括第一晶体管；所述第一晶体管的栅极与所述第一扫描信号端耦接，所述第一晶体管的第一极与所述第三子电路耦接，所述第一晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接。
16.在一些可能的实施方式中，所述第二子电路包括第一电容；所述第一电容的第一电极与所述驱动晶体管的栅极耦接，所述第一电容的第二电极与所述第一节点耦接。
17.在一些可能的实施方式中，所述第三子电路包括第二电容；所述第二电容的第一电极与所述第一电源端耦接，所述第二电容的第二电极与所述第一子电路耦接。
18.在一些可能的实施方式中，所述第二控制电路包括第二晶体管以及第三晶体管；
19.所述第二晶体管的栅极与所述第二扫描信号端耦接，所述第二晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一极耦接，所述第二晶体管的第二极与所述驱动晶体管的栅极耦接；
20.所述第三晶体管的栅极与所述第三扫描信号端耦接，所述第三晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极耦接，所述第三晶体管的第二极与所述第一节点耦接。
21.在一些可能的实施方式中，所述初始化电路包括第四晶体管以及第五晶体管；
22.所述第四晶体管的栅极与所述第四扫描信号端耦接，所述第四晶体管的第一极与所述发光器件耦接，所述第四晶体管的第二极与所述初始化信号端耦接；
23.所述第五晶体管的栅极与所述第五扫描信号端耦接，所述第五晶体管的第一极与所述第一节点耦接，所述第五晶体管的第二极与所述初始化信号端耦接。
24.在一些可能的实施方式中，所述数据写入电路包括第六晶体管；
25.所述第六晶体管的栅极与所述第六扫描信号端耦接，所述第六晶体管的第一极与所述第一节点耦接，所述第六晶体管的第二极与所述数据信号端耦接。
26.在一些可能的实施方式中，所述发光控制电路包括第七晶体管；
27.所述第七晶体管的栅极与所述发光控制信号端耦接，所述第七晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第一极耦接，所述第七晶体管的第二极与所述第一电源端耦接。
28.在一些可能的实施方式中，所述第一扫描信号端与所述第四扫描信号端为同一信号端。
29.本公开实施例提供的显示面板，包括上述的像素电路。
30.本公开实施例提供的显示装置，包括上述的显示面板。
31.本公开实施例提供了用于上述像素电路的驱动方法，包括：初始化阶段、阈值电压补偿阶段、数据写入阶段以及发光阶段；
32.在所述初始化阶段，所述第一控制电路响应于所述第一扫描信号端的信号，稳定所述驱动晶体管的栅极的电压；所述第二控制电路响应于所述第二扫描信号端的信号，将所述驱动晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极导通；所述初始化电路响应于所述第四扫描信号端的信号，将所述初始化信号端的信号提供给所述发光器件；以及响应于所述第五扫描信号端的信号，将所述初始化信号端的信号提供给所述第一节点；所述发光控制电路响应于所述发光控制信号端的信号，将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极导通；
33.在所述阈值电压补偿阶段，所述第一控制电路响应于所述第一扫描信号端的信号，稳定所述驱动晶体管的栅极的电压；所述第二控制电路响应于所述第二扫描信号端的信号，将所述驱动晶体管的第一极与所述驱动晶体管的栅极导通；所述初始化电路响应于
所述第四扫描信号端的信号，将所述初始化信号端的信号提供给所述发光器件；以及响应于所述第五扫描信号端的信号，将所述初始化信号端的信号提供给所述第一节点；
34.在所述数据写入阶段，所述第一控制电路响应于所述第一扫描信号端的信号，稳定所述驱动晶体管的栅极的电压，并根据所述第一节点的信号调整所述驱动晶体管栅极的电压；所述初始化电路响应于所述第四扫描信号端的信号，将所述初始化信号端的信号提供给所述发光器件；所述数据写入电路响应于所述第六扫描信号端的信号，将所述数据信号端的数据电压信号提供给所述第一节点；
35.在所述发光阶段，所述第二控制电路响应于所述第三扫描信号端的信号，将所述第一节点与所述驱动晶体管的第二极导通；所述发光控制电路响应于所述发光控制信号端的信号，将所述第一电源端与所述驱动晶体管的第一极导通，使所述驱动晶体管产生的驱动电流提供给所述发光器件，驱动所述发光器件发光。
附图说明
36.图1为本公开实施例提供的像素电路的一些结构示意图；
37.图2为本公开实施例提供的像素电路的另一些结构示意图；
38.图3为本公开实施例提供的像素电路的又一些结构示意图；
39.图4为本公开实施例提供的像素电路的驱动方法的流程图；
40.图5为本公开实施例提供的一些信号时序图；
41.图6为本公开实施例提供的像素驱动电路的又一些结构示意图；
42.图7为本公开实施例提供的另一些信号时序图。
具体实施方式
43.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
44.除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
45.需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
46.本公开实施例提供的显示装置，包括：显示面板，显示面板的显示区中包括多个阵列排布的像素单元，像素单元包括多个子像素。示例性地，每个像素单元包括多个子像素。例如，像素单元可以包括红色子像素，绿色子像素以及蓝色子像素，这样可以通过红绿蓝进
行混色，以实现彩色显示。或者，像素单元也可以包括红色子像素，绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素，这样可以通过红绿蓝白进行混色，以实现彩色显示。当然，在实际应用中，像素单元中的子像素的发光颜色可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
47.在本公开实施例中，各子像素中包括像素电路，像素电路包括驱动晶体管和发光器件，以控制发光器件发光，从而使显示面板实现画面显示的功能。由于工艺制程和器件老化等原因，会使驱动发光器件发光的驱动晶体管的阈值电压vth存在不均匀性，这样就导致了流过不同发光器件的电流发生变化使得显示亮度不均，从而影响整个图像的显示效果。
48.本公开实施例提供了一种像素电路，如图1所示，包括：发光器件l、驱动晶体管m0、第一控制电路10、第二控制电路20、初始化电路30、数据写入电路40以及发光控制电路50；其中，驱动晶体管m0，与发光器件l耦接，被配置为根据数据电压信号产生驱动发光器件l发光的驱动电流；
49.第一控制电路10，被配置为响应于第一扫描信号端ss1的信号，稳定驱动晶体管m0的栅极的电压，并根据第一节点n1的信号调整驱动晶体管m0栅极的电压；
50.第二控制电路20，被配置为响应于第二扫描信号端ss2的信号，将驱动晶体管m0的第一极与驱动晶体管m0的栅极导通；以及响应于第三扫描信号端ss3的信号，将第一节点n1与驱动晶体管m0的第二极导通；
51.初始化电路30，被配置为响应于第四扫描信号端ss4的信号，将初始化信号端vini的信号提供给发光器件l；以及响应于第五扫描信号端ss5的信号，将初始化信号端vini的信号提供给第一节点n1；
52.数据写入电路40，被配置为响应于第六扫描信号端ss6的信号，将数据信号端da的数据电压信号提供给第一节点n1；
53.发光控制电路50，被配置为响应于发光控制信号端em的信号，将第一电源端vdd与驱动晶体管m0的第一极导通，使驱动晶体管m0产生的驱动电流提供给发光器件l，驱动发光器件l发光。
54.在本公开实施例中，通过第一控制电路、第二控制电路、初始化电路、数据写入电路以及发光控制电路的相互配合，可以对驱动晶体管的阈值电压进行补偿，使驱动发光器件发光的驱动电流与驱动晶体管的阈值电压无关，可以避免驱动晶体管的阈值电压漂移对发光器件的发光影响，进一步提高发光稳定性以及提高显示面板的显示效果。
55.在本公开实施例中，如图1所示，驱动晶体管m0可以设置为n型晶体管；其中，驱动晶体管m0的第一极可以为其漏极，驱动晶体管m0的第二极可以为其源极，并且该驱动晶体管m0处于饱和状态时，电流由驱动晶体管m0的漏极流向其源极。当然，驱动晶体管m0也可以设置为p型晶体管，在此不作限定。
56.在本公开实施例中，如图1所示，驱动晶体管m0的第二极与发光器件l的阳极耦接，初始化电路30与发光器件l的阳极耦接，发光器件l的阴极与第二电源端vss耦接。示例性地，发光器件l可以包括：微型发光二极管(micro light emitting diode，micro led)、有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)以及量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes，qled)中的至少一种。示例性地，发光器件l可以包括层叠设置的阳极、发光层、阴极。进一步地，发光层还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等膜层。在实际应用中，可以根据实际应用环境来设计确定发光器件l的具
体结构，在此不作限定。
57.在本公开实施例中，如图2所示，第一控制电路10包括第一子电路101、第二子电路102以及第三子电路103；其中，第一子电路101被配置为响应于第一扫描信号端ss1的信号，将驱动晶体管m0的栅极与第三子电路103导通；第二子电路102被配置为保持第一节点n1与驱动晶体管m0的栅极之间的电压差稳定；第三子电路103被配置为在通过第一子电路101与驱动晶体管m0的栅极导通时，保持第一电源端vdd与驱动晶体管m0的栅极之间的电压差稳定。
58.在本公开实施例中，如图3所示，第一子电路101包括第一晶体管m1；其中，第一晶体管m1的栅极与第一扫描信号端ss1耦接，第一晶体管m1的第一极与第三子电路103耦接，第一晶体管m1的第二极与驱动晶体管m0的栅极耦接。
59.示例性地，第一晶体管m1可以在第一扫描信号端ss1传输的第一扫描信号的有效电平的控制下导通，可以在第一扫描信号的无效电平的控制下截止。示例性地，第一晶体管m1设置为n型晶体管，则第一扫描信号的有效电平为高电平，第一扫描信号的无效电平为低电平。或者，第一晶体管m1设置为p型晶体管，则第一扫描信号有效电平为低电平，第一扫描信号的无效电平为高电平。
60.在本公开实施例中，如图3所示，第二子电路102包括第一电容c1；其中，第一电容c1的第一电极与驱动晶体管m0的栅极耦接，第一电容c1的第二电极与第一节点n1耦接。
61.在本公开实施例中，如图3所示，第三子电路103包括第二电容c2；其中，第二电容c2的第一电极与第一电源端vdd耦接，第二电容c2的第二电极与第一子电路101耦接。
62.在本公开实施例中，如图3所示，第二控制电路20包括第二晶体管m2以及第三晶体管m3；其中，第二晶体管m2的栅极与第二扫描信号端ss2耦接，第二晶体管m2的第一极与驱动晶体管m0的第一极耦接，第二晶体管m2的第二极与驱动晶体管m0的栅极耦接；第三晶体管m3的栅极与第三扫描信号端ss3耦接，第三晶体管m3的第一极与驱动晶体管m0的第二极耦接，第三晶体管m3的第二极与第一节点n1耦接。
63.示例性地，第二晶体管m2可以在第二扫描信号端ss2传输的第二扫描信号的有效电平的控制下导通，可以在第二扫描信号的无效电平的控制下截止。示例性地，第二晶体管m2设置为n型晶体管，则第二扫描信号的有效电平为高电平，第二扫描信号的无效电平为低电平。或者，第二晶体管m2设置为p型晶体管，则第二扫描信号有效电平为低电平，第二扫描信号的无效电平为高电平。
64.示例性地，第三晶体管m3可以在第三扫描信号端ss3传输的第三扫描信号的有效电平的控制下导通，可以在第三扫描信号的无效电平的控制下截止。示例性地，第三晶体管m3设置为n型晶体管，则第三扫描信号的有效电平为高电平，第三扫描信号的无效电平为低电平。或者，第三晶体管m3设置为p型晶体管，则第三扫描信号有效电平为低电平，第三扫描信号的无效电平为高电平。
65.在本公开实施例中，如图3所示，初始化电路30包括第四晶体管m4以及第五晶体管m5；其中，第四晶体管m4的栅极与第四扫描信号端ss4耦接，第四晶体管m4的第一极与发光器件l耦接，第四晶体管m4的第二极与初始化信号端vini耦接；第五晶体管m5的栅极与第五扫描信号端ss5耦接，第五晶体管m5的第一极与第一节点n1耦接，第五晶体管m5的第二极与初始化信号端vini耦接。
66.示例性地，第四晶体管m4可以在第四扫描信号端ss4传输的第四扫描信号的有效电平的控制下导通，可以在第四扫描信号的无效电平的控制下截止。示例性地，第四晶体管m4设置为n型晶体管，则第四扫描信号的有效电平为高电平，第四扫描信号的无效电平为低电平。或者，第四晶体管m4设置为p型晶体管，则第四扫描信号有效电平为低电平，第四扫描信号的无效电平为高电平。
67.示例性地，第五晶体管m5可以在第五扫描信号端ss5传输的第五扫描信号的有效电平的控制下导通，可以在第五扫描信号的无效电平的控制下截止。示例性地，第五晶体管m5设置为n型晶体管，则第五扫描信号的有效电平为高电平，第五扫描信号的无效电平为低电平。或者，第五晶体管m5设置为p型晶体管，则第五扫描信号有效电平为低电平，第五扫描信号的无效电平为高电平。
68.在本公开实施例中，如图3所示，数据写入电路40包括第六晶体管m6；其中，第六晶体管m6的栅极与第六扫描信号端ss6耦接，第六晶体管m6的第一极与第一节点n1耦接，第六晶体管m6的第二极与数据信号端da耦接。
69.示例性地，第六晶体管m6可以在第六扫描信号端ss6传输的第六扫描信号的有效电平的控制下导通，可以在第六扫描信号的无效电平的控制下截止。示例性地，第六晶体管m6设置为n型晶体管，则第六扫描信号的有效电平为高电平，第六扫描信号的无效电平为低电平。或者，第六晶体管m6设置为p型晶体管，则第六扫描信号有效电平为低电平，第六扫描信号的无效电平为高电平。
70.在本公开实施例中，如图3所示，发光控制电路50包括第七晶体管m7；其中，第七晶体管m7的栅极与发光控制信号端em耦接，第七晶体管m7的第一极与驱动晶体管m0的第一极耦接，第七晶体管m7的第二极与第一电源端vdd耦接。
71.示例性地，第七晶体管m7可以在发光控制信号端em传输的发光控制信号的有效电平的控制下导通，可以在发光控制信号的无效电平的控制下截止。示例性地，第七晶体管m7设置为n型晶体管，则发光控制信号的有效电平为高电平，发光控制信号的无效电平为低电平。或者，第七晶体管m7设置为p型晶体管，则发光控制信号有效电平为低电平，发光控制信号的无效电平为高电平。
72.示例性地，上述的晶体管的第一极可以为其源极，第二极可以为其漏极。或者，第一极为其漏极，第二极为其源极。在此不作限定。
73.一般采用低温多晶硅(low temperature poly-silicon，ltps)材料作为有源层的晶体管的迁移率高且可以做得更薄更小、功耗更低等，在具体实施时，上述至少一个晶体管的有源层的材料可以设置为低温多晶硅材料。这样可以将上述晶体管设置为ltps型晶体管，以使像素电路实现迁移率高且可以做得更薄更小、功耗更低等。
74.一般采用金属氧化物半导体材料作为有源层的晶体管的漏电流较小，因此为了降低漏电流，在本公开一些实施例中，也可以使上述至少一个晶体管的有源层的材料包括金属氧化物半导体材料，例如可以为igzo(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)，当然，也可以为其他金属氧化物半导体材料，在此不作限定。这样可以将上述晶体管设置为氧化物型晶体管(oxide thin film transistor)，以使像素电路的漏电流减小。
75.示例性地，可以将所有晶体管均设置为ltps型晶体管。或者，可以将所有晶体管均设置为氧化物型晶体管。或者，也可以使部分晶体管设置为氧化物型晶体管，其余晶体管设
置为ltps型晶体管。
76.在本公开实施例中，第一电源端vdd可以被配置为加载恒定的第一电源电压vdd，并且第一电源电压vdd一般为正值。以及，第二电源端vss可以加载恒定的第二电源电压vss，并且第二电源电压vss一般可以为接地电压或为负值。在实际应用中，第一电源电压vdd和第二电源电压vss的具体数值可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
77.在本公开实施例中，如图3所示，还包括：第二节点n2、第三节点n3以及第四节点n4；其中，第二节点n2与驱动晶体管m0的栅极耦接，第三节点n3与驱动晶体管m0的第一极耦接，第四节点n4与驱动晶体管m0的第二极耦接。
78.以上仅是举例说明本公开实施例提供的像素电路中的各电路的具体结构，在具体实施时，上述电路的具体结构不限于本公开实施例提供的上述结构，还可以是本领域技术人员可知的其他结构，这些均在本公开的保护范围之内，具体在此不作限定。
79.在本公开实施例中，如图4所示，本公开实施例中提供像素电路的驱动方法，可以包括如下步骤：
80.s100、初始化阶段，第一控制电路响应于第一扫描信号端的信号，稳定驱动晶体管的栅极的电压；第二控制电路响应于第二扫描信号端的信号，将驱动晶体管的第一极与驱动晶体管的栅极导通；初始化电路响应于第四扫描信号端的信号，将初始化信号端的信号提供给发光器件；以及响应于第五扫描信号端的信号，将初始化信号端的信号提供给第一节点；发光控制电路响应于发光控制信号端的信号，将第一电源端与驱动晶体管的第一极导通；
81.s200、阈值电压补偿阶段，第一控制电路响应于第一扫描信号端的信号，稳定驱动晶体管的栅极的电压；第二控制电路响应于第二扫描信号端的信号，将驱动晶体管的第一极与驱动晶体管的栅极导通；初始化电路响应于第四扫描信号端的信号，将初始化信号端的信号提供给发光器件；以及响应于第五扫描信号端的信号，将初始化信号端的信号提供给第一节点；
82.s300、数据写入阶段，第一控制电路响应于第一扫描信号端的信号，稳定驱动晶体管的栅极的电压，并根据第一节点的信号调整驱动晶体管栅极的电压；初始化电路响应于第四扫描信号端的信号，将初始化信号端的信号提供给发光器件；数据写入电路响应于第六扫描信号端的信号，将数据信号端的数据电压信号提供给第一节点；
83.s400、发光阶段，第二控制电路响应于第三扫描信号端的信号，将第一节点与驱动晶体管的第二极导通；发光控制电路响应于发光控制信号端的信号，将第一电源端与驱动晶体管的第一极导通，使驱动晶体管产生的驱动电流提供给发光器件，驱动发光器件发光。
84.下面以图3所示的像素电路为例，结合图5所示的信号时序图，对本公开实施例提供的像素电路的工作过程作以描述。
85.在本公开实施例中，如图5所示，em代表发光控制信号端em的发光控制信号，ss1代表第一扫描信号端ss1的第一扫描信号，ss2代表第二扫描信号端ss2的第二扫描信号，ss3代表第三扫描信号端ss3的第三扫描信号，ss4代表第四扫描信号端ss4的第四扫描信号，ss5代表第五扫描信号端ss5的第五扫描信号，ss6代表第六扫描信号端ss6的第六扫描信号，da代表数据信号端da的信号。
86.并且，选取一个显示帧中的初始化阶段p1、阈值补偿阶段p2、数据写入阶段p3以及
发光阶段p4。
87.在初始化阶段p1时，第一晶体管m1在第一扫描信号ss1的高电平的控制下导通，第二晶体管m2在第二扫描信号ss2的高电平的控制下导通，第三晶体管m3在第三扫描信号ss3的低电平的控制下截止，第四晶体管m4在第四扫描信号ss4的高电平的控制下导通，第五晶体管m5在第五扫描信号ss5的高电平的控制下导通，第六晶体管m6在第六扫描信号ss6的低电平的控制下截止，第七晶体管m7在发光控制信号em的高电平的控制下导通。导通的第四晶体管m4将初始电压信号端vini的初始化信号输入到发光器件l的阳极，对发光器件l的阳极进行初始化。则，vn4＝vvini，其中，vn4代表第四节点n4的电压，vvini代表初始电压信号端vini输出的初始化信号的电压。导通的第五晶体管m5将初始电压信号端vini的初始化信号输入到第一节点n1，则，vn1＝vvini，其中，vn1代表第一节点n1的电压。导通的第七晶体管m7将第一电源端vdd的信号输入到第三节点n3，则，vn3＝vdd，其中，vn3代表第三节点n3的电压，vdd代表第一电源端vdd的第一电源电压信号的电压，以对第二晶体管m2的第一极进行初始化。导通的第二晶体管m2将第三节点n3的信号输入到第二节点n2，则，vn2＝vdd，其中，vn2代表第二节点n2的电压，以对第二电容c2的第二电极进行初始化。并且，第一电容c1和第二电容c2稳定其各自的两个电极之间的电压差。
88.在阈值补偿阶段p2时，第一晶体管m1在第一扫描信号ss1的高电平的控制下导通，第二晶体管m2在第二扫描信号ss2的高电平的控制下导通，第三晶体管m3在第三扫描信号ss3的低电平的控制下截止，第四晶体管m4在第四扫描信号ss4的高电平的控制下导通，第五晶体管m5在第五扫描信号ss5的高电平的控制下导通，第六晶体管m6在第六扫描信号ss6的低电平的控制下截止，第七晶体管m7在发光控制信号em的低电平的控制下截止。导通的第四晶体管m4将初始电压信号端vini的初始化信号输入到发光器件l的阳极，对发光器件l的阳极进行初始化。则，vn4＝vvini。导通的第五晶体管m5将初始电压信号端vini的初始化信号输入到第一节点n1，则，vn1＝vvini。导通的第二晶体管m2将驱动晶体管m0的栅极与驱动晶体管m0的第一极导通，使驱动晶体管m0形成二极管连接方式，从而进行阈值电压vth补偿，第二节点n2的电压vn2变化为vn2＝vvini+vth，vth代表驱动晶体管m0的阈值电压。并且，第一电容c1和第二电容c2稳定其各自的两个电极之间的电压差。并且，导通的第一晶体管m1将第二节点n2与第二电容c2的第二电极导通，以使第二电容c2的第二电极的电压为vn2。
89.在数据写入阶段p3时，第一晶体管m1在第一扫描信号ss1的高电平的控制下导通，第二晶体管m2在第二扫描信号ss2的低电平的控制下截止，第三晶体管m3在第三扫描信号ss3的低电平的控制下截止，第四晶体管m4在第四扫描信号ss4的高电平的控制下导通，第五晶体管m5在第五扫描信号ss5的低电平的控制下截止，第六晶体管m6在第六扫描信号ss6的高电平的控制下导通，第七晶体管m7在发光控制信号em的低电平的控制下截止。导通的第四晶体管m4将初始电压信号端vini的初始化信号输入到发光器件l的阳极，对发光器件l的阳极进行初始化。则，vn4＝vvini。导通的第六晶体管m6将数据信号端da的数据电压信号输入到第一节点n1，则，vn1＝vda，其中，vda代表数据信号端da的数据电压信号的电压。并且，第一节点n1的电压vn1的变化量为vda-vvini。导通的第一晶体管m1将第二节点n2与第二电容c2的第二电极导通，则通过第一电容和第二电容的耦合作用，使第二节点的电压vn2变为：vn2＝vvini+vth+(vda-vvini)[c1/(c1+c2)]。其中，c1代表第一电容c1的电容量，c2代
表第二电容c2的电容量。
[0090]
在发光阶段p4时，第一晶体管m1在第一扫描信号ss1的低电平的控制下截止，第二晶体管m2在第二扫描信号ss2的低电平的控制下截止，第三晶体管m3在第三扫描信号ss3的电高平的控制下导通，第四晶体管m4在第四扫描信号ss4的低电平的控制下截止，第五晶体管m5在第五扫描信号ss5的低电平的控制下截止，第六晶体管m6在第六扫描信号ss6的低电平的控制下截止，第七晶体管m7在发光控制信号em的高电平的控制下导通。导通的第三晶体管m3将第四节点n4与第一节点n1导通。则，第三节点n3的电压vn3＝vdd，第四节点的电压为vn4，第一节点n1的电压vn1变化量为vn4-vda，第一节点n1的电压vn1变化量通过第一电容c1耦合到驱动晶体管m0的栅极(即第二节点n2)，则，
[0091]
vn2＝vvini+vth+(vda-vvini)[c1/(c1+c2)]+vn4-vda
[0092]
＝vn4+vth-[c2/(c1+c2)]vda-[c1/(c1+c2)]vvini。
[0093]
导通的第七晶体管m7将驱动晶体管m0的第一极与第一电源端vdd导通，以及驱动晶体管m0的第二极与发光器件l的阳极导通，使驱动晶体管m0产生驱动发光器件l发光的驱动电流i
ds
，控制发光器件l发光。其中，i
ds
代表驱动发光器件l发光的驱动电流，并且，其中，vgs代表驱动晶体管m0栅极与源极之间的电压差，l代表驱动晶体管m0的沟道的长度，w代表驱动晶体管m0的沟道的宽度，c
ox
代表驱动晶体管m0的栅绝缘层单位面积电容，μ代表驱动晶体管m0的迁移率。
[0094]
本公开实施例该提供了像素驱动电路另一些结构示意图，如图6所示，其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其大致相同之处在此不作赘述。
[0095]
在本公开实施例中，第一扫描信号端ss1与第四扫描信号端ss4为同一信号端。例如，如图6所示，第四晶体管m4的栅极与第一扫描信号端ss1耦接。
[0096]
图6所示的像素电路对应的信号时序图，可以如图7所示。该实施例的驱动过程与前述像素电路的驱动过程相似，因此该实施例的驱动过程可以参见前述像素电路的驱动过程实施，重复之处在此不再赘述。
[0097]
本公开实施例还提供了显示面板，显示面板的显示区中包括多个阵列排布的像素单元，像素单元包括多个子像素。其中，各子像素包括上述像素电路。该显示面板解决问题的原理与前述像素电路相似，因此该显示面板的实施可以参见前述像素电路的实施，重复之处在此不再赘述。
[0098]
本公开实施例还提供了显示装置，包括上述显示面板，该显示装置解决问题的原理与前述像素电路相似，因此该显示装置的实施可以参见前述像素电路的实施，重复之处在此不再赘述。
[0099]
在具体实施时，在本公开实施例中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
[0100]
尽管已描述了本公开的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造
性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本公开范围的所有变更和修改。
[0101]
显然，本领域的技术人员可以对本公开实施例进行各种改动和变型而不脱离本公开实施例的精神和范围。这样，倘若本公开实施例的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。